DE2556696A1 - Verfahren zur herstellung von verteilten rc-elementen in duennschichttechnik - Google Patents

Verfahren zur herstellung von verteilten rc-elementen in duennschichttechnik

Info

Publication number
DE2556696A1
DE2556696A1 DE19752556696 DE2556696A DE2556696A1 DE 2556696 A1 DE2556696 A1 DE 2556696A1 DE 19752556696 DE19752556696 DE 19752556696 DE 2556696 A DE2556696 A DE 2556696A DE 2556696 A1 DE2556696 A1 DE 2556696A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
resistance
product
meander
capacitor dielectric
distributed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19752556696
Other languages
English (en)
Inventor
Hans-Werner Dipl Ing Renz
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
RENZ HANS WERNER DIPL ING
Original Assignee
RENZ HANS WERNER DIPL ING
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by RENZ HANS WERNER DIPL ING filed Critical RENZ HANS WERNER DIPL ING
Priority to DE19752556696 priority Critical patent/DE2556696A1/de
Publication of DE2556696A1 publication Critical patent/DE2556696A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/702Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof of thick-or thin-film circuits or parts thereof
    • H01L21/707Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof of thick-or thin-film circuits or parts thereof of thin-film circuits or parts thereof

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)

Description

  • Verfahren zur Herstellung von verteilten RC-Elementen
  • in Dünnschichttechnik Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von verteilten RC-Elementen in Dünnschichttechnik. Die erfindungsgemaß hergestellten verteilten RO-Elemente eignen sich insbesonders zum Aufbau von hybrid integrierten elektrischen Schaltkreisen in Dünnschichttechnik, wie z.B. für elektrische Filter oder Oszillatoren.
  • Hierbei kann die Verwendung von verteilten RG-Elementen anstelle konzentrierter Widerstände und Kondensatoren bekanntlich den Vorteil eines geringeren Substratflächenbedarfs bieten, da die von einem verteilten PC-Element belegte Substratflache gleichzeitig als Widerstand und als Kondensator genutzt wird. Außerdem sind verteilte RO-Netzwerke bekannt, die bei wesentlich einfacherer Struktur dasselbe leisten wie aufwendigere 1ietzwerkemit konzentriertenWiderstanden und Kondensatoren, so daß aus diesem Grunde ebenfalls eine Verkleinerung des Schaltungsaufbaus möglich ist.
  • Es sind einfache Bauformen für verteilte RC-Elemente bekannt, die in ihrem Aufbau einem elektrischen Plattenkondensator gleichen, wobei im Unterschied zum Kondensator mindestens eine der Platten (=Elektroden) aus Widerstandsmaterial besteht und an mindestens zwei räumlich getrennten Punkten mit elektrischen Anschlüssen versehen ist. Eine Ausführung eines verteilten RO-Elements in Dünnschichttechnik, welche durch eine geringfügige Abwandlung eines Dünnschichtkondensators entsteht, ist aus der Literatur allgemein bekannt. In einer weiteren bekannten Dünnschicht-Ausfuhrung (beschrieben im Tagungsbericht "Proceedings of Electronic Components Conference 1968, Washington, D.C." S.3EC) ist die Widerstandselektrode als Mc9ander ausgebildet.
