DE2522964A1 - Photoelektrische kopplervorrichtung - Google Patents

Photoelektrische kopplervorrichtung

Info

Publication number
DE2522964A1
DE2522964A1 DE19752522964 DE2522964A DE2522964A1 DE 2522964 A1 DE2522964 A1 DE 2522964A1 DE 19752522964 DE19752522964 DE 19752522964 DE 2522964 A DE2522964 A DE 2522964A DE 2522964 A1 DE2522964 A1 DE 2522964A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
light
transmitter
light detector
detector
reflector
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE19752522964
Other languages
English (en)
Inventor
Spaeter Genannt Werden Wird
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Texas Instruments Inc
Original Assignee
Texas Instruments Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Texas Instruments Inc filed Critical Texas Instruments Inc
Publication of DE2522964A1 publication Critical patent/DE2522964A1/de
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/12Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
    • H01L31/16Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
    • H01L31/167Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
  • Networks Using Active Elements (AREA)
  • Optical Transform (AREA)

Description

Unser Zeichen: T 1783
TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
I35OO North Central Expressway
Dallas« Texas, V.St.A.
Photoelektrische Kopplervorrichtung
Die Erfindung bezieht sich auf eine photoelektrische Kopplervorrichtung, wie sie allgemein als Trennelement zwischen elektrischen Stromkreisen verwendet wird, und sie bezieht sich insbesondere auf eine Verbesserung der Stromübertragungscharakteristik dieser Kopplervorrichtungen.
Eine photoelektrische Halbleiter-Kopplervorrichtung besteht aus einer elektrolumineszierenden Halbleiterdiode und aus einem Halbleiter-Lichtdetektor, die in einem Metall- oder Kunststoffgehäuse untergebracht und voneinander isoliert sind. Wenn an die elektrolumineszierende Diode ein Strom I^ angelegt wird, dann sendet sie eine Lichtstrahlung aus, die den Lichtdetektor anregt. Dieser liefert dann einen Strom I2, der von der Stärke des an die elektrolumineszierende Diode angelegten Stroms abhängt. Das Verhältnis I2/1-! stellt die Übertragungscharakteristik der Kopplervorrichtung dar.
Schw/Ba
509849/0777
Dieses Verhältnis hängt ebenso wie die Isolation zwischen der elektrolumineszierenden Diode und dem Lichtdetektor vom Abstand zwischen diesen zwei Bauelementen ab.
Bei herkömmlichen photoelektrischen Kopplervorrichtungen ist zwischen die. elektrolumineszierende Diode und den Lichtdetektor ein Übertragungsmedium eingefügt, das von einem lichtdurchlässigen Harz, einer Glasplatte oder einem im Gehäuse der Kopplervorrichtung enthaltenen Gas gebildet ist. Wenn die Kopplervorrichtung in einem Gehäuse ausgeformtem Kunststoff wie einem Epoxydharz oder einem Silikon enthaltenden Kunststoff untergebracht wird, absorbiert das Material des Gehäuses einen beträchtlichen Teil der von der eiektrolumineszierenden Diode abgestrahlten Energie. Wenn die Kopplervorrichtung in einem Metallgehäuse untergebracht wird, reflektiert dieses Gehäuse auf Grund der Tatsache, daß ssine Innenwände in einem relativ großen Abstand von der Diode und vom Lichtdetektor liegen, nur einen kleinen Teil des Lichts, das es von der elektrolumineszierenden Diode empfängt, gegen den Lichtdetektor. Dies führt dazu, daß bei bekannten photoelektrischen Kopplervorrichtungen ein nicht vernachlässigbarer Anteil des von der elektrolumineszierenden Diode ausgesendeten Lichts den Lichtdetektor nicht erreicht, was eine Reduzierung des Verhältnisses Ip/^1 nack si°k zieht.
