DE2600194C3 - Entladungsschaltung für den Integrationskondensator eines kapazitiv gegengekoppelten Integrationsverstärkers - Google Patents
Entladungsschaltung für den Integrationskondensator eines kapazitiv gegengekoppelten IntegrationsverstärkersInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine Entladungsschaltung für den Integnilionskondensator eines kapazitiv gegengekoppelten
Integrationsverstärkers, bei der der Ausgang des Integralionsverstärkers mit dem nichtinvertierenden
Eingang eines zweiten Verstärkers und der Ausgang des zweiten Verstärkers mit einer elektrisch
steuerbaren Schalteinrichtung verbunden ist, die den Ausgang des zweiven Verstärkers in einer ersten
Stellung mit dem invertierenden Meßeingang des Integrationsverstärkers verbindet
Bei der Integration von Strömen oder Spannungen über die Zeit nach dem bekannten Prinzip des kapazitiv
gegengekoppelten Verstärkers steht das Integral in Form einer Spannung am Verstärkerausgang zur
Verfügung. Die Spannung steigt also bei anstehendem Mcßsignal mit der Meßzeit, so daß bei entsprechend
langer Meßzeit und kleiner Kapazität des Integrationskondensators bzw. kleiner Zeitkonstante des Integrationsgliedes
theoretisch beliebig hohe Spannungswerte erreicht werden müßten. In der Pra*<s sind jedoch durch
den endlichen Ausgangsspannungshub der Verstärker, der 100 Volt selten übersteigt, Gvenzen gesetzt, die
nicht überschritten werden dürfen und bei der Dimensionierung des Integrationskondensators bzw.
der Zeilkonstante des Inlegrationsgliedes berücksichtigt werden müssen. Bei großem Meßsignal oder langer
Meßzeit ergibt sich ein großer Kapazitälswert des Integrationskondensators bzw. eine große Zcilkonslantc
des Intcgrationsgliedcs.
Präzise Messungen mit hoher spannungsmäßiger Auflösung des Integrals und großer Dynamik des
Meßbereichs erfordern einen kleinen Kapazitätswert des Inlcgrationskondensators bzw. eine kleine Zeitkonslante
des Integrationsglicdes, so daß bei großen Mcßsignalen oder zeitlich langen Meßvorgängen nach
Erreichen der maximalen Ausgangsspannung des jeweiligen Verslärkcrtyps der Integrationskondensator
während des Meßvorganges entladen werden muß und die Anzahl der Entladungen gezählt werden müssen.
Während dieser Enlladungs/.eit erfolgt keine Integration
des Meßsignals, so dali die eigentliche Integralionszeil
verkürzt wird und somit ein Meßfehler entsteht. Der Meßfehler wird uir, so kleiner, je kürzer sich clic
l'jilladungs/.eil im Verhältnis zur Inlegralionszcit
realisieren liil.lt. Hei Inlegralions/eilen im Sekundenifntl
Millisekunden Heieich können Kniladtings/.citcn
von einigen MiIIi- bzw. Mikrosckiindcn erforderlich
werden
Um den zeitlichen Verlauf eines Signnlsmeßtechnisch
zu erfassen, ist es für viele Meßprobleme, besonders aber bei der Messung kleiner Signale, vorteilhaft, dns
Meßsignal intervallweise zu integrieren. Bei einer
geforderten hohen zeitlichen Auflösung des Signalverlaufs sind bei einer großen Meßsignalrate nur sehr kurze
Integrationsintervalle möglich. Die Meßwertrate wird sehr hoch, so daß die einzelnen Amplitudenwerte nur
noch von digitalen Datenerfnssungsanlagen gespeichert
und ausgewertet werden können. Die Genauigkeit dieser Meßmethode wird wegen der kurzen Integrationszeiten
weigehend durch die Genauigkeit des Integr.itionsintervalles, also durch die zeitlich exakte
Steuerung des Integrationsbeginns und des Integrationsendes bestimmt Be: Integrationszeiten im MiIIi-
und Mikrosekunden-Bereich können Steuergenauigkeiten
im Mikro- bzw. Nanosekunden-Bereich erforderlich werden.
Entscheidend für die Durchführbarkeit dieser Integrationsverfahren
und für die Genauigkeit und Reproduzierbarkeit der Meßergebnisse ist neben der geeigneten
Auswahl von Integrationsverstäiker und Integrationskondensator
die Realisierung der Entladung und Entladungssteuerung des Integrationskondensators.