  • Pür den Einsatz der verteilten RC-Elemente in Schaltkreisen der vorgesehenen Art, an welche üblicherweise hohe Anforderungen gestellt werden, ist es erforderlich, daß die entscheidenden elektrischen Eigenschaften genau den vorgeschriebenen inerten entsprechen. Darüber hinaus muß auch an den fertiggestellten Bauelementen noch ein Feinabgleich dieser Werte möglich sein, damit die erst später wirksamen Streueinflüsse ausgeglichen werden können.
  • Diese von der Praxis gestellten Forderungen nach geringer Herstellungstoleranz und einer Möglichkeit zum Feinabgleich werden von den bisher bekannten Herstellungsverfahren und Ausführungsformen verteilter RC-Elemente nur unzureichend erfüllt. Es ist bekannt, daß ein nachtraQliches Abtragen von Teilen einer Dünnschicht-Kondensatorelektrode zum Zwecke des Abgleichs nur schwierig durchzuführen und mit Beschädigungsgefahr für das Dielektrikum verbunden ist. Daher besteht eine bekannte Lösung des Abgleichproblems für verteilte RO-Elemente (Tagungsbericht "Proceedings of Elec tronic Components Conference 1968, Washington, D.0.11,S.152 ff.) darin, eine Widerstandselektrode aus Ventilmetall (z.B. eine Tantalverbindung) als oberste Schicht eines Dünnschichtaufbaus zu verwenden und zum Zwecke des Abgleichs ihren leitfähigen Querschnitt überall gleichmäßig zu verringern. Der hierbei zugrunde liegende Schichtaufbau führte im Zusammenwirken mit dem hierzu benötigten Kathodenzerstäubungsverfahren jedoch zu einer schwerwiegenden Verschlechterung entweder der Widerstandsstabilität oder der dielektrischen Durchschlagfestigkeit.
  • In einer anderen Arbeit (Tagungsbericht ttProceeding of Electronic Oomponents Oonference 1969 Washington, D .0.1?, 5.111 ff.) wurde das Abgleichproblem dadurch umgangen, daß an zus4tzlich zu-diesem Zweck in das verteilte RO-Netzwerk eingefügten diskreten Widerst-anden abgeglichen wurde. Hierbei müssen jedoch unerwünschte Änderungen der elektrischen Schaltungseigenschaften in Kauf genommen werden.
  • Die für den Einsatz in Schaltungen der vorgesehenen Art entscheidende elektrische Kenngröße eines verteilten RC-Elements ist das Produkt aus Gesamtwiderstand und Gesamtkapazität, im folgenden kurz " RC-Produkt ?? genannt.
  • Der Erfindung liegt nun die Aufgabe zugrunde, ein Herstellungsverfahrentür verteilte RC-Elemente anzugeben, bei welchem ein vorgeschriebener Wert des RC-Produkts durch Feinabgleich am fertigen Bauelement eingestellt werden kann.
  • Die Aufgabe wird gemaß der Erfindung durch die Folge der nachstehend beschriebenen Herstellschritte gelöst: Auf einem oder mehreren Substraten werden zun-chst in üblicher Dünnschichttechnik die ,Ziderstandsbahnen.der herzustellenden verteilten t?C-Elemente aus einem Ventilmetall in P anderform aufgebracht, Zur anschließenden Herstellung des Kondensatordielektrikums werden diese in einem flüssigen Elektrolyten mit einer anodisch erzeugten Oxidschicht überzogen, wobei erfindungsgemqB