DE2544735A1 - Pruefkopftraeger und verfahren zum einstellen der abstaende zwischen den einzelnen pruefkoepfen - Google Patents

Pruefkopftraeger und verfahren zum einstellen der abstaende zwischen den einzelnen pruefkoepfen

Info

Publication number
DE2544735A1
DE2544735A1 DE19752544735 DE2544735A DE2544735A1 DE 2544735 A1 DE2544735 A1 DE 2544735A1 DE 19752544735 DE19752544735 DE 19752544735 DE 2544735 A DE2544735 A DE 2544735A DE 2544735 A1 DE2544735 A1 DE 2544735A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
carrier element
test
temperature
probes
distance
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19752544735
Other languages
English (en)
Inventor
Pieter Geldermans
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Publication of DE2544735A1 publication Critical patent/DE2544735A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02General constructional details
    • G01R1/06Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067Measuring probes
    • G01R1/073Multiple probes
    • G01R1/07307Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
    • G01R1/07314Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card the body of the probe being perpendicular to test object, e.g. bed of nails or probe with bump contacts on a rigid support

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Measuring Leads Or Probes (AREA)

Description

Anmelderin: International Business Machines
Corporation, Armonk, N.Y. 10504
Amtliches Aktenzeichen: Neuanmeldung Aktenzeichen der Anmelderin: FI 974 016
Prüfkopfträger und Verfahren zum Einstellen der Abstände zwischen den einzelnen Prüfköpfen
Die Erfindung betrifft einen Prüfkopfträger, wie er im Oberbegriff des Hauptanspruchs angegeben ist. Bei der Verarbeitung von Halbleitersubstraten können die einzelnen Substrate Temperaturen von 1500 bis 1600 0C ausgesetzt werden. Bei der Verarbeitung von mehrschichtigen keramischen Substraten bewirkt diese relativ hohe Temperatur, daß das keramische Substrat in beträchtlichem Maße, beispielsweise bis zu 15 oder 20 % schrumpft.
Unterschiede in den einzelnen Verfahren ergeben natürlich von Substrat zu Substrat eine verschiedene Schrumpfung, so daß sich Abweichungen des Substrats von der im Entwurf festgelegten Größe zu dem Zeitpunkt ergeben, bei dem festgestellt werden muß, ob an den Orten der einzelnen Chips die gewünschten elektrischen Anschlüsse vorhanden sind. Wegen dieser Änderungen in den Gesamtabmessungen des Substrats ergibt sich selbstverständ-
609825/0630 ^
OWGINA INSPECTED
lieh auch eine ähnliche Änderung in im Abstand zwischen benachbarten Chipplätzen.
Wenn also eine größere Anzahl von Prüfköpfen auf einen Prüfkopfträger in der Weise angebracht sind, daß sie voneinander einen vorgegebenen Abstand aufweisen, der den im Entwurf vorgesehenen Abständen zwischen den einzelnen Chipplätzen entspricht, dann kann eine derartige Abweichung von den durch Entwurf festgelegten Abständen zwischen den einzelnen Chipplätzen, die sich aus nicht ganz gleichmäßig verlaufenden Bearbeitungsverfahren an dem Substrat ergeben, daß die einzelnen Sonden in jedem der Prüfköpfe mit den Anschlußkontakten der einzelnen Chipplätze keine Kontaktberührung bekommen können, da die Abstände der Chipplätze von den im Entwurf vorgesehenen Abständen abweichen. Wegen dieser unterschiedlichen Abmessungen des Sub·* strats und dem Abstand zwischen den einzelnen Chipplätzen hat man vorgeschlagen, bei den einzelnen Anschlußkontakten ausreichend große Flächen vorzusehen, damit diese Ausdehnung oder Schrumpfung des Substrats kompensiert werden kann, damit der Prüfkopf mit den einzelnen Anschlußkontakten in Berührung kommen kann·
