DE2512103A1

DE2512103A1 - Verfahren und vorrichtung zur untersuchung eines objekts mittels eines strahlenbuendels

Info

Publication number: DE2512103A1
Application number: DE19752512103
Authority: DE
Inventors: Werner Dipl Phys Hartmann; Gregor Markewitz; Ulli Rettenmaier; Guenter Sprater
Original assignee: Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV
Current assignee: Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV
Priority date: 1975-03-19
Filing date: 1975-03-19
Publication date: 1976-10-14

Description

Verfahren und Vorrichtung zur Untersuchung eines Objekts mittels eines Strahlenbündels Zusatzanmeldung zur Patentanmeldung P 24 34 391.7 Die Hauptanmeldung P 24 34 391.7 betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Untersuchung eines Objekts mittels eines Strahlenbündels, das nach Wechselwirkung mit dem Objekt auf einen Leuchtschirm trifft; das Verfahren zeichnet sich dadurch aus, daß ein Leuchtschirm mit einem hohen Auflösungsvermögen verwendet wird und daß das von dem Leuchtschirm ausgehende Licht über eine Vergrößerungsoptik auf einen Bildaufnahmeschirm einer Bildverstärkerröhre mit niedrigem Auflösungsvermögen und hoher Integralempfindlichkeit gerichtet wird, wobei die Vergrößerungsoptik derart bemessen ist, daß sie das Auflösungsvermögen des Leuchtschirms dem Auflösungsvermögen des Bildaufnahmeschirms anpaßt.
Durch diese Ausgestaltung des Verfahrens wird bei direktem Nachweis der Strahlung ein hohes Auflösungsvermögen erreicht.
Hierbei kann insbesondere als Strahlenbündel ein Röntgenstrahlenbündel verwendet werden, welches durch das Objekt hindurchgeht oder vom Objekt reflektiert wird, so daß man das Verfahren und die Vorrichtung nach der Erfindung bevorzugt für die Röntgentopographie und Röntgendurchstrahlung anwenden kann. Bei diesen Untersuchungen läßt sich das Verfahren dazu benutzen, auf direktem Wege beispielsweise dynamische Untersuchungen von Strukturen unterhalb von 10 /um durchzuführen.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Untersuchung eines Objekts mittels eines Strahlenbündels, insbesondere zur Röntgentopographie zu schaffen, die sowohl ein hohes Auflösungsvermögen als auch eine hohe Empfindlichkeit hat, und daher bei hoher Auflösung insbesondere eine direkte Anzeige und/oder Betrachtung ermöglicht.
Diese Aufgabe wird mit dem Verfahren der eingangs genannten Art dadurch gelöst, daß einerseits der Abstand zwischen Objekt und Leuchtschirm so klein gewählt wird, daß das ursprüngliche Strahlenbündel (Primärstrahlenbündel) nach Durchgang durch das Objekt von einem durch Wechselwirkung mit dem Objekt hervorgerufenen sekundären Strahlenbündel (Sekundärstrahlenbündel) mit gegenüber dem Primärstrahlenbündel unterschiedlicher Richtung vom Sekundärstrahlenbündel noch, insbesondere gerade noch, getrennt werden kann, während andererseits der Abstand zwischen der das Primärstrahlenbündel aussendenden Strahlenquelle und dem Objekt so klein gewählt wird, daß die Verbreiterung der Defektorkontraste durch den kurzen Abstand zwischen dem Objekt und dem Leuchtschirm noch, insbesondere gerade noch, unter dem Auflösungsvermögen des Untersuchungssystems bleibt.
Kurz gesagt werden also die Abstände zwischen der Strahlenquelle und der Probe sowie zwischen der Probe und dem Leuchtschirm möglichst klein eingestellt. Durch den kurzen Abstand zwischen Strahlenquelle und Probe wird die Intensität erhöht, während gleichzeitig durch den kurzen Abstand zwischen der Probe und dem Leuchtschirm die Verbreiterung der Defektkontraste unter dem Auflösungsvermögen des Untersuchungssystems gehalten wird, so daß also, wie angestrebt, eine hohe Intensität der Strahlung auf dem Leuchtschirm bei gleichzeitiger hoher Auflösung erzielt wird.