in regelm:5ßigen Zeitabständen unter Benützung des Elektrolyten als Kondensatordeckelektrode die jeweils erreichte Größe des RO-Produkts an einer oder mehreren dafür ausgewählten und zu diesem Zweck an eine geeignete Meßanordnung angeschlossenen Widerstandsbahnen im Elektrolyten gemessen wird. Die wirtschaftliche Herstellung einer größeren Zahl von Elementen erfolgt in einem gemeinsamen Elektrolyten in der Weise, daß im Vertrauen auf die Übereinstimmung de igenschaften gleichartig hergestellter dünner Ausgangsschichten nur an einem oder wenigen Elementen stellvertretend gemessen wird. Nach Maßgabe dieser Messungen wird der anodische Oxidationsprozess beendet bei einem Wert des gemessenen RC-Produkts, welcher um einen geringen Prozentsatz (etwa 20ß) kleiner ist als der für die fertiggestellten verteilten-P.C-Elemente geforderte Sollwert.
  • Über jedem der solcherart mit einer dichten Oxidschicht bedeckten Widerstandsmäander wird anschließend in üblicher Dünnschichttechnik (z.B. durch Aufdampfen einer Nickel-Chrom-Gold-Schicht) eine im wesentlichen rechteckig geformte hochleitende Deckelektrode aufgebracht, welche jedoch erfindungsgemä B den jeweils darunterliegenden Mäander nicht restlos bedeckt, sondern jeweils an einer oder mehrerer ihrer Seiten bestimmte kleine. Teilt der U-förmigen Näanderbögen überstehen loBt. Somit bleibt ein geringer Deil des gesamten Bahnwiderstands unbedeckt; durch anodische Oxidation oder Laserbearbeitung dieser unbedeckten Widerstandsteile kann nun zu jedem beliebigen Zeitpunkt der bis dahin erfindungsgem?.B um einen geringen Prozentsatz zu kleinen Wert des RC-Produkts genau um den noch fehlenden Betrag erhöht werden.
  • Die erSindungsgemaße Ausführung des verteilten RO-Elements welche durch die an einer oder mehreren Seiten unter der Deckelektrode herausragenden U-förmigen Mianderbögen gekennzeichnet ist, hat bei geeigneter Dimensionierung praktisch dasselbe elektrische Verhalten wie die bekannten verteilten RC-Elemente ohne unbedeckte Teile der Vjiderstandsbahn. Dies ist auf die längs des Strompfades sich ergebende mehrmals abwechselnde Aufeinanderfolge von bedeckten und unbedeckten Bahnwiderstandsteilen zurückzuführen. Daher kann das elektrische Verhalten des erfindungsgemäßen Elements in sehr guter Näherung durch die bereits bekannten mathematischen Ausdrücke beschrieben werden, was von großer Bedeutung für dessen praktische Verwendbarkeit ist.
  • Wie eine theoretische Betrachtung ergibt, ist.die Übereinstimmung um so besser, je größer die Zahl der Mäanderbögen oder je kleiner der relative Anteil des unbedeckten Widerstands bezogen auf den Gesamtwiderstand ist. Eine im Sinne der Erfindung besonders geeignete Dimensionierung liegt demzufolge vor, wenn die Zahl der Näanderbögen etwa größer als 10 und der Anteil des unbedeckten Widerstands etwa kleiner als 2O ist. Die Erfindung ist jedoch nicht auf diese Dimensionierung beschränkt.
