DE2612494A1 - Integrierte regelschaltung mit transistoren - Google Patents

Integrierte regelschaltung mit transistoren

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    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05FSYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F1/00Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
    • G05F1/10Regulating voltage or current
    • G05F1/46Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
    • G05F1/56Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices

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  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)

Description

  • Integrierte Regelschaltung mit Transistoren
  • Es sind bereits Regelschaltungen mit Transistoren bekannt, deren Ausgangsspannung gegen Veränderung der Belastung durch die Belastungseinrichtung stabilisiert ist (siehe z.B. Siemens, Technische Mitteilungen, Halbleiter, Spannungsstabilisierung, Teil 3, Seiten 3 bis 19, 1972, Bestell-Nr. 2-3600-054). Bei solchen Regelschaltungen ist die Belastungseinrichtung als Zweipol in den Emitterstromkre s eines Ausgangstransistors eingefügt, der stabilisiert gesteuert wird. Zu einer derartigen Regelschaltung gehören auch Widerstände, die unter anderem in dem Teil der Schaltung benötigt werden, der die stabilisierte Steuerung zustande bringt. Die Wieerstandswerte, die solche Widerstände haben müssen, hängen von den Eigenschaften der verwendeten Transistoren ab, die ihrerseits auch im Zusammenhang damit stehen, welche Größenordnung die Belastung der Regelschaltung hat. Ist eine relativ geringe Belastung vorgesehen und werden daher dementsprechend kleine Transistoren verwendet, so kann dies zur Folge haben, daß Widerstände benötigt werden, deren Widerstandswert recht hoch zu sein hat. Handelt es sich un eine Regelschaltung, die als integrierte Schaltung herzustellen ist, so kann es sich ergeben, daß auf dem Schaltungsplättchen verhälinismäßig viel Platz für solche Widerstände benötigt wird. Die Erfindung geht nun von der Aufgabe aus, eine integrierte Regelschaltung zu schaffen, bei der eine obere Grenze für den Widerstandswert solcher Widerstände eingehalter. werden kann.
  • Die Erfindung geht dabei von einer integrierten Regelschaltung mit Transistoren aus, deren Ausgangsspannung gegen Veränderung bei Änderung der Belastung durch eine Belastungseinrichtung stabilisiert ist, die als Zweipol in den Emitterstromkreis eines Ausgangstransistors eingefügt ist, der stabilisiert gesteuert wird. Diese Regelschaltung ist dadurch gekennzeichnet, daß die Basis des Ausgangstransistors an den einen Emitter eines Steuertransistors mit zwei Emittern angeschlossen ist, dessen Kollektor mit dem Kollektor des Ausgangstransistors verbunden ist, daß an die Basis des Steuertransistors der Kollektor eines Gegenkopplungstransistors angeschlossen ist, dessen Basis an den Abgriff eines parallel zur Belastungseinrichtung liegenden Spannungsteilers angeschlossen ist und dessen Kollektorwiderstand die zum anderen Emitter des Steuertransistors führende und in Sperrichtung beanspruchte Basis-Emitter-Strecke einschließlich eines vorgeschalteten Ergänzungswiderstandes ist.
  • Bei dieser Regelschaltung, bei der die Steuerung mit Hilfe eines Gegenkopplungseffektes stabilisiert ist, wird also der Kollektorwider stand des hierfür benutzten Gegenkopplungstransistors zum überwiegenden Teil durch eine in Sperrichtung beanspruchte Basis-Emitter-Strecke, also durch eine Diodenstrecke gebildet. Der noch vorgeschaltete Ergänzungswiderstand kann daher einen wesentlich niedrigeren Widerstandswert haben als ihn sonst ein einzelner Kollektorw;iderstand zu haben hat. Der Platzbedarf auf dem Schaltungsplättchen für den Kollektorwiderstand des Steuertransistors ist daher gegenüber anderen vergleichbaren Schaltungen wesentlich verringert. Dies hat zur Folge, daß auf demselben Schaltungsplättchen vorteilhafterweise nehr Schaltungen als sonst untergebracht werden können.
  • Es wird sich noch zeigen, daß die gemäß der Erfindung aufgebaute Regelschaltung noch einen weiteren vorteilhaften Effekt hat. Es ergibt sich nämlich im Betrieb, daß die Ausgangsspannung zwar bei Anderungen der an die Regelschaltung angelegten Betriebs spannung nicht onstant bleibt. Es bleibt aber ihr Unterschied gegenüber dem zur Betriebsspannung gehörenden einen Potential wenigstens bei nicht zu großen Schwankungen der Betriebsspanntzg ziemlich konstant. Dies erlaubt die Regelschaltung zum Betrieb von anderen Schaltungen zu benutzen, die auch unter dem Einfluß derselben Betriebsspannungsquelle stehen und für deren Betrieb der erwähnte Unterschied zwischen der stabilisierten Ausgangsspannung und dem betreffenden zur Betriebsspannungsquelle gehörenden Potential maßgebend ist.
