DE2511059A1 - Verfahren und vorrichtung zur uebertragung von halbleiterplaettchen von einer traegerscheibe auf ein substrat - Google Patents

Verfahren und vorrichtung zur uebertragung von halbleiterplaettchen von einer traegerscheibe auf ein substrat

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Description

Pat ε ν τ α nvä lt e
Dipl.-Ing. F. Weickmann, 2511059
Dipl.-Ing. H. Weickmann, Dipl.-Phys. Dr. K.Fincke Dipl.-Ing. F. A.WEICKMANN, Dipl.-Chem. B. Huber
8 MÜNCHEN 86, DEN
POSTFACH 860 820
MÖHLSTRASSE 22, RUFNUMMER 98 3921/22
P. R. Mallory & Co. Inc.
3029 East Washington Street
Indianapolis, Indiana 46206
U. S. A.
Verfahren und Vorrichtung zur Übertragung von Halbleiterplättchen von einer Trägerscheibe auf ein Substrat
Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Übertragung von Halbleiterplättchen von einer Trägerscheibe auf ein Substrat zu deren Verbindung mit dem Substrat.
Mit einem Verfahren nach der Erfindung ist es möglich, durch Strahleinwirkung zerteilte Halbleiterplättchen von ihrer Trägerscheibe abzunehmen und sie beispielsweise auf einem Schaltungsträger zu befestigen. Auf der Trägerscheibe sind eine Vielzahl von Halbleiterplättchen in einer dichten Matrix angeordnet, und sie müssen individuell aus dieser dichten Matrix herausgenommen werden. Hierzu kann ein Unterdruck auf das jeweilige Halbleiterplättchen zur Einwirkung gebracht werden, nachdem die dichte Matrix gestreckt wurde. Dadurch wird das jeweilige Halbleiterplättchen aus der gestreckten Matrix herausgenommen. Die Erfin-
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dung ermöglicht es nun, auf das Strecken der dichten Matrix zu verzichten, indem eine erwärmte Hülse, in der in einer Bohrung eine mit einem Unterdruck: verbindbare Rohrleitung verschiebbar gehalten ist, auf ein Halbleiterplättchen ausgerichtet wird, die Rohrleitung zur Einwirkung auf das Halbleiterplättchen über ein Ende der Hülse hinausgeschoben und mit dem Unterdruck verbunden wird, das infolge des Unterdrucks am Ende der Rohrleitung haftende Halbleiterplättchen auf das Substrat übertragen wird, die Rohrleitung in der Hülse zur Haltung des Halbleiterplättchens am Hülsenende zurückgezogen wird und. das Halbleiterplättchen mit dem Substrat verbunden wird.
Strahlengeführte bzw. strahlgeteilte Halbleiterplättchen werden normalerweise auf einer Trägerscheibe erzeugt, auf der sie in einer dichten Matrix gewachsen sind. Jedes Plättchen kann dann individuell mittels einer sehr schmalen Röhre durch Einwirkung eines Unterdrucks gewonnen werden und wird dann auf einer mit Silikon beschichteten Lagerplatte in einer weniger dichten oder gestreckten Matrix angeordnet. Von dieser Lagerplatte können individuelle Halbleiterplättchen mit einem Befestigungswerkzeug abgenommen und auf einem Schaltungsträger befestigt werden.
Der Hauptzweck der Übertragung der Halbleiterplättchen in eine gestreckte Matrix besteht darin, die Plättchen für ein relativ großes Befestigungswerkzeug zugänglich zu machen und ein einziges Plättchen ohne Störung der benachbarten Plättchen abzunehmen. Da dies ein sehr zeitraubender und kostspieliger Schritt ist, soll er vermieden werden.
Die Erfindung bietet hierzu das vorstehend beschriebene Verfahren der Übertragung solcher Halbleiterplättchen aus einer festen Matrix unmittelbar auf ein Substrat, auf dem sie befestigt werden können. Zur Erfindung gehört auch die Verbindung eines Halbleiterplättchens mit dem Substrat durch thermische Kompression. Außerdem sieht die Erfindung eine Vorrichtung zur Durchführung des
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Verfahrens vor, die in einer Kombination eines Aufnahme- und eines Befestigungswerkzeuges besteht. Ein solches Werkzeug enthält eine in einer Hülse verschiebbar geführte Rohrleitung, wobei die Hülse als Befestigungswerkzeug und die Rohrleitung als Abnahmewerkzeug dient.