Mit Hilfe der Erfindung wird demgemäß eine photoelektrische Kopplervorrichtung mit einem Lichtsender und einem Lichtdetektor geschaffen, bei der zwischen dem Lichtsender und dem Lichtdetektor ein lichtdurchlässiges Medium eingefügt ist und ein lichtreflektierendes Material wenigstens einen Teil der Oberfläche des lichtdurchlässigen Mediums überdeckt, damit wenigstens ein Teil des vom Lichtsender abgegebenen Lichts gegen den Lichtdetektor reflektiert wird, das sonst im lichtdurchlässigen Medium gestreut würde.
50 9 849/07 7 7
In einer Ausführungsform der Erfindung sind der Lichtsender und der Lichtdetektor so angeordnet, daß sich ihre aktiven Oberflächen gegenüberliegen, wobei das lichtreflektierende Material den Lichtsender und den Lichtdetektor umgibt und etwa parallel zur Richtung der Lichtübertragung verläuft.
In einer weiteren Ausführungsform liegen der Lichtsender und der Lichtdetektor seitlich nebeneinander, und ihre aktiven Oberflächen sind gegen eine Fläche des mit einem lichtreflektierenden Material bedeckten lichtdurchlässigen Mediums gerichtet, wobei diese Fläche zur Verstärkung der Reflexion des Lichts vom Lichtsender zum Lichtdetektor geformt sein kann. Diese Ausführungsform kann besonders kompakt mit geringer Höhe aufgebaut werden.
Eine Kopplervorrichtung kann in einem herkömmlichen Gehäuse, einem Kunststoff- oder Metallbecher untergebracht sein. Zur Erzielung einer größeren Kompaktheit und zur Vereinfachung der Herstellung kann jedoch das licht reflektierende Material selbst eine äußere Schutzhülle oder ein Gehäuse für die Kopplervorrichtung bilden.
Die Erfindung wird nun an Hand der Zeichnung beispielshalber erläutert. Es zeigen:
Fig.1 eine schematische Schnittansicht einer herkömmlichen photoelektrischen Kopplervorrichtung,
Fig.2 und 3 schematische Schnittansichten verschiedener Aüsführungsformen einer erfindungsgemäßen photoelektrischen Kopplervorrichtung,
Fig.4 eine abwechselnde Aneinanderreihung herkömmlicher und erfindungsgemäßer Kopplervorrichtungen,
609849/0777
Fig.5 und 6 Vergleichskurven über das Verhalten herkömmlicher und erfindungsgemäßer Kopplervorrichtungen bezogen auf Fig.4 und
Fig.7 eine weitere Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Kopplervorrichtung.
Die in Fig.1 dargestellte herkömmliche Kopplervorrichtung enthält einen Lichtsender 1, beispielsweise eine elektrolumineszierende Halbleiterdiode, und einen Halbleiter-Lichtdetektor 2, dessen aktive Oberfläche der aktiven Oberfläche der elektrolumineszierenden Diode gegenüberliegt. Der eigentliche Aufbau des Lichtsenders 1 und des Lichtdetektors 2 sind bekannt, so daß sie hier nicht beschrieben werden müssen. Zwischen die elektrolumineszierende Diode 1 und den Lichtdetektor"2 ist' ein lichtdurchlässiges Medium 3, beispielsweise ein Harz, eine Glasplatte oder ein Gas, eingefügt; die auf diese Weise gebildete Anordnung ist von einem Gehäuse 4 aus Kunststoff (oder Metall) umschlossen, durch das elektrische Anschlußleiter 14 zur Diode 1 und zum Detektor 2 führen.
