DE2611207C3 - Verfahren zum Dotieren von Halbleiterscheiben - Google Patents
Verfahren zum Dotieren von HalbleiterscheibenInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren gemäß dem Oberbegriff des Anspruches 1.
Die üblichen Verfahren zur Herstellung von Leistungshalbleiterbauelementen
erfordern eine erhebliche Anzahl von Hochtemperaturprozessen für die Diffusion der Bauelemente. Die Ursache hierfür ist darin zu
suchen, daß es sich bei den Leistungshalbleiterbauelementen um mehrschichtig aotierte Anordnungen
handelt, die außerdem — wie der Thyristor und der Triac — an einer oder an beiden Hauptoberflächen
bezüglich der Dotierung lateral strukturiert sind. Die vielen Schichten und deren Strukturierung sind
erforderlich, um die an Leistungsbauelemente gestellten Anforderungen nach guter Sperrfähigkeit, gutem
Durchlaßvermögen und guten dynamischen Eigenschaften möglichst gleichzeitig zu erfüllen.
Im sogenannten Mehrschichter übernehmen die Gebiete mit geringer Dotierungshöhe und schwachem
Gradienten am pn-übergang die Aufgaben des statischen Zustands »Sperren«, während die hochdotierten
Randiionen für gutes Durchlaßverhalten sorgen und die ohmsche Kontaktierung erleichtern. Eine solche
Dotierstoffverteilung läßt sich nicht durch eine einfache Diffusionsverteilung (entsprechend einer Gauß-Verteilung
bzw. einer komplementären Fehlerfunktion) realisieren, vielmehr benötigt man eine Überlagerung
von solchen Verteilungen.
Die laterale Dotierungsstruktur der Oberflächen resultiert beim Thyristor im wesentlichen aus den
ίο Anforderungen an das dynamische Verhalten des
Bauelementes. Als Beispiele für die Ausführungen solcher lateraler Oberflächenstrukturen seien genannt:
Zentralgate, Streifengate, amplifying gate, regenerative gate, multigate, Emmiterkurzschluß, Schutzring. Beim
Triac erfordert schon die einfachste Funktionsfähigkeit eine komplizierte laterale Dotierungsstruktur der
Oberflächen.
Mit den üblichen Herstellungsverfahren werden also die Schichtenfolge und die Oberflächenstruktur eines
Elementes Schritt für Schritt aufgebaut Sie benötigen deshalb eine große Zahl von Ofenprozessen, die
einerseits ein gewisses Ausschußrisiko mit sich bringen und andererseits einen wesentlichen Teil der Herstellungskosten
eines Leistungsbauelementes verursachen.
Die Ofenprozesse sind nämlich mit hohen Investitionen für die Hochtemperaturöfen und verhältnismäßig
langen Durchlaufzeiten verbunden. Wird z. B. bei der Herstellung von Dioden nach der heutigen allgemein
bekannten Technologie zunächst in einem Prädepositionsschritt Phsophor aus der Gasphase allseitig in die
Si-Tablette eindiffundiert, so muß die entstandende dünne η+-Schicht durch einen aufwendigen Prozeß
(Schleifen, Läppen, Sanden, Ätzen) einseitig wieder entfernt werden.
Für eine Herstellung von Leistungshalbleiterbauelementen mit geringerer Zahl von Herstellungsprozessen
ergeben sich somit die Aufgaben der Erzeugung von
a) mehreren Dotierungsübergängen mit definierten Konzentrationsprofilen in einem Ofenprozeß, also
vertikale Dotierungsstrukturen, und
b) lateralen Oberflächenstrukturen verschiedener Dotierungsart und/oder Dotierungshöhe.