Die Erfindung wird im folgenden anhand in den Fig. dargestellter Ausführungsbeispiele beschrieben. Es zeigen:
Fig. 1 eine Draufsicht auf eine Trägerscheibe, auf der eine Vielzahl Halbleiterplättchen angeordnet sind,
Fig. 2 einen Querschnitt eines Kombinationswerkzeuges zur Durchführung der Erfindung und
Fig. 3 einen vergrößerten Querschnitt eines Teils der in Fig. 2 gezeigten Vorrichtung zusammen mit einem Halbleiterplättchen und zugehörigem Substrat, auf dem es zu befestigen ist.
In Fig. 1 sind eine Vielzahl Plättchen 10, beispielsweise Transistoren, auf einer Trägerscheibe dargestellt. Diese Plättchen werden üblicherweise auf der Trägerscheibe 12 in einer dichten gewachsenen Matrix gebildet und können mit einem Strahlenverfahren zerteilt werden. Die individuellen Plättchen wurden bisher anschließend auf eine mit Silicon beschichtete Lagerplatte in Form einer "gestreckten" Matrix übertragen, wonach sie zur Lagerung gereinigt wurden. Die individuellen Plättchen können hierzu mit einem sehr schmalen Unterdruckwerkzeug von der Trägerscheibe abgenommen werden. Dann wird ein größeres Befestigungswerkzeug zur Abnahme eines jeweiligen Plättchens von der gestreckten Matrix und zur Befestigung auf einem Schaltungsträger verwendet.
Durch die Erfindung ist es möglich, auf den kostspieligen Schritt der Übertragung einzelner Plättchen in eine "gestiedcte" Matrix zu verzichten. Hierzu ist ein kombiniertes, mit Unterdruck arbeitendes Aufnahme- und Befestigungswerkzeug vorgesehen,
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mit dem die einzelnen Plättchen 10 von der Trägerscheibe 12 ohne Störung eines jeweils benachbarten Plättchens abgenommen und direkt auf einem Substrat, wie z. B. einem Schaltungsträger befestigt werden können. In Fig. 2 und 3 ist ein derartiges Werkzeug 20 dargestellt. Es umfaßt hauptsächlich einen Halter 22, in dem eine Hülse 24 geführt ist, sowie eine Rohrleitung 26, die in axialer Richtung innerhalb der Bohrung 28 der Hülse 24 verschiebbar ist. Die Rohrleitung 26 ist mittels einer Schraubenfeder JO vorgespannt, sie kann mittels eines (nicht dargestellten) Hebels oder Kolbens in axialer Richtung verschoben werden. Die Hülse 24 ist innerhalb des Halters 22 mittels einer Einstellschraube 32 einstellbar. Sie wird, in einer Heizvorrichtung 34, wie z. B. einer Heizspirale 36 aufgeheizt. Ein Teil-Unterdruck wird durch die Bohrung 38 der Rohrleitung hindurch mittels einer Unterdruckpumpe 39 erzeugt, die über eine Leitung 42 an die Bohrung -44 des Halters 22 angeschlossen ist. Somit wirkt der Unterdruck auch auf die Bohrung 38 ein.
Beim Betrieb dieser Vorrichtung wird das kombinierte Aufnahme- und Befestigungswerkzeug auf einem Einzelplättchen 10 angeordnet und auf dieses abgesenkt. Die Rohrleitung 26 wird soweit abwärts bewegt, bis sie das Plättchen berührt, und es wird dann ein Teilvakuum erzeugt, um das Plättchen aus der dichten Matrix zu erhalten und es an dem Ende der Rohrleitung festzuhalten.
Das kombinierte Werkzeug wird dann auf einem Schaltungsträger 40 · angeordnet, der mit elektrischen Leiterbahnen 42 versehen ist (Fig. 3)· Die Rohrleitung 26 wird über dem Schaltungsträger zentriert und so abgesenkt, daß das Halbleiterplättchen 10 auf die Leiterbahnen 42 gelangt. Dann wird, die Rohrleitung 26 in die Hülse 24 gegen den Druck der Feder 30 zurückgezogen, bis das Halbleiterplättchen die Hülse berührt. Mittels der Spirale 36 wird die Hülse dann erwärmt, um das Halbleiterplättchen mit den Leiterbahnen durch thermische Kompression zu verbinden.
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Claims (6)

