DE2600198C3 - - Google Patents
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/0175—Coupling arrangements; Interface arrangements
- H03K19/0185—Coupling arrangements; Interface arrangements using field effect transistors only
- H03K19/018507—Interface arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03M—CODING; DECODING; CODE CONVERSION IN GENERAL
- H03M11/00—Coding in connection with keyboards or like devices, i.e. coding of the position of operated keys
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Description
Die Erfindung betrifft eine Eingabestufe für eine integrierte MISFET-Schaltung nach dem Oberbegriff
des Patentanspruchs 1.
Das Leitwerk der neueren elektronischen Taschenrechner wird gebräuchlicherweise in MISFET-LSI-Technik
hergestellt. Der in solchen Taschenrechnern verwendete Anzeigetreiber muß jedoch eine relativ
hohe Ausgangsspannung liefern. Es war daher lange Zeit nicht möglich, den Treiber mit dem Leitwerk und
dem Rechenwerk auf einem einzigen Halbleiterplättchen zu integrieren. Mit fortschreitender LSI-Technik
gelang es jedoch in jüngerer Zeit, auch Treiber mit7uintegrieren,die hohe Ausgangsspannungen liefern.
Um die erforderliche Zahl von Anschlüssen in Taschenrechnern möglichst gering zu halten, war es
bislang gebräuchliche Praxis, Ausgangssignale für die Anzeigesteuerung auch für andere funktionell Erfordernisse,
insbesondere zur Ablaufsteuerung, abzugreifen und zu verwerten. Dieser Abgriff erfolgte bislang
problemlos auf dem relativ niedrigen Signalpegel an den Ausgangsanschlüssen des MISFET-LSI-Bauelements.
Das auf Signalpegel abgegriffene Signal konnte direkt als Eingangssignal für Folgesteuerungen verwendet
werden. Mit der Integration des Treibers standen jedoch statt der Signalpegelausgangsanschlüsse nur
noch die relativ hohe Spannungen führenden Treiberausgangsanschlüsse zur Verfugung, Eine Eingabe der
Treiberausgangsspannungssignale auf den Eingang eines MISFETs würde bei gebräuchlicher Auslegung
der Taschenrechnertreiber zum dielektrischen Durchschlag und zur Zerstörung der MISFET-Steuemng
führen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Eingabestufe zu schaffen, die einen verhältüsmäßig hohen Eingangssignalpegel unmittelbar aufnehmen kann, ohne daß die mit diesem Pegel beaufschlagte MISFET-Schaltung zerstört wird.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Eingabestufe zu schaffen, die einen verhältüsmäßig hohen Eingangssignalpegel unmittelbar aufnehmen kann, ohne daß die mit diesem Pegel beaufschlagte MISFET-Schaltung zerstört wird.
Die Lösung dieser Aufgabe ergibt sich aus dem
'5 Kennzeichen des Petentanspruchs 1. Danach erfolgt die
Begrenzung des Eingangssignalpegels auf einen für die Transistoren verträglichen Wert erst innerhalb der
Eingabestufe, so daß das Eingangssignal nicht vorher erniedrigt zu werden braucht Die Schaltung nach dem
Patentanspruch 1 läßt sich dabei ohne weiteres mit den übrigen Schaltungselementen der MISFET-Schaltung
gemeinsam integrieren.
Eine Eingabestufe mit den Merkmalen des Oberbegriffs des Patentanspruchs 1 ist an sich aus den
deutschen Offenlegungsschriften 20 64 977 und 22 45 855 bekannt Allerdings haben die bekannten
Schaltungen die ganz andere Funktion einer Pegelanhebung oder Pegelvewchiebung und sind daher auch
entsprechend anders aufgebaut.
Die Schaltung nach der Lehre des Patentanspuchs 1 ist grundsätzlich überall dort einsetzbar, wo das
Problem auftritt, ein MISFET-LSI-Bauelement mit
einem Eingangssignal verhältnismäßig hohen Amplitudenpegels unmittelbar auszusteuern. Eine besonders
vorteilhafte Verwendung der erfindungsgemäßen Schaltung entsprechend der eingangs erläuterten
Problematik ist in Anspruch 5 angegeben. Die übrigen Unteransprüche betreffen besonders einfache bzw.
vorteilhafte Ausgestaltungen der Eingabestufe nach
Bevorzugte Ausführungsbeispiele der Erfindung werden in der nachstehenden Beschreibung anhand der
Zeichnung näher erläutert, in der
F i g. 1 eine Eingabestufe zeigt, während in
F i g. 2 eine an sich bekannte Tastatureingabestufe für einen Taschenrechner dargestellt ist, bei der die Erfindung verwenbar ist.
F i g. 2 eine an sich bekannte Tastatureingabestufe für einen Taschenrechner dargestellt ist, bei der die Erfindung verwenbar ist.