  • Die mit der Erfindung erzielten Vorteile liegen einerseits darin, daß für ein abgleichbares verteiltes RC-Element ein ebenso einfacher Dünnschichtaufbau verwendet werden kannwie z.B. für die bekannten nicht abgleichbaren Ausführungen oder für die bekannten Tantal-Dünnschichtkondensatoren. Ein weiterer Vorteil - bedingt durch die erfi.ndun.gsgem Pe Kontrolle des P-Produkts wöhrend der Erzeugung des Dielektrikums - liegt in der Möglichkeit, hohe Werte des RC-Produkts pro Flächeneinheit dadurch zu erzielen, daß ein möglichst großer Teil des Widerstandsmaterials zur Bildung des Kondensatordielektrikums verbraucht wird, so daß die Dicke der verbleibenden Materialschicht möglichst gering und ihr elektrischet Widerstand entsprechend hoch ist. Hierbei wird bei gleichm:Rigen Fortschreiten der anodischen Oxidation der Verlauf des Bahnwiderstandsanstiegs in Abhängigkeit von der Anodisationsspannung bzw. von der Zeit immer steiler; reproduzierbare hohe Werte des RC-Produkts durch Erzeugung hoher Bahnwiderstände werden daher vorteilhaft durch allmähliche gesteuerte Verringerung des Anodisationsstromes bei gleichzeitiger Anwendung des erfindungsgemäßen Kontrollverfalirens für das RC-Produkt erzielt.
  • Zur Erzeugung eines großen RC-Produkts pro Fl^.cheneinheit verwendet man als Ventilmetall zweckmßigefl:eise eine unter Zusatz von reaktiven Gasen (wie z,B, Sauerstoff oder Stickstoff) aufgestäubte Schicht aus einer Tantalverbindung oder einer Tantal-Aluminium-Legierung in einer Ausgangsschichtsdicke -gemessen vor Beginn der anodischen Oxidation - von etwa 0,2 bis 0,4 ,zrn. Durch Anwendung des erfindungsgemßen Verfahrens kann daraus pro cm Substrat-fl"che ein verteiltes RG-Proukt bis zu einer Größenordnung von etwa 10 ms erzeugt werden, wobei für die Widerstandsbahnbreite und die gegenseitigen Abstande eine praktische untere Grenze von etwa 50 >xm angenornmen wurde.
  • Im allgemeinen kann der Flächenwiderstand der unter dem Dielektrikum verbliebenen Widerstandsschicht je nach Material und Ausgangsschichtdicke größenordnungsma ig etwa zwischen 5 und 500 Q pro Widerstandsquadrat betragen. Damit die Streuung dieses Widerstands innerhalb einer tolerierbaren Grenze von etwa+ 10 ß bleibt, sind die Naterialwahl, das Layout und die Ausgangsschichtdicke so aufeinander abzustimmen, daß der nach der anodischen Oxidation gemessene erhöhte Bahnwiderstand höchstens etwa das fünffache des Wertes vor der Oxikation beträgt. Die Wapazitgt pro Flächeneinheit ist bei den genannten Ventilmetallen durch die üblicherweise erforderllche Anodisationsspannung von etwa 200 V auf etwa 30 bis 60 nF pro cm2 festgelegt.
  • Insgesamt ergeben die beschriebenen Vorteile der Erfindung zusammen ein wirtschaftliches Herstellverfahren für miniaturisierte, hybrid integrierte Dünnschicht-RC-Schaltungen, insbesonders für den Einsatz im Niederfrequenzgebiet.
  • In Fig. 1 bis 4 wird anschließend die Erfindung an Hand von Ausführungsbeispielen näher erläutert, wobei zur Vereinfachung jeweils nur ein einzelnes verteiltes RC-Element dargestellt ist. Die Erfindung ist nicht auf die Figuren beschränkt.
