DE2607463C2 - Schaltungsanordnung zum Schutz eines Schwingkreises gegen Überlast - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zum Schutz eines Schwingkreises gegen Überlast. Insbesondere überwacht die Schutzschaltung den Spannungszustand an der Basis eines Leistungstransistors, wobei diese Spannung eine Anzeige für den im Kollektor fließenden Strom darstellt, während die Kollektorspannung des Schalttransistors zur Steuerung des Wandlers dient. Wenn beide Spannungen gleichzeitig hochpegelig sind, d. h., wenn der Transistor für eine bestimmte Zeitspanne um einen bestimmten Betrag überlastet ist. wird der Schwingkreis abgeschaltet.

Eine Schwierigkeit beim Betrieb von Schwingkreisen oder Stromversorgungen für elektroakustische Wandler besteht in dem großen am Wandler auftretenden Lastbereich. Der Schwingkreis muß ohne Ausfall des einen Transformator steuernden Schalttransistors Leistung abgeben, wobei der Transformator seinerseits den Wandler beaufschlagt. Die höchstzulässige Belastbarkeit des Schalttransistors liegt in seiner Konstruktion und Fertigung begründet. Diese höchstzulässige Belastbarkeit ist dem Produkt aus Kollektor-Emitterspannung, im folgenden als Kollektorspannung bezeichnet, und dem Kollektorstrom proportional.

Die Beschallung eines Schwingkreises mit einer

Oberlastschutzschaltung ermöglicht es, eine größere Leistung an den Wandler abzugeben als bei einem herkömmlichen Schwingkreis. Der Schwingkreis, insbesondere der Schalttransistor, kann näher am höchstzulässigen Belastungszustand betrieben werden, da die Schutz- s schaltung im Falle einer Überlastung den Schwingkreis abschaltet Bei früheren Schwingkreisen wurde der Schalttransistor in Abhängigkeit von sich ändernden Lastbedingungen weit unterhalb des höchst zulässigen Belastungszustandes betrieben. Schutzschaltungen für \o Transistoren sind recht aufwendig. Bekannte Schutzschaltangen (Funk-Technik 1974, Seiten 459—462) erfordern Transistoren und weitere Bauelemente.

Beispielsweise werden fCollektorspannung und Koiieklorstrom überwacht und der Schwingkreis wird ab- t5 geschaltet, wenn der KoIIekjorstrom einen bestimmten Wert zu dem Zeitpunkt überschreitet, in welchem die Kollektor-Emitter-Spannung hochpegelig ist Diese früheren Stromüberwachungsschaltungen erfordern Stromwandler und dergleichen, welche im allgemeinen kostspielig und groß sind. Bei einem idealen Schwingkreis wechselt die Kollektorspannung vom Zustand der Nullspannung, in welchem der Transistor durchgesteuert ist und der Kollektorstrom von einer Gleichspannungsquelle her fließt, in den Zustand, in welchem der Transistor abgeschaltet ist und kein Kollektorstrom fließt. Im idealen Zustand tritt im Transistor keine Verlustleistung oder Belastung auf, da die Belastung das Produkt aus Kollektorspannung und Kollektorstrom im Transistor ist. Bei einer praktischen Schaltung oder, wenn der Schwingkreis überlastet ist, wird der Transistor nicht vollständig angesteuert, und daher ist die KoI-lektor-F.mitter-Spannung nicht gleich Null, wenn ein Kollektorstrom fließt. Die während dieses Zustandes auftretende Belastung bewirkt in einer verhältnismäßig kur/cn Zeit einen Ausfall des Transistors.

Somit besteht die Aufgabe der Erfindung darin, eine Schaltungsanordnung der eingangs geschilderten Art so auszubilden, daß der Schwingkreis zuverlässig und rasch bei Überlast abgeschaltet wird, auch bei Überlast des auf einer unerwünschten hohen Frequenz arbeitenden Schwingkreises, um den Ausfall des Schalttransistors zu verhindern, der ein wesentliches bauteil des Schwingkreises darstellt.

