DE2522964A1 - Photoelektrische kopplervorrichtung - Google Patents
Photoelektrische kopplervorrichtungInfo
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 11
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 9
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000003973 paint Substances 0.000 claims description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 2
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 claims description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims 4
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N Beryllium oxide Chemical compound O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 150000001573 beryllium compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 14
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 14
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 14
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002991 molded plastic Substances 0.000 description 1
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
- H01L31/16—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
- H01L31/167—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
- Networks Using Active Elements (AREA)
- Optical Transform (AREA)
Description
TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
I35OO North Central Expressway
Dallas« Texas, V.St.A.
I35OO North Central Expressway
Dallas« Texas, V.St.A.
Photoelektrische Kopplervorrichtung
Die Erfindung bezieht sich auf eine photoelektrische
Kopplervorrichtung, wie sie allgemein als Trennelement zwischen elektrischen Stromkreisen verwendet wird, und
sie bezieht sich insbesondere auf eine Verbesserung der Stromübertragungscharakteristik dieser Kopplervorrichtungen.
Eine photoelektrische Halbleiter-Kopplervorrichtung besteht aus einer elektrolumineszierenden Halbleiterdiode
und aus einem Halbleiter-Lichtdetektor, die in einem Metall- oder Kunststoffgehäuse untergebracht und
voneinander isoliert sind. Wenn an die elektrolumineszierende Diode ein Strom I^ angelegt wird, dann sendet
sie eine Lichtstrahlung aus, die den Lichtdetektor anregt. Dieser liefert dann einen Strom I2, der von der Stärke
des an die elektrolumineszierende Diode angelegten Stroms abhängt. Das Verhältnis I2/1-! stellt die Übertragungscharakteristik
der Kopplervorrichtung dar.
Schw/Ba
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Dieses Verhältnis hängt ebenso wie die Isolation zwischen der elektrolumineszierenden Diode und dem Lichtdetektor
vom Abstand zwischen diesen zwei Bauelementen ab.
Bei herkömmlichen photoelektrischen Kopplervorrichtungen ist zwischen die. elektrolumineszierende Diode und den
Lichtdetektor ein Übertragungsmedium eingefügt, das von einem lichtdurchlässigen Harz, einer Glasplatte oder
einem im Gehäuse der Kopplervorrichtung enthaltenen Gas gebildet ist. Wenn die Kopplervorrichtung in einem
Gehäuse ausgeformtem Kunststoff wie einem Epoxydharz oder einem Silikon enthaltenden Kunststoff untergebracht
wird, absorbiert das Material des Gehäuses einen beträchtlichen Teil der von der eiektrolumineszierenden
Diode abgestrahlten Energie. Wenn die Kopplervorrichtung in einem Metallgehäuse untergebracht wird, reflektiert
dieses Gehäuse auf Grund der Tatsache, daß ssine Innenwände
in einem relativ großen Abstand von der Diode und vom Lichtdetektor liegen, nur einen kleinen Teil
des Lichts, das es von der elektrolumineszierenden Diode empfängt, gegen den Lichtdetektor. Dies führt
dazu, daß bei bekannten photoelektrischen Kopplervorrichtungen ein nicht vernachlässigbarer Anteil des von
der elektrolumineszierenden Diode ausgesendeten Lichts den Lichtdetektor nicht erreicht, was eine Reduzierung
des Verhältnisses Ip/^1 nack si°k zieht.
Mit Hilfe der Erfindung wird demgemäß eine photoelektrische Kopplervorrichtung mit einem Lichtsender und einem
Lichtdetektor geschaffen, bei der zwischen dem Lichtsender und dem Lichtdetektor ein lichtdurchlässiges
Medium eingefügt ist und ein lichtreflektierendes Material wenigstens einen Teil der Oberfläche des lichtdurchlässigen
Mediums überdeckt, damit wenigstens ein Teil des vom Lichtsender abgegebenen Lichts gegen den Lichtdetektor
reflektiert wird, das sonst im lichtdurchlässigen Medium gestreut würde.