Wie oben bereits erwähnt wurde, wird die Stroraübertragungscharakteristik der Kopplervorrichtung, die durch das Verhältnis zwischen dem der elektrolumineszierenden Diode zugeführten Strom I^ und dem vom Lichtdetektor 2 abgegebenen Strom Ip gegeben ist, von der beispielsweise vom Gehäuse 4 bewirkten Absorption eines Teils des "von der Diode 1 ausgesendeten Lichts ungünstig beeinflußt.
In Fig.2 ist eine gemäß der Erfindung ausgebildete photoelektrische Kopplervorrichtung dargestellt, die eine
509849/0777
beträchtliche Verbesserung dieser Charakteristik erlaubt.
Die in Fig.2 dargestellte Kopplervorrichtung ist allgemein ebenso aufgebaut wie die Kopplervorrichtung von Fig.1, so daß für entsprechende Teile dieser zwei Kopplervorrichtungen geeignete Bezugszeichen verwendet sind.
Der Unterschied zwischen der herkömmlichen Kopplervorrichtung und der in Fig.2 dargestellten Kopplervorrichtung besteht darin, daß zwischen das lichtdurchlässige Medium 3,(das zweckmässigerweise aus einem Lackfirnis Dow-Corning R6104 bestehen kann) und das Gehäuse 4 eine Schicht 5 aus reflektierendem Material eingefügt ist, damit wenigstens ein Teil des von der elektrolumineszierenden Diode ausgesendeten Lichts, das sonst vom Material des Gehäuses 4 absorbiert würde, zum Lichtdetektor 2 reflektiert wird. Diese Schicht 5 umgibt den Lichtübertragungsweg zwischen der Diode und dem Lichtdetektor. Das reflektierende Materiel ist ebenfalls ein elektrischer Isolator, so daß er das lichtdurchlässige Medium 3 gegenüber dem Gehäuse 4 der Kopplervorrichtung isoliert.
Das Material der reflektierenden Schicht kann allgemein von einem isolierenden Pulver gebildet sein, das auf Grund seiner Granulatstruktur oder seiner ihm eigenen Eigenschaften einen hohen Reflexionskoeffizienten aufweist. Dieses Pulver bildet vorzugsweise das Füllmaterial eines Kunststoffs, der als Binder wirkt. Beispielsweise kann der reflektierende Überzug aus einem Lackfirnis Dow-Corning R61O3 bestehen, der mit 0,5 wm Aluminiumoxid gefüllt ist.
Als Pulver, die verwendet werden können, haben sich Pulver aus Oxiden wie TiO2, MgO, BeO oder Pulver
503849/0777
aus chemischen Verbindungen von Barium wie Bariumsulfat oder andere Salze dieses Metalls als besonders geeignet erwiesen. Die Oxide können auch durch Aufdampfen direkt auf dem lichtdurchlässigen Medium 3 aufgebracht werden.
Es ist auch möglich, Teilchen aus Polytetrafluoräthylen oder aus anderen weißen Harzen mit den entsprechenden Isolations- und Reflexionseigenschaften zu verwenden.