Eine Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens zeichnet sich dadurch aus, daß einerseits der Abstand zwischen Objekt und Leuchtschirm so klein bemessen ist, daß das ursprüngliche Strahlenbündel (Primärstrahlenbündel) nach Durchgang durch das Objekt von einem durch Wechselwirkung mit dem Objekt hervorgerufenen sekundären Strahlenbündel (Sekundärstrahlenbündel) mit gegenüber dem Primärstrahlenbündel unterschiedlicher Richtung vom Sekundärstrahlenbündel noch, insbesondere gerade noch, getrennt werden kann, während andererseits der Abstand zwischen der das Primärstrahlenbündel aus sendenden Strahlenquelle und dem Objekt so klein gewählt wird, daß die Verbreiterung der Defektkontraste durch den kurzen Abstand zwischen dem Objekt und dem Leuchtschirm noch, insbesondere gerade noch, unter dem Auflösungsvermögen des Untersuchungssystems bleibt.
Die Erfindung ermöglicht vor allem eine ausgezeichnete Prozeßkontrolle im Bereich der Untersuchung kristalliner Festkörperproben, insbesondere eine direkte Untersuchung von: (a) Phasenumwandlungen, Diffusionsprozessen, Wärmebehandlungen, Vorgängen bei der Ionenimplantation, Abhängigkeit von Druck, elektromagnetischen Feldern, Licht und anderen Parametern; (b) der Fehlerdynamik von Kristallen; (c) der Kristallzucht und von Uberstrukturen; (d) von Prozessen beim Herstellen integrierter Schaltkreise und Bauelemente.
Die Erfindung wird nachstehend anhand eines im Prinzip in der Zeichnung dargestellten besonders bevorzugten Ausführungsbeispiels näher erläutert. Die einzige Figur der Zeichnung zeigt eine schematische Darstellung einer erfindungsgemäßen Anordnung.
Das von einer Röntgenstrahlenquelle 1 ausgehende Röntgenstrahlenbündel ist durch einen Doppelspalt 2 gerichtet, dessen Weite das Röntgenstrahlenbündel begrenzt. Das begrenzte Röntgenstrahlenbündel durchsetzt einen plattenförmigen Kristall 5, der als Probe dient, beispielsweise einen Siliziumkristall.
Die erfaßten Kristallebenen sind durch Schrägschraffur angedeutet. In seiner Plattenebene kann der Kristall 5 in Pfeilrichtung A auf einem nicht dargestellten Träger hin- und herbewegt werden. Das aus dem Kristall 5 austretende Röntgenstrahlenbündel wird einseitig durch eine Blende 8 begrenzt, die direkt von der Röntgenstrahlenquelle 1 durchtretende, also nicht an den Kristallebenen reflektierte Röntgenstrahlen auffängt. Die an den Kristallebenen reflektierten Röntgenstrahlen treffen auf einen Leuchtschrim 6. Rückseitig des Leuchtschirms 6 ist eine Vergrößerungsoptik 7 angeordnet, die den rückseitig. leuchtenden Leuchtschirm auf die Bildempfangsfläche einer Fernsehkamera 9 abbildet. Das von der Fernsehkamera 9 aufgenommene Bild ist auf dem Bildschirm 4 des Monitors zu betrachten.
Im einzelnen sind die Abstände Quelle-Kristall und Kristall-Leuchtschirm möglichst klein eingestellt. Durch den kurzen Abstand Röntgenstrahlen-Quelle-Kristall wird die Intensität erhöht, und durch den kurzen Abstand Kristall-Leuchtschrim wird die Verbreiterung der Defektkontraste durch die K'1 und Strahlung unter der Auflösung des Systems gehalten. Der Abstand Röntgenstrahlen-Quelle-Kristall wird im wesentlichen durch die Röntgenröhrenkonstruktion bestimmt (in dem Falle der Drehanodenröhre RU 500 von Rigaku Denki, Tokyo auf ca. 100 mm). Der Abstand Kristall-Leuchtschirm ist im wesentlichen durch den Abstand hinter dem Kristall bestimmt, wo das Primärstrahlbündel vom Sekundärstrahlbündel eindeutig getrennt ist. Im Falle eines Gesichtsfeldes mit horizontaler Breite von 0,5 mm erhält man einen minimalen Abstand von 3 mm, was eine Verbreiterung durch die Ks1 und Ko<2-Strahlung von ca 3 /um bedingt.