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In einer Ausführungsform der Erfindung sind der Lichtsender und der Lichtdetektor so angeordnet, daß sich
ihre aktiven Oberflächen gegenüberliegen, wobei das lichtreflektierende Material den Lichtsender und den
Lichtdetektor umgibt und etwa parallel zur Richtung der Lichtübertragung verläuft.
In einer weiteren Ausführungsform liegen der Lichtsender und der Lichtdetektor seitlich nebeneinander, und ihre
aktiven Oberflächen sind gegen eine Fläche des mit einem lichtreflektierenden Material bedeckten lichtdurchlässigen
Mediums gerichtet, wobei diese Fläche zur Verstärkung der Reflexion des Lichts vom Lichtsender zum Lichtdetektor
geformt sein kann. Diese Ausführungsform kann besonders kompakt mit geringer Höhe aufgebaut werden.
Eine Kopplervorrichtung kann in einem herkömmlichen Gehäuse, einem Kunststoff- oder Metallbecher untergebracht
sein. Zur Erzielung einer größeren Kompaktheit und zur Vereinfachung der Herstellung kann jedoch das licht reflektierende
Material selbst eine äußere Schutzhülle oder ein Gehäuse für die Kopplervorrichtung bilden.
Die Erfindung wird nun an Hand der Zeichnung beispielshalber erläutert. Es zeigen:
Fig.1 eine schematische Schnittansicht einer herkömmlichen
photoelektrischen Kopplervorrichtung,
Fig.2 und 3 schematische Schnittansichten verschiedener
Aüsführungsformen einer erfindungsgemäßen photoelektrischen
Kopplervorrichtung,
Fig.4 eine abwechselnde Aneinanderreihung herkömmlicher
und erfindungsgemäßer Kopplervorrichtungen,
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Fig.5 und 6 Vergleichskurven über das Verhalten herkömmlicher
und erfindungsgemäßer Kopplervorrichtungen bezogen auf Fig.4 und
Fig.7 eine weitere Ausführungsform einer erfindungsgemäßen
Kopplervorrichtung.
Die in Fig.1 dargestellte herkömmliche Kopplervorrichtung
enthält einen Lichtsender 1, beispielsweise eine elektrolumineszierende
Halbleiterdiode, und einen Halbleiter-Lichtdetektor 2, dessen aktive Oberfläche der aktiven
Oberfläche der elektrolumineszierenden Diode gegenüberliegt. Der eigentliche Aufbau des Lichtsenders 1 und
des Lichtdetektors 2 sind bekannt, so daß sie hier nicht beschrieben werden müssen. Zwischen die elektrolumineszierende
Diode 1 und den Lichtdetektor"2 ist' ein
lichtdurchlässiges Medium 3, beispielsweise ein Harz, eine Glasplatte oder ein Gas, eingefügt; die auf diese
Weise gebildete Anordnung ist von einem Gehäuse 4 aus Kunststoff (oder Metall) umschlossen, durch das elektrische
Anschlußleiter 14 zur Diode 1 und zum Detektor 2 führen.
Wie oben bereits erwähnt wurde, wird die Stroraübertragungscharakteristik
der Kopplervorrichtung, die durch das Verhältnis zwischen dem der elektrolumineszierenden Diode
zugeführten Strom I^ und dem vom Lichtdetektor 2 abgegebenen
Strom Ip gegeben ist, von der beispielsweise vom Gehäuse 4 bewirkten Absorption eines Teils des
"von der Diode 1 ausgesendeten Lichts ungünstig beeinflußt.
In Fig.2 ist eine gemäß der Erfindung ausgebildete photoelektrische
Kopplervorrichtung dargestellt, die eine
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beträchtliche Verbesserung dieser Charakteristik erlaubt.
Die in Fig.2 dargestellte Kopplervorrichtung ist allgemein
ebenso aufgebaut wie die Kopplervorrichtung von Fig.1, so daß für entsprechende Teile dieser zwei Kopplervorrichtungen
geeignete Bezugszeichen verwendet sind.