Die in Fig.3 dargestellte photoelektrische Kopplervorrichtung ist eine Alternativausführung zu der in Fig.2 dargestellten Kopplervorrichtung. Sie enthält eine elektrolumineszierende Diode 6 und einen seitlich im Abstand davon angebrachten Lichtdetektor 7. Diese zwei Bauelemente sind in einem lichtdurchlässigen, kuppeiförmig ausgebildeten Körper 8 eingeschlossen. Die aktiven Oberflächen der Diode 6 und des Lichtdetektors 7 sind gegen die kuppeiförmige Fläche des Körpers 8 gerichtet. Eine aus reflektierendem Material bestehende Kappe 9 umgibt die obere kuppelförraige Oberfläche des lichtdurchlässigen Mediums, während eine ebenfalls aus reflektierendem Material bestehende kleinere Kappe 10 einen Teil des lichtdurchlässigen Körpers zwischen der Diode 6 und dem Detektor 7 gegenüber der i'appe 9 umgibt. Die gesamte Anordnung ist von einem (nicht dargestellten) Gehäuse aus Kunststoff umschlossen, durch das in einer Ebene liegende elektrische Anschlußleiter 15 zu der Diode 6 und zum Detektor 7 verlaufen.
Aus der relativen Lage der elektrolumineszierenden Diode und des Lichtdetektors 7 ist zu erkennen, daß die Kappe eine wichtige Rolle spielt, da ein großer Teil des von der Diode 6 ausgesendeten Lichts gegen den Lichtdetektor reflektiert wird. Eine geeignete Formgebung und Dimensionierung der Kappe erhöht d-en Anteil des einfallenden Lichts,
509849/0777
der zum Lichtdetektor 7 reflektiert wird.
Eine Kopplervorrichtung der in Fig.3 angegebenen Art, bei der der Lichtsender und der Lichtdetektor in einer Ebene angebracht sind, kann als Folge der Verwendung der reflektierenden Flächen der Kappen 9 und 10 direkt, d.h. ohne Verwendung eines äußeren Gehäuses , verwendet werden. Eine solche koplanare Anordnung ist vorteilhaft, da sie beispielsweise eine Verringerung der Höhe des Gesamtgehäuses gestattet.
Mit einer herkömmlichen photoelektrischen Kopplervorrichtung und mit den hier beschriebenen erfindungsgemäßen Kopplervorrichtungen sind Wirkungsgrad-Vergleichsmessungen durchgeführt worden. Dazu wurden Lichtsender aus elektrolumineszierenden Halbleiterdioden und Lichtdetektoren aus Phototransistoren verwendet, die jeweils aus einer speziellen Herstellungscharge stammten.
Die Dioden und ihre zugehörigen Phototrancistoren waren auf einem Band 10 (Fig.4) gegenüberliegend oder Seite an Seite befestigt, wobei der Abstand zwischen einer Diode und einem Transistor , die für die Bildung eines photoelektrischen Koppelpaars vorgesehen waren, zwischem jedem Paar konstant gehalten wurde. Zwischen der Diode und dem Phototransistor eines Paars wurde jeweils ein lichtdurchlässiges Harz angebracht. Abwechselnde Paare aus Diode und Phototransistor wurden in ein elektrisch isolierendes Harz eingeschlossen, das mit einem fein verteilten Pulver aus Aluminiumoxid gefüllt war.
Dabei ergab sich die in Fig.4 dargestellte Anordnung, bei der auf einem einzigen Band 10 herkömmliche photoelektrische Kopplervorrichtungen 11 abwechselnd mit
509849/077?
photoelektrischen Kopplervorrichtungen 12 nach der Erfindung aufeinanderfolgen. Die photoelektrischen Kopplervorrichtungen werden auf diese Weise unter den gleichen Bedingungen hergestellt und getestet, so daß die erhaltenen Ergebnisse verglichen werden können. Die Tests werden bezüglich der elektrischen Parameter der Testvorrichtungen ausgeführt, und die Ergebnisse sind in den Figuren 5 und dargestellt.
In Fig.5 zeigt die Kurve (a) die Verstärkung (hyg) des Lichtdetektors einer herkömmlichen Kopplervorrichtung ohne reflektierende Oberfläche wie die Kopplervorrichtung von Fig.1.
Die Kurven (b) und (c) zeigen die Verstärkung der Lichtdetektoren der erfindungsgemäßen Kopplervorrichtungen nach Fig.2 bzw.Fig.3.
