DE2636178A1 - Element zum erfassen des vorhandenseins von gas sowie verfahren zu dessen herstellung - Google Patents

Element zum erfassen des vorhandenseins von gas sowie verfahren zu dessen herstellung

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DE2636178A1 DE19762636178 DE2636178A DE2636178A1 DE 2636178 A1 DE2636178 A1 DE 2636178A1 DE 19762636178 DE19762636178 DE 19762636178 DE 2636178 A DE2636178 A DE 2636178A DE 2636178 A1 DE2636178 A1 DE 2636178A1
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Description

HOFFMANN · EITLE & PARTNER
PATENTANWALTEDR-INg1E-HOFFMANN . DIPL.-ING.W.EITLE · DR. RER. NAT. K.HOFFMAN N · D1PL.-ING. W. LEH N ^P}??K F.ÜCARABfLLASTRASSE 4 (STERNHAUS) · TELEFON (089) 911087 · TELEX 05-29619 (PATHE)
NOHMI BOSAI KOGYO CO., LTD., Tokyo / Japan
Element zum Erfassen des Vorhandenseins von Gas sowie Verfahren zu dessen Herstellung
Die Erfindung betrifft ein Element zum Erfassen des Vorhandenseins von Gas sowie Verfahren zum Herstellen eines solchen Elementes. Dabei wird bei dem Element von der Verwendung von Metalloxidhalbleitern ausgegangen.
Um das Vorhandensein von Reduktionsgasen festzustellen, ist es bekannt, von der Widerstandsänderung eines einzelnen Metalloxidhalbleiters Gebrauch zu machen, der auf bestimmte Temperaturen erwärmt wird. Der mit diesen Gaserfassungselementen verbundene Nachteil liegt in dem hohen Energieverbrauch zum Erwärmen der Elemente. Ausserdem ist ein recht komplizierter elektrischer Schaltkreis für die Auswertung erforderlich. Bekannt ist auch ein Gaserfassungselement mit einer Temperaturdifferenz zwischen den beiden Enden eines Metall- oder Metal1-
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oxidhalbleiters, wobei das Vorhandensein, von Gas durch eine impulsartige elektromotorische Kraft erfasst wird, die durch Adsorption von Gas entsteht. Um die Temperaturdifferenz zu erhalten, erfordert dieses Element jedoch eine aufwendige Kons truktion.
Demgegenüber soll durch die Erfindung ein Gaserfassungselement geschaffen werden, das ohne spezielles Vorsehen einer derartigen Temperaturdifferenz das Vorhandensein von Gas durch die erzeugte elektromotorische Kraft feststellen kann, einen einfachen Aufbaut hat und mit einem geringen Energiebedarf und einem ziemlich einfachen Auswertungsschaltkreis auskommt. Des weiteren sollen durch die Erfindung Verfahren zum Herstellen eines solchen Elementes geschaffen werden.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäss dadurch gelöst, dass das Element einen Grundkörper aufweist, der durch die Kombination von mehreren Metalloxidhalbleitern mit unterschiedlichen Zusammensetzungen gebildet ist und mit Elektroden ausgerüstet ist, die die Änderungen in der elektromotorischen Kraft erfassen, die durch Adsorption und Desadsorption von Gas entsteht.
Weiterbildungen des erfindungsgemässen Elementes sind in den Unteransprüchen 2 bis 10 aufgeführt.
Ein Verfahren zur Herstellung eines solchen gaserfassenden Elementes zeichnet sich dadurch aus, dass man die betreffenden Basismaterialien für Metalloxidhalbleiter mit unterschiedlichen Zusammensetzungen mit Sintermaterialien vermischt, die Mischungen mit einer geringen Menge Wasser verrührt, um eine Paste A und eine Paste B zu bilden, die Paste A auf einen Teil der Oberfläche eines mit Elektroden ausgestatteten Substrates aufgibt und sintert, und dann die Paste B über die vorgenannte Paste A aufgibt, so dass beide Pasten eine Verbindung bilden, und sintert.
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Weiterbildungen dieses Verfahrens sind in den Unteransprüchen 12 bis 19 aufgeführt.