Wenn man allerdings die Fläche der Anschlußkontakte über die für eine Kontaktgabe mit der Prüf sonde oder Prüfspitze hinausgehende Fläche ausdehnt, so muß dementsprechend auch der für ein Chip erforderliche Platz vergrößert werden, so daß auf einem Substrat vorgegebener Größe die Anzahl der dort unterzubringenden Chips kleiner werden muß oder daß die Verfügbarkeit von Substratoberflächen für andere Zwecke verringert werden muß. Außerdem haben vergrößerte Kontaktflächen auch noch den Nachteil, daß dadurch die Gefahr von Kurzschlüssen wegen des geringen Abstandes zwischen den einzelnen Kontaktflächen erhöht wird.
Diese Schwierigkeiten werden durch die Erfindung dadurch gelöst, daß eine Prüfvorrichtung mit einem Prüfkopfträger geschaffen wird, bei dem der Abstand zwischen den einzelnen Prüfköpfen
; ι
FI 974 016
609825/0630
entsprechend der Abweichung der Gesamtabmessungen des Substrats nach der Bearbeitung von den Im Entwurf festgelegten Maßen und bevor die Prüfspitzen mit den Kontaktfahnen in Berührung kommen, eingestellt wird. Dadurch können die Prüfspitzen der einzelnen Prüfköpfe die Kontaktfahnen an den Chipplätzen kontaktieren, ohne daß es dazu erforderlich ist, daß die Fläche der einzelnen Kontaktfahnen vergrößert wird.
Die vorliegende Erfindung erreicht dies dadurch, daß die einzelnen Prüfköpfe auf einem Trägerelement aus einem Material befestigt werden, dessen Ausdehnungskoeffizient bekannt ist und das eine gute Wärmeleitfähigkeit besitzt. Das Trägerelement wird auf einer ausgewählten oder vorbestimmten! oberhalb der Zimmertemperatur liegenden Temperatur gehaltenf so daß der Abstand zwischen den einzelnen Prüfköpfen bei dieser ausgewählten oder vorbestimmten Temperatur der gleiche ist wie er im Entwurf für den Abstand zwischen den einzelnen Chipplätzen festgelegt wurde«
Am Ende der Verarbeitung und vor dem Prüfen wird mindestens eine der Gesamtabmessungen des Substrats ermittelt« Diese Gesamtabmessung wird mit der im Entwurf festgelegten Abmessung verglichen und es wird dabei festgestelltc ob die Gesamtabmessungen des Substrats während der Verarbeitung mehr oder weniger als die im Entwurf vorgegebene Schrumpfung geschrumpft sind oder nicht· Da diese Änderung der Gesamtabmessung im Vergleich mit der im Entwurf vorgegebenen Abmessung die gleiche prozentuale Änderung im Abstand zwischen benachbarten Chipplätzen gegenüber dem im Entwurf festgelegten Abstand ergibt, wird die Abweichung in der Gesamtlängen- oder Breitenabmessung des Substrats von der im Entwurf vorgegebenen Abmessung festgestellt. Dann wird die Temperatur des Trägerelements entsprechend dieser Abweichung verändert, so daß sich das Trägerelement in der Richtung, in der die Prüfköpfe auf dem Trägerelement befestigt sind, entweder ausdehnt oder zusammenzieht oder schrumpft, um dadurch eine Änderung in der Gesamtlängen- oder Breitenabmessung des
FI 974 016
609825/06 3 0
Substrats zu kompensieren.
Wenn also die Schrumpfung des Substrats während der Verarbeitung zu klein war, dann wird man die Temperatur des Trägerelementes erhöhen und damit den Abstand zwischen den Prüfköpfen um den gleichen Betrag vergrößern, wie der Abstand zwischen den einzelnen Chipplätzen zugenommen hat. In gleicher Weise, wenn das Substrat während der Verarbeitung zu stark geschrumpft ist, wird man die Temperatur des Trägerelementes verringern oder herabsetzen, so daß seine Länge verringert wird, wodurch die Abstände zwischen den einzelnen Prüfköpfen abnehmen, die dann wieder mit den Chipplätzen auf dem Substrat ausgerichtet sind.
Die Erfindung wird nunmehr anhand von Ausführungsbeispielen in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen beschrieben. Die unter Schutz zu stellenden Merkmale der Erfindung sind den Patentansprüchen im einzelnen zu entnehmen.
In den Zeichnungen zeigt;
Fig. 1 in einer Draufsicht einen Teil eines Substrats,
auf dem eine Anzahl von Chipplätzen vorgesehen ist;
Fig. 2 schematisch eine Seitenansicht, wie die einzelnen Prüfköpfe in einem Trägerelement befestigt sind, dessen Länge entsprechend dem gewünschten Abstand zwischen den einzelnen Prüfköpfen regelbar ist;
Fig. 3 eine perspektivische Teilansicht eines Teils
des Trägerelements mit darin befestigten Prüfköpfen und
Fign. 4+5 perspektivische Ansichten von Prüfsondenhalte-