Die Erfindung stützt sich auf die Tatsache, daß der Kollektorstrom nur dann fließt, weiri an der Basis des Transistors eine gegenüber der Emitterspannung positive Spannung anliegt, die im folgenden als Basisspannung bezeichnet wird. Wenn daher die Basis- und KoI-lcktorspannung gleichzeitig hochpegelig sind, fließt Kolloktorstrom zu einem Zeitpunkt, wenn die Kollek-Iur-Kmitlcr-Spannung hochpegelig ist und der Transistor Wärme ableitet. Erfindungsgemäß werden Kollektor- und Basisspannung in bezug auf die Emitterspannung überwacht, um ein Signal für die Überlappung oder Schalthysterese der Wellenformen abzugeben. Die Überlappung, die dann auftritt, wenn beide Trennschiehtspannungcn hochpegelig sind, ist ein Anzeichen für die Überlastung des Schalttransistors. Das Überlappungssignal wird integriert und der integrierte Wert mit einem vorgegebenem Spannungspegei verglichen. Wenn das integrierte Signal größer ist als die durch den vorgegebenen Spannungspegel höchstzulässige Belastung, wird ein Signal erzeugt, welches die Abschaltung des Schwingkreises bewirkt.

Während des Einschaltens des Schwingkreises ist vorgesehen, daß die Strom «rsorgung abgeschaltet bleibt, wenn kein Anschaltsignal anliegt.

Der Schwingkreis zur Steuerung eines elektroakustischen Wandlers weist ferner die nachteilige Eigenschaft auf, daß sich die Frequenz des Wandlers unter dem Einfluß einer Überlast ändert. Dieser Zustand bewirkt, daß das am Wandler anliegende Hochfrequenzsignai eine falsche Frequenz führt Ein Integrationskreis in der Überlastschutzschaltung gibt ein Signal von erhöhter Amplitude ab, wenn der Wandler auf eine höhere Frequenz umwechselt Das Signal wird wie eine Überlastungsanzeige verarbeitet, welche eine Abschaltung des Schwingkreises bewirkt

Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist nachstehend näher erläutert Die Zeichnungen zeigen:

F i g. 1 ein Blockschaltbild der Erfindung;

F i g. 2 ein Schaltbild eines bevorzugten Ausführungsbeispiels der Erfindung;

Fig.3 eine Darstellung der im Ausführungsbeispiel der F i g. 1 gezeigten Spannungsverläufe und

F i g. 4 ein Schaltbild eines bevorzugten Ausführungsbeispiels zur Abschaltung eines Schwingkreises unter Überlastbedingungen.

F i g. 1 zeigt ein Blockschaltbild der erfndungsgemäßen Überlastschutzschaltung. Die Basis- und Kollektorspannungen eines Schalttransistors 10 des Schwingkreises zur Steuerung eines elektroakustischen Wandlers werden C-berwacht, um einen Ausfall des Transistors 10 während eines Überlastungszustandes zu verhindern. Die Spannung zwischen dem Kollektor 12 und dem Emitter 19 des Transistors 10 gelangt über eine Leitung 16 an einen Spannungsbegrenzer 14. Dieser begrenzt die relative Spitzenamplitude der am Kollektor 12 anliegenden Rechteckspannung auf einen bestimmten Wert, normalerweise 24 Vss (s. F i g. 3, Kurve a).

Die Basis 18 des Transistors 10 ist über eine Leitung 20 an einen Abstimmkreis ?2 geführt Die Signalform der Spannung zwischen der Basis 18 und dem Emitter 19 enthält unerwünschte Spitzen und Transienten. Der auf 20 kHz abgestimmte Abstimmkreis setzt die allgemeine Rechteckspannung auf der Leitung 20 in eine Jinusspannung um (F i g. 3, Kurve b). Der Abstimmkreis 22 besitzt eine Regeleinrichtung zur Veränderung der Phase des an der Leitung 24 anliegenden Ausgangssignals, wie im folgenden näher erläutert wird.

Die Sinusform mit einer Amplitude von 10 Vss bewirkt die periodische An- und Abschaltung eines Schalters 26 in Abhängigkeit von der Amplitude des Sinussignals. Die Wellenform des Schalterausgangssignals ist eine unsymmetrische Rechteckspannung nach Kurve c der F i g. 3.

Die Wellenformen der Kurven a, b und c der F i g. 3 stellen die »Idealsituation« dar. Das heißt, das den Kollektorstrom darstellende Sinussignal ist vollkommen phasengleich mit der Wellenform der Kollektorspannung {F i g. 3, Kurve a). Die Ausgangsspannung des Schalters 26 überschneidet die Wellenform der Koilektorspannung nicht. Der Begriff »Überlappung« oder »Schalthysterese« gilt für den Zustand, in welchem die in Kurve a gezeigte Wellenform der Kollektorspannung hochpegelig ist, v/i»hrend gleichzeitig die in Kurve c gezeigte Ausgangsspannung des Schalters 26 niederpegelig ist.