  • An Hand von Fig. 1 und 2 werden verschzedene Ausgestaltungen des erfindungsgem ßen Verfahrens zur Kontrolle des P-Produkts während der Erzeugung des Kondensatordielektrikums beschrieben.
  • In Fig. 3 ist die erSindungsgem:iße Anordnung von oxidbedecktem tSiderstandsm-ander und hochleitender Deckelektrode verdeutlicht.
  • Fig. 4 zeigt einen Querschnitt durch das Element von Fig. 3, geschnitten entlang der Linie A-A.
  • In Fig. 1 und 2 befindet sich in einer Glasschale ein flüssiger Elektrolyt (1), in welchen ein Substrat (2) zum größeren Teil eingetaucht ist. Auf dem Substrat ist die maanderförmige Widerstandsbahn (3) aus Ventilmetall aufgebracht; an den Stellen (4) und (5) befinden sich die aus dem Elektrolyten herausgeführten Widerstandsanschlüsse. Durch die Umschalter (6) und (7) wird das Element abwechselnd an die Anodisations-Stromquelle (8) und an die verschiedenen links gezeichneten Neßanordnungnen angeschlossen. Der von der Stromquelle (8) erzeugte Anodisationsstrom wird in Abhängigkeit des Meßergebnisses gesteuert.
  • In einer ersten Ausgestaltung (Fig. 1) wird das durch die ausgewählte oxidbedeckte Widerstandsbahn (3) und den Elektrolyten (1) gebildete verteilte RC-Element als elektrischer Zweipol betrachtet, dessen zwei Anschlüsse (4) und (5) die beiden Endanschlüsse der Widerstandsbahn sind. Das RC-Produkt des solcherart gebildeten zweipoligen verteilten K>C-Elements wird erfindungsgemäß bestimmt, indem durch das Element aus der Quelle (9) ein elektrischer 'lechselstrom geschickt wird, und indem aus der mit dem Gerät (10) gemessenen Phab senverschiebung zwischen diesem Strom und der von ihm am Element hervorgerufenen Wechselspannun (13) mittels bekannter Methoden aus der elektrischen Leitungstheoriqdas RG-Prociiikt des Elements berechnet wird. Die Phasenlage des Stroms wird gemessen an der von ihm am Widerstand (all) hervorgerufenen Spannung (14).
  • Zur Anwendung der elektrischen Leitungstheorie wird vorausgesetzt, daß der elektrische Widerstand des Elektrolyten sehr klein ist im Vergleich zum kapazitiven Scheinwiderstand zwischen dem Elektrolyten und der angeschlossenen Widerstandsbahn; unter dieser Voraussetzung sind die bekannten Ausdrücke der idealen RC-Leitung anwendbar, und der dem erfindungsgemaßen Verfahren zugrunde gelegte Zusammenhang zwischen dem RC-Produkt und der Phasenverschiebung zwischen Strom und Spannung ist unabhangig vom augenblicklichen Wert des Bahnwiderstands bzw. der Kapazität. Zur Erfüllung dieser Bedin gung Ist eine möglichst niedere Frequenz des von der Quelle (9) gelieferten Wechselstroms zweckmäßig, z.B. 50 Hz. Wird der Elektrolyt (1) ebenfalls mit einem elektrischen Anschluß versehen - hierfür bietet sich zunächst die als Kathode dienende Elektrode (12) an -, so gibt es drei weitere Nöglichkeiten, aus der durch die ausgewählte Widerstandsbahn (3) und dem Elektrolyten (1) samt Anschluß (12) bestehenden Anordnung einen elektrischen Zweipol zu bilden. Durch sinngern.iP.e Abwandlung des vorstehend Beschriebenen ergeben sich hieraus drei weitere Ausgestaltungen der .-,rfindung, welche nicht weiter erläutert zu werden brauchen.