Bei herkömmlichen Verfahren wird der Integrationskondensator von einem parallelliegenden, elektrisch
steuerbaren Schalter entladen. Hierbei müssen verschiedene Umstände berücksichtigt werden.
Der Schalter muß während des Emladungsvorganges
niederohmig sein, damit der Integrationskondensator schnell entladen wird und damit der zu integrierende
Strom, der nun durch den Schalter fließt, keinen
ι Spannungsabfall an ihm und somit auch nicht am
Integrationskondensator hervorruft, wodurch der Integrationskondensator eine Anfangsladung erhält, die das
Ergebnis des nächsten Integrationsvorganges verfälscht.
κι Der Schalter muß außerdem während des Integrationsvorganges
hochohmig sein, damit kein Nebenschluß zum Integrationskondensator entsteht, der eine
Stromverzweigung bzw. Entladung des Integrationskondensators bewirkt und somit einen Meßfehler
π verursacht. Der Fehlstrom des Schalters muß klein sein
gegen den kleinsten, zu integrierenden Strom, der in der Praxis 1 pA und weniger betragen kann.
Der Schalter muß weiterhin zeitlich verzögerungs- und prellfrei gesteuert werden können, damit vorgegc-
JO bene Integrationszeiten bzw. Integrationsintervallc
exakt eingehalten werden.
Darüber hinaus darf der Steuerini|Ails des Schallers in
den Integrationskondensator keine Ladung induzieren oder infliienzieren. Am Schalter darf trotz dynamischer
ji Niederohmigkeit keine Restspannung verbleiben.
Schließlich sollte der Schalter bipolar arbeiten.
Die wichtigsten Daten der bekannten Schalter sind in der folgenden Tabelle aufgeführt:
Schalter | Rein bzw. | R.,us bzw. | Verzögerung | des Intervalls | Ungenauigkeit der | Steuer- | Bipolar |
Rcstspg. | Fehlstrom | Integrationszeit | Impuls | ||||
ein | aus | übertragung | |||||
Reedrelais | 0,1 ti | I OTIi | 0,5 ms | 0,3 ms | 0,2 ms | abschirmbar | ja |
+0,2 ms | |||||||
Prellzeit | |||||||
Transistor | IO mV | 1OnA | 15 ns | 5|i.s | 5 μβ | vorhanden | nein |
Transistor | 5OmV | 3OnA | 15 ns | 15 ns | 5 ns | vorhanden | ;iein |
mit Diode | |||||||
FET-Schalter | 50Π | 5 nA | las | 0.5 us | 0,5 us | vorhanden | ja |
Die Vor- und Nachteile der einzelnen Schalter sind etwa gleichmäßig über alle verteilt und je nach
Meßbedingung von unterschiedlicher Bedeutung für die Genauigkeit des Meßergebnisses, fiei hohen Ansprüchen
an die Vielseitigkeit und Genauigkeit des Integrators muß man sich jedoch mit Kompromißlösungen
abfinden, da kein Schalter alle Anforderungen erfüllt.
Bei einer bekannten F.ntladungsschaltung der eingangs
genannten Art (Electronic Engineering, November 1966, Seite 719, Fig. 3) addieren sich die
Offsclspannungen und Offsetspannungsdriften des Integrationsvcrstärkefs
und des zweiten Verstärkers. Da bei dieser bekannten Schaltungsanordnung das Mcßsignal
sowohl am Eingang des Integrationsverstärkers wie auch am Eingang des zweiten Verstärkers anliegt,
müssen beide Verstärker sowohl einen kleinen Eingangsstrom als auch eine kleine Drift aufweisen. Für die
bekannte Schaltungsanordnung müssen daher /ivci
äußerst hochwertige und damit kostspielige Verstärker eingesetzt werden, zumal bei der Messung sehr kleiner
Ströme im Pico-Ampcrc-Bereich noch kleinere F.ingangsslrömc
erforderlich sind.
Pie Aufgabe der Erfindung besieht darin, die
Unzulänglichkeiten eic bekannten Schaltungen /u vermeiden und eine Schaltung der eingangs genannten
4'> Art zu schaffen, mit welcher optimale Daten für die
Parameter der Schalteinrichtung (vgl. vorstehende Tabelle) unter Einsatz möglichst kostengünstiger
Bauelemente erzielt werden.
Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung dadurch
■-,ο gelöst, daß der invertierende Eingang des zweiten
Verstärkers auf Null-Potential liegt, die elektrisch steuerbare Schaleinrichtung den Ausgang des zweiten
Verstärkers in einer zweiten Stellung mit Null-Potential verbindet, über den Integrationsverstärker und den
,-, zweiten Verstärker gcgengekoppelt wird und das
Meßsignal nur am invertierenden Eingang des Integrationsverstärkers anliegt. Hierdurch wird crfmdungsgcmäß
die Offsetspannung des Integrationsverstärkers vom /.weiten Verstärker ausgcregelt, so daß nur die
ho Offsetspannung "nd die Offsetspannungsdrift des
zweiten Verstärkers in Erscheinung treten. Da das Meßsignal erfindiingsgemnß nur :im Eingang des
Inlegrationsverstärkers anliegt, muß nur dieser einen
kleinen F.ingangsstrom haben. Jeder der beiden
h-, Verstärker muß also nur nach einem Kriterium
ausgesucht werden, nämlich der Integrationsverstärker
nach dem Kriterium eines kleinen Eingangsstroms und der /weite Verstärker nach dem Kriterium einer kleinen
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Offsetspannung und Offsetspannungsdrifl. was eine erhebliche Frsparnis gegenüber tier bekannten Schaltung
mit sich bringt. Mu der erfindungsgeniäßen Schaltung ist eine genaue, extrem schnelle und exaki
steuerbare F.ntladung von Integratoren möglich mil vorzugsweise kleinen Kapazitäten bis zu ca. 10 pf" herab
für die Integralion von vorzugsweise kleinen Strömen
bis zu ca. I pA herab während vorzugsweise kurzer Integrationszeiten bis zu ca. 10 (is herab bei
l.ntladungszeiten bis /u ca. 3 us herab.
Mn Hilfe tier eifindungsgeniallen Schaltung könnet
Dalen für den Fnlladungsvorgang erzielt werden, die n
ihrer Gesamtheit ilen bisher erziclbaren Daten wei überlegen sind, /um Vergleich werden die Werle fiir du
G rotten der obigen Tabelle, die z.H. mil einei
eifindiingsgemätten Schaltung erzieh werden können
angegeben:
[irfindung
lOniu
nicht vorhanden 20 ns 20 ns
5 ns
nicht vorhanden
Vorteilhafte Ausgestaltungen der erfindiingsgemiiHen Schaltung, insbesondere der Schalteinrichtung und der
Verwendung der ges.imlen Schaltung ,ils Ablast und
I lalle - Schaltung, sind in den I interansprüchen angeführt.
Weitere Merkmale, l.mzdhe'ten und Vorteile der
l-.riiiuiiing ergeben sich .ms der nachfolgenden neschrei
bung Min Ausfuhrungsheispielen. anhand der Zeichnung.
Dann zeigt
I ι g. I eine l'rinzipschaliunL' der erfindiingsgemiiHen
l.nlladiingsschallung.
IΊ g. 2 eine hinsichtlich tier Schalteinrichtung gegen
über (ig. I detailliertere l'rin/ipschaluing der l'ntl.i
dungsschaltiing.
I ι g. 3 bis 5 verschiedene AiisluhningsformeTi der
erf i min ngsgemaßen Fntladiingsschaltung.
I ι g. b eine Prinzipvchaltung der erftndungsgemätten
Fntladungs'.chiiitung ,ils \bi.iM und I lalte-Schaltung.
und
I ι g. 7 eine Ausfiihrungsform der Ablast- und
Halteschaltung gemäß I ι g. fi.
In F i g. 1 isl das Prinzip der l'.riladiingsschaltung
dargestellt. Das Meßsignal steht am invertiere· ilen
Eingang des Integralionsversiarkers \ I an. der über
den Integralirinskondensator ( 1 kapazitiv gegengekoppelt
ist. Der Ausgang des Integrationsverstärkers A 1 is! mit dem iiichtinvertierenden Fingang des
\erstarkers Λ 2 ".erblinden, dessen invertierender
f.ingang mit dem Nullpotential verbunden ist. Der mchlinvertierende Fingang des Integrationsv erstarken
Λ I ist ebenfalls mit ecm Nullpotential verbunden. Der
Ausgang des Verstärkers Λ 2 ist mit einer Schalleinrichtune
.S"verbunden, die den Ausgang des Verstärkers Λ 2
in tier dargestellten Schakstelking mit dem inverlierenden
Fingang des Integrationsverstärkers A I und in der
anderen Schdlistellung mit dem Nullpotentia! verbindet.