rungen.
FI 974 016
609825/0630
In Fig. 1 ist ein Substrat 1O gezeigt, das beispielsweise ein mehrschichtiges keramisches Substrat mit Aluminiumoxid als keramisches Material sein kann, auf welchem eine Anzahl von Chipplätzen 11 vorgesehen sind· An jedem der Chipplätze 11 sind mehrere Anschlußkontakte oder Kontaktfahnen 12 vorgesehen.
Die Chipplätze 11 haben vorzugsweise gleiche Abstände voneinander, obgleich dies für ein zufriedenstellendes Arbeiten der vorliegenden Erfindung nicht unbedingt erforderlich ist. Obgleich nur zwei Reihen von Chipplätzen 11 dargestellt sind, kann auf dem Substrat 10 jedoch eine beliebige Anzahl von Reihen solcher Chipplätze 11 vorgesehen sein.
Eine Anzahl von Halterungen 14 (vgl. Fign. 2f 4 und 5) zur Aufnahme von Prüfspitzen sind in einem langgestreckten Trägerelement 15 (vgl. Fign» 2 und 3) untergebracht» Das Trägerelement 15 weist eine Anzahl V-förmiger Nuten oder Vertiefungen 16 auf, die aus zwei schrägen Seitenwänden 18 und 19 und einer im wesentlichen parallel zur Oberfläche 17 verlaufenden Unterseite bestehen.
Wie aus den Fign· 4 und 5 zu ersehen, weist die Halterung 14 für die Prüfspitzen einen V-förmigen Abschnitt 21 der gleichen Form wie die V-förmige Vertiefung oder Nut 16 in dem TrägereIement 15 auf, so daß dieser Abschnitt 21 in die Nut oder Aus- ! nehmung 16 paßt. Die Halterung 14 für die Prüfspitzen enthält auch einen rechteckigen Abschnitt 22, der sich an den V-förmigen Abschnitt 21 anschließt. Der rechteckige Abschnitt 22 erstreckt sich über die Oberfläche 17 des Trägerelementes 15 in Fig. 2 hinaus·
Das Trägerelement 15 hat Bohrungen 23 (vergl· Fig, 3), die sich von der Unterseite 20 der V-förmigen Vertiefung 16 durch den körper des Trägerelements nach dessen Rückwand oder Oberfläche 24 erstreckt, die im wesentlichen parallel zu den Flächen 17 bzw, 20 verläuft. Schrauben 25 erstrecken sich durch die Boh-
PI 974 016
609825/0630
25U735
rungen 23, die im wesentlichen senkrecht zu den Flächen 20 und 24 verlaufen und sind in Gewindebohrungen 26 im V-förmigen Abschnitt 21 der Halterung 14 eingeschraubt. Somit ist jede der Halterungen 14 an einem vorgegebenen Platz in dem Trägerelement 15 in der Weise befestigt, daß der Abstand zwischen jedem Paar benachbarter Halterungen 14 für eine bestimmte Temperatur des Trägerelementes 15 einem festen, vorbestimmten Wert entspricht, wobei diese Temperatur höher ist als die Zimmertemperatur .
Das Trägerelement 15 ist aus einem Material hergestellt, das eine gute Wärmeleitfähigkeit aufweist und dessen Wärmeausdehnungskoeffizient bekannt ist. Das Material könnte beispielsweise Bronze oder Messing sein. Ein Heizelement 27 (vgl, Fig. 2) ist in dem Trägerelement 15 angeordnet, so daß dieses auf eine ausgewählte Temperatur aufgeheizt werden kann, die vorzugsweise höher ist als die Zimmertemperatur. Die Temperatur, auf die das Trägerelement 15 durch das Heizelement 27 für den entwurfbedingten Abstand der einzelnen Chipplätze 11 aufgeheizt wird, wird so gewählt, daß das Träger element 15 auf eine Temperatur abgekühlt werden kann, die vorzugsweise höher ist als die Zimmertemperatur, daß jedoch die Abkühlung notfalls auch unter Zimmertemperatur erfolgen könnte, so daß das Trägerelement ausreichend zu schrumpfen vermag, um damit eine maximale Schrumpfung des Substrats 10 zu kompensieren.
Wenn das Trägerelement 15 sich ausdehnen soll, dann wird zu diesem Zweck die Temperatur des Heizelements erhöht. Soll das Trägerelement 15 wegen einer stärkeren Schrumpfung des Substrats 10 während der Behandlung sich zusammenziehen, dann wird eine geeignete Kühlflüssigkeit oder ein Kühlmittel durch ein Kühlrohr 28 innerhalb des Trägerelementes 15 hindurchgeschickt·
Das Kühlmittel muß in dem gewünschten Bereich die erforderliche Kühlung erzielen lassen, ohne zu erstarren oder zu sieden. Ein geeignetes Beispiel einer solchen Kühlflüssigkeit ist eine
FI 974 016
609825/0630