Der Unterschied zwischen der herkömmlichen Kopplervorrichtung und der in Fig.2 dargestellten Kopplervorrichtung
besteht darin, daß zwischen das lichtdurchlässige Medium 3,(das zweckmässigerweise aus einem Lackfirnis
Dow-Corning R6104 bestehen kann) und das Gehäuse 4 eine Schicht 5 aus reflektierendem Material eingefügt
ist, damit wenigstens ein Teil des von der elektrolumineszierenden Diode ausgesendeten Lichts, das sonst
vom Material des Gehäuses 4 absorbiert würde, zum Lichtdetektor 2 reflektiert wird. Diese Schicht 5 umgibt den
Lichtübertragungsweg zwischen der Diode und dem Lichtdetektor. Das reflektierende Materiel ist ebenfalls ein
elektrischer Isolator, so daß er das lichtdurchlässige Medium 3 gegenüber dem Gehäuse 4 der Kopplervorrichtung
isoliert.
Das Material der reflektierenden Schicht kann allgemein von einem isolierenden Pulver gebildet sein, das auf
Grund seiner Granulatstruktur oder seiner ihm eigenen Eigenschaften einen hohen Reflexionskoeffizienten aufweist.
Dieses Pulver bildet vorzugsweise das Füllmaterial eines Kunststoffs, der als Binder wirkt. Beispielsweise
kann der reflektierende Überzug aus einem Lackfirnis Dow-Corning R61O3 bestehen, der mit
0,5 wm Aluminiumoxid gefüllt ist.
Als Pulver, die verwendet werden können, haben sich Pulver aus Oxiden wie TiO2, MgO, BeO oder Pulver
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aus chemischen Verbindungen von Barium wie Bariumsulfat
oder andere Salze dieses Metalls als besonders geeignet erwiesen. Die Oxide können auch durch Aufdampfen direkt
auf dem lichtdurchlässigen Medium 3 aufgebracht werden.
Es ist auch möglich, Teilchen aus Polytetrafluoräthylen
oder aus anderen weißen Harzen mit den entsprechenden Isolations- und Reflexionseigenschaften zu verwenden.
Die in Fig.3 dargestellte photoelektrische Kopplervorrichtung
ist eine Alternativausführung zu der in Fig.2 dargestellten Kopplervorrichtung. Sie enthält eine
elektrolumineszierende Diode 6 und einen seitlich im Abstand davon angebrachten Lichtdetektor 7. Diese zwei
Bauelemente sind in einem lichtdurchlässigen, kuppeiförmig ausgebildeten Körper 8 eingeschlossen. Die
aktiven Oberflächen der Diode 6 und des Lichtdetektors 7 sind gegen die kuppeiförmige Fläche des Körpers 8 gerichtet.
Eine aus reflektierendem Material bestehende Kappe 9 umgibt die obere kuppelförraige Oberfläche des
lichtdurchlässigen Mediums, während eine ebenfalls aus reflektierendem Material bestehende kleinere Kappe 10
einen Teil des lichtdurchlässigen Körpers zwischen der Diode 6 und dem Detektor 7 gegenüber der i'appe 9 umgibt.
Die gesamte Anordnung ist von einem (nicht dargestellten)
Gehäuse aus Kunststoff umschlossen, durch das in einer Ebene liegende elektrische Anschlußleiter 15 zu der
Diode 6 und zum Detektor 7 verlaufen.
Aus der relativen Lage der elektrolumineszierenden Diode und des Lichtdetektors 7 ist zu erkennen, daß die Kappe
eine wichtige Rolle spielt, da ein großer Teil des von der Diode 6 ausgesendeten Lichts gegen den Lichtdetektor
reflektiert wird. Eine geeignete Formgebung und Dimensionierung der Kappe erhöht d-en Anteil des einfallenden Lichts,
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der zum Lichtdetektor 7 reflektiert wird.