Nimmt die Schalteinrichtung S die dargestellte
Schaltsielliing ein. die dem Fntladungszustand der
Schaltung entsy.ncht — der /u integrierende Strom
fließt hierbei über die Schalteinrichtung in den Ausgang des Verstärkers A 2 —. so gilt:
/'., π die Fingangsspannung am inveriicrenden Fm
gang des Verstärkers Λ 2
\'\ der Verstarkimgsgrad des Inlegrationsverslärker·
A I und
l'i.der Verstiirkiingsgrad des Versiarkers Λ 2 ist
Da der invertierende Fingarg des Verstiirkfis Λ 2 im
Nuiipoiemiai ver'nuniien st. aiso (', ,, ii Viiii im
folgt aus Gleichung (I):
/ , (ι Voll
Man erkennt außerdem aus Gleichung (1). daß du Gute ties Nullpiiiikles des Integrators von dei
Null -Fehler -Sp. mining (ai.th. Offsei Spannung) ties
Versiarkers Λ 2 abhang', nicht aber von tier Null Feh
ler-Spaniiung und der Null I ehlerSpannungs Drift des
In ι eg rl· -.ο ns ν erstarke rs Λ 1. der sich im Gegensatz zum
Verstärker \ 2 im wesentliihen durch einen kleinen
F.ingangvstrom auszeichnen muH. Das bedciilel einen
Vorteil gegenüber herkommlulien I'nlladungsverfah
rei'. da hier die Verstarker nach leweils nur einem
Kriterium ausgesucht zu w enUn braih hen.
Nimmt die Schaltemnihtung die Schaltsielliing ein.
die dem Integrationszustand der Schaltung entspricht
— der zn iniegrieremle Strom fließ' hierbei in ilen
InteL'rationskondensator ( ' I -- sonill:
ι df .
wobei
ί . die Kondensatorspanmng ind
f die Kapazität des Iniegra'ionskontlensators ( I ist.
Da der Integrationskondensator (1 zwischen den
invertierenden Fingang und dem Ausgang des Integra
tionsverstiirkers Λ I liegt, gilt außerdem:
wobei
Ud-iAi die Eingangsspannung (Meßsignal) am invertie
renden Eingang des Integrationsverstärkers A 1 ist.
Mit
Vel-)A\ - —Γ,
erhält man:
Jc ~vM + ι ■
wobei 65 ^,1.41
iVj.ii die Ausgangsspannung des Integrationsverstärkers
i/,i:· die Ausgangsspannung des Verstärkers A 2. Bei modernen Verstärkern beträgt der Verstärkung^
υυ iy4
Ink lor I elw.ilO'. lir. sodait j>
^ y mir iiiiv«. cscnsliL h
von I abweicht |);imii wird /'ι IΊ und mil
(ik'ii -hung (2):
i d/
Die Schalteinrichtung S im in einer einfachen
Ausfithrungsform in I ι g. 2 dargestellt. Sk- besteht im
Prinzip <itis einer Reihenschaltung Min zwei Halbleiter
dioden. die von einem llilfsstrom diirehflc.ssen werden,
dem diis /u seli.iltende Sij.mi.iI überlagert ι ν ι Der
Hilfsstrom fließt über die Widerstände Wt. K4 in -lie
St halleinrichtung, in der ei su'h verzweigt und vtie
Wiederstandc R 2. R) und die Dioden l>2. /'"
iltiri-hflieUt. Dadurch welder· die Du.den I) 2. D λ .·■■
leilend. so daß eine galvaniknc \ e''bindung \oii'
Ausgang des Verstark'-i - \ 2 über die VV idersMiule R 2.