  • In der Figur ist ein Ausführungsbeispiel für die erfindungsgemäße Regelschaltung gezeigt, bei der n-p-n-Transistoren benutzt sina. In sinngemäßer Anpassung könnte die Schaltung aber auch beispielsweise mit p-n-p-Transistoren aufgebaut werden. Die stabilisierte Ausgangs- spannung wird an der Klemme +Us geliefert. Die Betriebsspannungsquelle ist an die Klemmen +U und Uo angeschlossen. Die Belastungseinrichtung ist hier durch den Widerstand R4 vertreten, der mit einem Ende an die Klemme +Us und mit dem anderen Ende an die Klemme Uo angeschlossen ist. Der Kollektor des Ausgangstransistors T1 ist an die Klemme +U und sein Emitter ist an die Klemme +Us angeschlossen, was zur Folge hat, daß die Belastungseinrichtung R4 im Emitterstromkreis des Ausgangstransistors T1 liegt. Der Ausgangatransistor T1 wird über seine Basis stabilisiert gesteuert. Der Steuerstrom wird über den Steuertransistor T3 geliefert, an dessen Emitter el die Basis des Ausgangstransistors T1 angeschlossen ist. Der Kollektor des Steuertransistors T3 ist an die Klemme +U direkt angeschlossen, während der zweite Emitter e2 dort über den ihm vorgeschalteten Ergänzungswiderstand R3 angeschlossen ist. Der Kollektor des gegen kopplungstransistors T2 ist an die Basis des Steuertransistors T3 angeschlossen, während der Emitter des Gegenkopplungstransistors T2 an die Klemme Uo angeschlossen ist. Der Gegenkopplungstransistor T2 wird daher über den Widerstand R3 und die in Sperrichtung beanspruchte Basis-Emitter-Strecke des Steuertransistors T3, die über den Emitter e2 führt, mit Strom versorgt. Ein Teil des über den Erganzungswiderstand R3 und die erwähnte Basis-Emitter-Strecke fliessenden Stromes wird zur Steuerung des Steuertransistors T3 abgeleitet und fließt über dessen Emitter ei weiter. Er fließt zusazzen mit dem von ihm hervorgerufenen und vom Kollektot c des Steuertransistors T3 herkommenden Strom zur Basis des Ausgangstransistors T1, der hierdurch derart gesteuert wird, daß an der Klemme +Us eine bestimmte Spannung abnehmbar ist. Diese Spannung liegt auch am Spannungsteiler aus den Widerständen R1 und R2, dessen Abgriff mit der Basis des Transistors T2 verbunden ist. Wenn die an der Klemme +Us liegende Spannung größer wird, wird auch die an der Basis des Transistors T3 liegende Spannung größer und der Transistor T2 wird stärker leitend gesteuert als vorher, sodaß über ihn mehr Strom als vorher von der Basis des Transistors T3 abgeleitet wird. Dies hat dann zur Folge, daß die Transistoren T3 und T1 weniger stark leitend als vorher gesteuert werden, es tritt also eine Gegenkopplung auf. Der entsprechende Gegenkopplungseffekt mit ungekehrter Wirkung tritt auf, wenn die Spannung an der Klemme +Us kleiner werden würde. Insgesamt ergibt es sich, daß die an der Klemme +Us liegende Spannung durch die Wirkung des Gegenkopplungstransistors T2 stabilisiert wird.
  • Die Basis-Emitter-Strecke des Steuertransistors T3, die über den Emitter e2 führt, ist, wie bereits erwähnt, in Sperrichtung beansprucht, was zur Folge hat, daß an dieser Strecke eine Spannung auftritt, also eine konstante Spannung (siehe Liman: Elektronik ohne Ballast, Seiten 71 bis 73). Diese Spannung beträgt z.B. 6V.
  • Die Schaltung läßt sich so dimensionieren, daß eine demgegenüber kleinere Spannung am Ergänzungswiderstand R3 abfällt. Beispielsweise kann der Widerstand R3 den Widerstandswert 20 kOhm haben, während der Widerstand Rl, 7,8 kOhm und der Widerstand R2 2,2 kOhin hat. Die Z-Spannung wird hier nicht als Normalspannung für die Brzielung eines Stabilisierungseffektes ausgenutzt, wie es an sich bekannt ist, sondern sie wird hier dafiir ausgenutzt, zu ermöglichel, daß der Widerstandwert des Wiederstandes R3 kleiner als sonst ist.
  • Wenn die Betriebsspannung beispielsweise etwas kleiner wird, so hat dies zur Folge, daß am Ergänzungswiderstand R3 ein dementsprechend kleinerer Spannungsabfall als onst auftritt. Dementsprechend wird auch die zwischen der Basis des Transistors T3 und der Klemme +U liegende Spannung kleiner. Dies wirkt sich über die Basis des Transistors T1 auch auf die Klemme +Us aus. Die zwischen den Klemmen ;s und Uo liegende Spannung bleibt dagegen, wie sich zeigt, verhältnismäßig konstant. Dies ist auch der Fall, wenn die Betriebsspannung etwas größer wird. Dann wird der Spannungsabfall am Widerstand R3 größer. Innerhalb gewisser Grenzen ergibt es sich also, daß auch bei Schwankungen der Betriebsspannung, die zwischen den Klemmen +U und Uo liegt, diejenige Spannung verhältnismäßig konstant bleibt, die zwischen den Klemmen +Us und Uo liegt. Diese Spannung kann daher, wie bereits vorstehend angegeben, bei bestimmten Schaltungen in vorteilhafter Weise ausgenutzt werden, die mit Spannungen zu versorgen sind.
  • 1 Patentanspruch 1 Figur L e e r s e i t e