Fluor-KohlenstoffVerbindung, deren ausnutzbarer Temperaturbereich zwischen 160 0C und -70 0C liegt. Somit könnte beispielsweise die ausgewählte Temperatur, auf die das Trägerelement 15 aufzuheizen wäre, bei +40 0C liegen, und man hätte zu beiden Seiten dieser Temperatur einen Bereich von 100 0C, ohne daß dabei die Kühlflüssigkeit erstarren oder sieden würde. Ist der Temperaturbereich kleine]
als Kühlmittel benutzen.
Temperaturbereich kleiner als 100 0C, dann könnte man auch Wasser
Das Heizelement 27 ist über einen Regler 30 an einer Stromquelle 29 angeschlossen.
Der Regler 30 ist mit zwei Leitungen 31 an einem Thermokreuz 32 angeschlossen, das innerhalb des Trägerelementes 15 angeordnet ist. Der Temperaturregler 30 ist so eingestellt, daß das Heizelement 27 auf die ausgewählte Temperatur aufgeheizt wird, bei der die Halterungen 14 den durch Entwurf vorgegebenen Abstand voneinander aufweisen. Jede der Halterungen 14 enthält eine Anzahl von Prüfspitzen 33, die in der Oberfläche 34, die auf der von dem V-förmigen Abschnitt 21 abgewandten Seite des rechteckigen Abschnittes 22 liegt, befestigt sind. Die Prüfspitzen 33 sind in jeder Halterung 14 entsprechend den Anschlußfahnen 12 auf dem zugehörigen Chipplatz angeordnetf mit dem die Halterung 14 und die Prüfspitzen 33 zusammenarbeiten sollen. Eine hierzu geeignete Prüfspitze ist beispielsweise in der US-Patentschrift 3 806 801 offenbart. Selbstverständlich lassen sich auch andere Prüfspitzen, sofern sie hierfür geeignet sind, einsetzen.
Nach Abschluß der Bearbeitung des Substrats und vor der Prüfung der einzelnen Chipplätze 11 wird die gesamte Längenänderung des Substrats gegenüber der durch Entwurf festgelegten Länge ermittelt. Da die Abweichung von der durch Entwurf vorgegebenen Schrumpfung des Substrats im wesentlich zwischen den Chipplätzen 11 gleich groß ist, so ist auch die prozentuale Änderung der Gesamtabmessung des Substrats 10 in Richtung der Chipplätze 11 im wesentlichen die gleiche prozentuale Änderung für die
FI 974 016
609825/0630
j - 8 -
Abstände zwischen benachbarten Chipplätzen 11.
Ist die Abweichung bekannt, so kann die Temperatur des Trägerelements 15 eingestellt werden. Ist die Gesamtabmessung des Substrats kleiner als die im Entwurf vorgegebene Abmessung, dann würde man die Temperatur des Tragerelementes 15 dadurch verringern, daß man das Kühlmittel oder die Kühlflüssigkeit durch das Kühlrohr 28 zuführt, so daß das Trägerelement 15 schrumpft und die Halterungen 14 einen kleineren Abstand voneinander bekommen. Der Regler 30 würde dann ebenfalls für eine Änderung der dem Trägerelement 15 durch das Heizelement 27 zugeführten Wärme eingestellt, so daß das Trägerelement 15 nunmehr die neugewählte Temperatur hätte, d.h. diejenige Temperatur, bei der die Länge des Trägerelementes so gehalten wird, daß der Abstand zwischen den Halterungen 14 genau dem Abstand zwischen den Chipplätzen 11 auf dem zu untersuchenden Substrat 10 entspricht.
Ist die Abweichung der Schrumpfung des Substrats 10 z.B. +^ 0,3 % und beträgt der Abstand zwischen den Mittelpunkten der Chipplätze 11 an den äußersten Enden einer Zeile 50,8 mm, dann wäre die maximale Abweichung der Gesamtlänge von der konstruktiv vorgegebenen Länge etwa 0,15 mm. Besteht das Trägerelement aus Bronze, das einen Wärmeausdehnungskoeffizient von 30 χ 1Q~ je 0C aufweist, dann würde eine Temperaturänderung um 100 0C eine Änderung von 0,15 mm zwischen den Mittelpunkten der Halterungen 14 an den äußeren Enden des Trägerelementes 15 ergeben, da diese einen gegenseitigen Abstand von 50,8 mm voneinander besitzen.
Wenn also nach der Verarbeitung die Länge des Substrats um 0,3 % größer sein sollte als die im Entwurf festgelegte Länge, dann würde eine Aufheizung des Trägerelementes 15 um 100 0C über die Temperatur hinaus, auf die das Trägerelement für den entwurfsmäßig vorgegebenen Abstand zwischen den Halterungen 14 eingestellt war, die notwendige Ausdehnung des Abstandes
FI 974 016
609825/0630