R\ uiid die Dioden I
> 2. l)\ /um line· !lereiuleii
I ingang ties Integralionsv ei s'.irkcrs Λ Ι hergestellt
w ιi'd. die den Kt ueIkreis v_hheßi. Der nichtnu erlierende
I üigang des Verstärkers Λ 2 wird entsprechend seinem
im er i-re'iden l.ingaii;· .iul
<> Voll geregelt, und der m\ erlierende l.inganL' des Imegr.itionsv et starkcrs Λ I
wird entsprechend si ™n im htm\ ernereuden I.ingang
;int 0 Volt geregelt. Somit ist der V erhindiingspunkt der .·■
Dioden I) 2. Ι)λ virtuell mn Nuüpoiential verbunden
Bedingt durch die Bruckenanordniinü der Dioden I) 2.
/> 3 und der Widerstände R 2 R ! wird die Ausgangs
spannung des Verstärke- 12 klein ^ehalten Spannungsabfalie.
die .iul dem I bei tragungsw eg vom ;
■\usjrans: de"· Verstärkers \ 2 bis /um invertierenden
I mgang des Integration1-, erstarkers \l entstehen,
erscheinen durch ilen V Tstarktingsfaktor 1 i. ties
Verstärke's Λ 2 eeteib ,ip~ Airgant' dos Integrations
'.erstiirkers \ I und werde'· dadurch \ernachliisMgbar '"
klein.
Dir l.iitladtings/n-t.iiHl niuH beendet w erden, sobald
die Iniegration eines Sig·.ds erfolgen soll. Da/u π It der
in sieh geschlossene Regelkreis aufgetrennt werden,
indem d'·" Verbindung vom Ausgang des Verstärkers i'>
\2 /um invertierenden F.ingang des Integrationsverst.irkers
Λ 1 von der Schalteinrichtung .S unterbrochen
w ird. Die I interbrechiing wird dadurch erreicht, dal.t der
ί lilfsslrom. der zum Teil durch die Dioden D 2. D 3 fließt
unt! sie in den leitenden Bereich steuert, durch /. B. ein >"
Kontaktpaar Av gegen Nullpotential abgeleitet wird, so
daß die Dioden D2. D3 stromlos und somit gesperrt
werden, vvodurch die galvanische Verbindung vom Ausgang des Verstärkers A 2 zum invertierenden
Eingang des IrMegrationsverstärkers A 1 unterbrochen
wird. Damit ist auch der Regelkreis aufgetrennt, und der zu integrierende Strom, der zuvor über die Dioden D 2.
D 3 und die Widerstände R 2, R 3 in den Ausgang des Verstärkers A 2 geflossen ist, fließt nun in den
Integratiorisverstärker Ci. Die Brückenwiderstände
R 2, R 3 wirken zusätzlich strombegrenzend und verhindern, daß der Ausgang des Verstärkers A 2 über
die Kontakte K kurzgeschlossen wird. Anders als bei
herkömmlichen Entladungsverfahren werden an die Kontakte Al in Fig.2 in bezug auf Hochohmigkeit im
offenen Zustand und Niederohmigkeit im geschlossenen Zustand keine hohen Anforderungen gestellt, so daß sie
durch Transistoren ersetzt werden können. Transistoren haben her den Vorteil, dall sie prellfrei und nahezu
ν eiVogerungsfrei auf ein Steuersignal ansprechen.
In I ι g. i sind die Kontakte K durch die komplementären
I ransistoren 71. 7 2 erset/t worden. Die Dioden
Πι. Dh verhindern, dall die I ransistoren 7 1, T2 im
leitenden Zustand bis /iir Sattigiingsspanniing ausgesteuert
wc'den. was Sperrvcr/ögcmngs/citen von
einigen us /u I tilge hätte. Bei der Integration von
Strömen im pA-Bereich müssen für die Dioden D2. I) 3
l'ico Ampere Dioden verwendet werden. Der Nachteil der I'ico-Ampere-Dioden bcstehl in der verhältnismäßig
langen und von f.vemplar zu I.xcmpUir unterschiedlichen
Sperrver/iigertings/eit. Das bedeutet, daß der
Integrationskondensator (I mn Beendigung des I ntladiings/ustandes durch Ansteuern der Transistoren
ΛI. /2 bereits eine Anfangsladun|_· über die Diode
erhall, die /ulet/l sperrt. Dieses Problem wird dadurch
gelost, daß in Reihe /u den IVo Ampere-Dioden 1)2,
I)] ie <m. schnelle Schaltdiode l)\. 1)4 mit einer
Sperrveivogerungs/eil von nur einigen ns geschaltet
wird. Damit erhält man eine extrem hochohmige und
zugleich schnelle Diodenanordnung. Die Widerstände Wi. Rh sintl hochohmig und lege ι das Potential
/wischen Λ>:η Dioden /'I. 1)2 und D λ. D4 fest. Der
Integratiotiskondensaior (I kann ebenfalls eine unerwünschte
'Vnfiingsladung erhalten, wenn die Transistoren
7 I. /2 nicht exakt zur gleichen /eil leitend werden. Das ist der lall wenn die Transistoren 71. T2
unterschiedlich·.- Sclialt/eiten besitzen oder wenn die
Steuerspannungen bzw. Steuerimpulse für die Transistoren M. 72 zeitlich unterschiedlich eintreffen. Die
Widerstand!.· RT. RS begrenzen bei anliegender
^!euerspanrning den Basisstrom tier Transistoren 7*1.