Eine Kopplervorrichtung der in Fig.3 angegebenen Art,
bei der der Lichtsender und der Lichtdetektor in einer Ebene angebracht sind, kann als Folge der Verwendung der
reflektierenden Flächen der Kappen 9 und 10 direkt, d.h. ohne Verwendung eines äußeren Gehäuses , verwendet werden.
Eine solche koplanare Anordnung ist vorteilhaft, da sie beispielsweise eine Verringerung der Höhe des
Gesamtgehäuses gestattet.
Mit einer herkömmlichen photoelektrischen Kopplervorrichtung und mit den hier beschriebenen erfindungsgemäßen
Kopplervorrichtungen sind Wirkungsgrad-Vergleichsmessungen durchgeführt worden. Dazu wurden
Lichtsender aus elektrolumineszierenden Halbleiterdioden und Lichtdetektoren aus Phototransistoren
verwendet, die jeweils aus einer speziellen Herstellungscharge stammten.
Die Dioden und ihre zugehörigen Phototrancistoren waren auf einem Band 10 (Fig.4) gegenüberliegend oder
Seite an Seite befestigt, wobei der Abstand zwischen einer Diode und einem Transistor , die für die Bildung
eines photoelektrischen Koppelpaars vorgesehen waren, zwischem jedem Paar konstant gehalten wurde. Zwischen
der Diode und dem Phototransistor eines Paars wurde jeweils ein lichtdurchlässiges Harz angebracht. Abwechselnde
Paare aus Diode und Phototransistor wurden in ein elektrisch isolierendes Harz eingeschlossen, das
mit einem fein verteilten Pulver aus Aluminiumoxid gefüllt war.
Dabei ergab sich die in Fig.4 dargestellte Anordnung,
bei der auf einem einzigen Band 10 herkömmliche photoelektrische Kopplervorrichtungen 11 abwechselnd mit
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photoelektrischen Kopplervorrichtungen 12 nach der Erfindung aufeinanderfolgen. Die photoelektrischen Kopplervorrichtungen
werden auf diese Weise unter den gleichen Bedingungen hergestellt und getestet, so daß die erhaltenen
Ergebnisse verglichen werden können. Die Tests werden bezüglich der elektrischen Parameter der Testvorrichtungen ausgeführt,
und die Ergebnisse sind in den Figuren 5 und dargestellt.
In Fig.5 zeigt die Kurve (a) die Verstärkung (hyg) des
Lichtdetektors einer herkömmlichen Kopplervorrichtung ohne reflektierende Oberfläche wie die Kopplervorrichtung von
Fig.1.
Die Kurven (b) und (c) zeigen die Verstärkung der Lichtdetektoren der erfindungsgemäßen Kopplervorrichtungen
nach Fig.2 bzw.Fig.3.
In Fig.6 gibt die Kurve (a) die Verteilung des Stromwerts
eines Lichtdetektors einer herkömmlichen Kopplervorrichtung an, wie sie in Fig.1 dargestellt ist.
Die Kurve (b) zeigt die Verteilung des entsprechenden Stroms für eine Kopplervorrichtung mit einer reflektierenden
Oberfläche nach der Erfindung, wie sie in Fig.2 dargestellt ist.
Die Kurve (c) zeigt die Verteilung des Lichtdetektorstroms aus einer Kopplervorrichtung mit einer reflektierenden
Schicht nach der Erfindung, wie sie in Fig.3 dargestellt ist.
Es ist bei einer Kopplervorrichtung gemäß Fig.2 im Vergleich zu der in Fig.1 dargestellten Kopplervorrichtung
eine Verbesserung der Stromübertragung von etwa 60% zu erkennen.
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Bei der Kopplervorrichtung nach Fig.3, deren elektrolumineszierende
Diode und deren Lichtdetektor.nebeneinander angebracht sind, ist die Übertragungscharakteristik
zwar niedriger als die einer herkömmlichen photoelektrischen Kopplervorrichtung nach Fig.1, doch bietet sie
wegen der Einfachheit der Herstellung und der Kompaktheit, insbesondere der Erniedrigung der Gehäusehöhe
immer noch Vorteile.