zwischen den Halterungen 14 zur Folge haben. Wenn dagegen nach der Bearbeitung die Länge des Substrats 10 um 0,3 % kleiner sein sollte, als die durch Entwurf vorgegebene Länge, dann würde eine Temperaturverringerung um 100 0C ein Zusammenziehen des Trägerelementes 15 zur Folge haben, so daß die Abstände zwischen den Halterungen 14 um soviel verkleinert würden, daß die Halterungen wiederum mit den Chipplätzen 11 ausgerichtet sind. Der Regler 30 stellt die Temperatur des Trägerelementes 15 so ein, daß dieses Trägerelement die notwendigen Erhöhungen oder Verringerungen der Temperatur einschließlich von Temperaturwerten, die unter der Zimmertemperatur liegen, annehmen kann.
Obgleich die vorliegende Erfindung bisher davon ausging, daß !das Trägerelement 15 aus Bronze oder Messing besteht, so ist Ϊes doch ohne weiteres einleuchtend, daß auch ein anderes geeignetes Material Verwendung finden kann, das eine entsprechende Wärmeleitfähigkeit und einen Wärmeausdehnungskoeffizienten besitzt, so daß geringfügige Temperaturänderungen wesentliche Längenänderungen zur Folge haben können. Beispielsweise kann auch Aluminium« das einen Wärmeausdehnungskoeffizienten von 25 χ 10""6/°C oder Zink« das einen Wärmeausdehnungskoeffizienten von 35 χ 1Q~6/°C besitzt, verwendet werden. Selbstverständlich wird bei einem höheren Wärmeausdehnungskoeffizienten eine geringere Wärmeenergie zugeführt werden müssen, um die gewünschte Längenänderung des Trägerelementes 15 zu erzielen«
Bis jetzt war die Erfindung anhand eines Trägerelementes 15 als Träger für die Halterungen 14 beschrieben und dargestellt worden, doch könnte selbstverständlich ebenso eine Platte verwendet werden, auf der die Halterungen 14 für alle Zeilen von Chipplätzen angebracht sein könnten. Das Anlegen von Wärme an die Platte würde eine Ausdehnung, die im wesentlichen gleichförmig verläuft, sowohl in der Länge als auch in der Breite zur Folge haben, so daß die gewünschten Beziehungen der Halterungen 14 in jeder der Zeilen zu den entsprechenden Chipplätzen
FI 974 016
609825/0630
11 gewahrt bleiben.
Die vorliegende Erfindung wurde zwar mit Halterungen 14 und den Prüfspitzen 33 für eine Verwendung mit den Anschlußfahnen oder Kontaktflächen 12 auf den Chipplätzen 11 eines Substrats 10 beschrieben, jedoch könnten die Halterungen 14 auch sonst eingesetzt werden, wo eine Vorrichtung geprüft werden muß, bei der Änderungen der entwurfsmäßig festgelegten Abmessungen auf treten können. Somit könnten also die Halterungen 14 in den verschiedensten Bereichen einer Vorrichtung einen Kontakt mit Anschlüssen oder Klemmen herstellen, die während der Verarbeitung eine Veränderung der durch Entwurf festgelegten Abmessungen erfahren können.
Die Erfindung wurde zwar in der Weise beschriebenr daß das Trägerelement 15 durch ein, ein Kühlrohr 28 durchfließendes Kühlmittel gekühlt wird, doch ist es Im Prinzip nicht ausgeschlossen, daß auch andere Kühlmittel oder Kühleinrichtungen verwendet werden können« Beispielsweise könnte Luft zur Kühlung des Trägerelementes 15 unmittelbar auf das Trägerelement oder durch eine Bohrung in dem Trägerelement geblasen werden. Das Trägerelement 15 könnte auch nur über die Zimmertemperatur gekühlt werden, obgleich dies eine relativ lange Kühlzeit erfordern würde, im Vergleich mit der Verwendung eines Kühlrohres 28,
Der Vorteil der Erfindung liegt darin, daß der Abstand zwischen einer Anzahl von mit Prüfspitzen versehenen Prüfköpfen auf einem Trägerelement so eingestellt werden kann, daß die Abstände zwischen den Prüfköpfen entsprechend den Abständen verändert werden können, die sich auf einem Substrat nach der Bearbeitung ergeben haben. Ein weiterer Vorteil der Erfindung liegt darin, daß es nun nicht mehr nötig ist, die Fläche der Anschlußfahnen an den Chipplätzen zu vergrößern, so daß diese immer noch geprüft werden können, obgleich sich durch unterschiede in der Bearbeitung von Substrat zu Substrat Abweichungen von den im Entwurf festgelegten Abmessungen ergeben können.
FI 974 016
609825/0630