Die Erfindung bezweckt vorzugsweise, jedoch nicht
ausschließlich zur Herstellung von Dioden eine vereinfachte Erzeugung des vorgenannten Komplexes
4
Bei einem bekannten Überzugs-Diffussions-Verfah-
Bei einem bekannten Überzugs-Diffussions-Verfah-
ren der eingangs genannten Gattung (DE-OS 22 62 021)
erfolgt das Aufbringen und Trocknen der Dotierungszubereitung in einem Zentrifugalverfahren, d.h. durch
Rotieren des mit dem Überzugsfilm versehenen Substrats, bis sich die entstehenden Interferenzfarben
nicht mehr ändern. Während des Trocknens erfolgt ein Aufheizen auf 1173 bis 1273 K, vorzugsweise auf 1223 K,
und ein Tempern für 15 bis 20 Minuten. Vorteilhaft wird die Dotierungsschicht auf einer kolloidalen Lösung von
Kieselsäure bzw. Siliciumdioxid, dem Dotierstoff und einem Lösungsmittel, wie Methanol, Äthanol usw., vor
dem Aufheizen auf die Siliciumscheibe aufgebracht, so
bo daß nicht die nackte Siliciumscheibe erhitzt zu werden
braucht.
Weitere Überzugs-Diffusions-Verfahren sind aus der DE-OS 2141450, der DE-AS 20 12 927, der US-PS
36 58 584 und der US-Zeitschrift »Solid State Electrons nies« 17 (1974) Seite 87 bzw. 16 (1973) Seite 181 zu
entnehmen. Mit diesen Verfahren werden jedoch nur niedrige Eindringtiefen der Dotierstoffe von einigen
Mikrometern erreicht (gemäß DE-OS 22 62 021 bei-
spielsweise 035 μΐη bis 4,2 μπι).
Aus der DE-OS 1644 029 ist ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelementes bekannt, bei
welchem mindestens einmal auf eine Scheibe eines Halbleitermaterials an mindestens einer Stelle eine
Glasschicht aus einer Verbindung des Dotierungsmaterials erzeugt wird. Diese Glasschicht dient als
Diffusionsquelle während des Diffusionsvorgangs. Die Glasschicht wird durch Bestreichen der Halbleiterscheibe
mit einer Lösung der Verbindung des Dotierungsmaterials
in einem Lösungsmittel und durch anschließende Wärmebehandlung bei einer Temperatur von 1473 K
erzeugt Mit Hilfe der Photoätztechnik wird die ganzflächige Giasschicht so strukturiert, daß nur an den
vorgesehenen Diffusionsstellen ein Abschnitt der ursprünglichen Glasschicht stehen bleibt, welcher dann
als Diffusionsquelle dient Nach diesen bekannten Verfahren soll die Diffusionstiefe praktisch nicht
begrenzt sein. Genaue Angaben über Diffusionstiefe, StörsteHenkonzentration oder Widerstandsprofil bei
der fertig diffundierten Halbleiterscheibe oder über Aufheizgeschwindigkeit und Atmosphäre während des
Trocknungsvorgangs fehlen.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, das bekannte Verfahren dahingehend zu
präzisieren, daß nicht nur große Eindringtiefen der Dotierstoffe (15 bis 100 μπι) erreicht werden können,
sondern daß auch hohe Randkonzentrationen der Dotierstoffe und ein gleichmäßiges radiales Widerstandsprofil
bei Vermeidung von Um- und Gegendotierungen ermöglicht werden.
Diese Aufgabe wird gelöst durch die kennzeichnenden M erkmale des Patentanspruchs 1.
Damit ergeben sich die Vorteile, daß ein Überdampfen auf unerwünschte Bereiche vermieden wird und
somit Um- und Gegendotierungen nicht auftreten. Die Anordnung von weniger als 100 Stück beschichteten
Halbleiterscheiben — eine Zahl, die wesentlich kleiner ist als die bei dem späteren Diffusionsvorgang
vorhandene Stückzahl — können die abdampfenden Dotierstoffe nur eine geringe Konzentration in der
Ofenatmosphäre annehmen, die außerdem durch einen Gasstrom noch weiter verringert wird. Diese Maßnahme
verbessert die durch die Anordnung der Halbleiterscheiben im Ofen erreichbare Abschirmung zusätzlich.