  • In einer breiteren Ausgestaltun des Verfahrens (Fig. 2) wird die aus der ausgewählten Widerstandsbahn (3) und dem mit einem elektrischen Anschluß (12) versehenen Elektrolyten (1) bestehende Anordnung als elektrischer Dreipol betrieben. Zwischen einem Anschluß (z.B, 4) der Widerstandsbahn (3) und dem Elektrolytanschluß (12) wird zur Messung eine von der Quelle (9) erzeugte Wechselspannung (13) angelegt welche eine zwischen dein anderen Bahnanschluß (5) und dein Elektrolytanschluß (12) zu messende Spannung (14) hervorruft.
  • Mit den zuvor genannten Methoden der elektrischen Leitungstheorie wird entweder aus den mit dem Gerbt (10) gemessenen Amplitudenverhältnis oder der Phasenvenschiebung der beiden Spannungen (13) und (14) das RC-Produkt der Anordnung berechnet Die folgende Ausgestaltung des Vorfahrons ist zweckmäßig, wenn die Leitf5higkeit des Elektrolyten zu klein ist, um die zuvor genannte Bedingun zu erfüllen. In diesem Fall wird die wirksame Leitfähigkeit in unmittelbarer Umgebung der ausgewählten Widerstandsbahn (3) erhöht, indem parallel zum Substrat (2) in möglichst kleinem Abstand zu der Widerstandsbahn ein hochleitendes engmaschiges Metallgitter (15) angebracht wird. Die Maschengröße ist gerade so klein zu wählen, daß noch keine Behinderung des anoå.i.schen Oxidationsprozesses eintritt. In den Verfahrensausgestaltungen mit Viessung bei angeschlossenem Elektrolyten ist dieser Anschluß zweckmäßigerweise über den Schalter (16) an das Metallgitter (15) zu legen (gestrichelte Ergänzung in Fig.2).
  • E.ne besondere Ausgestaltung des Verfahrens ist zweckmiP.ig, wenn später zur erfindungsgemäßen Vergrößerung des Widerstands der unbedeckten l-inanderteile (19 in Fig. 3) die anodische Oxidation verwendet werden soll. Die erfindungsgemäße Ausg,estatunpc ist dadurch gekennzeichnet, daß während der anodischen Erzeugung des Kondensatordielektrikums diejenigen Stellen der Mäanderflächen (19), die sp:ter unbedeckt bleiben sollen, durch eine isolierende Maskierung (17) gegen die Oxidation geschützt sind. Dadurch behalten die unbedeckten sI¢.anderteile (19) den kleinstmöglichen Widerstand, was zu einem größtmöglichen Spielraum bei der erfindungsgemäßen Widerstands erhöhung zum Zwecke des RC-Produkt-Abgleichs führt.
  • In Fig. 3 befindet sich auf dem Substrat (2) ein erfindungsgemäß hergestelltes verteiltes RC-Element , dessen Kondensatorelektrode (18) die Näanderbögen (19) freiläßt. Wie der in Fig. 4 dargestellte Querschnitt zeigt, bedeckt die Elektrode (18) die vollständig mit einer Oxidschicht (2C) überzogenen geraden Vjittelstücke des Widerstandsmëanders (3).
  • Die Fig. 3 zeigt eine Ausführung, weiche für einen Abgleich durch anodische Oxidation vorgesehen ist; deshalb sind die Mäanderbögen (19) nicht mit dem Oxid (20) bedeckt.
  • Bei einer für Laserabgleich vorgesehenen Ausführung sind die Mäanderbögen (19) ebenfalls mit dem Oxid (20) bedeckt1 dadurch daß bei der anodischen Erzeugung des Kondensatordielektrikums (20) die isolierenden Maskierung (17) nicht angebracht ist.
  • 4 Figuren 8 Patentansprüche