Die Kurve dder F i g. 3 ist eine Sinusspannung wie die der Kurve b, jedoch mit einer Phasenverschiebung. Wenn die Sinusspannung der Kurve d positiv ist, ist gleichzeitig auch die Kollektorspannung positiv(Fig.3, Kurve a). Der Schalter 26 liefert eine unterschiedliche Ausgangsspannung, die in Kurve e der F i g. 3 gezeigt ist. In diesem Falle ergeben sich Zeitspannen oder Pha-

senverschiebungen, wenn die Kollektorspannung hochpegelig und gleichzeitig die Ausgangsspannung des Schalters 26 niederpegelig ist. Diese beiden Signale liegen als Eingangssignale am Schalthysteresekreis 28 an. Die in Kurve /"der F i g. 3 gezeigte Wellenform der Ausgangsspannung des Schallhysteresekreises 28 ist eine Reihe von positiven Impulsen, welche dem Zeitpunkt entsprechen, in welchem die Kollektorspannung hochpegelig und die Ausgangsspannung des Schalters 26 niederpegelig ist, d. h., wenn der Transistor mit Verlustleistung arbeitet oder unter Belastung steht.

Das Ausgangssignal des Schalthystcresekrcises 28 gelangt über eine Leitung 30 an eine Integrationsschaltung 32. Die Integrationsschaltung 32 integriert die in Kurve f, F i g. 3, gezeigte Wellenform und erzeugt in Abhängigkeit davon ein Gleichspannungssignal. Dieses auf einer Leitung 34 anliegende integrierte Signal wird in einer Vergleichsschaltung 36 mit einem bestimmten Spannungspegel verglichen. Wenn das integrierte Signal den bestimmten Pegel überschreitet, wird an einer Leitung 66 ein Überlastungssignal erzeugt, welches den Betrieb des Schwingkreises sperrt und die Zerstörung des Transistors 10 verhindert.

Während die vorstehende Beschreibung für einen während eines Überlastungszustandes fließenden Strom gilt, ist es offensichtlich, daß eine durch einen Überlastungszustand bewirkte Frequenzerhöhung des Schwingkreises eine entsprechend größere Anzahl der in Kurve /der F i g. 3 gezeigten Impulse pro Zeiteinheit auslöst und damit auch eine Erhöhung der Amplitude des Gleichspanr 'ingsausgangssignals der Integrationsschaltung 32. Somit besitzt ein während der Abschaltzeit des Transistors 10 übermäßig fließender Kollektorstrom und eine Frequenzversetzung des Schwingkreises infolge eines Überlastungszustandes die gleiche Wirkung, nämlich die der Abschaltung des Schwingkreises.

In F i g. 2 ist ein normaler vereinfachter Schwingkreis zur Steuerung eines elektroakustischer; Wandlers 38 anhand eines bevorzugten Ausführungsbeispieles der Erfindung gezeigt. Der Schalttransistor 10 steuert den Wandler 38 in herkömmlicher Weise, vgl. US-PS 34 32 691. Die Kollektorspannung gelangt über eine Leitung 16 an einen Kondensator 40, von welcher sie an die Kathode einer Zenerdiode 42 von 24 V geführt wird, welche das Ausgangssignal des Spannungsbegrenzers 14 in eine Rechteckspannung mit einer Amplitude von 24 V.ss umsetzt. Die Basis 18 des Transistors 10 ist mit einem Potentiometer 44 im Abstimmkreis 22 gekoppelt. Durch entsprechende Wahl des Potentiometers 44 und Kondensators 46 wird der Abstimmkreis auf die Soll-Frequenz abgestimmt.