Ein nebengeordnetes Verfahren zum Herstellen des gaserfassenden Elementes zeichnet sich dadurch aus, dass man die betreffenden Basismaterialien für Metalloxidhalbleiter mit unterschiedlichen Zusammensetzungen mit Sintermaterial vermischt, die Mischungen mit einer geringen Menge Wasser verrührt, um eine Paste A und eine Paste B zu bilden, und die Paste A und die Paste B auf die Oberflächen von mit Elektroden ausgestatteten Substraten aufgibt, so dass sie eine Verbindung bilden, die gesintert wird.
Weiterbildungen dieses Verfahrens sind in den Unteransprüchen 21 bis 26 aufgeführt.
Die Erfindung geht davon aus, dass die elektromotorische Kraft entsteht, wenn der Grundkörper eines durch die Verbindung von zwei Arten von Metalloxidhalbleitern mit unterschiedlichen Zusammensetzungen gebildeten Elementes gleichmässig erwärmt wird und Reduktionsgas an der Oberfläche des Grundkörpers absorbiert wird. Bei einem aus der Verbindung von speziellen Halbleitern gebildeten Element wird die elektromotorische Kraft gezielt auf Kohlenmonoxid abgestellt. Das Element braucht nicht erwärmt zu werden, insbesondere nicht auf eine hohe Temperatur erwärmt werden.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand von Ausführungsbeispielen und unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher erläutert. Dabei zeigt
Fig. 1 eine Seitenansicht eines Ausführungsbeispiels für ein erfindungsgemässes Element,
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Fig. 2 grafische Darstellungen bezüglich der Ausgangs- wad Ansprechcharakteristika von erfindungsgemässen Elementen.
Mit dem Bezugszeichen 1 sind Platindrähte, dem Bezugszeichen 2 ein Aluminiumoxidkeramikrohr und den Bezugszeichen A, B Metalloxidhalbleiter gekennzeichnet.
Die Erfindung wurde anhand von folgenden Ausführungsbeispielen untersucht: Beispiel 1, Kombination eines N-Typ-Halbleiters, der Zinn(IV)-Oxid aufwies und eines N-Typ-Halbleiters, der Zinn(IV)-Oxid mit Palladiumchlorid als Katalysator aufwies; Beispiel 2, Kombination von N-Typ-Halbleiter, die Zinn(IV)-Oxid und Mangandioxid aufwiesen; Beispiel 3, Kombination eines N-Typhalbleiters, der Zinn(IV)-Oxid aufwies und eines P-Typ-Halbleiters der Kupfer(I)-Oxid aufwies, Beispiel 4, Kombination eines N-Typ-Halbleiters, der Zinn(IV)-Oxid aufwies und eines P-Typhalbleiters, der Chromsesquioxid aufwies; und Beispiel 5, Kombination eines N-Typ-Halbleiters, der Zinn(IV)-Oxid aufwies und eines N-Typ-Halbleiters, der Zinn(IV)-Oxid mit Platin als Katalysator aufwies. Die Versuche zeigten gute Ergebnisse.
Beispiel 1:
Zinn(IV)-Oxid, Antimonsesquioxid, Palladiumchlorid und Aluminiumoxid aufweisendes Sintermaterial werden in einem Verhältnis von 80:8:2:10 Gewichtsteilen vermischt und mit einer geringen Menge Wasser zu einer Paste A verrührt. Zinn(IV)-Oxid, Antimonsesquioxid und Aluminiumoxid aufweisendes Sintermaterial werden in einem Verhältnis von 82:8:10 Gewichtsteilen vermischt und mit einer geringen Menge Wasser zu einer Paste B verrührt. Dann wird die Paste A gleichmässig über eine Hälfte der Oberfläche eines aluminiumoxidkeramischen Rohres 2, an dessen beiden Enden gemäss Fig. 1 Platindrähte 1 als Elektroden aufgewickelt waren, aufgegeben, natürlich getrocknet und bei einer Temperatur von 500° C 10 Minuten lang in der Atmosphäre gesintert. Die verbleibende Hälfte der Oberfläche des Rohres wird mit der Paste B in der gleichen Weise, wie
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zuvor beschrieben, beschichtet, natürlich getrocknet und bei einer Temperatur von 85O° C 30 Minuten lang in der Atmosphäre gesintert. Dann wird ein Chromnickeldraht 3 (Nichromdraht) in das keramische Rohr 2 als Heizdraht eingesetzt und durch Aluminiumoxidzement 4 fixiert.
Beispiel 2:
Zinn(IV)-Oxid und Aluminiumoxid aufweisendes Sintermaterial werden in einem Verhältnis von 90:10 Gewichtsteilen vermischt und mit einer geringen Menge Wasser zu einer Paste A verrührt. Mangandioxid und Aluminiumoxid aufweisendes Sintermaterial werden in einem Verhältnis von 90:10 Gewichtsteilen vermischt und mit einer geringen Menge Wasser zu einer Paste B verrührt. Wie bei Beispiel 1, wird die Paste A gleichmässig auf die eine Hälfte der Oberfläche des Aluminiumoxidkeramikrohres 2 mit den darum gewickelten Platindrähten 1 aufgegeben und natürlich getrocknet. Die verbleibende Hälfte der Oberfläche des Rohres 2 wird gleichmässig mit der Paste B beschichtet und natürlich getrocknet. Dann werden die Pasten bei einer Temperatur von 850° C 30 Minuten lang in der Atmosphäre gesintert. Nach dem Sintern wird ein Chromnickeldraht 3 in das Rohr 2 als Heizdraht eingesetzt und durch Aluminiumoxidzement 4 fixiert. . .
Beispiel 3:
Zinn(IV)-Oxid und Aluminiumoxid aufweisendes Sintermaterial werden in einem Verhältnis von 90:10 Gewichtsteilen vermischt und mit einer geringen Menge Wasser zu einer Paste A verrührt. Kupfer(I)-Oxid und Aluminiumoxid aufweisendes Sintermaterial werden in einem Verhältnis von 90:10 Gewichtsteilen vermischt und mit einer geringen Menge Wasser zu einer Paste B verrührt. Wie bei Beispiel 1, wird die Paste A gleichmässig auf die Hälfte der Oberfläche des
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aluminiumoxidkeramischen Rohres 2 mit den darum gewickelten Platindrähten 1 aufgegeben und natürlich getrocknet. Die verbleibende Hälfte der Oberfläche des Rohres wird gleichmassig mit der Paste B beschichtet und natürlich getrocknet. Dann werden die Pasten bei einer Temperatur von 850° C 30 Minuten lang in der Atmosphäre gesintert. Nach dem Sintern wird ein Chromnickeldraht 3 in das Rohr eingesetzt und durch den Aluminiumoxidzement 4 fixiert.
Beispiel 4:
Zinn(IV)-Oxid und Aluminiumoxid aufweisendes Sintermaterial werden in einem Verhältnis von 90:10 Gewichtsteilen vermischt und mit einer geringen Menge Wasser zu einer Paste A verrührt. Chromsesquioxid und Aluminiumoxid aufweisendes Sintermaterial werden in einem Verhältnis von 90:10 Gewichtsteilen vermischt und mit einer geringen Menge Wasser zu einer Paste B verrührt. Die Paste A wird gleichmässig über die Hälfte der Oberfläche eines Aluminiumoxidkeramikrohres 2 mit darum gewickelten Platindrähten 1 aufgegeben und natürlich getrocknet. Die verbleibende Hälfte der Oberfläche des Rohres 2 wird gleichmässig mit der Paste B beschichtet und ebenfalls natürlich getrocknet. Dann werden die Pasten bei einer Temperatur von 850° C 30 Minuten lang in der Atmosphäre gesintert. Nach dem Sintern wird ein Chromnickeldraht 3 in das Rohr 2 als Heizdraht eingesetzt und durch den Aluminiumoxidzement 4 fixiert.
In der nachfolgenden Tabelle sind die Änderungen in der elektromotorischen Kraft der Elemente gemäss zuvor erwähnter Ausführungsbeispiele 1 bis 4, wie sie bei Stickstoff und Propangas hervorgerufen werden, wiedergegeben.
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Aüsführungs-
beispiel
Temperatur
des Elementes
Änderung in der elektromotorischen
Kraft bei verschiedener Gaskonzentration
H2 0.2% C3H3 10%
H2 0.1% 2.1mV 12.0mV
1 25O°C 1 . 7mV 3.0mV
2 400°C 2. OmV 5.0mV
3 35O°C 3. OmV 11.OmV
4 35O°C 8.OmV
Die Änderungen in den Ausgängen der Elemente der vorgenannten Ausführungsform ist in Fig. 2 und 3 in Form von charakteristischen Kurven wiedergegeben. Auf der vertikalen Achse ist die elektromotorische Kraft mV und auf der horizontalen Achse die Zeit T aufgetragen. Wie in Fig. 2 und 3 dargestellt, gibt das Element gemäss Beispiel 1 und geben die Elemente gemäss Beispielen 2, 3 und 4 kontinuierliche Ausgänge nur über die Zeit t ab, bei denen ein Gas vorliegt.
Die Elemente gemäss vorgenannter Ausführungsbeispiele benötigen nicht das spezielle Vorsehen von Temperaturunterschieden. Vielmehr ist lediglich eine gleichmässige Erwärmung der Elemente notwendig, um kontinuierliche Ausgänge während der Zeitdauer zu erhalten, in der Gas vorhanden ist. Daher kann mittels der Erfindung ein Gaserfassungselement erhalten werden, das das Vorhandensein von Gas ohne weiteres feststellt und eine einfache Zusammensetzung besitzt.