2 und bilden in Verbindung mit den Kondensatoren <
2. ( 3 /ergl'eder im ns-Be:eich. mit deren variabler
/eltkonstante es möglich ist. die unterschiedlichen Schaltzeiten der Transistoren Π. Γ2 um I geringe
/eitdifferen/en der eintreffenden Steuerspannungen
auszugleichen und d'e An'.mgsladiing und damit die
'\nfangsspannung des Integrationskondensators C\ auf iv Il Volt /ti trimmen. Da die Intcgrationskondcnscvors
ι I auf Null Volt zu trimmen. Da die Dioden Dl. D2
und 1)3. D4 symmetrisch zu Null angeordnet sind, hebt
sich die Wirkung ihrer aufgeladenen F:igenkapazitätcn
auf. Der invertierende Eingang des Iniegrationsverstärkers A 1 ist von allen impulsführenden Leitungen örtlich
/u trennen, um kapazitive Einsteuerungen zu vermeiden.
Die Dioden I) 10. D 11 und P 12 D 13 verhindern,
daß der Verstärker A 2 von der \usgangsspannung des Integrationsverstärkers A 1 in den .Sättigungsbereich
gesteuert wird, da sonst störende Speicherzeiten entstehen. Im Bedarfsfall kann die Anzahl der Dioden
erhöht werden. Zwischen dem Ausgang des Integrationsverstärkers A 1 und dem nichtinvertierenden
Eingang des Verstärkers A 2 ist der Widerstand R15
und zwischen dem Nullpotential und dem invertierenden Eingang des Verstärkers A 2 ist der Widerstand
R 16 geschaltet. Die komplementären Transistoren Ti.
7*2 werden mit zwei exakt symmetrischen Spannungen bzw. Impulsen verschiedener Polarität angesteuert.
In Fig.4 ist der pnp-Transistor 7~2 durch den
npn-Transistor 7"3 ersetzt worden, um mit einer unipolaren Spannungs- bzw. Impulsquelle die Entladung
zu steuern. Das Steuersignal wird über die Dioden D 8. D 9 zwei steuerbaren Konstantstromquellen, bestehend
aus den Transistoren 7"4. Γ5. den Widerständen AU.
R 12, R 13. R 14 und dem Kondensator C4, zugeführt, die potentialtrennend die Transistoren Π, Γ3 an-
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ΔΌ UU I
IO
steuern. Der Hilfsstrotii für die Dioden I) I. 1)2. 1)4 der
in den I i g.2. J utul 1 mim den Widerständen W I. W 4
(.'r/engt wird, kann auch von K<
>nsiiinistr<>mc|ui'llcn
geliefert werden.
(•"ig.1) zeigt eine Ausführung der Mniladiingssthaltung,
in der der Hilfssirom für die Dioden I) \. 1)2, Ι)λ.
D4 von den Konstaptstromquelle Tft. R 17 und /7.
R 18 gelieferl wird. Die Konstantstromqu'jllen werden
von dem Verstarke. Λ 2 über die Widerstünde R 20,
W 19 und R 21. W 2^ gesteuert, so daß dem Milfsslrom
zugleich das /w übertragende Signal überlagert isi.
wodurch die Symmeirierwiderstände R 2. R 1 entfallen
können.