  1. Patentansprüche
    Verfahren zur Übertragung von Halbleiterplättchen von einer Trägerscheibe auf ein Substrat zu deren Verbindung mit dem Substrat, dadurch gekennzeichnet, daß eine erwärmte Hülse, in der in einer Bohrung eine mit einem Unterdruck verbindbare Rohrleitung verschiebbar gehalten ist, auf ein Halbleiterplättchen ausgerichtet wird, daß die Rohrleitung zur Einwirkung auf das Halbleiterplättchen über ein Ende der Hülse hinausgeschoben und mit dem Unterdruck verbunden wird, daß das infolge .des Unterdrucks am Ende der Rohrleitung haftende Halbleiterplättchen auf das Substrat übertragen wird, daß die Rohrleitung in der Hülse zur Haltung des Halbleiterplättchens am Hülsenende zurückgezogen wird, und daß das Halbleiterplättchen mif dem Substrat verbunden wird.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Substrat ein Schaltungsträger mit elektrischen Leiterbahnen verwendet wird, auf die das Halbleiterplättchen ausgerichtet wird.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleiterplättchen auf dem Substrat durch Wärme- und Druckeinwirkung befestigt wird.
  4. 4. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 3, gekennzeichnet durch einen Halter (22) für · eine Hülse (24), in der eine Rohrleitung (26) verschiebbar geführt ist, und durch eine Vorrichtung (39, 42) zur Erzeugung eines Unterdrucks in der Rohrleitung (26).
  5. 5. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung (39, 42) zur Erzeugung des Unterdrucks über den
    ' Halter (22) mit der Rohrleitung (26) verbunden ist.
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  6. 6. Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Hülse (24) mit einer Heizvorrichtung (36) versehen ist.
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DE19752511059 1974-03-13 1975-03-13 Verfahren und vorrichtung zur uebertragung von halbleiterplaettchen von einer traegerscheibe auf ein substrat Withdrawn DE2511059A1 (de)

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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5727144Y2 (de) * 1976-09-10 1982-06-14
DE3319339A1 (de) * 1982-05-31 1983-12-29 Sharp K.K., Osaka Treiberanordnung fuer eine x-y-elektrodenmatrix
US4828162A (en) * 1988-02-29 1989-05-09 Hughes Aircraft Company Moving jaw reflow soldering head
US4835847A (en) * 1988-04-20 1989-06-06 International Business Machines Corp. Method and apparatus for mounting a flexible film electronic device carrier on a substrate
US5113581A (en) * 1989-12-19 1992-05-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Outer lead bonding head and method of bonding outer lead
JP3013480B2 (ja) * 1991-03-12 2000-02-28 安藤電気株式会社 Ｉｃソケットのｉｃコンタクト機構
US5249450A (en) * 1992-06-15 1993-10-05 Micron Technology, Inc. Probehead for ultrasonic forging

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3486223A (en) * 1967-04-27 1969-12-30 Philco Ford Corp Solder bonding
US3575333A (en) * 1968-11-21 1971-04-20 Kulicke & Soffa Ind Inc Beam-lead bonding apparatus
US3617682A (en) * 1969-06-23 1971-11-02 Gen Electric Semiconductor chip bonder
US3695501A (en) * 1970-05-21 1972-10-03 Automated Equipment Corp Die bonder apparatus
US3699640A (en) * 1970-12-01 1972-10-24 Western Electric Co Compliant bonding
US3742181A (en) * 1971-02-25 1973-06-26 Argus Eng Co Method and apparatus for heatbonding in a local area using combined heating techniques

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Publication number Publication date
FR2264395A1 (de) 1975-10-10
CA1020289A (en) 1977-11-01
FR2264395B3 (de) 1978-07-21
JPS50123271A (de) 1975-09-27
US3883945A (en) 1975-05-20

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