Vorzugsweise wird ein Abstrahlwinkel von z.B. 80 der Röntgenstrahlen, die von der Röntgenquelle kommen, ausgewählt, um ein möglichst großes Gesichtsfeld bei genügend kleiner Primärstrahldievergenz zu erreichen.
Der Doppelspalt kann direkt hinter das Austrittsfenster der Röntgenstrahlen (durch die Röntgenapparatur vorgesehen) gesetzt werden, um die Divergenz der Strahlung geeignet einzustellen, z.B. Öffnung des Spaltes in Horizontalrichtung 0,5 mm und in Vertikalrichtung 2 mm.
Der Kristall kann direkt hinter dem Doppelspalt in dem für i -Strahlung und den gewünschten Braggreflex geeigneten Winkel einjustiert werden.
Der kurze Abstand Röntgenstrahlen- Quelle-Kristall ermöglicht einen sehr hohen Intensitätsgewinn.
Eine Blende dicht hinter dem Kristall stoppt den Primärstrahl und läßt nur den Sekundärstrahl passieren.
Der Leuchtschirm, der Röntgenstrahlen in Licht umwandelt und eine hohe Ortsauflösung von vorzugsweise 45 /um besitzt, kann dicht hinter der Primärstrahlblende angebracht werden. Der Abstand Kristall-Leuchtschirm sollte nicht größer sein als 3 mm.
Der Sekundärstrahl beinhaltet Defektkontraste, die sowohl von als als auch von Ki2-Strahlung herrühren. Die Verbreiterung durch diesen Effekt ist, wenn man wie die Apparatur wie vorstehend angegeben, einjustiert nur 3 /um und vermindert dadurch die benötigte Auflösung nicht.
Das auf dem Leuchtschirm entstehende Bild kann durch ein vergrößerndes lichtoptisches System (optische Vergrößerung 4 fach) auf das Target einer Fernsehkamera abgebildet werden. Als Fernsehsystem kann ein solches mit z.B. einer EIC-Röhre verwendet werden.
Beispielsweise ist es mit einer erfindungsgemäßen Anordnung möglich, innerhalb von 1/25 sec, eine Zeit, die dem Abtasten eines Fernsehbildes durch den Elektronenstrahl entspricht, einen 2 Kristallausschnitt von 0,5 x 2 mm bei einer Gesamtvergrößerung von 60-fach und innerhalb dieses Ausschnittes alle Versetzungen, die der Kristall, der eine Versetzungsdichte von nicht mehr als 103 pro cm2 aufweisen sollte, in diesem Bereich hat, zu sehen; in dieser Anordnung ergeben sich keine Doppelbilder.
Insgesamt läßt sich eine bevorzugte Ausführung der Erfindung, bezogen auf Röntgenstrahlen als Untersuchungsmittel und Röntgenstrahlentopographie als Untersuchungsmethode zusammengefaßt wie folgt erläutern: Ein Röntgenstrahl, dessen Divergenz in Vertikal- und Horizontalrichtung geeignet eingestellt wird, fällt auf einen Kristall, der in einer bestimmten Bragg-Reflex-Stellung möglichst nahe (typisch 100 mm begrenzt durch Röntgenkonstruktion) an der Röntgenquelle positioniert ist. Dadurch wird eine große Intensitätssteigerung gegenüber den herkömmlichen Verfahren erreicht.
Eine Blende stoppt hinter dem Kristall den Primärstrahl, so daß nur der Sekundärstrahl auf einen Leuchtschirm, der Röntgenstrahlen in sichtbares Licht umwandelt, eine Auflösung von wenigen /um hat und möglichst nahe dem Kristall positioniert ist.
Der Sekundärstrahl beinhaltet Ks1- und K«2-Strahlung. Die Verbreiterung der Defektkontraste durch diesen Effekt ist bei geeigneter Einstellung der Systemkomponenten nur 3 /um, so daß er die Auflösung nicht beeinträchtigt, sondern auch noch zur Erhöhung der Intensität beiträgt. Das auf dem Leuchtschirm entstehende Bild wird durch eine vergrößernde Lichtoptik, um die wesentlich schlechtere Auflösung der Fernsehkamera zu umgehen, auf das Target der Fernsehkamera abgebildet.
Hinsichtlich des Standes der Technik sei im Vergleich zur Erfindung bemerkt, daß üblicherweise der Abstand Strahlungs-Quelle-Kristall bei der Langtechnik durch die Höhe des Kristalls bedingt ist, da man die Vertikalrichtung des Kristalls auf einmal mit der richtigen Strahlendivergenz ausleuchten will.