Claims (7)

  1. PATENTANSPRÜCHE
    Prüfvorrichtung mit einem Trägerelement und einer Anzahl darauf angeordneten Prüfköpfen,
    dadurch gekennzeichnet, daß das Trägerelement (15} aus einem Material mit bekanntem Wärmeausdehnungskoeffizienten besteht und eine Anzahl von Prüfköpfen (14) mit Prüfspitzen (33) trägt, die entsprechend den auf der zu prüfenden Vorrichtung (10) in Bereichen (11) angeordneten Kontakten (12) angeordnet sind,
    daß jeder der Prüfköpfe von dem benachbarten Prüfkopf einen Abstand aufweist, der dem durch Entwurf vorgegebenen Abstand der Bereiche auf der Vorrichtung entspricht und
    daß Mittel (27, 28, 29, 30) vorgesehen sind, mit deren Hilfe mindestens die Längen- oder die Breitenabmessung des Trägerelements für eine Änderung des gewählten Abstandes zwischen benachbarten Prüfköpfen entsprechend einer Änderung des Abstandes der Bereiche (11) veränderbar ist,
  2. 2. Prüfvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Trägerelement eine Anzahl von Vertiefungen
    (16) aufweist, in den jeweils ein Prüfkopf (14) angeordnet und befestigt" ist und daß diese Vertiefungen (16) einen derartigen Abstand voneinander aufweisen, daß die darin angeordneten Prüfköpfe den gewünschten Abstand voneinander besitzen.
  3. 3. Prüfvorrichtung nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Mittel zur Veränderung des gegenseitigen Abstandes der einzelnen Prüfköpfe (14) voneinander aus einer Einrichtung zur Regelung der Temperatur des Trägerelementes bestehen.
    FI 974 016
    609825/0630
  4. 4. Prüfvorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß in dem Trägerelement (15) eine Heizvorrichtung
    (27) und eine Temperaturregelvorrichtung (29, 30) vorgesehen sind, wodurch mindestens eine Abmessung des Trägerelements (15) entsprechend einer Änderung des gegenseitigen Abstandes der auf der zu prüfenden Vorrichtung
    (10) angeordneten Bereiche (11) veränderbar ist.
  5. 5. Prüfvorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Trägerelement (15) aus einem eine einzeige Reihe von Prüfköpfen (14) tragenden langgestreckten Stab besteht, dessen Länge durch die Temperaturregelung veränderbar ist,
  6. 6. Prüfvorrichtung nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekenn-» zeichnet, daß die Temperaturregelvorrichtung eine Kühleinrichtung (28) zum Absenken der Temperatur des Trägerelements enthält,
  7. 7. Prüfvorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Temperaturregelvorrichtung einen Temperaturregler (30) enthält, durch den die einem Heizelement (27) zuführbare Leistung regelbar ist, und daß zur Steuerung der Temperatur des Trägerelementes (15) als Temperaturfühler ein Thermoelement (33) vorgesehen ist.
    FI 974 016
DE19752544735 1974-12-12 1975-10-07 Pruefkopftraeger und verfahren zum einstellen der abstaende zwischen den einzelnen pruefkoepfen Withdrawn DE2544735A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US05/532,079 US3963985A (en) 1974-12-12 1974-12-12 Probe device having probe heads and method of adjusting distances between probe heads