In Fig.6 gibt die Kurve (a) die Verteilung des Stromwerts eines Lichtdetektors einer herkömmlichen Kopplervorrichtung an, wie sie in Fig.1 dargestellt ist.
Die Kurve (b) zeigt die Verteilung des entsprechenden Stroms für eine Kopplervorrichtung mit einer reflektierenden Oberfläche nach der Erfindung, wie sie in Fig.2 dargestellt ist.
Die Kurve (c) zeigt die Verteilung des Lichtdetektorstroms aus einer Kopplervorrichtung mit einer reflektierenden Schicht nach der Erfindung, wie sie in Fig.3 dargestellt ist.
Es ist bei einer Kopplervorrichtung gemäß Fig.2 im Vergleich zu der in Fig.1 dargestellten Kopplervorrichtung eine Verbesserung der Stromübertragung von etwa 60% zu erkennen.
509843/0777
Bei der Kopplervorrichtung nach Fig.3, deren elektrolumineszierende Diode und deren Lichtdetektor.nebeneinander angebracht sind, ist die Übertragungscharakteristik zwar niedriger als die einer herkömmlichen photoelektrischen Kopplervorrichtung nach Fig.1, doch bietet sie wegen der Einfachheit der Herstellung und der Kompaktheit, insbesondere der Erniedrigung der Gehäusehöhe immer noch Vorteile.
Die in Fig.2 dargestellte photoelektrische Kopplervorrichtung enthält ebenso wie die Kopplervorrichtung nach Fig.3 eine Schicht 5 (9) aus reflektierendem Material zwischen dem lichtdurchlässigen Medium 3 (8) und dem Gehäusematerial. Das Gehäuse kann jedoch auch von dem reflektierenden Material selbst gebildet sein. Beispielsweise könnten der Lichtsender, der Lichtdetektor und das lichtdurchlässige Medium mittels eines Presspritzverfahrens in einer lichtreflektierenden Spritzmasse eingeschlossen werden, beispielsweise in einer Spritzmasse, die ein Pulver enthält, wie es oben beschrieben wurde.
In der in Fig.7 dargestsUten weiteren Ausführungsform sind die lumineszierende Diode 6 und der Lichtdetektor nebeneinander angebracht und von einem lichtdurchlässigen Körper 16 mit rechtwinkligem Querschnitt umgeben. Die aktiven Oberflächen der Diode 6 und des Lichtdetektors sind gegen die ebene obere Fläche des Körpers 16 gerichtet, die mit einer Schicht 17 aus einer lichtreflektierenden Farbe überzogen ist. Vorzugsweise sind auch die Seitenwände 18 des Körpers 16 mit der lichtreflektierenden Farbe überzogen. In diesem selbst abkapselnden Aufbau liegen die elektrischen Anschlußleiter 19 der Diode 6 und des Lichtdetektors 7 in einer
509843/0777
Ebene miteinander und mit der Bodenfläche des Körpers 16. Wenn es vorgezogen wird, können die Anschlußlei- ■feer 19 auch beispielsweise in der in den Figuren 1 und dargestellten Weise gegenüber der Bodenfläche des Körpers 16 verschoben werden.
In jeder der oben beschriebenen Ausführungsformen der Erfindung kann der Lichtsender in geeigneter Weise von einer Halbleiterdiode gebildet sein, und der Lichtdetektor kann aus einer Photodiode oder aus einem Phototransistor bestehen. Die Bezugnahme auf "photoelektrisch", "lichtdurchlässig" und "lichtreflektierend" umfassen sowohl sichtbare als auch nicht sichtbare Abschnitte des Spektrums.
Die Erfindung ist hier zwar an Hand spezieller Ausführungsbeispiele beschrieben worden, doch sind im Rahmen der Erfindung auch weitere Abwandlungen möglich.
809649/0777