Claims (8)

  1. Patentansprüche 1. Verfahren zur Herstellung verteilter RC-Elemente in Dünnschichttechnik, durch die Folge der nachstehend aufgeführten Herstelischritte g e k e n n z e i c h n e t - Aufbringen der Widerstandsbahn(en) (v) auf dem (den) Substrat(en) (2) in Mäanderform aus einer Ventilmetallschicht - Erzeugung des Kondensatordielektrikums (20) durch gleichzeitige anodische Oxidation aller Widerstandsbahnen (3) in einen flüssigen Elektrolyten (1), wobei während des Oxidationsprozesses an einer oder mehreren dafür ausgewählten und mit herausgeführten elektrischen Anschlüssen versehenen Widerstandsbahnen die augenblickliche Größe des unter Benützung des Elektrolyten (1) als Kondensatorelektrode gebildeten verteilten RC-Elements kontrolliert wird - Beendigung des Oxidationsprozesses bei einem gemessenen Wert des RC-Proukts, welcher um etwa 10 bis 20 ß kleiner ist als der geforderte Sollwert.
    - Aufbringen einer hochleitenden Kondensatorelektrode (18) über jedem oxidbedeckten Widerstandsmäander in einer Weise, daß jeweils bestimmte kleine Teile der U-förmigen Mäanderbögen (19) unter den Rändern der Kondensatorelektrode (18) hervorstehen und somit unbedeckt bleiben - Erhöhung des Bahnwiderstands an den unbedeckten Teilen der Mäanderbögen (19) um denjenigen Betrag, der zur Einstellung des Sollwerts des RC-Produkts noch fehlt.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1 , d a d ii r c h g e k e n n -z e i c h n e t , daß die Ventilmetallschicht aus einer Tantalverbinlung oder einer Tantalaluminium-Legierung besteht und vor Beginn der Oxidation eine Dicke von etwa 0,2 µm besitzt
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2 , d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , da£ zur Bestimmung des RC-Produkts während der Erzeugung des Kondensatordielektrikums (2¢) durch die dafür ausgewählte t4iderstands bahn (3) ein elektrischer Wechselstrom geschickt wird, und daß als Meßgröße für das RC-Produkt dieser Anordnung die Phasenverschiebung z-!ischen dieser Strom und der von ihm an den Anschlüssen (4) und <5) der Widerstandsbahn hervorgerufenen Spannung (13) ausgewertet wird.
  4. 4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2 , d a-d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daX zur Bestimmung des RC-Produkts während der Erzeugung des Kondensatordielektrikums (20) unter Benützung des Kathodenanschlusses (12) im Elektrolyten (1) und der Anschlüsse (4) bzw. () der hierzu ausgewählten Widerstandsbahn ()) ein zweipoliges verteiltes RC-Element im Elektrolyten (1) gebildet wird, und daß durch die beiden Anschlüsse dieses Elements ein Wechselstrom geschickt wird, und daß als Meßgröße für das RC-Produkt der Anordnung die Phasenverschiebung zwischen diesen Strom und der von ihm an den Anschlüssen des Elements hervorgerufenen Spannung ausgewertet wird 5. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2 , d a d u r c h ;.
  5. g e k e n n z e i c h n e t , daß zur Bestimmung des RC-Produkts während der Erzeugung des Kondensatordielektrikums (20) zwischen der Kathode (12) im Elektrolyten und einem der Anschlüsse (z.B 4) der hierzu ausgev.ihlten Widerstandsbahn (3) eine Wechselspannung (13) gelegt wird, welche zwischen den anderen Anschluß (5) der Widerstandsbahn (3) und der Kathode (12) eine zweite Wechselspannung(14) verursacht, und daß als Meßgröße für das RC-Produkt der Anordnung entweder das Ampli tudenverhJltnis oder die Ehasenverschiebung beider Spanzungen (13) und (14) ausgewertet wird.
  6. 6. Verfahren nach einer der Ansprüche 1 bis 5 , d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß zur Verbesserung der Neßgenauigkeit der RC-Produkt-Messung in schwach leitfohigen Elektrolyten ein hochleitende5 Metallgitter (15) in möglichst geringem Abstand vor der hierzu ausgewählten Widerstandbahn (3) angebracht wird, und daf das Vetallgitter (15) in den Fällen, wo die Kathedc (12) zur Nessung benutzt wird, whrend der Messung mit der Kathode (12) hochleitend verbunden wird
  7. 7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6 , d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die für einen Abgleich durch anodische Oxidation vorgesehenen unbedeckten Mäanderbögen (19) zur Erhöhung des Abgleichsbereichs während der anodischen Erzeugung des Kondensatordielektrikums (20) durch eine isolierende Maskierung (17) gegen die Oxidation geschützt werden.
  8. 8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die Zahl der unbedeckten U-förmigen Mäanderbögen (19) größer als etwa 10 ist, und daß der relative Anteil des gesamten unbedeckten Widerstands , bezogen auf den gesamten Bahnwiderstand, kleiner als etwa 20 % ist.
DE19752556696 1975-12-17 1975-12-17 Verfahren zur herstellung von verteilten rc-elementen in duennschichttechnik Pending DE2556696A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19752556696 DE2556696A1 (de) 1975-12-17 1975-12-17 Verfahren zur herstellung von verteilten rc-elementen in duennschichttechnik

