DE3319339A1 - Treiberanordnung fuer eine x-y-elektrodenmatrix - Google Patents

Treiberanordnung fuer eine x-y-elektrodenmatrix

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Description

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TER MEER -MÜLLER · STEIN W El STEP? *·-' äharp*K.K. - 2064-GER-H
BESCHREIBUNG
Die Erfindung betrifft eine Treiberanordnung für eine x-y-Elektrodenmatrix gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1 und ein Verfahren zum Herstellen einer Treiberanordnung.
Wenn Anzeigevorrichtungen mit einer x-y-Elektrodenmatrlx, wie zum Beispiel Dünnfilm-Elektrolumineszenzanzeigen betrieben werden, bedarf es dazu einer Anzahl von Treiberschaltungen. Bei einer Anzeige mit zum Beispiel 240 zellenförmig angeordneten x-Elektroden und 320 spaltenförmige angeordneten y-Elektroden sind 560 Treiberschaltungen erforderlich. Es sind bereits verschiedene Vorschläge gemacht worden, um eine so große Anzahl von Elektroden und Treiberschaltungen geeignet anzuordnen.
In Fig. 1 ist die Ansteuerung für eine bekannte Dünnfilm-Elektrolumineszenzanzeige als Blockdiagramm dargestellt.
Die Anzeigevorrichtung 1 weist y-Treiber 2 für die y-Elektroden und x-Treiber 3 für die x-Elektroden auf. Weiterhin sind logische Schaltungen, wie Serlell-Parallel-Umsetzer 6 und 7, eine Speicherschaltung 5 und eine Torschaltung 4 vorhanden. Darüberhinaus besteht eine größere Anzahl von Verdrahtungen, um die logischen Schaltelemente untereinander und diese mit den Elektroden zu verbinden.
Darüberhinaus sind noch mehrere Verbindungen für die Datenübertragung von Datenschaltungen 8 und 9 und einer Steuerschaltung zu den Seriell-Parallel-Umsetzern 6 bzw. 7 erforderlich. Die Verbindung zwischen den logischen Schaltelementen erfolgt durch eine integrierte Schaltung,, da die logischen Schaltelemente auf einem Substrat, wie zum Bei-. spiel einem Keramiksubstrat, ausgebildet sind.
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In der Treiberschaltung sind eine Mehrzahl von Hochspannungs-Treiber transistoren 11 vorhanden, deren jeweiliger Drain jeweils mit der Kathode einer Mehrzahl von Dioden verbunden 1st, wie dies in Pig. 2 dargestellt ist. Von der Verbindungsleitung zwischen dem jeweiligen Drain und der jeweiligen Kathode wird eine Hochspannung abgegeben. Die Elektrodentreiberschaltung weist zum Beispiel eine integrierte Hochspannungsschaltung 15 mit den Hochspannungstransistoren 11 und eine Treiber-Hochspannungsdiodenanordnung 14 auf. Zwischen diesen Teilen sind Verbindungen hergestellt. Es entsteht dadurch eine Treiberschaltung in Hybridtechnik, bei der jeweils Anschlüsse der integrierten Transistorschaltung und der Diodenanordnung paarweise miteinander verbunden sind. Die Teile und die Verbindungen befinden sich auf einem Substrat.
Bei einer solchen hybriden Treiberanordnung sind also komplexe Schaltungen auf demselben Substrat angeordnet, welches Substrat wiederum auf einer Trägerplatte wie einer flexiblen Leiterplatte oder dergleichen angeordnet ist. Die Zahl der Ausgangs leitungen entspricht der Zahl der Matrixelektroden.
Die Verbindung unter den Hochspanrmngstransistoren und unter den Treiberdioden erfolgt über Dickfilme. Zwischen den Transistoren und den Dioden ist eine große Anzahl von Verbindungen erforderlich. Darüberhinaus ist der Wirkungsgrad bei der Herstellung gering und die Herstellung damit teuer, da es schwierig ist, die hohe Dichte kleiner Verbindungsleitungen zu erzielen. Darüberhinaus ist es erforderlich, zwischen der Diodenanordnung und der Transistoranordnung einen Platz für die Verdrahtung freizuhalten.
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Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Treiberanordnung der eingangs genannten Art anzugeben, die mit geringerem Verdrahtungsaufwand als bisher herstellbar ist. Die erfindungsgemäße Lösung für die Anordnung ist im Anspruch 1 und für das Herstellverfahren in Anspruch 5 kurzgefaßt wiedergegeben. Die Anordnung zeichnet sich dadurch ans, daß erste Schaltelemente, wie zum Beispiel eine Transistoranordnung, auf der einen Seite des Substrates und zweite Schaltelemente, wie zum Beispiel Diodenanordnungen, symmetrisch zu den ersten Schaltelementen auf der gegenüberliegenden Seite des Substrates angeordnet sind. ! Die Verbindung erfolgt durch Durchgangslöcher im Substrat. Dadurch ergibt sich ein kompakter Aufbau der Anordnung und die Verbindungen lassen sich äußerst einfach, zuverlässig und billig herstellen.