Claims (21)

  1. Patentansprüche
    Photoelektrische Kopplervorrichtung mit einem Lichtsender, einem im Abstand vom Lichtsender angebrachten Lichtdetektor und einem wenigstens zwischen den Lichtsender und den Lichtdetektor eingefügten lichtdurchlässigen Medium, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens auf einem Teil der Oberfläche des lichtdurchlässigen Mediums ein Lichtreflektor angebracht ist, der vom Lichtsender abgestrahltes Licht, das auf ihn auftrifft, zum Lichtdetektor reflektiert.
  2. 2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Lichtreflektor eine äußere Schutzhülle der Kopplervorrichtung bildet.
  3. 3. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Lichtreflektor aus einem gefüllten Kunststoffmaterial besteht.
  4. 4. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Kunststoffmaterial mit einem Pulver gefüllt ist, das aus Titanoxid (TiO2), Magnesiumoxid (MgO), Berylliumoxid (BeO) oder Aluminiumoxid (AlpO-*) besteht.
  5. 5. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Lichtreflektor aus einem mit einer pulverförmigen Berylliumverbindung gefüllten Kunststoffmaterial besteht.
  6. 6. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Lichtreflektor aus einem mit Harzteilchen gefüllten Kunststoffmaterial besteht.
    509849/0777
  7. 7. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Reflektor aus einem Harz besteht.
  8. 8. Vorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß das Harz Polytetrafluorathylen ist.
  9. 9. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Lichtreflektor aus einer aufgedampften isolierenden Oxidschicht gebildet ist.
  10. 10. Vorrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die isolierende Oxidschicht aus Titanoxid (TiO2), Magnesiumoxid (MgO), Berylliumoxid (BeO) oder Aluminiumoxid (AIpO,) besteht.
  11. 11. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Lichtreflektor aus einer Schicht aus einer reflektierenden Farbe auf einer Außenfläche des lichtdurchlässigen Mediums besteht.
  12. 12. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sie von einem Gehäuse umgeben ist.
  13. 13. Photoelektrische Kopplervorrichtung, gekennzeichnet durch einen Halbleiterleiter-Lichtsender, der neben einem Halbleiter-Lichtdetektor angeordnet ist, wobei der Lichtsender und der Lichtdetektor eine aktive Oberfläche aufweisen, die zur gleichen Richtung hin gerichtet sind, einen isolierenden, lichtdurchlässigen Körper, der den Lichtsender und den Lichtdetektor umgibt, und einen Lichtreflektor, der wenigstens einen Teil eines Oberflächenbereichs des lichtdurchlässigen Körpers zum Reflektieren von Licht vom Lichtsender gegen den Lichtdetektor überdeckt.
    509849/0777
  14. 14. Vorrichtung nach Anspruch 13f dadurch gekennzeichnet, daß der lichtdurchlässige Körper eine kuppeiförmige Fläche aufweist, daß die aktiven Oberflächen des Lichtsenders und des Lichtdetektors gegen diese kuppeiförmige Fläche gerichtet sind und daß der Lichtreflektor eine lichtreflektierende Schicht enthält, die die kuppeiförmige Fläche bedeckt.
  15. 15. Vorrichtung nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen dem Lichtsender und dem Lichtdetektor an einer der kuppeiförmigen Fläche gegenüberliegenden Fläche des lichtdurchlässigen Körpers ein kappenförmiger Lichtreflektor angebracht ist.
  16. 16. Vorrichtung nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß der Lichtreflektor eine äußere Schutzhülle der Vorrichtung bildet.
  17. 17. Vorrichtung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß der lichtdurchlässige Körper aus einem Harzkörper besteht, der eine im wesentlichen ebene, zu den aktiven Oberflächen des Lichtsenders und des Lichtdetektors gerichtete Fläche aufweist, und daß der Lichtreflektor aus einer Schicht aus lichtreflektierendem Material besteht, die wenigstens die im wesentlichen ebene Fläche
    . des lichtdurchlässigen Körpers bedeckt.
  18. 18. Vorrichtung nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß der lichtdurchlässige Körper einen im wesentlichen rechtwinkligen Querschnitt aufweist, daß der Lichtsender und der Lichtdetektor bei einer Fläche des lichtdurchlässigen Körpers angebracht sind, die der im wesentlichen ebenen Fläche des Körpers gegenüberliegt,
    509849/0777
    und daß in dem lichtdurchlässigen Körper eine in einer Ebene liegendeAnordnung aus elektrischen Anschlußleitern ragt, die die elektrische Verbindung zu dem . Lichtsender und dem Lichtdetektor herstellt.
  19. 19. PhotQglektrische Kopplervorrichtung, mit einem Halbleiter-Lichtsender mit einer aktiven Oberfläche, einem Halbleiter-Lichtdetektor mit einer der aktiven Oberfläche des Lichtsenders gegenüberliegenden aktiven Oberfläche und einem lichtdurchlässigen Medium zwischen den aktiven Oberflächen des Lichtsenders und des Lichtdetektors, dadurch gekennzeichnet, daß der Lichtsender und der Lichtdetektor von einem Lichtreflektor umgeben sind, der etwa parallel zur Ausbreitungsrichtung des Lichts vom Lichtsender gegen den Lichtdetektor verläuft.
  20. 20. Vorrichtung nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, daß der Lichtreflektor aus einer Schicht aus lichtreflektierendem Material besteht.
  21. 21. Vorrichtung nach Anspruch 19,- gekennzeichnet durch ein äußeres Schutzgehäuse»
    509849/0777
    Leerseite
DE19752522964 1974-05-24 1975-05-23 Photoelektrische kopplervorrichtung Ceased DE2522964A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR7418045A FR2272377B1 (de) 1974-05-24 1974-05-24