Nachfolgend wird auf ein Element gemäss Beispiel 5 eingegangen, das gezielt auf Kohlenmonoxid in der Atmosphäre bei oder unterhalb 50° C anspricht.
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Beispiel 5:
Zinn(IV)-Oxid, Antimonsesquioxid, Chlorplatinsäure und Aluminiumoxid aufweisendes Sintermaterial werden in einem Verhältnis von 72:8:10:10 Gewichtsteilen vermischt und mit einer geringen Menge Wasser zu einer Paste A verrührt. Zinn(IV)-Oxid, Antimonsesquioxid und Aluminiumoxid aufweisendes Sintermaterial werden in einem Verhältnis von 80:10:10 GewichtsteLlen vermischt und mit einer geringen Menge Wasser zu einer Paste B verrührt. Wie bei Beispiel 1, wird die Paste A gleichmässig über die Hälfte der Oberfläche eines Aluminiumoxidkeramikrohres 2 mit darum gewickelten Platindrähten 1 aufgegeben, natürlich getrocknet und bei einer Temperatur von 500° C 10 Minuten lang in der Atmosphäre gesintert. Die verbleibende Hälfte der Oberfläche des Rohres 2 wird mit der Paste B in der gleichen Weise wie zuvor beschichtet und die Paste natürlich getrocknet und bei einer Temperatur von 850° C 10 Minuten lang in der Atmosphäre gesintert.
Die Ausgangsänderungen beim zuvor genannten Beispiel 5 sind in Fig. 4 anhand der charakteristischen Kurve wiedergegeben. Dabei ist auf der vertikalen Achse die elektromotorische Kraft mV und auf der horizontalen Achse die Dichte ppm aufgetragen. Die elektromotorischen Kräfte von 37, 47 und 64mV werden bei Kohlenmonoxiddichten von 50, 100 und 500ppm erhalten. Die Ansprechcharakteristik des Elementes gemäss zuvor genanntem Ausführungsbeispiel ist der charakteristischen Kurve gemäss Fig. 5 zu entnehmen. Dabei ist die elektromotorische Kraft mV auf der vertikalen Achse und die Zeit T auf der horizontalen Achse aufgetragen. Eine elektromotorische Kraft von etwa 5mV liegt bis zur Zeit t^ vor, während der sich das Element in der Atmosphäre befindet. Die elektromotorische Kraft steigt jedoch auf 64mV innerhalb 2 Sekunden an, wenn zum Zeitpunkt t,. das Element in Berührung mit Kohlenmonoxid von 500ppm kommt. Dann fällt die elektromotorische Kraft allmählich ab und, wenn das
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Element zum Zeitpunkt t„ wieder in die Atmosphäre gelegt wird, wird eine elektromotorische Kraft mit entgegengesetzter Polarität erhalten, wonach das Element wieder auf den ursprünglichen Wert von 5mV zurückkehrt und dort verbleibt.
Das Element gemäss Beispiel 5 erfordert nicht das spezielle Vorsehen einer Temperaturdifferenz und spricht gezielt auf Kohlenmonoxid in der Atmosphäre bei oder unterhalb 50 C an, wobei eine elektromotorische Kraft proportional zur Gasdichte erhalten wird. Daher kann ein Kohlenmonoxid erfassendes Element erhalten werden, das ohne weiteres die elektromotorische Kraft erfasst und eine einfache Zusammensetzung besitzt.
Es ist weiter möglich, die zuvor erwähnten Metalloxidhalbleiter in Form von dünnen Filmen vorzusehen, die durch Vakuumaufdampfen hergestellt werden. Ferner stellt das Antimonsesquioxid, das bei den Beispielen 1 und 5 mit Zinn(IV)-Oxid vermischt wird, ein streichfähiges Material dar, das keine speziellen Füllstoffe erfordert. Bei den Beispielen 2 bis 4 kann die Paste, die zuerst auf das Aluminiumoxidkeramikrohr aufgegeben wird, bei einer Temperatur von 500° C 10 Minuten lang gesintert werden.
Das erfindungsgemässe Element hat die Wirkung, dass sich mit ihm ohne weiteres durch die elektromotorische Kraft das Vorhandensein von Gas feststellen lässt, ohne dass hierzu eine spezielle Vorkörung für eine Temperaturdifferenz erforderlich ist. Dabei weist das erfindungsgemässe Element eine einfache Zusammensetzung auf.
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10 -