Auch die Verwendung von Sauerstoff in der Ofenatmosphäre verbessert die Abschirmwirkung, da Sauerstoff
die Abdampffestigkeit der Dotierungszubereitungen erhöht. Mit der Einstellung des Verhältnisses zwischen
Stickstoff und Sauerstoff kann der Schichtwiderstand beeinflußt werden. Bei zu großem O2-Anteil weist das
radiale Widerstandsprofil allerdings größere Schwankungen auf, so daß der O2-Anteil immer geringer als der
N2- Anteil zu halten ist
Im Ergebnis werden bei Thyristoren z. B. Eindringtiefen Af von 15 bis 20 μπι, gemessen auf einem
Störstellenniveau von C-1017Cm-3 und bei Dioden
z. B. Eindringtiefen von χ größer 30 μπι, insbesondere
χ=50 bis 60 μπι erreicht Randkonzentrationen Q von
Co 3b 5 · 1019Cm-3 sind realisierbar.
Weiterbildungen der Erfindung sowie deren Vorteile ergeben sich aus den Unteransprüchen sowie der
nachfolgenden Beschreibung von Verfahrensbeispielen.
Durch eine Kombination der vorgenannten Einflußparameter:
— die Trocknungstemperatur oberhalb von 1237 K zu
halten,
- die Stückzahl beim Trocknen kleiner als 100 zu
halten,
— durch die geometrische Anordnung für eine Abschirmung der Scheibenrückseiten zu sorgen
und
— Sauerstoff während der Trocknung und während der Diffusion fließen zu lassen,
eignen sich folgende Verfahren in besonders vorteilhafter Weise für die Simultandiffusion von Dioden mit
Dotierflüssigkeiten:
Auf eine Silicium-Halbleiterscheibe wird ein handelsüblicher Phosphor-Siliciumdioxid-Film (Phosphosilicafilm)
aufgestrichen. Dieser Film kann z. B. Äthylalkohol als Lösungsmittel enthalten, im weiteren zusätzlich
Methanol oder Isopropylalkohol und evtl. ein an sich bekanntes Verdünnungsmittel (DE-AS 20 12 927). Dieser
Überzugsfilm wird im Durchlaufofen bei einer Temperatur oberhalb 1300 K, vorzugsweise etwa
1350K, während einer Zeit von einigen Minuten, beispielsweise 5 Minuten, getrocknet. Die Scheiben
werden dazu nebeneinander auf Quarzplatten oder anderen Träg-irplatten flach liegend, mit der Phosphorschicht
nach oben, mit konstanter Geschwindigkeit von z.B. 10cm/min durch den Durchlaufofen gezogen. Es
erfolgt ein Zufluß von ca. 200 l/h Sauerstoff während des Trocknens. Nach dem Trocknen wird auf die Rückseite
ein handelsüblicher Bortrioxid-Siliciumdioxid-Film aufgestrichen
und an Luft bei Raumtemperatur getrocknet.
Dieser Film enthält ebenfalls zunächst bekannte flüchtige Lösungsmittel wie Äthyläther oder andere.
Danach werden die Halbleiterscheiben gestapelt und eine sogenannte Stapeldiffusion bei an sich bekannten
Temperaturen oberhalb von 1500 K, vorzugsweise jedoch bei etwa 1550 K, während einer Zeit von mehr
als 20 Stunden, beispielsweise 23 Stunden, in einer Stickstoff-Sauerstoff-Atmosphäre bei einem Mischungsverhältnis
von beispielsweise 190 :10 vorgenommen. Man erhält dabei einen niedrigen Schichtwiderstand
(U/I-Wen), ein relativ gleichmäßiges radiales
Widerstandsprofil und hohe Randkonzentrationen, sowie Eindringtiefen »30 μΐη.