Das auf der Leitung 24 anliegende Signal ist eine Sinusspannung von 20 kHz und 20 Vss. Das Potentiometer 44 ist einstellbar, um den Phasenwinkel des Sinussignals gegenüber der Wellenform der Kollektorspannung zu ändern. Die Verschiebung des Phasenwinkels bewirkt eine An- und Abschaltung des Schalters 26 zu verschiedenen Zeitpunkten, wodurch die Schalthysterese beeinflußt und die in Kurve /in Fig.3 gezeigte Impulslänge verändert wird. Daraus geht hervor, daß die Gleichspannung am Ausgang der Integrationsschaltung 32 durch Einstellung des Potentiometers 44 verändert wird und damit auch die Höhe der zulässigen Belastung des Transistors 10 veränderlich ist, bevor der Schwingkreis abgeschaltet wird. Auf diese Weise kann der Transistor 10 erhöhte Leistung an den elektroakustischer! Wandler 38 abgeben. Bei früheren Ausführungen war der Schalttransistor 10 für einen Betrieb ausgelegt, bei welchem er weniger Leistung an den Wandler 38 sowie eine geringere Verlustleistung abgab, um große Laständerungen verarbeiten zu können. Erfindungsgemiiß kann der Transistor 10 unter höheren Leistungsbcdingungen betrieben werden, da Laständerungen, besonders Überlastungszustände, bewirken, daß der Schwingkreis vor einem Ausfall des Schalttransistors 10 abgeschaltet wird.

Durch entsprechende Vorspannung des Schalttransistors 48 liegt eine Rechteckspannung in Abhängigkeit vom Signal auf der Leitung 24 am Kollektor des Transistors 48 an. Die Reehtcckausgangsspannung des Schalters 26 gelangt über einen Widerstand 52 an die Hasis eines PNP-Transistors 50 im Schalthyslcresekreis 28.

Die Rechteckausgangsspannung des Spannungsbegrenzers 14 liegt am Emitter des Transistors 50 an. Der Transistor leitet Strom nur dann an eine Diode 54 weiter, wenn an seinem Emitter eine höhere Spannung anliegt als an seiner Basis, d. h. wenn sowohl Hip Koüektorspannung des Transistors 10 als auch die Sinusspannung auf der Leitung 24 in Abhängigkeit vom Kollcktorstrom des Transistors 10 hochpegelig sind. In diesem Falle steuern die Diode 54 und ein Widerstand 56 durch und laden einen Kondensator 58 auf. Obwohl die in Kurve /der Fig.3 gezeigte Wellenform große Überschneidungsperioden zeigt, ist die Impulslänge im wirklichen Betrieb sehr kurz und nähert sich einem Spit/enimpul«! an. der anschließend durch den Kondensator 58 integriert wird.

Wenn die am Emitter oder der Basis des Transistors 50 anliegende Rechteckspannung nur eine verringerte oder gar keine Amplitude aufweist, d. tu wenn ein Gleichspannungssignal infolge eines Aussetzens des Schalttransistors 10 oder der Überlastiingsschutzschaltung anliegt, leitet der Transistor 50 den Strom zur Diode 54, welche den Kondensator 58 auflädt.

Wenn die am Kondensator 58 anliegende Gleichspannung die Summe der Basis-Emitter-Sperrschichtspannung des Transistors 60 und der Spitzenspannung V_n einer (programmierbaren) Doppelbasisdiode 61 mit( —) Steuerspanung übersteigt, fließt Strom von der positiven Gleichspannungsquelle + V über die Doppelbasisdiode 61 zur Leitung 66. Die Spitzenspannung wird erreicht, wenn an der Torschaltung eine konstante Spannung, Steuerspannung V anliegt, und die Anodenspannung 63 die konstante Steuerspannung am Tor 59 um einen Spannungsabfall in Durchlaßrichtung an der Diode übersteigt. Beim erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiel kann die konstante Spannung zwischen dem Tor 59 und der negativen Versorgungsspannung V— als Verhältnis der impedanz zwischen den Widerständen 62 und 64 ausgedrückt werden.

VSteuer

+ Vx R62 R62 + Ä64

Der in der Leitung 66 fließende Strom zeigt einen Überlastungszustand an, und das Stromsignal wird für die Abschaltung des Schwingkreises weiterverarbeitet Das an der Leitung 66 anliegende Signal kann logischen Schaltungen, einem Relais, einem Schalter usw. zur Unterbrechung der Stromleitungen, der Gleichspannung für den Schwingkreis usw. zugeleitet werden. Bei einer bevorzugten Betriebsart zur Abschaltung des Schwingkreises wird eine in F i g. 4 gezeigte elektrische Schaltung an die Leitung 66 und den Transformator 68 des Schwingkreises angeschlossen, um die Sekundärwicklung 92 des Transformators 68 kurzzuschließen und

damit den Schwingkreis abzuschalten.