Da die Konsianlstroinqiiellen inverlierende wirken.
sind die Polaritäten der Eingänge des Verstärkers A 2 vertauscht worden. Diese Ausführung isi bei großen
Kapazitätswerten des Iniegrationskondensalors (I
vorteilhaft. Die Steuerung der Entladung kann seihst
verstandlich auch nach der in Cig. 4 dargestellten Anordnung prfnlgpn
Die bereits hergeleitete Gleichung (I) für die Ausgangsspanniing des Integrators während des Ijitla
dungszustandes
sagt aus. daß bei genügend großen Verstärkungsfaktoren
Ku bzw. ΙΛ>
die Ausgangsspannurig /', u des Integrationsverstärkers A I praktisch gleich der Eingangsspannung
Uti ,.(>
des Verstärkers A 2 ist. Hei den Ausfiihrungsbeispielen der Fig. I bis 5 ist der
invertierende Eingang des Verstärkers A 2 mit Nullpotential verbunden, also i/,t ,^ = O Volt, so daß die
Ausgangsspannung U.,.\\ des Integrationsverstärkers A 1 ebenfalls 0 Volt beträgt. Diese 0 Volt bleiben
erhalten, wenn vom Entladungszustand in den Integrationszustand umgeschaltet wird und kein zu integrierender
Strom in den Integratoreingang fließt.
Wird der invertierende Eingang des Verstärkers A 2
während des Entladungszustandes nicht mit Nullpotential, sondern mit einer Spann.-.ng (J verbunden, also
ίΛγ-)\2= U. so ist auch die Ausgangsspannung U.,.\\ des
Integrationsverstärkers Λ I gleich der Spannung Il
(I ig h). Diese Spannung i'üin Ausgang des Integra
tionsverstärkers 1 I bleibt ebenfalls erhalten, wenn vom
I ntladiings/usland in den Inicgrations/iisland umgeschaltet
wird und kein zu integrierender Strom in den
Integraioreingang fließt. In diesem Integrationszustand
kann sich die Spannung ('am invertierenden lüngang ties Verstärkers \ 2 auch ändern, ohne daß die
Ausgangsspannung /'... n des Integrationsverstärkers
Λ I davon beeinflußt wird, da die Verbindung vom
Ausgang des Verstärkers Λ 2 /um invertierenden Kingiing des Integrations« erstiirker«. A I von der
Schalteinrichtung .S unterbrochen isi.
Der .Spannungswert, der während des l-lntladiings/usiandes
bzw. /um /eiipunkt der Beendigung des Mmladiings/iistaiules am imeriierenden l-ingang des
Verstärkers Λ 2 liegt, wird also während des Iniegrations/ustandcs
gespeichert, wenn kein /υ integrierender Strom in den Inlegratoreingang fließt. Daraus folgt, daß
Mi/h der Integrator ;mü ucf !.iiilauüi'iissclTciliiiiig in eine
genaue und exakl stencil·.ι re Ablast- und Malte-Schal
lung umwandeln läßt.
F i g. 7 /eigl eine vollständige Ablast- und Halteschaltung.
Die Polarität der Eingänge des Verstärkers Λ 2 sind hier vertauscht worden, da dem Verstärker die
inveriK i"ndcn Konslanlslromquellcn nachgeschallel
sind Die Slcierung der Ablast- und Ilalte-Ziislände
kann auch nach der in F i g. 4 dargcstcll'cn Anordnung
erfolgen. Exakt steuerbare Abtast- und I lalte-Schaltungen
sind erforderlich, um z. B. bei der intervallweisen Integration zeitlich veränderlicher Signale den Wert des
Integrals am Ende eines Integrationsintervalls ;·μ
übernehmen und zu speichern, so daß der Integrationskondensator sofort entladen werden kann und für die
nächste Integralion bereit ist. während zur gleichen Zeil
das gespeicherte Integral, z. B. von einem Analog/Digital-Wandler
in eine Digitalinformation umgewandelt wird, die dann z. B. von einer Datenerfassungsanlage
weiterverarbeitet werden kann.
Der beschriebene Integrator mit einer Entladung«-
schaltung und die Abtast- und Halteschaltung stellen also in Verbindung mit einer Datenerfassungsa lage
eine ideale Kombination zur Erfassung von Meßwerten schnell ablaufender analoger Vorgänge dar.