Bei der Herstellung werden die ersten und die zweiten Schaltelemente zunächst auf den beiden Seiten des Substrates angeordnet, angepreßt, aufgeheizt und dann gemeinsam verlötet. So lassen sich in einem Arbeitsschritt die Verbindungen zwischen den Schaltelementen, also zum Beispiel den Transistoren und den strombegrenzenden Dioden, sowie den Anschlußleitungen für die Elektroden herstellen. Sind mehrere gleichartige erste Schaltelemente bzw. zweite Schaltelemente nebeneinander jeweils auf einer Seite des Substrates anzuordnen, so erfolgt eine paarweise Anordnung nach der anderen, wobei zwischendurch das Substrat weitertransportiert wird.
Von besonderem Vorteil ist es, wenn das verwendete Substrat zugleich die flexible Leiterplatte zum Anschließen der Elektroden ist.
Die Erfindung wird im folgenden anhand von Figuren näher erläutert.
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- 6 Es zeigen:
Pig. 1 ein Blockdiagramm einer bekannten Ansteuerschaltung zum Beispiel für eine Dünnfilm-Elektrolumineszenzanzeige;
Fig. 2 einen Teil einer Elektroden-Treiberschaltung
gemäß einer erfindungsgemäßen Ausführungsform;
Fig. 3 einen Teilschnitt durch eine erfindungsgemäße Treiberanordnung;
Fig. 4 eine Schnittansicht des inneren Aufbaus eines Schaltelementes gemäß der vorliegenden Er
findung;
Fig. 5 eine erfindungsgemäße Herstellvorrichtung;
Fig. 6 ein Diagramm über die Beziehung zwischen der Temperatur einer Heizpatronenspitze und der Masse einer erzielten Löthaut; und
Fig. 7 ein Diagramm des Temperaturverlaufs an den
Spitzen einer oberen und einer unteren Heizpatrone während einem kontinuierlichen Fertigungsprozeß.
In Fig. 2 ist teilweise eine Treiberanordnung für eine x-y-Elektrodenmatrix dargestellt. Eine Gruppe von x-y-Matrixelektroden für eine Dünnfilm-Elektrolumineszenzanzelge 1 ist mit Hochspannungs-Treibertransistoren 11 und Hochspannungsdioden 12 jeweils verbunden. Die Zahl der Hochspannungstransistoren 11 und der Hochspannungs-
TER MEER -MÜLLER · STeiNMEISTBFi* ·*** '-"Snarp Κ.Κ· - 2064-GER-H
Treiberdioden 12 entspricht der Zahl der Elektroden. Die Transistoren 11 sind innerhalb einer Transistorenanordnung ι und die Dioden 12 innerhalb einer Diodenanordnung 14 integriert. Die Transistoren 11 sind mit den Dioden 12 jeweils verbunden, und die Verblndungsleiturig ist an die Elektroden angeschlossen.
Jeder der Transistoren 11 gibt eine Treiberspannung an die zugehörige Elektrode. Jede Diode 12 dient dazu, eine Strombegrenzung für die Dünnfilm-Elektrolumineszenzelemente durchzuführen. Für jede Elektrode liegen ein Transistor 11 und eine Diode 12 vor.
Bei einer Ausführungsform einer anmeldegemäßen Anordnung \ liegen Leitungen 22 auf beiden Seiten eines flexiblen Substrates 21, zum Beispiel aus einem organischen Film, vor.
Die Leitungen 22 auf den beiden Seiten des Substrates 21 sind elektrisch über Durchgangslöcher 23 miteinander verbunden. Die Leitungen 2? dienen dazu, die Elektroden zum Beispiel einer x-y-Matrix anzuschließen. Ein Transistorgehäuse 24 beinhaltet eine Transistoranordnung 13 einer integrierten Treiberschaltung mit Transistoren 11, wie sie in Fig. 2 dargestellt sind. Diese Transistoren sind an die Leitungen 22 auf einer Seite des Substrates 21 angeschlossen. Ein Diodengehäuse 25 beinhaltet eine Diodenanordnung 24 mit integrierten Dioden 12. Diese sind an die Leitungen 22 auf der anderen Seite des Substrates 21 angeschlossen. Das Transistorgehäuse 24 und das Diodengehäuse 25 bestehen zum Beispiel aus Harzguß, um eine ähnliche Form zu erzielen. Die beiden Gehäuse sind jeweils in symmetrischer Position zu beiden Selten des Substrates 21 angeordnet.
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In Fig. 4 ist der innere Aufbau der Gehäuse 24 und 25 dargestellt. Eine Transistoranordnung mit zum Beispiel integrierten Hochspannungs-MOS-Transistoren und Schaltelemente JiI, wie zum Beispiel Hochspannungsdioden, sind auf einem Rahmen 32 angeordnet. Der Rahmen 32 ist von einem Harzguß umgeben. Anschlüsse 34 ragen nach rechts und links aus dem Sahaltungsteil 31 heraus. Die Enden der Anschlüsse 34 im Harzguß 33 sind mit den Schaltungsteilen 31 Über Leitungen 35 verbunden.