Bei einem Si-Kristall mit etwa 5 cm Durchmesser ist dabei der Abstand ungefähr 700 mm. In dieser Entfernung kann man die Röntgenquelle als Punktquelle betrachten und deswegen kommen im Primärstrahl keine sich überschneidenden Strahlen vor. Infolgedessen kann man vom Kristall aus gesehen annehmen, daß der eine Strahl mit einer gewissen Umgebung die Bragg-Bedingung für K 1-Strahlung erfüllt und der zweite die für Ks2-Strahlungw Beide Bilder von den verschiedenen Kristallregionen müssen nun exact getrennt sein, damit keine Uberlappungen und Doppelbilder von Defekten vorkommen. Beim normalen Filmnachweis wird nun der Spalt vor dem Kristall zugezogen, daß die Strahlendivergenz nur Kx1-Strahlung zur Reflexion gelangen läßt.
Bei dem nach der Erfindung beispielsweise vorgesehenen Abstand von ca. 150 mm muß man die Röntgenquelle als Flächenquelle betrachten, d.h. man hat immer die Bedingung, daß an jedem Punkt des Kristalls gleichzeitig Ks1- und Kx2-Strahlen zur Refelxion kommen, was natürlich zu einer Verbreiterung der Defektkontraste auf dem Leuchtschirm führt. Wählt man aber die Spaltbreite und den Abstand zwischen Kristall und Leuchtschirm genügend klein, z.B. eine Spaltbreite von 0,3 - 0,4 mm vor dem Kristall und einen Abstand von 3 mm zwischen Kristall und Leuchtschirm, dann ist die Defektverbreiterung nur ca. 2 /um und beeinträchtigt die Auflösung nur unwesentlich.
Es wurde mit der Erfindung beispielsweise ein Topograrnm einer 0,5 mm dicken Si-Scheibe mit 5 cm Durchmesser erzielt.
Es wurde Mo Kk -Strahlung und der (220) Reflex benutzt. Von diesem Kristall konnten Ausschnitte von 0,3 mm Breite und 1,5 mm Höhe direkt sichtbar gemacht werden.
Zusammenfassend kann man sagen, es ist gelungen, eine Topographieapparatur zu entwickeln, die in einem Bildausschnitt von 0,3 - 0,5 mm Breite und 1,5 - 5 mm Höhe mit der nötigen räumlichen Auflösung alle Kristalldefekte mit einer Zeitauflösung von 40 msec, was der Abtastzeit eines Fernsehbildes entspricht, wiederzugeben. Damit sind die Voraussetzungen für dynamische Beobachtungen von Gitterdefekten gegeben.

Claims

Patentansprüche

Verfahren zur Untersuchung eines Objekts mittels eines Strahlenbündels, das nach Wechselwirkung mit dem Objekt auf einen Leuchtschirm trifft, bei dem nach Patentanmeldung P 24 34 391.7 , ein Leuchtschirm mit einem hohen Auflösungsvermögen verwendet wird und das von dem Leuchtschirm ausgehende Licht über eine Vergrößerungsoptik auf einen Bildaufnahmeschirm einer Bildverstärkerröhre mit niedrigerem Auflösungsvermögen und hoher Integralempfindlichkeit gerichtet wird, wobei die Vergrößerungsoptik derart bemessen ist, daß sie das Auflösungsvermögen des Leuchtschirms dem Auflösungsvermögen des Bildaufnahmeschirms anpaßt, da d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß einerseits der Abstand zwischen Objekt und Leuchtschirm so klein gewählt wird, daß das ursprüngliche Strahlenbündel (Primärstrahlenbündel) nach Durchgang durch das Objekt von einem durch Wechselwirkung mit dem Objekt hervorgerufenen sekundären Strahlenbündel (Sekundärstrahlenbündel) mit gegenüber dem Primärstrahlenbündel unterschiedlicher Richtung vom Sekundärstrahlenbündel noch, insbesondere gerade noch, getrennt werden kann, während andererseits der Abstand zwischen der das Primärstrahlenbündel aussendenden Strahlenquelle und dem Objekt so klein gewählt wird, daß die Verbreiterung der Defektkontraste durch den kurzen Abstand zwischen dem Objekt und dem Leuchtschirm noch, insbesondere gerade noch, unter dem Auflösungsvermögen des Untersuchungssystems bleibt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n nz e i c h n e t, daß das Primärstrahlenbündel nach Durchgang durch das-Objekt ausgeblendet wird, während man das Sekundärstrahlenbündel auf den Leuchtschirm fallen läßt.