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19752556696 DE2556696A1 (de) 1975-12-17 1975-12-17 Verfahren zur herstellung von verteilten rc-elementen in duennschichttechnik

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE2556696A1 true DE2556696A1 (de) 1977-06-30

Family

ID=5964558

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19752556696 Pending DE2556696A1 (de) 1975-12-17 1975-12-17 Verfahren zur herstellung von verteilten rc-elementen in duennschichttechnik

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE2556696A1 (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0013173A2 (de) * 1978-12-26 1980-07-09 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Monolithische Anordnung mit verteilter Widerstands-Kondensator-Kombination unter Verwendung von polykristallinem Halbleitermaterial
DE2903025A1 (de) * 1979-01-26 1980-07-31 Siemens Ag Rc-netzwerk
DE102004047357A1 (de) * 2004-09-29 2006-04-06 eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH Elektrische Anordnung und Verfahren zum Herstellen einer elektrischen Anordnung

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0013173A2 (de) * 1978-12-26 1980-07-09 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Monolithische Anordnung mit verteilter Widerstands-Kondensator-Kombination unter Verwendung von polykristallinem Halbleitermaterial
EP0013173A3 (en) * 1978-12-26 1980-10-29 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Monolithic distributed resistor-capacitor device and circuit utilizing polycrystalline semiconductor material
DE2903025A1 (de) * 1979-01-26 1980-07-31 Siemens Ag Rc-netzwerk
DE102004047357A1 (de) * 2004-09-29 2006-04-06 eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH Elektrische Anordnung und Verfahren zum Herstellen einer elektrischen Anordnung

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0046975A2 (de) Elektrisches Netzwerk und Verfahren zu seiner Herstellung
DE3024297C2 (de) Kapazitiver Feuchtigkeitsfühler und Verfahren zum Herstellen seiner feuchtigkeitsempfindlichen Schicht
DE2326043A1 (de) Abgreifbare festimpedanzen
DE2429434B2 (de) Verfahren zur Herstellung von Widerständen und Kondensatoren in Dunnschichtschaltungen
DE1816067A1 (de) Elektrischer Widerstand
EP0082934B1 (de) Feuchtigkeitsfühler und Verfahren zu seiner Herstellung
DE3340720C2 (de) Spannungsteiler mit mindestens einem stromlosen Abgriff und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2556696A1 (de) Verfahren zur herstellung von verteilten rc-elementen in duennschichttechnik
DE2840278A1 (de) Einstellbare daempfungsvorrichtung
EP0893688A1 (de) Heizleiter-Schicht mit veränderlichem elektrischen Widerstand und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE102008016613B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Bauelements mit mindestens einer dielektrischen Schicht und ein elektrisches Bauelement mit mindestens einer dielektrischen Schicht
DE680283C (de) Als kombiniertes Widerstands- und Kapazitaetselement aufgebauter elektrischer Kondensator
DE3034175C2 (de)
DE68906044T2 (de) Supraleitende logische vorrichtung.
DE1085916B (de) Kryotron, das einen Torleiter und einen Steuerleiter enthaelt
DE3900787A1 (de) Verfahren zur herstellung eines keramischen elektrischen bauelementes
DE2702207C2 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Abgleich elektronischer Schaltungen
DE69702486T2 (de) Steuerkreislauf für die Positionierung eines beweglichen Organs, insbesondere verwendet in einer Steuerungseinrichtung zur Neigung eines Fahrzeugscheinwerfers, und Verfahren zur Herstellung
DE2748271C3 (de) Gedruckte Leiterplatte und Verfahren zur Herstellung derselben
DE2061788A1 (de) Veränderbarer Widerstand
DE2653814C3 (de) Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Dünnschichtschaltung
DE2331586C3 (de) Aluminium-Tantal-Schichten für Dünnschichtschaltungen sowie diskrete Widerstände und Kondensatoren
DE1665571C (de) Verfahren zur Herstellung von Dünnschichtbaugruppen der Elektronik
DE1806756C3 (de) Verfahren zur Herstellung von ohmschen Widerständen in Dickschichttechnik auf Moduln
DE2237336A1 (de) Halbleiterspeicher

Legal Events

Date Code Title Description
OF Willingness to grant licences before publication of examined application
OHB Non-payment of the publication fee (examined application)