Die in Fig.2 dargestellte photoelektrische Kopplervorrichtung
enthält ebenso wie die Kopplervorrichtung nach Fig.3 eine Schicht 5 (9) aus reflektierendem Material
zwischen dem lichtdurchlässigen Medium 3 (8) und dem Gehäusematerial. Das Gehäuse kann jedoch auch von dem
reflektierenden Material selbst gebildet sein. Beispielsweise könnten der Lichtsender, der Lichtdetektor und das
lichtdurchlässige Medium mittels eines Presspritzverfahrens
in einer lichtreflektierenden Spritzmasse eingeschlossen werden, beispielsweise in einer Spritzmasse,
die ein Pulver enthält, wie es oben beschrieben wurde.
In der in Fig.7 dargestsUten weiteren Ausführungsform
sind die lumineszierende Diode 6 und der Lichtdetektor nebeneinander angebracht und von einem lichtdurchlässigen
Körper 16 mit rechtwinkligem Querschnitt umgeben. Die
aktiven Oberflächen der Diode 6 und des Lichtdetektors sind gegen die ebene obere Fläche des Körpers 16
gerichtet, die mit einer Schicht 17 aus einer lichtreflektierenden Farbe überzogen ist. Vorzugsweise sind
auch die Seitenwände 18 des Körpers 16 mit der lichtreflektierenden Farbe überzogen. In diesem selbst abkapselnden
Aufbau liegen die elektrischen Anschlußleiter 19 der Diode 6 und des Lichtdetektors 7 in einer
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Ebene miteinander und mit der Bodenfläche des Körpers 16. Wenn es vorgezogen wird, können die Anschlußlei-
■feer 19 auch beispielsweise in der in den Figuren 1 und
dargestellten Weise gegenüber der Bodenfläche des Körpers 16 verschoben werden.
In jeder der oben beschriebenen Ausführungsformen der Erfindung kann der Lichtsender in geeigneter Weise
von einer Halbleiterdiode gebildet sein, und der Lichtdetektor kann aus einer Photodiode oder aus einem
Phototransistor bestehen. Die Bezugnahme auf "photoelektrisch", "lichtdurchlässig" und "lichtreflektierend"
umfassen sowohl sichtbare als auch nicht sichtbare Abschnitte des Spektrums.
Die Erfindung ist hier zwar an Hand spezieller Ausführungsbeispiele
beschrieben worden, doch sind im Rahmen der Erfindung auch weitere Abwandlungen möglich.
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Claims (21)
- PatentansprüchePhotoelektrische Kopplervorrichtung mit einem Lichtsender, einem im Abstand vom Lichtsender angebrachten Lichtdetektor und einem wenigstens zwischen den Lichtsender und den Lichtdetektor eingefügten lichtdurchlässigen Medium, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens auf einem Teil der Oberfläche des lichtdurchlässigen Mediums ein Lichtreflektor angebracht ist, der vom Lichtsender abgestrahltes Licht, das auf ihn auftrifft, zum Lichtdetektor reflektiert.
- 2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Lichtreflektor eine äußere Schutzhülle der Kopplervorrichtung bildet.
- 3. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Lichtreflektor aus einem gefüllten Kunststoffmaterial besteht.
- 4. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Kunststoffmaterial mit einem Pulver gefüllt ist, das aus Titanoxid (TiO2), Magnesiumoxid (MgO), Berylliumoxid (BeO) oder Aluminiumoxid (AlpO-*) besteht.
- 5. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Lichtreflektor aus einem mit einer pulverförmigen Berylliumverbindung gefüllten Kunststoffmaterial besteht.
- 6. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Lichtreflektor aus einem mit Harzteilchen gefüllten Kunststoffmaterial besteht.509849/0777
- 7. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Reflektor aus einem Harz besteht.
- 8. Vorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß das Harz Polytetrafluorathylen ist.
- 9. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Lichtreflektor aus einer aufgedampften isolierenden Oxidschicht gebildet ist.