Zunächst sei in Verbindung mit Fig.2 ein konkretes
Beispiel für die Verwendung von Anzeigetreiber-Ausgangssignalen als Eingangssignal zu Steuerzwecken
erläutert. In der F i g. 2 ist eine Tastatureingabestufe dargestellt, die ohne einen speziellen Binärcodierer
arbeitet. Die Verknüpfungsglieder Gl bis G 4 werden von einem Eingabetastenschalter 3 angesteuert. Die
Tasteneingabe wird mit einem Ziffernsignal synchronisiert, das als Ausgangssignal einer integrierten Halbleiterschaltung
1 auftritt. Dieses Ziffernsignal dient als Treibersignal für das numerische Anzeigeelement 2.
Gleichzeitig werden die Verknüpfungsglieder G 1 bis G4 auf dem anderen Eingang durch den Inhalt eines
Ziffernzählers 4 gesteuert. Das über die Taste 3 eingetastete Zeichen gelangt auf diese Weise als der
Eingabetaste zugeordneter Wert in das Eingabepufferregister 6.
Im Decoder 5 wird das Ziffernsignal gebildet, das an den Ausgangsstufen DRi bis DR η auf dem relativ
hohen Treiberspannungspegel auftritt.
Das auf die Eingabestufe geprägte Signal ist also das
Das auf die Eingabestufe geprägte Signal ist also das
über den Tastenschalter 3 aufgeprägte Ziffernsignal, das
am Ausgang des Anzeigetreibers auftritt. Es handelt sich
also um ein Signal relativ hoher Spannung, Die auf das Anzeigeelement 2 geprägte Treiberspannung liegt
gebräuchlicherweise bei 30 bis 35 V, bezogen auf den Signalamplitudenpegel. Dieses Signal wird auf die
Eingangsschaltung 7 der Eingabestufe geprägt Bei dieser Spannung muß eine Zerstörung des Sieuerbereichs
des MIS-FET vermieden werden, ohne den Signalpegel zu beeinflussen. Diesem Zweck dient die
Eingabestufe der Erfindung.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in F i g. 1 für die Anwendung in der Eingabestufe eines elektronischen
Taschenrechners oder Tischrechners dargestellt.
Ober die MIS-FETe M5 und M 6 wird ein Treibersignal VDlSP für das Anzeigeelement 2 mit
hoher Signalamplitude, gebräuchlicherweise im Bereich von etwa 30 bis 35 V, erzeugt. Dieses Signal gelangt
über de«?. Tastenschalter 3 auf den Eingangsanschluß IN.
Dieses Signal mit der hohen Signalamplitude wird auf einen Treiber-MIS-FET M4 geprägt, der Teil des
Eingabekreises ist. Der dielektrisch*; Durchschlag im
Steuerbereich des Treiber-MIS-FET M4 aufgrund des hohen Signalamplitudenpegels wird dabei wie folgt
verhindert:
Zwischen dem Eingangsanschluß IN. auf den das
Signal mit der hohen Signalamplitude geprägt wird, und dem Versorgungsspannungsanschluß VGG der Eingangsstufe,
an dem eine relativ niedrige Versorgungsspannung, gebräuchlicherweise im Bereich von etwa w
14 V, liegt, sind in Reihe ein selbstsperrender MIS-FET M1 und ein Widerstand R 1 geschaltet. Die Steuerelektrode
des MIS-FET M1 liegt ebenfalls am Versorgungsspannungsanschluß VGC. Zwischen dem Eingangsanschluß
/N und der Steuerelektrode des Treiber-MIS-FET M4 des Eingabegliedes liegen in Reihe ein
Widerstand R2 und ein MIS-FET M2. Der Steueranschluß des MIS-FET M2 ist auf den Versorgungsspannungsanschluß
VGG geschaltet.
Die in Reihe zu den MIS-FETs M1 und M2 liegenden
Widerstände R 1 bzw. R 2 verhindern einen dielektrischen Durchschlag im Steuerbereich der MIS-FETs M1
und MZ Die Widerstandswerte dieser beiden Widerstände liegen gebräuchlicherweise im Bereich von 1 bis
2 kOhm. Im Rahmen integrierter Halbleiterschaltungen können sie auf dem Halbleitersubstrat durch Dotierungsdiffuf.ion
gleichzeitig mit der Dffusionsherstellung der Quellen und Senken der MIS-FETs hergestellt
werden. Der MIS-FET M2 kann dabei sowohl selbstsperrend als auch selbstleitend sein (Anreicherungstyp
oder Verarmungstyp).