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE2544735A1 true DE2544735A1 (de) 1976-06-16

Family

ID=24120296

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19752544735 Withdrawn DE2544735A1 (de) 1974-12-12 1975-10-07 Pruefkopftraeger und verfahren zum einstellen der abstaende zwischen den einzelnen pruefkoepfen

Country Status (5)

Country Link
US (1) US3963985A (de)
JP (1) JPS5821823B2 (de)
DE (1) DE2544735A1 (de)
FR (1) FR2294448A1 (de)
GB (1) GB1526438A (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4820976A (en) * 1987-11-24 1989-04-11 Advanced Micro Devices, Inc. Test fixture capable of electrically testing an integrated circuit die having a planar array of contacts
EP1098200A2 (de) * 1999-11-03 2001-05-09 Infineon Technologies AG Nadelkarten-Justageeinrichtung zur Planarisierung von Nadelsätzen einer Nadelkarte

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4063172A (en) * 1976-06-01 1977-12-13 International Business Machines Corporation Multiple site, differential displacement, surface contacting assembly
FR2476847A1 (fr) * 1980-02-26 1981-08-28 Ged Philippe Releve-pointe a bilame et testeur sous pointes en faisant application
JPS57169244A (en) * 1981-04-13 1982-10-18 Canon Inc Temperature controller for mask and wafer
US4554506A (en) * 1981-06-30 1985-11-19 International Business Machines Corporation Modular test probe
EP0078339B1 (de) * 1981-10-30 1986-07-30 Ibm Deutschland Gmbh Tastkopfanordnung für Leiterzugüberprüfung mit mindestens einem, eine Vielzahl von federnden Kontakten aufweisenden Tastkopf
JPH02264868A (ja) * 1989-04-04 1990-10-29 Tokyo Electron Ltd プローブ装置
US5124639A (en) * 1990-11-20 1992-06-23 Motorola, Inc. Probe card apparatus having a heating element and process for using the same
DE4101920A1 (de) * 1991-01-23 1992-07-30 Ehlermann Eckhard Pruefvorrichtung fuer integrierte schaltkreise
US5216361A (en) * 1991-07-10 1993-06-01 Schlumberger Technologies, Inc. Modular board test system having wireless receiver
US5440241A (en) * 1992-03-06 1995-08-08 Micron Technology, Inc. Method for testing, burning-in, and manufacturing wafer scale integrated circuits and a packaged wafer assembly produced thereby
US5479109A (en) * 1992-06-03 1995-12-26 Trw Inc. Testing device for integrated circuits on wafer
US5336992A (en) * 1992-06-03 1994-08-09 Trw Inc. On-wafer integrated circuit electrical testing
JP3066784B2 (ja) * 1992-12-14 2000-07-17 東京エレクトロン株式会社 プローブカード及びその製造方法
US5570032A (en) * 1993-08-17 1996-10-29 Micron Technology, Inc. Wafer scale burn-in apparatus and process
US5880591A (en) * 1996-04-16 1999-03-09 Teradyne, Inc. System for circuit modules having a plurality of independently positionable probes
US5898186A (en) * 1996-09-13 1999-04-27 Micron Technology, Inc. Reduced terminal testing system
JP3193659B2 (ja) * 1997-02-25 2001-07-30 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ−ション プロービング方法
FR2780792B1 (fr) * 1998-07-03 2000-09-22 St Microelectronics Sa Appareillage de test de puces electroniques
US6255827B1 (en) 1999-04-30 2001-07-03 International Business Machines Corporation Search routine for 2-point electrical tester
US7071714B2 (en) 2001-11-02 2006-07-04 Formfactor, Inc. Method and system for compensating for thermally induced motion of probe cards
US6972578B2 (en) * 2001-11-02 2005-12-06 Formfactor, Inc. Method and system for compensating thermally induced motion of probe cards
JP2003344498A (ja) * 2002-05-28 2003-12-03 Fujitsu Ltd 半導体試験装置
US6956388B2 (en) * 2003-06-24 2005-10-18 Agilent Technologies, Inc. Multiple two axis floating probe assembly using split probe block
US7285968B2 (en) * 2005-04-19 2007-10-23 Formfactor, Inc. Apparatus and method for managing thermally induced motion of a probe card assembly
CA2622262C (en) * 2005-09-22 2014-07-15 Chempaq A/S Detection and subsequent removal of an aperture blockage
US7495458B2 (en) * 2006-05-17 2009-02-24 Texas Instruments Incorporated Probe card and temperature stabilizer for testing semiconductor devices
KR100790817B1 (ko) * 2006-12-06 2008-01-03 삼성전자주식회사 반도체 제조관리 시스템
US7629805B2 (en) * 2008-03-19 2009-12-08 Texas Instruments Incorporated Method and system to dynamically compensate for probe tip misalignement when testing integrated circuits
US20190271721A1 (en) * 2016-09-30 2019-09-05 Dae-woo Kim Self aligned sort probe card for si bridge wafer
JP7217293B2 (ja) 2019-12-18 2023-02-02 株式会社アドバンテスト 1または複数の被テストデバイスをテストするための自動テスト装置、および、自動テスト装置を操作するための方法
KR102501995B1 (ko) * 2019-12-18 2023-02-20 주식회사 아도반테스토 하나 이상의 피시험 장치를 테스트하기 위한 자동식 테스트 장비 및 자동식 테스트 장비의 작동 방법