Auf eine Silicium-Halbleiterscheibe wird ein Phosphor-Siliciumdioxid-Film
auf die Vorderseite aufgestrichen. Auf die Rückseite wird ein Bortrioxid-Siliciumdioxid-Film
aufgestrichen. Die bestrichenen Halbleiterscheiben werden in kleiner Stückzahl gestapelt, z. B. 35
Stück pro Stapel. Danach erfolgt das Trocknen bei Temperaturen oberhalb 1350 K, vorzugsweise bei etwa
1420 K, während einer Zeit von mindestens 10 Minuten,
beispielsweise von 20 Minuten, und bei einem Sauerstoff-Durchsatz von 300 l/h. Das Trocknen kann in
einem normalen Ofen oder auch gemäß Beispiel 1 in einem Durchlaufofen erfolgen. Nach dem Trocknen
wird eine Stapeldiffusion vorgenommen. Da die bei hoher Temperatur getrockneten Dotierschichten nun
auch bei hohen Temperaturen kaum noch Dotierstoff an die Umgebung abgeben, braucht bei der Stapeldiffusion
die Anzahl der Scheiben nicht mehr beschränkt zu werden. Kleine Stapel können jetzt zu größeren
zusammengefaßt, und mehrere größere Stapel bei der Diffusion nebeneinander gestellt werden. Die Diffusion
b5 erfolgt bei Temperaturen oberhalb von 1500K,
vui zugsweise bei etwa 1550 K, während einer Zeit von
mehr als 20 Stunden, beispielsweise von 23 Stunden, bei Anwesenheit von Stickstoff und Sauerstoff in einem
Mischungsverhältnis von beispielsweise 160 :40.
Mit dem Verfahren nach Beispiel 2 erhält man bei den vorgenannten Eindringtiefen der Dotierstoffe von
> 30 μιη eine noch bessere gleichmäßige Verteilung der
Oberflächenkonzentration von Phosphor als bei Beispiel 1, weil beim Verfahren nach Beispiel 1 wegen des
freien Abdampfens von Phosphor während des Trockenvorgangs niedrigere Randkonzentrationen auftreten
können, als sie mit dem Verfahren nach Beispiel 2 bei völliger Abdeckung (Stapeln) des Fhosphor-Siliciumdioyki-Films
möglich sind.
Die besondere Trocknungs- und Diffusionstechnik
führt jedoch in allen Fällen zu Leistungs-Halbleiterbauelementen,
& h. in den beschriebenen Beispielen 1 und 2 zu Halbleiter-Dioden, mit Eindringtiefen der
Dotierung, die bei den bekannten Verfahren zur Herstellung von Bauelementen der Schwachstromtechnik
nicht möglich sind.
Ein wesentlicher Vorteil für die Massenherstellung und die dabei erforderlichen gleichbleibenden elektrischen
Eigenschaften liegt in der erreichbaren guten Reproduzierbarkeit-
Über die Reproduzierbarkeit der Diffusionsparamter nach einer Stapeldiffusion gibt die Tabelle 1 Auskunft:
Reproduzierbarkeit der Phosphordotierung nach einer Stapeldiffusion von Dioden
| Charge | Zentrum ^ | Mittel | max. | Rand | C0 | tjm |
|
£*>WlIIl Ulli — ■
U |
0,13 | 0,18 | 1020 cm"3 | |||
| min. | 0,12 | 0,17 | Mittel | 32 | ||
| 007 | 0,10 | 0,11 | 0,13 | 0,20 | 1,5 | 32 |
| 008 | 0,10 | 0,12 | 0,22 | 0,39 | 1,1 | 32 |
| 009 | 0,08 | 0,10 | 0,12 | 0,40 | 0,8 | 34 |
| 010 | 0,09 | 0,10 | 0,14 | 0,66 | 0,8 | 36 |
| 012 | 0,08 | 0,36 | 1,5 | 35 | ||
| 011 | 0,07 | 0,36 | 0,9 | |||
Dioden werden mit einem Phosphorsilicafilm bzw. mit B2OrDotierstoff dotiert und anschließend in
Stapeln diffundiert. Gemessen wurden die U/l- Werte im Zentrum und 3 mm vom Rand entfernt. Die Tabelle 1
gibt die Mittelwerte von 15-30 Scheiben wieder. Außerdem sind für das Zentrum die im Scheibenkollektiv
gemessenen Minimal- und Maximalwerte aufgeführt. Die Randwerte Q und Eindringtiefen χ sind Einzelwerte,
nicht Mittelwerte. Die Reproduzierbarkeit der Werte von Charge zu Charge ist gut. Die Konstanz der
Uli-Werte innerhalb einer Charge genügt den Ansprüchen.