3. Verfahren nach Anspruch 2, d a d u r c h g e k e n nz e i c h n e t, daß das Primärstrahlenbündel unmittelbar hinter dem Objekt ausgeblendet wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder 3, d a d u r c h g e -k e n n z e i c h n e t, daß das Primärstrahlenbündel zur Einstellung seiner Divergenz vor Auftreffen auf das Objekt durch einen Spalt, geschickt wird.
5. Verfahren nach Anspruch 4, d a d u r c h g e k e n nz ei c h n e t, daß das Primärstrahlenbündel zur Einstellung seiner Divergenz vor Auftreffen auf das Objekt durch einen Doppelspalt geschickt wird.
6. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, d a d u r c h g e -k e n n z e i c h n e t, daß der Spalt bzw. der Doppelspalt direkt hinter dem Austrittsfenster der Strahlenquelle angeordnet wird.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 - 6, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß als Strahlung Röntgenstrahlen verwendet werden.
8. Verfahren nach Anspruch 7, d a d u r c h g e k e n nz e i c h n e t, daß als Objekt ein Kristall verwendet wird.
9. Verfahren nacll Anspruch 7 und 8, d a d u r c h g e -k e n n z e i c h n e t, daß der Abstand zwischen dem Kristall und Leuchtschirm so klein gewählt wird, daß die Verbreiterung der Defektkontraste durch die Ki1- und die K>2-Strahlung noch, insbesondere gerade noch, unter dem Auflösungsvermögen des Systems bleibt, wobei der Abstand zwischen der Strahlenquelle und dem Kristall so gewählt wird, daß diese durch den kleinstmöglichen Abstand zwischen Strahlenquelle und Kristall, bei dem die Trennung von Primär-und Sekundärstrahlenbündel noch erzielbar ist, bestimmte Kompensation der Verbreiterung der Defektkontraste noch, insbesondere gerade noch, durchführbar ist.
10. Verfahren nach Anspruch 9, d a d u r c h g e k e n nz e i c h n e t, daß man einen solchen Abstrahlwinkel der Röntgenstrahlen verwendet, bei dem sich ein möglichst großes Gesichtsfeld bei genügend kleiner Primärstrahldivergenz ergibt.
11. Verfahren nach Anspruch 10, d a d u r c h g e k e n nz e i c h n e t, daß der Abstrahlwinkel im Bereich von bis 100, vorzugsweise in der Größe von 80 gewählt wird.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 - 11, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß der Kristall direkt hinter dem Doppelspalt in dem für Ke1°-Strahlung und dem jeweils vorgesehenen Braggreflex geeigneten Winkel einjustiert wird.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 - 12, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß ein Leuchtschirm mit einem Auflösungsvermögen von 1C 5 /um verwendet wird.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 - 13, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß der Leuchtschirm dicht hinter der Blende angebracht wird, welche das Primärstrahlenbündel ausblendet.
15. Verfahren nach Anspruch 14, d a d u r c h g e k e n nz e i c h n e t, daß der Abstand zwischen dem Leuchtschirm und dem Kristall ' 3 mm gewählt wird.
16. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 - 15, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß die Verbreiterung der Defektkonstraste, insbesondere bei K<1~ und kr Koc2-Strahlung auf höchstens 3 /um begrenzt wird.
17. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 16, d a d u r c h g e k e n n z e i c hn e t, daß einerseits der Abstand zwischen Objakt (5) und Leuchtschirm (6) so klein bemessen ist, daß das ursprüngliche Strahlenbündel (Primärstrahlenbündel) nach Durchgang durch das Objekt von einem durch Wechselwirkung mit dem Objekt hervorgerufenen sekundären Strahlenbündel (Sekundärstrahlenbündel) mit gegenüber dem Primärstrahlenbündel unterschiedlicher Richtung vom Sekundärstrahlenbündel noch, insbesondere gerade noch, getrennt werden kann, während andererseits der Abstand zwischen der das Primärstrahlenbündel aussendenden Strahlenquelle (1) und dem Objekt (5) so klein gewählt wird, daß die Verbreiterung der Defektkontraste durch den kurzen Abstand zwischen dem Objekt und dem Leuchtschirm noch, insbesondere gerade noch, unter dem Auflösungsvermögen des Untersuchungssystems bleibt.