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE2522964A1 true DE2522964A1 (de) 1975-12-04

Family

ID=9139218

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19752522964 Ceased DE2522964A1 (de) 1974-05-24 1975-05-23 Photoelektrische kopplervorrichtung

Country Status (7)

Country Link
US (1) US4054801A (de)
JP (1) JPS5129939A (de)
DE (1) DE2522964A1 (de)
FR (1) FR2272377B1 (de)
GB (1) GB1503683A (de)
IT (1) IT1035833B (de)
NL (1) NL7506083A (de)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2627944A1 (de) * 1976-06-22 1978-01-05 Siemens Ag Optoelektronisches koppelelement
DE2851951A1 (de) * 1977-12-02 1979-06-07 Gen Electric Optoelektrischer uebertrager (optokoppler) und verfahren zu dessen herstellung
DE2903554A1 (de) * 1979-01-31 1980-08-14 Telefonbau & Normalzeit Gmbh Opto-koppler zur opto-elektronischen signaluebertragung
DE3305044A1 (de) * 1983-02-14 1984-08-16 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Optokoppler

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4112308A (en) * 1976-03-29 1978-09-05 Burr-Brown Research Corporation Optical coupling system
JPS5612786A (en) * 1979-07-12 1981-02-07 Toshiba Corp Photo coupling semiconductor device
USRE35836E (en) * 1979-08-09 1998-07-07 C. P. Clare Corporation Solid state optically coupled electrical power switch
EP0103032B1 (de) * 1982-09-09 1988-03-02 General Electric Company Halbleiter-optokoppler
GB8511061D0 (en) * 1984-05-08 1985-06-12 Telefunken Electronic Gmbh Optoelectronic coupling element
JPS6084889A (ja) * 1984-06-04 1985-05-14 Nec Corp 光結合装置
JPH01130708A (ja) * 1987-11-17 1989-05-23 Nitsukai:Kk 無機凝集剤及び廃水の凝集方法
US4980568A (en) * 1989-05-22 1990-12-25 Hewlett-Packard Company Optical isolator having high voltage isolation and high light flux light guide
FR2656739A1 (fr) * 1989-12-29 1991-07-05 Radiotechnique Compelec Photo-coupleur pour montage en surface.
US5151606A (en) * 1991-01-23 1992-09-29 Grumman Aerospace Corporation Lambertian mirror optical
US5340993A (en) * 1993-04-30 1994-08-23 Motorola, Inc. Optocoupler package wth integral voltage isolation barrier
JP2005050839A (ja) * 2003-07-29 2005-02-24 Citizen Electronics Co Ltd チップ型フォトカプラ
US7847301B2 (en) * 2004-12-08 2010-12-07 Agilent Technologies, Inc. Electronic microcircuit having internal light enhancement
JP5381280B2 (ja) * 2009-04-23 2014-01-08 オムロン株式会社 光結合装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3192387A (en) * 1961-03-22 1965-06-29 Robert M Goodman Electro-optical device for producing a modulated voltage
DE1190506B (de) * 1963-10-10 1965-04-08 Siemens Ag Optisch gesteuerte, mindestens vier Zonen von abwechselnd unterschiedlichem Leitungstyp aufweisende Schalt- oder Kippdiode
DE1614865A1 (de) * 1967-09-27 1970-12-23 Telefunken Patent Optoelektronische Halbleiteranordnung
US3628128A (en) * 1969-03-11 1971-12-14 Bbc Brown Boveri & Cie Step-switching arrangement
US3628039A (en) * 1969-12-29 1971-12-14 Dana Lab Inc Electromagnetic radiation wave signal transmission apparatus
US3660669A (en) * 1970-04-15 1972-05-02 Motorola Inc Optical coupler made by juxtaposition of lead frame mounted sensor and light emitter
FR2106710A5 (de) * 1970-09-22 1972-05-05 Radiotechnique Compelec
JPS5239730Y2 (de) * 1971-09-30 1977-09-08
JPS4847265A (de) * 1971-10-15 1973-07-05
US3818451A (en) * 1972-03-15 1974-06-18 Motorola Inc Light-emitting and light-receiving logic array