Zum Rand der Scheibe hin steigen die U/I-Werte zwar an, was zum einen auf das Abdampfen des
Phosphors, zum anderen auf Gegendotierungen durch Bor bei der Diodendiffusion zurückzuführen ist; jedoch
werden die gewünschten hohen Randkonzentrationen von im Mittel Cö>51019cm-3 erreicht. Eine weitere
Reduzierung dieser Störvorgänge durch Verringerung der Anzahl der Halbleiterscheiben im Stapel und
Vergrößerung des Stapelabstandes durch eingelegte Si-Streifen beim Trocknen ist daher normalerweise
nicht notwendig.
Tabelle 2 gibt die Messungen für Kleindioden hinsichtlich ausreichender Sperrspannungsfestigkeit
und der Trägerlebensdauer wieder. Unter »Kleindioden« werden hier Dioden mit einer Stromstärke von
> 0,5 A verstanden (Sperrspannung um 2000 V [vergl. spezifischer Widerstand in Tabelle 3, z. B. Gruppe 2:55
...60Ωαη]).
Im angeführten Beispiel wurde jede Si-Scheibe mit einem Durchmesser von 38 mm in 46 Einzelelemente
unterteilt. Die in der Tabelle 2 angegebenen Ausgangsstückzahlen stellen somit jeweils nur einen kleinen
Bruchteil der gesamten Charge dar, die aus etwa 280 Scheiben besteht.
Sperrspannungsausbeuten und Trägerlebensdauer an Kleindioden (Materialgruppe 2
nach Tabelle 3)
| Charge | Ausgangs | Stückzahl »gut« | % | r/us n. | i/ps n. |
| stückzahl | Diffusion | Gettern | |||
| 001 | 47 | 33 | 70 | 8,5 | 26,6 |
| 002 | 48 | 39 | 81 | 15,8 | 19,3 |
| 003 | 47 | 44 | 93 | 11,6 | 23,9 |
| 004 | 46 | 44 | 95 | 10,8 | 23,1 |
| 005 | 45 | 35 | 78 | 9,8 | 23,0 |
| 006 | 46 | 44 | 95 | 8,6 | 24,9 |
| 007 | 149 | 143 | 96 | 15,2 | 27,0 |
| 008 | 152 | 147 | 96 | 26,3 | 26,7 |
| 009 | 48 | 45 | 94 | 8,3 | 27,0 |
| 010 | 92 | 65 | 71 |
Die Trägerlebensdauern wurden nach der Simultandiffusion von Bor und Phosphor (Phosphorsilicafilm)
und nach einem nachfolgenden konventionellen Getterprozeß aus der Abklingspannung von Dioden nach dem
Abschalten des Durchlaßstromes (Solid State Electronics 13, (1970), S. 553-564) gemessen. Nach beiden
Prozeßschritten sin. die Trägerlebensdauern im Mittel mindestens ebenso hoch wie bei üblichen Fertigungsverfahren.
Ein Getterprozeß, bei dem Borosilica- und Phosphorsilicafilme
als Getterschichten benutzt werden, erhöht die Trägerlebensdauer um den Faktor 1,3... 1,9.
