DE2603316B2 - Elektrolumineszierende Halbleiterdiode und Verfahren zu ihrer Herstellung - Google Patents
Elektrolumineszierende Halbleiterdiode und Verfahren zu ihrer HerstellungInfo
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Description
Elektrolumineszenzdioden sind von großem Interesse für die Fernübertragungen mittels optischer Fasern. Sie
sind jedoch schwierig in der Verwendung, da die lichtemittierende Oberfläche kleiner als oder gleich dem
Durchmesser der Faser sein sollte, welcher in der Größenordnung von 50 bis 100 Mikron liegt.
Die vorliegende Erfindung geht von einem Stand der Technik aus, wie er durch die US-Patentschrift 38 12 516
repräsentiert wird. Die daraus bekannte elektrolumineszierende Halbleiterdiode besteht, wie F i g. 6B zeigt, aus
einem η-leitenden und einem p-leitenden Bereich, die einen pn-übergang bilden und jeweils mit einem
ohmschen Kontakt versehen sind. Der p-leitende Bereich besteht dabei aus einem an den pn-übergang
angrenzenden Gebiet mit einem relativ geringen Bandabstand und aus einem weiteren Gebiet mit einem
relativ großen Bandabstaud, der an das erste Gebiet sowie an den zugehörigen Kontakt angrenzt. Auch das
Material des η-leitenden Bereichs weist einen relativ großen Bandabstand auf.
Bei einer Diode dieser Art umfaßt die emittierende Oberfläche die gesamte freie Fläche der Elektrolumineszenzdiode,
weshalb man Dioden mit sehr geringen Querabmessungen verwenden muß, wobei das an den
pn-Übergang angrenzende Gebiet mit relativ geringem Bandabstand vor Umgebungseinflüssen ungeschützt ist.
Die vorliegende Erfindung hat nun die Aufgabe, das für die Lichterzeugung verantwortliche Gebiet mit
relativ geringem Bandabstand gegen solche Umgebungseinflüsse
zu schützen.
Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung dadurch gelöst, daß bei einer elektrolumineszierenden Halbleiterdiode
der vorstehend skizzierten Art das Gebiet mit dem größeren Bandabstand das Gebiet mit dem
geringeren Bandabstand, außer an dessen pn-übergang ίο zum ersten Bereich, vollständig umhüllt und dabei an
den ersten Bereich unter Bildung eines pn-Übergangs angrenzt Die Erfindung umfaßt auch die Herstellung
einer solchen Diode, wobei nacheinander auf ein Substrat epitaktisch aus der flüssigen Phase eine erste
Schicht vom ersten Leitfähigkeitstyp mit einem relativ großen Bandabstand, darauf eine zweite Schicht vom
zweiten Leitfähigkeitstyp mit relativ kleinem Bandabstand und schließlich eine dritte Schicht vom zweiten
Leitfähigkeitstyp mit relativ großem Bandabstand abgeschieden werden, und das erfindungsgemäße
Verfahren ist dadurch gekennzeichnet, daß nach dem Abscheiden der zweiten Schicht diese selektiv so geätzt
wird, daß ein Bereich der ursprünglichen Dick;: von einem Bereich stark verringerter Dicke umgeben ist,
und daß zu Beginn des Abscheidens der dritten Schicht die Temperatur so geändert wird, daß sich der Bereich
mit stark verringerter Dicke vollständig auflöst.
Die Erfindung wird anhand der folgenden Beschreibung in Verbindung mit der Zeichnung näher erläutert
In der Zeichnung zeigt
F i g. 1 eine schematische Darstellung einer Ausführungsform der Diode,
Fig.2 ein erläutertes Diagramm, welches die Energieniveaus in den verschiedenen Teilen der Diode
zeigt,
F i g. 3 bis 7 die Diode während ihrer verschiedenen Herstellungsstufen und
F i g. 8 und 9 erläuternde Diagramme.
F i g. 1 zeigt eine aus zwei Halbleiterbereichen 1 und 2 mit n- bzw. p-Leitung bestehende Elektrolumineszenzdiode,
wobei diese Halbleiterbereiche einen pn-übergang bilden. Es sei angenommen, daß diese beiden
Bereiche aus dem gleichen Material bestehen und infolgedessen einen gleichen Bandabstand £2 zwischen
dem Valenz- und Leitfähigkeitsband besitzen. Das ist jedoch nicht unbedingt erforderlich.