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2627944A1 (de) * 1976-06-22 1978-01-05 Siemens Ag Optoelektronisches koppelelement
DE2851951A1 (de) * 1977-12-02 1979-06-07 Gen Electric Optoelektrischer uebertrager (optokoppler) und verfahren zu dessen herstellung
DE2903554A1 (de) * 1979-01-31 1980-08-14 Telefonbau & Normalzeit Gmbh Opto-koppler zur opto-elektronischen signaluebertragung
DE3305044A1 (de) * 1983-02-14 1984-08-16 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Optokoppler

Also Published As

Publication number Publication date
NL7506083A (nl) 1975-11-26
FR2272377B1 (de) 1977-06-24
US4054801A (en) 1977-10-18
GB1503683A (en) 1978-03-15
JPS5129939A (de) 1976-03-13
IT1035833B (it) 1979-10-20
FR2272377A1 (de) 1975-12-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2522964A1 (de) Photoelektrische kopplervorrichtung
EP2132789B1 (de) Elektromagnetische strahlung emittierendes optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements
AT200637B (de) Verbindung und Endverschluß für Hochspannungskabel
DE10301676A1 (de) Beschichteter Phosphorfüllstoff und Verfahren zum Bilden eines beschichteten Phosphorfüllstoffs
EP1449263A2 (de) Optoelektronisches bauelement
DE2851951C2 (de)
EP1597776A2 (de) Beleuchtungsmodul und verfahren zu dessen herstellung
DE3117571A1 (de) Lumineszenz-halbleiterbauelement
DE19829197A1 (de) Strahlungsaussendendes und/oder empfangendes Halbleiter-Bauelement
WO2011157515A1 (de) Optoelektronisches bauteil
DE2904174C2 (de) Elektrische Anzündeinheit
DE102004031391A1 (de) Gehäuse für ein elektronisches Bauteil
EP2327110B9 (de) Optoelektronisches bauteil und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauteils
DE102009036622A1 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE60033228T2 (de) Metall halogen lampe
DE2627944C2 (de) Optoelektronisches Koppelelement
DE3910431C2 (de)
DE4232644A1 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauelement
DE3206069C2 (de)
DE864133C (de) Elektronenoptischer Bildverstaerker
DE8335469U1 (de) Infrarotstrahlungsdetektor
DE2260285A1 (de) Sichtbares licht emittierende vorrichtung
WO2012065882A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement
DE4112086A1 (de) Sekundaerstandard-ionisationskammer zur messung von photonenstrahlung
DE1015964B (de) Verfahren zur Herstellung eines elektroluminescierenden Pulvers

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
8131 Rejection