Die durch die erfindungsgemäße Filmdiffusionen erreichbaren Trägerlebensdauern sind folglich bemerkenswert
hoch, obwohl die Hochtemperaturprozesse r> rationalisiert sind.
Mit diesen hohen Trägerlebensdauerwerten sind auch die gemessenen Durchlaßspannungsabfälle und Stoßstromwerte zum Teil besser als bei konventionell
hergestellten Dioden.
Dioden größerer Leistung stellen härtere Anforderungen an das Verfahren, weil bei diesen Leistungsdioden
ein einzelnes Bauelement die ganze Si-Scheibe 2' weitgehend ausfüllen kann. Unter ausgesprochenen
»Leistungsdioden« werden hier Dioden mit einer Stromstärke > 1 A verstanden (Sperrspannungen wie
bei »Kleindioden«, vergl. z. B. Tab. 3.4, Gruppe 2, Sperrspannungen um 2000 V, spezifischer Widerstand si
55...60Ωαη).
Für die Phosphor-Dotierung wird ein Phosphorsilicafilm
verwendet, für die Bor-Dotierung zweckmäßig ein Dotierstoff aus B2O3, gelöst in Äthylenglykolmonome-
Sperrspannungsausbeute an Leistungsdioden thyläther. Dieser Bor-Dotierstoff ergibt höhere Randkonzentrationen
als die vorgenannten Bor-Silicafilme. Dadurch ist eine Umdotierung weniger leicht möglich,
wenn etwas Phosphor während der Stapeldiffusion auf j die Bor-Seite überdampft. Es werden wiederum hohe
Trocknungstemperaturen gewählt (T> 1273 K).
Zwei Gruppen von Si-Ausgangsmaterial wurden für durchgeführte Versuche eingesetzt (Tabelle 3):
Ausgangsmaterial für die Versuche an Dioden
Gruppe 1 Gruppe 2
Spez. Widerstand (U cm)
Dicke ([im)
Durchmesser (mm)
2(| EPD(IO4Cm"2)
Dicke ([im)
Durchmesser (mm)
2(| EPD(IO4Cm"2)
70 .. 75 55 .. 60
380 340
29,5 38,0
2...4 0
Bei einem Teil der Versuche waren die Dotierschichten — wie oben erwähnt — mit undotierten Silicafilmen
abgedeckt, um das Abdampfen der Dotierstoffe zu verhindern. Die Eindringtiefe von Bor und Phosphor
betrug am Ende der Diffusion (auf der Höhe der Grunddotierung) 45 .. 65 μιτι. Nach der in der
Halbleitertechnik üblichen Randanschrägung zum Erzielen hoher Sperrspannungen, wurde die Spannungsfestigkeit
der Elemente bei Raumtemperatur (22° C) und nach dem Einbau im Gehäuse auch bei 1500C geprüft.
Die Tabelle 4 gibt die Ergebnisse von den Leistungsdioden wieder, aufgegliedert in Dioden mit und ohne
Abdeckung mit undotiertem Silicafilm:
| Temp. | Mat.-Gruppe | Silicafilm- | Ausgangs | Stückzahl | Bemerkungen |
| abdeckung | stückzahl | »gut« | |||
| 22 C | 1 | ja | 59 | 10 | Heißstellen |
| 2 | nein | 11 | 11 | vorhanden | |
| 1670. .. 2100 V | |||||
| Mittelwert: 1895 V | |||||
| 150 ( | 1 | ja | 6 | 5 | 2020 V, 2030 V, |
| 1980 V, 2060 V, | |||||
| 2160V, | |||||
| 2 | nein | 8 | 7 | 1750... 2300 V | |
| Mittelwert: 2035 V |
Die Tabelle macht deutlich, daß sich die Abdeckung mit undotierten Silicafilmen nachteilig auf die Ausbeute
auswirkt Zwar wurden Umdotierungen verhindert — angefärbte Querschliffe haben das bestätigt — wahrscheinlich
hat aber doch eine gewisse Gegendotierung der Randzonen stattgefunden. Die Dioden, die ohne
Abdeckung diffundiert worden waren, wiesen bei den elektrischen Messungen hohe Ausbeuten auf.