Hierzu 6 Blatt Zeichnungen
Claims (11)
1. Entladungsschaltung für den Integrationskondensatcr
eines kapazitiv gegengekoppelten Integrationsverstärkers, bei der der Ausgang des Integrationsverstärkers
mit dem nichtinvertierenden Eingang eines zweiten Verstärkers und der Ausgang des
zweiten Verstärkers mit einer elektrisch steuerbaren Schalteinrichtung verbunden ist, die den Ausgang iu
des zweiten Verstärkers in einer ersten Stellung mit dem invertierenden MeQeingang des Inlegrationsverstärkers
verbindet, dadurch gekennzeichnet,
daß der invertierende Eingang des zweiten Verstärkers (/4 2) auf Null-Potential liegt,
die elektrisch steuerbare Schalteinrichtung (S) den Ausgang des zweiten Verstärkers (A 2) in einer
zweiten Stellung mit Null-Potential verbindet, über den Integrationsverstärker (A 1) und den zweiten
Verstärker (A 2) gegengekoppelt wird und das Meßsignal jur am invertierenden Eingang des
! Rtegrationsverstärkers (.4 1) anliegt
2. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Schalteinrichtung (!Steine Reihenschaltung
von mindestens zwei in ihren leitenden und nichtleitenden Zustand schaltbaren Halbleiterdioden
(D2, D3) aufweist, die in ihrem leitenden
Zustand eine galvanische Verbindung zwischen dem Ausgang des zweiten Verstärkers (A 2) und dem
invertierenden Meßeingang des Integrationsverstär- jo
kers (A 1) und die in ihrem nichtleitenden Zustand eine Unterbrechung dieser galvanischen Verbindung
und eine Verbindung des Ausgangs des zweiten Verstärkers (A 2) mit Nullpotetitial herstellen.
3. Schaltung nach Anspruch 2, dadurch gekenn- t> zeichnet, daß die beiden Halblei.erdioder (D2, D 3)
von einem Hilfsstrom, dem das zu schaltende Signal überlagert wird, in den leitenden Zustand und durch
Ableitung des Hilfsstroms auf Niillpotential in den
nichtleitenden Zustand versetzt werden.
4. Schaltung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuerung des Hilfsstroms durch
die Halbleiterdioden (D2, D3) bzw. zum Nullpotential
durch ein zu dem Halblciterdiodenpaar (Dl, D3) parallelgeschaltetcs Transistorpaar (TI, 72;
ΓΙ.Γ3) erfolgt.
5. Schaltung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet,
daß das Transistorpaar aus zwei komplementären Transistoren (TI, 72) besteht, die von
symmetrischen Spannungen verschiedener Polarität w gesteuert werden.
6. Schaltung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet,
daß das Transistorpaar aus zwei gleichen Transistoren (7"I, 73) bestehl, die von einer
unipolaren Spannung gesteuert werden. v>
7. Schaltung nach einem der Ansprüche 2 bis b,
uadiirch gekennzeichnet, daß die beiden Halbleiterdioden
(D2, D3) aus Pico-Ampere-Diodcn bestehen, die jeweils in Reihe mit einer Diode (Dl, D4)
mit sehr kurzer Sperrvcrzögcningszeit geschadet mi
sind.
H. .Schaltung nach Anspruch 7, dadiirih gekennzeichnet,
daß /wischen die Vcrbindiingspunkle
/wischen ilen ans Pico-Ampere-Dioden bestehenden
Halbleiterdioden {1)2. O)) und den Dioden (Dl. (,->
I)4) mit sehr kurzer Sperrver/ögcrungszoit i'iid d;is
Niillpotentiiil jeweils ein hochohmiger Widerstand
(Wi. Wh) geschaltet ist.
9. Schaltung nach einem der Ansprüche 3 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Hilfsstrom for die
Halbleiterdioden (D2, D3) von Konstantstromquellen (76, R 17; 77, R 18) geliefert wird.
10. Schaltung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet,
daß die Konstantstromquellen (76, R 17; 77, R 18) vom zweiten Verstärker (A 2), dessen
Eingänge vertauscht sind, gesteuert werden, wobei dem Hilfsstrom zugleich das zu übertragende Signal
überlagert wird.
11. Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 10,
dadurch gekennzeichnet, daß der invertierende Eingang des zweiten Verstärkers (A 2) mit einer von
Null verschiedenen Spannung verbunden wird und die Gesamtschaltung als Abtast- und Halteschaltung
für diese Spannung verwendet wird.
Priority Applications (3)
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- 1976-12-30 US US05/755,881 patent/US4114050A/en not_active Expired - Lifetime
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8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
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