In das Gebiet 2 ist ein ebenfalls p-leitendes Gebiet 3
eingelagert, dessen Bandabstand jedoch wesentlich geringer und mit E\ bezeichnet ist. Zur Vereinfachung
wird angenommen, daß die Energieniveaus der Valenzbänder für die Materialien 1, 2 und 3 die gleichen sind.
Zwei Kontakte 4 und 5 ermöglichen das Anlegen einer Spannungsquelle 6.
Der Betrieb der Diode wird anhand von F i g. 2 verständlich, welche die charakteristischen Energieniveaus
der verschiedenen Bereiche und Gebiete zeigt.
In ausgezogenen Linien sind die Energieniveaus der Valenzbänder von 1, 2 und 3 sowie die Energieniveaus
der Leitungsbänder der Bereiche 1 und 2 zu beiden Seiten des Übergangs dargestellt.
In Nähe des Übergangs selbst sind in punktierter Linie die den Leitungsbändern der Bereiche 1 und 2
entsprechenden Energieniveaus und in ausgezogener Linie ist das Energieniveaus des Leitungsbands des
Gebiets 3 dargestellt. Man sieht auf diese Weise deutlich die verschiedenen, den beiden Übergängen 2—1 und
3—1 entsprechenden Schwellen.
Da der Bandabstand E\ wesentlich geringer ist als £2,
liegt das obere Energieniveau des Leitungsbands wesentlich tiefer als das obere Energieniveau des
Leitungsbands des Bereichs 2.
V/enn man an die Kontakte der Diode eint: Spannung
anlegt, um sie in Durchlaßrichtung vorzuspannen, jedoch die Spannung gering genug hält, daß keine
Elektronen von dem Bereich 1 die Schwelle des Obergangs 1-2 überwinden können, so ergibt sich ein
Spannungsbereich, welcher Elektronen aus dem Bereich
1 in das Gebiet 3 eintreten läßt, da dieses einen
geringeren Bandabstand besitzt als die beiden Bereiche Iund2.
Da die Diode in Durchlaßrichtung vorgespannt ist treten auch positive elektrische Ladungsträger in das
Gebiet 3 ein, so daß sich eine Neutralisation von Elektronen im Valenzband ergibt Die Elektronendichte
in diesem Band wird daher abnehmen, und freie Plätze treten auf. Die in dem Leitungsband des Gebiets 3
ankommenden Elektronen gehen dann von dem Leitungsband in das Valenzband über und besetzen dort
die Leerstellen unter Entstehung von Elektrolumineszenzstrahluug
(Elektronen Fi in F i g. 2).
Die direkt aus dem Bereich 1 in Richtung des Bereichs
2 kommenden Elektronen F2 werden durch die Schwelle
blockiert Für diesen Spannungsbereich ist daher das Gebiet 3 allein Ausgangspunkt einer Lichtemission.
Nachstehend wird ein Verfahren zur Herstellung der Elektrolumineszenzdioden beschrieben.
In F i g. 3 wurde auf einem Halbleitersubstrat 10 aus mit Silizium dotiertem η-leitendem Galliumarsenid mit
10'8 Atomen/cm3 epitaktisch nacheinander abgeschieden:
Eine etwa 3 Mikron dicke η-leitende, mit Tellur dotierte Schicht 11 gleicher Leitfähigkeit von 1018
Atomen/cm3, deren chemische Zusammensetzung Gai -,AUAs mit 0,2
< x< 0,4 ist.