Mit den vorbeschriebenen Maßnahmen können folglich auf wirtschaftliche Weise Leistungsdioden mit
Dotierflüssigkeiten dotiert und die p- und n-Gebiete simultan diffundiert werden.
Hohe Ausbeuten an sperrfähigen Elementen werden erreicht, indem Umdotierungen durch abdampfende
Dotierstoffatome während der Temperaturprozesse vor allem durch Trocknungstemperatur über 1273 K vermieden
werden. Die Ausbeuten an sperrfähigen Elementen liegen in der Regel über 80%. Auch die
übrigen elektrischen Daten der fertigen Bauelemente entsprechen den Werten bei üblicher Fertigung oder
65 sind besser.
Claims (6)
1. Verfahren zum Dotieren von Halbleiterscheiben, wobei die Scheiben mit einer ein flüchtiges
Lösungsmittel enthaltenden Dotierungszubereitung beschichtet, anschließend einige Minuten bei Temperaturen
oberhalb 1273 K getrocknet und abschließend in einer oxidierenden Atmosphäre einem
Diffusionsprozeß unterzogen werden, dadurch gekennzeichnet, daß die Scheiben zum
Trocknen in einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre in Stapeln zu weniger als 100 Stück in einem Ofen
angeordnet oder mit konstanter Geschwindigkeit durch einen Durchlaufofen gezogen werden, und
daß dabei die Vorder- und Rückseiten der Scheiben gegeneinander abgeschirmt sind.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterscheiben mit der mit der
Dotierungszubereitung beschichteten Seite nach oben nebeneinander flach auf einem Träger liegend
durch den Durchlaufofen gezogen werden.
3. Verfahren nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterscheiben nach
dem Trocknen der auf der Vorderseite aufgetragenen Dotiemngszubereitung auch auf der Rückseite
mit einer Dotiemngszubereitung bestrichen werden, und daß diese Scheiben in Stapeln zusammengefaßt
dem Diffusionsprozeß unterzogen werden.
4. Verfahren nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterscheiben auf
Vorder- und Rückseiten mit je einer Dotiemngszubereitung bestrichen werden und daß diese Scheiben
in einem Stapel zusammengefaßt getrocknet und anschließend dem Diffusionsprozeß unterzogen
werden.
5. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß man während der Trocknung
und während der Diffusion Sauerstoff zuströmen läßt, wobei insgesamt der Anteil des Sauerstoffs
unter dem des Stickstoffs gehalten wird.
6. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß auf die getrocknete Dotierungszubereitung
eine zweite Schicht derselben Dotierungszubereitung aufgetragen wird.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19762611207 DE2611207C3 (de) | 1976-03-17 | 1976-03-17 | Verfahren zum Dotieren von Halbleiterscheiben |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19762611207 DE2611207C3 (de) | 1976-03-17 | 1976-03-17 | Verfahren zum Dotieren von Halbleiterscheiben |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2611207A1 DE2611207A1 (de) | 1977-09-29 |
| DE2611207B2 DE2611207B2 (de) | 1980-12-04 |
| DE2611207C3 true DE2611207C3 (de) | 1981-11-12 |
Family
ID=5972688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19762611207 Expired DE2611207C3 (de) | 1976-03-17 | 1976-03-17 | Verfahren zum Dotieren von Halbleiterscheiben |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE2611207C3 (de) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CH442534A (de) * | 1966-07-08 | 1967-08-31 | Transistor Ag | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelementes |
-
1976
- 1976-03-17 DE DE19762611207 patent/DE2611207C3/de not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE2611207A1 (de) | 1977-09-29 |
| DE2611207B2 (de) | 1980-12-04 |
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