- 10. Vorrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die isolierende Oxidschicht aus Titanoxid (TiO2), Magnesiumoxid (MgO), Berylliumoxid (BeO) oder Aluminiumoxid (AIpO,) besteht.
- 11. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Lichtreflektor aus einer Schicht aus einer reflektierenden Farbe auf einer Außenfläche des lichtdurchlässigen Mediums besteht.
- 12. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sie von einem Gehäuse umgeben ist.
- 13. Photoelektrische Kopplervorrichtung, gekennzeichnet durch einen Halbleiterleiter-Lichtsender, der neben einem Halbleiter-Lichtdetektor angeordnet ist, wobei der Lichtsender und der Lichtdetektor eine aktive Oberfläche aufweisen, die zur gleichen Richtung hin gerichtet sind, einen isolierenden, lichtdurchlässigen Körper, der den Lichtsender und den Lichtdetektor umgibt, und einen Lichtreflektor, der wenigstens einen Teil eines Oberflächenbereichs des lichtdurchlässigen Körpers zum Reflektieren von Licht vom Lichtsender gegen den Lichtdetektor überdeckt.509849/0777
- 14. Vorrichtung nach Anspruch 13f dadurch gekennzeichnet, daß der lichtdurchlässige Körper eine kuppeiförmige Fläche aufweist, daß die aktiven Oberflächen des Lichtsenders und des Lichtdetektors gegen diese kuppeiförmige Fläche gerichtet sind und daß der Lichtreflektor eine lichtreflektierende Schicht enthält, die die kuppeiförmige Fläche bedeckt.
- 15. Vorrichtung nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen dem Lichtsender und dem Lichtdetektor an einer der kuppeiförmigen Fläche gegenüberliegenden Fläche des lichtdurchlässigen Körpers ein kappenförmiger Lichtreflektor angebracht ist.
- 16. Vorrichtung nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß der Lichtreflektor eine äußere Schutzhülle der Vorrichtung bildet.
- 17. Vorrichtung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß der lichtdurchlässige Körper aus einem Harzkörper besteht, der eine im wesentlichen ebene, zu den aktiven Oberflächen des Lichtsenders und des Lichtdetektors gerichtete Fläche aufweist, und daß der Lichtreflektor aus einer Schicht aus lichtreflektierendem Material besteht, die wenigstens die im wesentlichen ebene Fläche. des lichtdurchlässigen Körpers bedeckt.
- 18. Vorrichtung nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß der lichtdurchlässige Körper einen im wesentlichen rechtwinkligen Querschnitt aufweist, daß der Lichtsender und der Lichtdetektor bei einer Fläche des lichtdurchlässigen Körpers angebracht sind, die der im wesentlichen ebenen Fläche des Körpers gegenüberliegt,509849/0777und daß in dem lichtdurchlässigen Körper eine in einer Ebene liegendeAnordnung aus elektrischen Anschlußleitern ragt, die die elektrische Verbindung zu dem . Lichtsender und dem Lichtdetektor herstellt.
- 19. PhotQglektrische Kopplervorrichtung, mit einem Halbleiter-Lichtsender mit einer aktiven Oberfläche, einem Halbleiter-Lichtdetektor mit einer der aktiven Oberfläche des Lichtsenders gegenüberliegenden aktiven Oberfläche und einem lichtdurchlässigen Medium zwischen den aktiven Oberflächen des Lichtsenders und des Lichtdetektors, dadurch gekennzeichnet, daß der Lichtsender und der Lichtdetektor von einem Lichtreflektor umgeben sind, der etwa parallel zur Ausbreitungsrichtung des Lichts vom Lichtsender gegen den Lichtdetektor verläuft.
- 20. Vorrichtung nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, daß der Lichtreflektor aus einer Schicht aus lichtreflektierendem Material besteht.