18. Vorrichtung nach Anspruch 17, d a d u r c h g e k e n nz e i c h n e t, daß eine Blende (8) vorgesehen ist, welche das Primärstrahlenbündel nach Durchgang durch das Objekt (5) ausblendet, dagegen das Sekundärstrahlenbündel auf den Leuchtschirm (6) auftreffen läßt.
19. Vorrichtung nach Anspruch 18, d a d u r c h g e k e n nz e i c h n e t, daß die Blende (8) dicht bzw. unmittelbar hinter dem Objekt (5) angeordnet ist.
20. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 17 bis 19, da d u r ch g e k e n n z e i c h n e t, daß zwischen der Strahlenquelle (1) und dem Objekt (5) ein Spalt (2) zur Einstellung der Divergenz des Primärstrahlenbündels vor dessen Auftreffen auf das Objekt angeordnet ist.
21. Vorrichtung nach Anspruch 20, d a d u r c h g e k e n nz e i c h n e t, daß der Spalt (5) als Doppelspalt ausgebildet ist.
22. Vorrichtung nach Anspruch 20 oder 21, d a d u r c h g e -k e n n z e i c h n e t, daß der Spalt bzw. der Doppelspalt (5) direkt hinter dem Austrittsfenster der Strahlenquelle (1) angeordnet ist.
23. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 17 bis 22, g e k e n nz e i c h n e t du r c h eine Röntgenstrahlenquelle (1) als Strahlungsquelle.
24. Vorrichtung nach Anspruch 23, g e k e n n z e i c h n e t d u r c h einen Kristall (5) als Objekt.
25. Vorrichtung nach Anspruch 23 und 24, d a d u r c h g e -k e n n z e i c h n e t, daß der Abstand zwischen dem Kristall (5) und dem Leuchtschirm (6) so klein bemessen ist, daß die Verbreiterung der Defektkontraste durch die K An fluid die KoC 2-Strahlung noch, insbesondere gerade noch, unter dem Auflösungsvermögen des Systems bleibt, wobei der Abstand zwischen der Strahlenquelle (1) und dem Kristall (5) so bemessen ist, daß diese durch den kleinstmöglichen Abstand zwischen der Strahlenquelle und dem Kristall, bei dem die Trennung von Primär- und Sekundär strahlenbündel noch erzielbar ist, bestimmte Kompensation der Verbreiterung der Defektkontraste noch, insbesondere gerade noch, durchführbar ist.
26. Vorrichtung nach Anspruch 25, d a d u r c h g e k e n nz e i c h n e t, daß der Abstrahlwinkel der Röntgenstrahlen von der Röntgenstrahlenquelle (1) derart bemessen ist, daß sich ein möglichst großes Gesichtsfeld bei genügend kleiner Primärstrahldivergenz ergibt.
27. Vorrichtung nach Anspruch 26, d a d u r c h g e k e n nz e i c h n e t, daß der Abstrahlwinkel innerhalb des Bereiches von 5° bis 100, vorzugsweise bei 80, liegt.
28. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 24 - 27, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß der Kristall (5) direkt hinter dem Doppelspalt (2) in dem für Km°1-Strahlung dem jeweils vorgesehenen Braggreflex geeigneten Winkel angeordnet ist.
29. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 23 - 28, g e k e n nz e i c h n e t d u r c h einen Leuchtschirm (6) mit einem Auflösungsvermögen von kleiner 5 /um.
30. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 23 - 29, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß der Leuchtschirm (6) dicht hinter der Blende (8) angebracht ist, welches das Primärstrahlenbündel ausblendet.
31. Vorrichtung nach Anspruch 30, d a d u r c h g e k e n nz e i c h n e t, daß der Abstand zwischen dem Leuchtschirm (6) und dem Kristall (5) L 3 mm beträgt.
32. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 24 - 31, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß die Abstände so bemessen sind, daß die Verbreiterung der Defektkontraste, insbesondere bei Kd,l und Kd2-Strahlung auf höchstens 3 /um begrenzt ist.