Die Gehäuse 24 und 25 sind mit dem Substrat 21 zürn Beispiel über eine Pließlötung verbunden. Sie sind symmetrisch zu beiden Seiten des Substrates 21 angeordnet und über Leitungen 22 angeschlossen. Bei der Herstellung werden die Gehäuse zeitweilig durch die Anschlüsse 34 gehalten. Das Substrat 21 mit den so angeordneten Gehäusen wird in die Heißpreßvorrichtung gemäß Fig. 5 eingesetzt. Dabei werden die Anschlüsse 34 mit den Leitungen 22 des Substrates 21 verbunden, und das so bearbeitete Substrat wird dann weitertransportiert. Die Heißpresse gemäß Fig. 5 weist bewegliche obere und untere Träger 41 mit Heizabschnitten 44 mit Heizern 43 auf, die über Wärmeisolatoren 42 jeweils innen zwischen den sich einander gegenüberstehenden Trägern 41 angeordnet sind. Heizpatronen 45 befinden sich auf den Heizteilen 44.
Wenn sich der Abstand zwischen den Trägerplatten 41 verringert, werden die zwischen die Heizpatronen 45 eingeklemmten Anschlüsse 34 auf dem Substrat 21 gleichzeitig von beiden Seiten durch VorsprUnge 46 der Heizpatronen 45 angedrückt. Wenn in dieser Position die Heizer 43 erwärmt werden, wird ihre Wärme auf die Anschlüsse 34 durch die Heizpatronen 45 übertragen, wodurch eine zunächst auf den Leitungen 22 aufgetragene Lötschicht geschmolzen wird. Wenn
TER MEER · MÜLLER · STEINMEISTER '-* SHnrp-K. K. - 2064-GER-H
danach die Temperatur der Leitungen 34 wieder abgesenkt wird, wird die Lötschicht hart und die Leitungen 34 sind somit mit den Substratleitungen 22 verbunden. Die Form der Heizpatronen 45 entspricht vorteilhafterweise der Form der Anschlüsse 34. Wenn die Anschlüsse 34 so befestigt sind und das Substrat 21 weltertransportiert ist, werden die Anschlüsse 34 benachbarter neuer Gehäuse 24 und 25 mit den Substratleitungen 22 durch Wiederholen des beschriebenen Prozesses befestigt.
Die Gehäuse 24 und 25 sind so auf den beiden Seiten eines Substrates 21 angeordnet. In der Ansicht gemäß Fig. 3 erstrecken sich die Anschlüsse der Gehäuse 24 und 25 nach links und rechts. Die Durchgangslöcher 23 befinden sich in Querrichtung gesehen innerhalb der Anschlüsse der Gehäuse. Dies führt zu einem besonders platzsparenden Aufbau, da. dadurch die Verdrahtung zwischen den ersten Schaltelementen, zum Beispiel Transistoren,und den zweiten Schaltelementen, zum Beispiel Dioden, keinen zusätzlichen Platz in Anspruch nimmt. Die ersten und die zweiten Schaltelemente sind paarweise über die Durchgangslöcher 23 und die Substratleitungen 22 miteinander verbunden.
Die Anzahl der Elektroden, die jeweils miteinander gleichzeitig zu verbinden sind, hängt von der Zahl von Schaltungselementen in den Gehäusen 24 und 25 ab. Die Zahl der zu ver- lötenden Gehäuse 24 und 25 auf dem Substrag 21 hängt von der Gesamtzahl der Elektroden ab. Die Gehäuse 24 und 25 sind jeweils mit demselben gegenseitigen Abstand angeordnet. Das Lötmaterial zum Befestigen der Anschlüsse 34 kann nicht nur ein aufgelötetes, sondern zum Beispiel auch ein aufgedrucktes Material sein.
TER MEER. MÖLLER ST^BStW 1^f* Κ'Κ' " 2064-GER-H
In Pig. 6 ist der Zusammenhang zwischen der Temperatur der Spitze einer Heizpatrone und der Masse einer Löthaut aufgezeichnet. Bei der Messung ist ein flexibles Substrat mit einer plattierten Lötschicht von etwa 40 um Dicke verwendet. Die Gehäuse 24 und 25 wurden mit den Substratleitungen auf dem flexiblen Substrat während einer Aufheizzeit von etwa zwei Sekunden verbunden. Liegt die Temperatur der Spitze einer Heizpatrone 4-5 höher als 2βθ 0C, so wird eine durchschnittliche Masse der Löthaut von etwa 500 g pro Leitung erzielt. Bei diesem Wert ist die Lötstelle von guter Qualität.
Im folgenden wird anhand der Fig. 7 ein Lötzyklus beschrieben. Die zur Beschreibung verwendete Größe ist die Temperatur an der Spitze einer Heizpatrone. Es ist jeweils der Temperaturverlauf an der Spitze einer oberen und einer unteren Heizpatrone bei kontinuierlicher Fertigung aufgezeichnet. Der Lötzyklus umfaßt jeweils einen Schritt des Aufheizens, des Fließlötens und des Abkühlens. Die Schritte werden in einem bestimmten Takt durchgeführt. Wird die Temperatur der Heizpatronenspitzen für den Fließlötvorgang zu etwa 280 0C festgelegt, können die oberen und unteren integrierten Schaltungen mit dem Substrat während etwa 8 Sekunden verbunden werden. Die Taktzeit kann dadurch verringert werden, daß die Heizleistung der Heizquellen vergrößert wird, die Kühlung verbessert, oder die Art des Substratfilms geändert wird.
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Leerseite