Claims (26)

- 10 Patentansprüche
1. Element zum Feststellen des Vorhandenseins von einem Gas, dadurch gekennzeichnet , dass es einen Grundkörper aufweist, der aus der Verbindung von mehreren Metalloxidhalbleitern mit unterschiedlichen Zusammensetzungen gebildet ist und Elektroden aufweist, die die Änderungen in der elektromotorischen Kraft erfassen, die durch Adsorption und Desadsorption von Gas entsteht.
2. Element nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Grundkörper durch Verbindung von einem N-Typ-Halbleiter und einem N-Typhalbleiter gleicher Art, dem ein Katalysator hinzugefügt ist, gebildet ist.
3. Element nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , dass der Grundkörper durch Verbindung von einem N-Typ-Halbleiter und einem N-Typ-Halbleiter anderer Art wie der erstgenannte gebildet ist.
4. Element nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Grundkörper durch Verbindung von einem N-Typ-Halbleiter und einem P-Typ-Halbleiter gebildet ist.
5. Element nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der N-Typ-Halbleiter Zinn(IV)-Oxid und der Katalysator Palladiumchlorid aufweist=
6„ Element nach Anspruch 2, dadurch gekennzeich η e t , dass der N-Typ-Halbleiter Zinn(IV)-Oxid und der Katalysator Platin aufweist=
7. Element nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet , dass die N-Typ-Halbleiter Zinn(IV)-Oxid bzw. Mangandioxid aufweisen.
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- 11 -
8. Element nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet , dass der N-Typ-Halbleiter Zinn(IV)-Oxid und der P-Typ-Halbleiter Kupfer(I)-Oxid aufweist.
9. Element nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet , dass der N-Typ-Halbleiter Zinn(IV)-Oxid und der P-Typ-Halbleiter Chromsesquioxid aufweist.
10. Element nach einem der Ansprüche 5 bis 9, dadurch gekennzeichnet , dass dem Halbleiter Aluminiumoxid als Sintermaterial hinzugefügt ist.
11. Verfahren zum Herstellen eines gaserfassenden Elementes nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , dass man die betreffenden Basismaterialien für Metalloxidhalbleiter mit unterschiedlichen Zusammensetzungen mit Sintermaterialien vermischt, die Mischungen mit einer geringen Menge Wasser zur Bildung einer Paste A und einer Paste B verrührt, die Paste A auf einen Teil der Oberfläche eines mit Elektroden ausgestatteten Substrates aufgibt und sintert und dann die Paste B über die Paste A aufgibt, so dass sie eine Verbindung bilden, die gesintert wird.
12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet , dass eine Mischung aus Zinn(IV)-Oxid mit Palladiumchlorid bzw. Zinn(IV)-Oxid als Basismaterialien verwendet werden.
13. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch g e k e η η ζ e i ch net, dass eine Mischung aus Zinn(IV)-Oxid mit Chlorplatinsäure bzw. Zinn(IV)-Oxid als Basismaterialien verwendet werden.
14. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet , das?s Zinn (IV)-Oxid und Mangandioxid als betreffende Basismaterialien verwendet werden.
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- 12 -
15. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass Zinn(IV)-Oxid und Kupfer(I)-Oxid als betreffende Basismaterialien verwendet werden.
16. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet , dass Zinn(IV)-Oxid und Chromsesquioxid als betreffende Basismaterialien verwendet werden.
17. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass als Sintermaterial Aluminiumoxid verwendet wird.
18. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet , dass als Substrat Aluminiumkeramik verwendet wird.
19. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass das erste Sintern bei 500° C über 10 Minuten und das zweite Sintern bei 850° C über 30 Minuten erfolgt.
20. Verfahren zum Herstellen eines gaserfassenden Elementes nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , dass man die betreffenden Basismaterialien für Metalloxidhalbleiter mit unterschiedlichen Zusammensetzungen mit Sintermaterial vermischt, die Mischungen mit einer geringen Menge Wasser zur Bildung einer Paste A und einer Paste B verrührt, und die Paste A und die Paste B auf die Oberflächen von mit Elektroden ausgestatteten Substraten aufgibt, dass sie eine Verbindung bilden, die dann gesintert wird.
21. Verfahren nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, dass Zinn(IV)-Oxid und Mangandioxid als betreffende Basismaterialien verwendet werden.
22. Verfahren nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, dass Zinn(IV)-Oxid und Kupfer(I)-Oxid als betreffende Basismaterialien verwendet werden.
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- 13 -
23. Verfahren nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet , dass Zinn(IV)-Oxid und Chromsesquioxiä als betreffende Basismaterialien verwendet werden.
24. Verfahren nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet , dass als Sintermaterial Aluminiumoxid verwendet wird.
25. Verfahren nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet , dass als Substrat Aluminiumkeramik verwendet wird.
26. Verfahren nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet , dass das Sintern bei einer Temperatur von 850° C 30 Minuten lang erfolgt.
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/Kf
Le erse i te
DE19762636178 1975-08-19 1976-08-11 Halbleiter-Gasdetektor und Verfahren zu dessen Herstellung Expired DE2636178C2 (de)