- 21. Vorrichtung nach Anspruch 19,- gekennzeichnet durch ein äußeres Schutzgehäuse»509849/0777Leerseite
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR7418045A FR2272377B1 (de) | 1974-05-24 | 1974-05-24 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2522964A1 true DE2522964A1 (de) | 1975-12-04 |
Family
ID=9139218
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19752522964 Ceased DE2522964A1 (de) | 1974-05-24 | 1975-05-23 | Photoelektrische kopplervorrichtung |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4054801A (de) |
JP (1) | JPS5129939A (de) |
DE (1) | DE2522964A1 (de) |
FR (1) | FR2272377B1 (de) |
GB (1) | GB1503683A (de) |
IT (1) | IT1035833B (de) |
NL (1) | NL7506083A (de) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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DE2851951A1 (de) * | 1977-12-02 | 1979-06-07 | Gen Electric | Optoelektrischer uebertrager (optokoppler) und verfahren zu dessen herstellung |
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DE3305044A1 (de) * | 1983-02-14 | 1984-08-16 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Optokoppler |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JPS5612786A (en) * | 1979-07-12 | 1981-02-07 | Toshiba Corp | Photo coupling semiconductor device |
USRE35836E (en) * | 1979-08-09 | 1998-07-07 | C. P. Clare Corporation | Solid state optically coupled electrical power switch |
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JPS6084889A (ja) * | 1984-06-04 | 1985-05-14 | Nec Corp | 光結合装置 |
JPH01130708A (ja) * | 1987-11-17 | 1989-05-23 | Nitsukai:Kk | 無機凝集剤及び廃水の凝集方法 |
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US7847301B2 (en) * | 2004-12-08 | 2010-12-07 | Agilent Technologies, Inc. | Electronic microcircuit having internal light enhancement |
JP5381280B2 (ja) * | 2009-04-23 | 2014-01-08 | オムロン株式会社 | 光結合装置 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3192387A (en) * | 1961-03-22 | 1965-06-29 | Robert M Goodman | Electro-optical device for producing a modulated voltage |
DE1190506B (de) * | 1963-10-10 | 1965-04-08 | Siemens Ag | Optisch gesteuerte, mindestens vier Zonen von abwechselnd unterschiedlichem Leitungstyp aufweisende Schalt- oder Kippdiode |
DE1614865A1 (de) * | 1967-09-27 | 1970-12-23 | Telefunken Patent | Optoelektronische Halbleiteranordnung |
US3628128A (en) * | 1969-03-11 | 1971-12-14 | Bbc Brown Boveri & Cie | Step-switching arrangement |
US3628039A (en) * | 1969-12-29 | 1971-12-14 | Dana Lab Inc | Electromagnetic radiation wave signal transmission apparatus |
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FR2106710A5 (de) * | 1970-09-22 | 1972-05-05 | Radiotechnique Compelec | |
JPS5239730Y2 (de) * | 1971-09-30 | 1977-09-08 | ||
JPS4847265A (de) * | 1971-10-15 | 1973-07-05 | ||
US3818451A (en) * | 1972-03-15 | 1974-06-18 | Motorola Inc | Light-emitting and light-receiving logic array |
-
1974
- 1974-05-24 FR FR7418045A patent/FR2272377B1/fr not_active Expired
-
1975
- 1975-05-19 GB GB21172/75A patent/GB1503683A/en not_active Expired
- 1975-05-23 NL NL7506083A patent/NL7506083A/xx unknown
- 1975-05-23 DE DE19752522964 patent/DE2522964A1/de not_active Ceased
- 1975-05-23 JP JP6178575A patent/JPS5129939A/ja active Pending
- 1975-05-23 US US05/580,251 patent/US4054801A/en not_active Expired - Lifetime
- 1975-05-23 IT IT49739/75A patent/IT1035833B/it active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL7506083A (nl) | 1975-11-26 |
FR2272377B1 (de) | 1977-06-24 |
US4054801A (en) | 1977-10-18 |
GB1503683A (en) | 1978-03-15 |
JPS5129939A (de) | 1976-03-13 |
IT1035833B (it) | 1979-10-20 |
FR2272377A1 (de) | 1975-12-19 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8131 | Rejection |