Claims (1)

  1. P β« · e
    • · 9 β
    TER MEER-MÜLLER-STEINMEISTER
    PATENTANWÄLTE - EUROPEAN PATENT ATfORNEYS
    Dipl.-Chem. Dr. N. ter Meer Dipl.-Ing. H. Steinmeister Dipl.-lng, F, E. Müller Λ . , _. . , „Α
    Triftstrasse 4, Artur-Ladebeck-Strasse 51
    D-8OOO MÜNCHEN 22 D-48OO BIELEFELD 1
    MÜ/j/ho/b 27. Mai 1983
    2064-GER-H
    SHARP KABUSHIKI KAISHA 22-22 Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka
    Japan
    Treiberanordnung für eine x-y-Elektrodenmatrix
    Priorität: 31. Mal 1982, Japan, Nr. 57-
    PATENTANSPRÜCHE
    Treiberanordnung für eine x-y-Elektrodenanordnung mit
    - einem Substrat (21),
    - auf diesem aufgebrachten ersten Schaltelementen (24) mit Anschlüssen (34) und
    - a.uf diesem aufgebrachten zweiten Schaltelementen (25) mit Anschlüssen (34),
    dadurch gekennzeichnet, daß die ersten Schaltelemente auf der einen Seite des Substrates und die zweiten Schaltelemente auf der anderen Seite des Substrates symmetrfech zu den ersten Schaltelementen angebracht sind und daß die Anschlüsse der ersten Schaltelemente mit denen der zweiten Schaltelemente durch Durchgangslöcher (23) im Substrat verbunden sind.
    TER meer-Müller - sarEirsiMErsiEfe***: * f'Siiarp K.K. - 2064-GER-H
    2, Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat eine flexible Leiterplatte zum Anschließen der Elektroden ist.
    3. Anordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet , daß die Durchgangslöcher (23) innerhalb der von den Schaltelementen (24,25) abgedeckten Fläche liegen.
    4. Anordnung nach Anspruch 1,2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die ersten Schaltelemente integrierte Treibertransistoren (11) aufweisen.
    5. Anordnung nach einem der Ansprüche 1, 2, 3 oder.A, dadurch gekennzeichnet, daß die zweiten Schaltelemente integrierte Dioden (12) zur Strombegrenzung aufweisen.
    .6. Herstellverfahren für eine Treiberanordnung mit einem Substrat (21), auf diesem aufgebrachten ersten Schalt-
    2Q elementen (24) mit Anschlüssen (32O und zweiten Schaltelementen (25) mit Anschlüssen (3*0, dadurch gekennzeichnet, daß zunächst die ersten Schaltelemente auf der einen Seite des Substrates und die zweiten Schaltelemente symmetrisch dazu auf der anderen Seite des Substrates angeordnet werden und daß dann die Anschlüsse angepreßt und aufgeheizt werden.
    7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß Anschlüsse der ersten und der zweiten Schaltelemente jeweils paarweise miteinander verbunden werden.
    '8. Verfahren nach Anspruch 6> dadurch g e kennzeichnet, daß das Substrat transportiert wird, um neue erste und zweite Schaltelemente aufzunehmen, nachdem die vorhergehenden ersten und zweiten Schaltelemente am Substrat befestigt sind.
DE19833319339 1982-05-31 1983-05-27 Treiberanordnung fuer eine x-y-elektrodenmatrix Granted DE3319339A1 (de)