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3781681A (en) * 1971-12-17 1973-12-25 Ibm Test probe apparatus

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4820976A (en) * 1987-11-24 1989-04-11 Advanced Micro Devices, Inc. Test fixture capable of electrically testing an integrated circuit die having a planar array of contacts
EP1098200A2 (de) * 1999-11-03 2001-05-09 Infineon Technologies AG Nadelkarten-Justageeinrichtung zur Planarisierung von Nadelsätzen einer Nadelkarte
DE19952943A1 (de) * 1999-11-03 2001-06-13 Infineon Technologies Ag Nadelkarten-Justageeinrichtung zur Planarisierung von Nadelsätzen einer Nadelkarte
DE19952943C2 (de) * 1999-11-03 2003-07-03 Infineon Technologies Ag Nadelkarten-Justageeinrichtung zur Planarisierung von Nadelsätzen einer Nadelkarte
EP1098200A3 (de) * 1999-11-03 2003-08-13 Infineon Technologies AG Nadelkarten-Justageeinrichtung zur Planarisierung von Nadelsätzen einer Nadelkarte
US6674627B1 (en) 1999-11-03 2004-01-06 Infineon Technologies Ag Needle-card adjusting device for planarizing needle sets on a needle card

Also Published As

Publication number Publication date
GB1526438A (en) 1978-09-27
JPS5821823B2 (ja) 1983-05-04
JPS5171782A (de) 1976-06-21
FR2294448B1 (de) 1978-04-07
FR2294448A1 (fr) 1976-07-09
US3963985A (en) 1976-06-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2544735A1 (de) Pruefkopftraeger und verfahren zum einstellen der abstaende zwischen den einzelnen pruefkoepfen
DE3914699A1 (de) Temperaturleitender traeger fuer kleine gegenstaende wie halbleiter-komponenten, sowie verfahren zur thermischen regelung unter verwendung dieses traegers
DE3612862A1 (de) Kuehlkoerperbefestigungsanordnung fuer einen halbleiter
DE2735318A1 (de) Injektionslaservielfachanordnung
DE1950516B2 (de) Verbindung elektrischer leiter
DE2730161C2 (de)
DE2450901A1 (de) Halbleitervorrichtung mit ein grosses seitenverhaeltnis aufweisenden pn-uebergaengen und verfahren zur herstellung
DE2450929A1 (de) Verfahren zum herstellen von isolationsgittern in koerpern aus halbleitendem material
DE102021121650A1 (de) Temperaturgradientenregelung mit Variationen des thermischen Grenzflächenmaterials
CH647908A5 (de) Verfahren und anordnung zum kontaktieren der leiterbahnen von leiterplatten mit kontaktstiften.
DE19607400C2 (de) Verdampferschiffchen für eine Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten
EP2607007A1 (de) Lötvorrichtung zum Befestigen eines elektrisch leitfähigen Bandes an einer Solarzelle
DE2824053A1 (de) Antennenanordnung
DE2415893A1 (de) Kuehlvorrichtung
DE19746204A1 (de) Halbleiterlaserchip
DE2535160C3 (de) Vorrichtung zum epitaktischen Züchten einer Kristallschicht auf einem Halbleitersubstrat
DE3701499A1 (de) Vorrichtung zur verdunstung von insektiziden, duftstoffen und/oder anderen fluechtigen wirkstoffen
DE202021104673U1 (de) Radiator und Kühlvorrichtung
EP0546248A2 (de) Verdampferschiffchen für eine Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten
DE1802524B1 (de) Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines kristallinen Stabes,insbesondere Halbleiterstabes
DE2441613C2 (de) Halbleiteranordnung
EP0266481A1 (de) Halterung dicht benachbarter Lochnadeln
DE3138285A1 (de) Mittels mehrerer reihen von leitenden stiften senkrecht auf eine leiterplatte steckbare traegerplatte und verfahren zur herstellung der traegerplatte
DE102019127203A1 (de) Kühlsystem mit einem serpentinenförmigen Durchgang
CH417724A (de) Anordnung mit mehreren Sammelschienen für elektrische Geräte

Legal Events

Date Code Title Description
OD Request for examination
8125 Change of the main classification
8126 Change of the secondary classification
8139 Disposal/non-payment of the annual fee