Der in der Leitung 66 fließende Strom gelangt über die Widerstände 70, 72 zur Diode 74 und lädt einen Kondensator 76 auf. Wenn die am Kondensator 76 aniiegcnde Spannung größer ist als die Triggersteuerspan- > nung eines gesteuerten Gleichrichters 78, wird dieser angesteuert und öffnet einen Strompfad vom Einschaltsigna" ;ur negativen Stromversorgung über den gesteuerten Gleichrichter 78. Dadurch schaltet ein Transistor 80 ab. Der von der positiven Gleichspannungsversorgung über eine Diode 82 und den Kollektor des Transistors 80 zum negativen Pol der Gle'chspannungsversorgung fließende Strom wird jetzt über eine Diode 84 zur Basis eines Transistors 86 geleitet. Der Kollektor des Transistors 86 ist an die Kathoden der Dioden 88 und 90 gekoppelt, deren Anoden an die entsprechenden Seiten der Wicklung 92 des Transformators 68 geführt sind, so daß ein Kurzschluß an der Wicklung 92 des Transformau<r5 uo cutStCiii, «vcüm uCr ι rnriS'S'cr es surcnstsusrt.

Die kurzgeschlossene Transformatorwicklung 92 bewirkt eine Abschaltung des Schwingkreises. Wenn das Anschaltsig.ial gelöscht ist, arbeitet der Überlastungsschulzkreis in einer normalen Betriebsart, d. h., der Transistor 86 steuert so lange durch, bis ein weiteres Biüschultsignal anliegt. Durch das Löschen des Einschultsignals wird auch der gesteuerte Gleichrichter 78 gelöscht, in dem der zur Anode fließende Haltestrom abgeschaltet wird und bewirkt, daß der Transistor 80 durchsteuert, was wiederum zur Folge hat, daß der Transistor 86 abschaltet. In diesem Zustand versorgt der Schv. ingkreis den Wandler 38 mit Spannung. Um den Zustand zu vermeiden, in welchem ein Überlastungssignal beim ersten Einschalten anliegt, ist ein Relais 100 vorgesehen. Zunächst unterbricht der Relaiskontakt 100' und ein Transistor 94 ist angesteuert, wodurch das an der Leitung 66 anliegende Überlastungssignal über den Widerstand 70 und den Transistor 94 zur negativen Stromversorgung geleitet wird. Nach einer Anfangsver-/ögerung von etwa 20 ms wird der Schwingkreis beaufschlagt, der Rclaiskontakt 100' schließt und bewirkt, daß Strom über t'ine Diode % und den Relaiskontakt 100' zur negativen Stromversorgung anstelle zur Basis des Transistors 94 fließt. Dadurch schaltet der Transistor 94 ab, und die Überlastungsschutzschaltung arbeitet in ihrer normalen Betriebsart.

Bei diesem Ausführungsbeispiel der Erfindung beträgt die positive Stromversorgung V+ +160V_ gegenüber der negativen Stromversorung V—, und die positive Spannungsversorung + V beträgt 24 V. gegenüber der negativen Spannungsversorgung V-.

Hierzu 3 Blatt Zeichnungen

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Claims (9)

Patentansprüche:

1. Schaltungsanordnung zum Schutz eines Schwingkreises gegen Oberlast, mit mindestens einem an die Primärwicklung eines Transformators angeschlossenen Schalttransistor zur Steuerung eines an die Sekundärwicklung des Transformators angeschlossenen elektroakustischer· Wandiers. dadurch gekennzeichnet, daß eine erste Einrichtung mit dem Schalttransistor (10) verbunden ist, um ein Signal (a) in Abhängigkeit von der Spannung zwischen dem Kollektor (12) und dem Emitter (19) des Schalttransistors (10) zu erzeugen, daß ein Abstimmkreis (22) mit dem Schalttransistor (10) verbunden ist, um ein Sinussignal (b) von einstellbarer Phasenlage in Abhängigkeit von der Spannung zwischen der Basis (18) und dem Emitter (19) des Schalttransistors (10) abzugeben, daß das in Abhkängigkeit von der Spannung zwischen dem Kollektor (i2) und dem Emii^r (19) erzeugte Signal (a) und das in Abhängigkeit von der Spannung zwischen der Basis (18) und den Emitter (19) erzeugte Signal (b) einem Schalthysteresekreis (28) zugeführt sind, der in Abhängigkeit vom Auftreten einer Überlappung der beiden Signale (a, b) ein Ausgangssignal (f) erzeugt, daß das Ausgangssignal (I) des Schalthysteresekreises (28) einer Integrationsschaltung (32) zugeführt ist, weiche das Ausgangssignal (f) integriert, um ein Überlastungssignal abzugeben, und daß eine Vergleichsschaltung (36) mit der Integrationsschaltung (32) sowie r\h dem Schwingkreis verbunden ist, um den Schwingkreis abzuschalten, wenn das Überlastungssigna! eine bestimmte Amplitude übersteigt.