Claims (1)

  1. Patentanspruch Integrierte Regelschaltung mit Transistoren, deren Ausgangs spannung gegen Veränderung bei Änderung der Belastung durch eine Belastungseinrichtung stabilisiert ist, die als Zweipol in den Emitterstromkreis eines Ausgangstransistors eingefügt ist, der stabilisiert gesteuert wird, dadurch gekennzeichnet, daß die Basis des Ausgangstransistors (T1) an den einen Emitter (ei) eines Steuertransistors (T3) mit zwei Emittern angeschlossen ist, dessen Kollektor (c) mit dem Kollektor des Ausgangstransistors (T1) verbunden ist, daß an die Basis des Steuertransistors (T3) der Kollektor eines Gegenkopplungstransistors (T2) angeschlossen ist, dessen Basis an den Abgriff eines parallel zur Belastungseinrichtung (R4) liegenden Spannungsteilers (R1-R2) angeschlossen ist und dessen Kollektorwiderstand die zum anderen Emitter (e2) des Steuertransistors (T3) führende und in Sperrichtung beanspruchte Basis-Emitter-Strecke einschließlich eines vorgeschalteten Ergänzungsariderstandes (R3) ist.
DE19762612494 1976-03-24 1976-03-24 Integrierte Konstantspannungs-Regelschaltung mit Transistoren Expired DE2612494C3 (de)

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Publications (3)

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DE2612494A1 true DE2612494A1 (de) 1977-09-29
DE2612494B2 DE2612494B2 (de) 1978-09-14
DE2612494C3 DE2612494C3 (de) 1979-05-10

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DE2612494B2 (de) 1978-09-14
DE2612494C3 (de) 1979-05-10

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