Beim Auftreten eines Signals mit hohem Signalpegel am Eingang des MIS-FET Mi tritt eine Elekirodenfunktionsvertauschung
ein. Gebräuchlicherweise ist die Elektrode auf der Eingangsseile des MIS-FET Mi ?Js
Quellenelektrode ausgebildet Die Elektrode, an der die
Versorgungsspannung liegt, ist üblicherweise die Senkenelektrode. Beim Auftreten eines Eingangssignals an
der Eingangselektrode des MIS-FET MI, das einen Pegel aufweist, der größer als der Pegel auf der Seite
der Versorgungsspannung ist, kehrt sich die Quellen-Senken-Funktion
um, so daß die Eingangsseite als Senke und die Versorgungsspannungsseite als Quelle
wirkt Da unter diesen Bedingungen die Quelle und der Steuerbereich auf gleichem Potential liegen, ist der
MIS-FET M1 gesperrt Zwischen der »Hochspannungsquelle«
und der »Niederspannungsquelle« fließt in diesem Augenblick kein Strom über den MIS-FET AiI.
Die auf das Anzeigeelement zu prägende Spannung am Treiberausgang bleibt also auch hei geschlossenem
Tastenschalters erhalten.
Durch die Wirkung des MIS-FET W2 gelangt jedoch gleichzeitig auf den SteueranschWß des Treiber-MIS-FET
M 41 des Eingangsgliedes tine Spannung, die nicht größer als VGG- Vth2 ist An uer Steuerelektrode
des MIS-FET M2 tritt lediglich die relativ niedrige Versorgungsspannung VGG auf. Die Spcnnung
Vth2 ist dabei die Schwellenspannung des MIS-FET M2. Wenn der MIS-FET M2 also selbstsperrend ist,
wird die Steuerspannung für den MIS-FET M4 lediglich
gleich dem Absolutwert der Differenz KGG- Vth 2. Wenn der MIS-FET M2 dagegen selbstleitend ist wird
die Steuerspannung gleich dem Absolutwert der Summe von VGG+ Vth 2. Der dem Steueranschluß des
MIS-FET M4 aufgeprägte Signalpegel bestimmt sich also lediglich durch die Größen der Versorgungsspannung
und der Schwellenspannung des MIS-FET M2. Der hohe Spannungspegel, der am Eingang der
Eingabestufe auftritt und gehalten wird, gelangt also nicht auf die Steuerelektrode des Treiber-MIS-FET M4.
Damit ist auch kein dielektrischer Durchschlag im Steuerbereich des MIS-FET A/4 zu befürchten.
Außerdem bestimmt der MIS-FET M 1 auch den bei geöffnetem Tastenschalter 3 auf den Treiber-MIS-FET
A/4 geprägten Spannungspegel.
Das vorstehend beschriebene Ausführungsbeispiel der Erfindung kann in verschiedenster Weise abgewandelt
werden. So brauchen beispielsweise die Widerstände Ri und R 2 zum Schutz der MIS-FETsMl und M 2
keine durch Diffusion hergestellten integrierten Widerstände zu sein, sondern können externe beliebige
Widerstände sein. Bei ausreichend durchschlagfesten MIS-FETs Ml und M2 können die Widerstände Ri
und R 2 auch ganz fehlen.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (5)
1. Eingabestufe für eine integrierte MISFET-Schaltung
mit einem zwischen einen Eingangsanschluß und den Steueranschluß eines das eigentliche
Eingabeglied bildenden ersten Transistors eingeschalteten zweiten Transistor in Gatt-Schaltung,
dadurch gekennzeichnet, daß der Steueranschluß des zweiten Transistors (M 2) mit einer
Spannung beaufschlagt ist, deren Absolutwert kleiner ist als die Durchschlagspannung des ersten
Transistors (MA), und daß zwischen den Eingangsanschluß (IN)und eine Versorgungsspannungsquelle
(VGG), deren Absolutwert kleiner ist als die Durchschlagspannung des ersten Transistors (M 4),
ein dritter Transistor (Mi) eingeschaltet ist, dessen
Steueranschluß derartig vorgespannt ist, daß der dritte Transistor (MX) sperrt, wenn die Spannung
des Signals am Eingangsanschluß (IN) den Wert der Versorgungsspannungsquelle (VGG) überschreitet
2. Eingabestufe nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Steueranschluß des dritten
Transistors (M i) an die Versorgungsspannungsquelle (VGG) angeschlossen ist.
3. Eingabestufe nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Steueranschluß des zweiten
Transistors (M 2) an die Versot gungsspannungsquel-Ie (VGG) angeschlossen ist
4. Eingabestufe nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen den Eingangsanschluß
(IN) und den zweiten und dritten Transistor (M2, Mi) jeweils ein Widerstand (R 2,
R i) eingeschaltet ist
5. Verwendung der Eingabestufe nach einem der vorhergehenden Ansprüche bei Vmer Tastatureingabeschaltung
für eine Sichtanzeige (2), bei der das über die Tastatur (3) auf den Eingangsanschluß (IN)
gegebene Signal aus dem Treibersignal für die Sichtanzeige (2) abgeleitet ist.
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