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JP8118382U JPS58184861U (ja) 1982-05-31 1982-05-31 回路基板の構造
JP58066266A JPS59191394A (ja) 1983-04-13 1983-04-13 集積回路基板の製造方法及び製造装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3319339A1 true DE3319339A1 (de) 1983-12-29
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US (1) US5137205A (de)
DE (1) DE3319339A1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4344293A1 (de) * 1992-12-28 1994-07-07 Mitsubishi Electric Corp Sensorcharakteristik-Abgleichschaltung zum Abgleichen der Ausgangscharakteristik eines Halbleitersensors

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2321135B (en) * 1997-01-11 2001-06-27 Furse W J & Co Ltd Improvements in or relating to thermal trip arrangements
US6312265B1 (en) 1999-08-27 2001-11-06 Seagate Technology Llc Double-sided single-print straddle mount assembly

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2734423A1 (de) * 1976-07-30 1978-02-02 Sharp Kk Treiberschaltung fuer duennschicht-el- matrixanzeigen
DE2748899A1 (de) * 1977-11-02 1979-05-10 John Anderson Elektro-lumineszenter anzeigeschirm

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3296692A (en) * 1963-09-13 1967-01-10 Bell Telephone Labor Inc Thermocompression wire attachments to quartz crystals
US3387365A (en) * 1965-09-28 1968-06-11 John P. Stelmak Method of making electrical connections to a miniature electronic component
US3555364A (en) * 1968-01-31 1971-01-12 Drexel Inst Of Technology Microelectronic modules and assemblies
US3589591A (en) * 1969-08-06 1971-06-29 Ibm Bonding apparatus
US3705332A (en) * 1970-06-25 1972-12-05 Howard L Parks Electrical circuit packaging structure and method of fabrication thereof
US3914850A (en) * 1973-11-05 1975-10-28 Western Electric Co Bonding of dissimilar workpieces to a substrate
US3883945A (en) * 1974-03-13 1975-05-20 Mallory & Co Inc P R Method for transferring and joining beam leaded chips
US4074342A (en) * 1974-12-20 1978-02-14 International Business Machines Corporation Electrical package for lsi devices and assembly process therefor
US4050618A (en) * 1975-06-19 1977-09-27 Angelucci Sr Thomas L Flexible lead bonding apparatus
US4345371A (en) * 1979-03-14 1982-08-24 Sony Corporation Method and apparatus for manufacturing hybrid integrated circuits
US4371912A (en) * 1980-10-01 1983-02-01 Motorola, Inc. Method of mounting interrelated components
DD153951A1 (de) * 1980-10-30 1982-02-10 Hermann Viehweger Geloetete elektrische verbindungsstelle

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2734423A1 (de) * 1976-07-30 1978-02-02 Sharp Kk Treiberschaltung fuer duennschicht-el- matrixanzeigen
DE2748899A1 (de) * 1977-11-02 1979-05-10 John Anderson Elektro-lumineszenter anzeigeschirm

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
DE-B.: H.Delfs: Hybridschaltungen, Stuttgart 1973,Verlag Berliner Union GmbH, S.97-99,106-111 *
DE-Z.: Elektrotechnik 1973, H.5, S.12-15 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4344293A1 (de) * 1992-12-28 1994-07-07 Mitsubishi Electric Corp Sensorcharakteristik-Abgleichschaltung zum Abgleichen der Ausgangscharakteristik eines Halbleitersensors
DE4344293B4 (de) * 1992-12-28 2005-12-22 Mitsubishi Denki K.K. Sensorcharakteristik-Abgleichschaltung zum Abgleichen der Ausgangscharakteristik eines Halbleitersensors

Also Published As

Publication number Publication date
DE3319339C2 (de) 1987-07-09
US5137205A (en) 1992-08-11

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