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NL (1) NL175679C (de)
SE (1) SE433780B (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4244918A (en) * 1975-12-23 1981-01-13 Nippon Soken, Inc. Gas component detection apparatus
US4387165A (en) 1982-04-22 1983-06-07 Youngblood James L H2 S Detector having semiconductor and noncontinuous inert film deposited thereon
US4792433A (en) * 1982-08-27 1988-12-20 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha CO gas detecting device and circuit for driving the same

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5937456A (ja) * 1982-08-27 1984-02-29 Hitachi Ltd Co検知素子
CN85100146B (zh) * 1985-04-01 1987-06-10 清华大学 热--湿--气多功能敏感陶瓷元件及其制造方法
GB8602544D0 (en) * 1986-02-03 1986-03-12 Atomic Energy Authority Uk Sensor
DE3723052A1 (de) * 1987-07-11 1989-01-19 Kernforschungsz Karlsruhe Herstellung von inerten, katalytisch wirksamen oder gassensitiven keramikschichten fuer gassensoren

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Elektronik, 1972,5, 155-156 *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4244918A (en) * 1975-12-23 1981-01-13 Nippon Soken, Inc. Gas component detection apparatus
US4322383A (en) * 1975-12-23 1982-03-30 Nippon Soken, Inc. Gas component detection apparatus
US4387165A (en) 1982-04-22 1983-06-07 Youngblood James L H2 S Detector having semiconductor and noncontinuous inert film deposited thereon
US4792433A (en) * 1982-08-27 1988-12-20 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha CO gas detecting device and circuit for driving the same

Also Published As

Publication number Publication date
SE433780B (sv) 1984-06-12
GB1543268A (en) 1979-03-28
NL175679C (nl) 1984-12-03
NL7609234A (nl) 1977-02-22
SE7609189L (sv) 1977-02-20
FR2321696A1 (fr) 1977-03-18
DE2636178C2 (de) 1985-03-07
NL175679B (nl) 1984-07-02
FR2321696B1 (de) 1980-08-29

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