Eine 1 bis 2 Mikron dicke, mit Silizium oder Germanium dotierte, p-leitende Schicht 12 mit der
chemischen Zusammensetzung Gai-^Al^As, wobei
0<y<0,l ist In dieser Schicht wird später der lichtemittierende Teil der Diode gebildet
In F i g. 4 wurde auf der Oberfläche eine lichtempfindliche Harzschicht abgeschieden, die nach Belichtung
durch eine Maske bei 13 verbleibt, wo sie den Teil der
Zone 12 schützt, der der Sitz der Lichtemission werden solL
Das Ganze wird dann entweder chemisch in einer Wasserstoffsuperoxidlösung oder durch ionenbeschuß
geätzt Dieser Verfahrensschritt wird so gesteuert, daß in den nicht geschützten Bereichen 121 der Schicht 12
diese in einer Dicke von 0,1 bis 0,5 Mikron verbleibt Infolge seines gelingen Aluminiumgehalts eignet sich
dieser Bereich besonders für die anschließenden epitaktischen Behandlungen in flüssiger Phase. Nach
dieser Verfahrensstufe sieht das Ganze wie in Fig.5
dargestellt aus.
Das Ganze kommt dann in ein Gallium, Aluminium und Arsen enthaltendes Bad. Dieses Bad ist bei 8000C an
GaAs gesättigt Durch eine Erhöhung der Temperatur von 800 auf 800,5° wird das Bad dann ungesättigt
gemacht worauf man die Temperatur mit einer gleichmäßigen Geschwindigkeit von 0,l°C/Minute
abnehmen läßt.
Zunächst wird die epitaktische Schicht 12 bis zum Verschwinden der Bereiche 121, F i g. 6, aufgelöst, dann
wächst epitaktisch eine neue Schicht 14, Fig.7, mit einer p-Dotierung und einer Dicke von 2 bis 3 Mikron,
welche das Ganze bedeckt
In üblicher Weise werden dann Kontakte 15 angebracht. In F i g. 7 ist der Kontakt 15 ringförmig und
besitzt eine so große öffnung, daß nur das nicht-emittierende
Gebiet bedeckt wird.
Der Bandabstand E2 beträgt beispielsweise 1,8 eV
gegenüber einem E\ von 1,4 eV. Die Querabmessungen betragen etwa 500 μηι.
Fig.8 und 9 zeigen als Funktion der Zeit t (in
Minuten) die Temperatur 7"des Bades bzw. die Dicke e der epitaktisch abgeschiedenen Schicht. Negative
Werte von e entsprechen der Auflösung der epitaktisehen Schicht.
Hierzu 4 Blatt Zeichnungen
Claims (2)
1. Elektrolumineszierende Halbleiterdiode mit zwei unter Bildung eines pn-Übergangs aneinandergrenzenden
Bereichen unterschiedlichen Leitfähigkeitstyps, wobei der zweite Bereich aus zwei
Gebieten mit unterschiedlichem Bandabstand zwischen dem Valenz- und Leitfähigkeitsband besteht,
wobei weiterhin das Gebiet mit dem geringeren Bandabstand an den ersten wiederum einen
größeren Bandabstand aufweisenden Bereich grenzt und wobei schließlich das Gebiet mit dem größeren
Bandabstand sowie der erste Bereich jeweils mit einem ohmschen Kontakt versehen sind, dadurch
gekennzeichnet, daß das Gebiet (2) mit dem größeren .Bandabstand das Gebiet (3) mit dem
geringeren Bandabstand außer an dessen pn-übergang zum ersten Bereich (1) vollständig umhüllt und
dabei an den ersten Bereich (1) unter Bildung eines pn-Übergangs angrenzt.
2. Verfahren zur Herstellung einer elektrolumineszierenden
Halbleiterdiode nach Anspruch 1, bei dem nacheinander auf ein Substrat epitaktisch aus
der flüssigen Phase eine erste Schicht vom ersten Leitfähigkeitstyp mit einem relativ großen Bandabstand,
darauf eine zweite Schicht vom zweiten Leitfähigkeitstyp mit relativ kleinem Bandabstand
und schließlich eine dritte Schicht vom zweiten Leitfähigkeitstyp mit relativ großem Bandabstand
abgeschieden werden, dadurch gekennzeichnet, da3 nach dem Abscheiden der zweiten Schicht diese
selektiv so geätzt wird, daß ein Bereich der ursprünglichen Dicke von einem Bereich stark
verringerter Dicke umgeben ist, und daß zu Beginn des Abschneidens der dritten Schicht die Temperatur
so geändert wird, daß sich der Bereich mit stark verringerter Dicke vollständig auflöst.
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