2. Schaltungsanordnung n?ch Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Einrichtung ein Spannungsbegrenzer (14) ist.

3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Abstimmkreis (22) Einrichtungen (44,46) zur Veränderung der Phasenlage des Sinussignals (b) gegenüber einer Anfangsphasenlage besitzt.

4. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprache 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß ein Schalter (26) an den Abstimmkreis (22) angeschlossen ist, um ein Rechteckausgangssignal (c) in Abhängigkeit von der Amplitude und Phase des Sinussignals (tfj abzugeben.

5. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Schalthysteresekreis (28) einen als Schalter arbeitenden Transistor (50) umfaßt, um ein Überlappungs- oder Hysteresesignal (f) abzugeben, wenn die Spannung zwischen dem Kollektor (12) und dem Emitter (19) des Schalttransistors (10) sowie die Spannung zwischen der Basis (18) und dem Emitter (19) des Schalttransistors (10) gleichzeitig hochpegelig sind.

6. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Vergleichsschaltung (36) eine Doppelbasisdiode (61) mit programmierbarer Steuerspannung umfaßt.

7. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 6. dadurch gekennzeichnet, daß eine weitere Einrichtung mit der Vergleichsschaltung (36) zur Korrektursteuerung des Überlastungssignals verbunden ist, um eine Ersteinschaltung der Schaltungsanordnung /u ermöglichen.

8. Schaltungsanordnung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die weitere Einrichtung ein Relais (190) umfaßt.

9. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, ua8 der Spannungsbegrenzer (14) mit dem Kollektor (12) des Schalttransistors (10) verbunden ist, um in Abhängigkeit von der Spannung zwischen dem Kollektor (12) und dem Emitter (13) des Schalttransisiors (10) ein erstes Rechtecksignal (a) zu erzeugen, daß der Abstimmkreis (22) zum Erzeugen des Sinussignals an die Basis (18) des Schalttransistors (10) angeschlossen ist, daß der Schalthysteresekreis (28) mit dem an den Abstimmkreis (22) angeschlossenen Schalter (26) und dem Spannungsbegrenzer (14) vcr-

:s bunden ist, um das erste Rechtecksignal (a) und das zweite vom Schalter (26) abgegebene Rechtecksigna! (c) aufzunehmen, sowie um ein Überlappungssignal (7) zur Anzeige dafür zu erzeugen, daß das erste Rechtecksignal (a) hochpegelig ist, wenn das zweite Rechtecksignal (c) gleichzeitig niederpegelig ist, daß die Integrationsschaltung (32) mit dem Schalthysteresekreis (28) zur Aufnahme und integration des Überlappungssignals (f) verbunden ist, um ein Gleichspannungssignal in Abhängigkeit von der

Dauer des Überlappungssignals (f) zu erzeugen, daß die Doppelbasisdiode (61) an die Integrationsschaltung (32) angeschlossen ist, um das Gleichspannungssignal aufzunehmen sowie ein Überlastungssignal abzugeben, wenn das Gleichspannungssignal einen bestimmten Spannungswert überschreitet, daß das Überlastungssignal an einem mit der Doppelbasisdiode (61) verbundenen Schalttransistor (60) anliegt, der in Abhängigkeit vom Überlastungssignal angesteuert wird, daß eine Verzögerungseinrichtung den Schalttransistor (60) während der Anfangseinschaltperiode sperrt und daß eine Transformatorwicklung (92) des Transformators (68) mit dem Schalttransistor(60) verbunden ist, um den Schwingkreis bei Ansteuerung und Beaufschlagung des Schalttransistors (60) zu sperren.