DE2509567A1 - Regenerierstufe fuer ladungsverschiebeeinrichtung - Google Patents

Regenerierstufe fuer ladungsverschiebeeinrichtung

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DE2509567A1
DE2509567A1 DE19752509567 DE2509567A DE2509567A1 DE 2509567 A1 DE2509567 A1 DE 2509567A1 DE 19752509567 DE19752509567 DE 19752509567 DE 2509567 A DE2509567 A DE 2509567A DE 2509567 A1 DE2509567 A1 DE 2509567A1
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Karl Dr Ing Goser
Karl-Ulrich Dr Ing Stein
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    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/762Charge transfer devices
    • H01L29/765Charge-coupled devices
    • H01L29/768Charge-coupled devices with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/76825Structures for regeneration, refreshing, leakage compensation or the like
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    • G11C19/28Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using semiconductor elements
    • G11C19/282Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using semiconductor elements with charge storage in a depletion layer, i.e. charge coupled devices [CCD]
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Description

  • Regenerierstufe für Ladungsverschiebeeinrichtung Die Erfindung betrifft eine Regenerierschaltung, wie sie im Oberbegriff des Patentanspruches 1 umrissen ist.
  • Ladungsverschiebeeinrichtungen sind bereits aus "Bell System Technw Journal' (1970), 5. 587 ff., aus "Appl. Phys. Lett.", Bd. 17 (1970), S.111 ff. und aus der deutschen Offenlegungsschrift 2 107 037 bekannt. Es handelt sich dabei um Halbleitereinrichtungen, die gegenüber den schon früher bekannten sogenannten Eimerketten-Schaltungen (bucket-brigade) Vorteile insbesondere in Bezug auf die technologische Herstellung einer Ladungsverschiebeeinrichtung bieten.
  • Für Ladungsverschiebeeinrichtungen und Eimerketten-Schaltungen ist z.B. in der obengenannten deutschen Offenlegungsschrift 2 107 037, in "Elector", (1970), S. 321 ff. und in "IEEE Journ.
  • of Solid-State Circuits", Bd. FC4 (1969), S. 131 ff. bereits vorgeschlagen worden, für den Rückzirkulationsbetrieb oder für die notwendige Regenerierung des Signals zusätzlich eine Regenerierschaltung zu verwenden. Nit dieser Regeneri.erschalu tung soll der bei der Verschiebung der Ladung in der Ladungsverschiebe einrichtung bzw. in der Eimerketten-Schaltung unvermeidlich von Stufe zu Stufe auftretende Ladungs- bzw. Signalverlust regeneriert werden.
  • In anderen Zusammenhang, nämlich mit der Bewertung und Regenerierung einer Speicherkapazität, ist in der US-PS 3 514 765 die Verwendung einer Flip-Flop-Schaltung angegeben.
  • Mit dieser Flip-Flop-Schaltung wird das beispielsweise durch Ladungsverlust relativ schwach gewordene Auslesesignal, d.h.
  • die in dem Speicherlement relativ gering gewordene Ladungsmenge, wieder verstärkt bzw. regeneriert, indem von dem Flip-Flop aufgrund des für Flip-Flop-Schaltungen bekannten Schaltens eine vergleichsweise zum Auslesesignal größere Spannung bzw. größere Ladungsmenge in das Speicherelement wieder zurückgegeben wird. Dabei kann außerdem eine Bewertung des Lesesignals vorgenommen werden.
  • Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine speziell für Ladungsverschiebeeinrichtungen geeignete Regenerierstufe anzugeben. Insbesondere soll diese Regenerierstufe ohne technologische Schwierigkeiten in die in Halbleiter-Technologie, insbesondere tWOS-Technik, ausgeführte Ladungsverschiebeeinrichtung zwecks Vermeidung zusätzlicher parasitärer Kapazitäten, die beim Anschalten von externen Regenerierschaltungen entstehen, integriert sein.
  • Diese Aufgabe wird mit einer wie im Oberbegriff des Patentanspruches 1 angegebenen Regenerierstufe für Ladungsverschiebe einrichtungen gelöst , wie dies im Kennzeichen des Patentanspruches 1 angegeben ist. Weitere Ausgestaltungen und Weiterbildingen der Erfindung gehen aus den Unteransprüchen hervor.
  • Die Erfindung geht von der ueberlegung aus, daß sich mit einer F3.ip-Flop"Schaltung eine Regenerierung des ausgelesenen Signals durchfUhren läßt. Dabei werden bei Verwendung einer Flip Flop Schaltung die insbesondere mit ihrem Rückkopplungseffekt verbundenen Vorteile ausgenutzt, nämlich daß das Schalten der FllpwFlop-Schaltung und damit der Regeneriervorgang schneller abläuft und daß bei einer Flip-Flop-Schaltung der Jeweils eine Transistor entweder voll geöffnet oder ganz geschlossen ist, so daß ZvJXschenzustände vermieden sind. Das Schalten der Flip-Flop-Schaltung erfolgt durch Auftreten eines aus der LadungXsverschiebeeinrichtung eintreffenden Ladungssignals an einem ersten Schaltungspunkt der Flip-Flop-Schaltung. Die mit diesem an sich bekannten Umschalten eines Flip-Flops erreichbare Verstärkung des aus dem Flip-Flop entnehmbaren Ausgangssignals, vergleichsweise zu dem zum Schalten des Flip-Flop notwendigen Eingangssignal, entspricht einer Verstärkung. Notwendig ist lediglich, daß das aus der Verschiebeeinrichtung noch entnehmbare Ladungs- bzw. Spannungssignal ausreichend groß ist, um von der Flip-Flop-Schaltung eindeutig als Schaltsignal bewertet zu werden.
  • Die Figuren 1 und 2 zeigen zwei Beispiele einer Ladungsverschiebeanordnung mit Regenerierschaltung nach Art eines Fiip-Flop.
  • Die Flip-Flop-Schaltung ist Jeweils mit 1 bezeichnet. Mit 3 und 5 bzw. 3 led 15 sind Ladungsverschiebeeinrichtungen bezeichnet. Mit Rücksicht auf den voranstehend genannten Stand der Technik, auf den hier ausdrücklich verwiesen wird, erübrigt es sich, weitere Einzelheiten zur technologischen und elektrischen Ausgestaltung der Ladungsverschiebeanordnungen 3, 5, 15 zu erörtert. Unterschiedlich zwischen den Figuren 1 und 2 ist, daß im Falle der Figur 1 beide Ladungsverschiebeeinrichtungen 3 und 5 mit ihrem Ausgang (von 3) und ihrem Eingang (von 5) auch direkt miteinander verbunden sind. In beiden Fällen sind die Ladungsverschiebeanordnungen 3, 5, 15 mit einem als Knotenpunkt bezeoichneten, wie aus den Figuren entnehmbaren Schaltungspunkt des Flip-Flop 1 verbunden. Bei der Ausführungsform nach Figur 1 ist dies für beide Ladungsverschiebeeinrichtungen 3 und 5 derselbe Knotenpunkt 11. Der andere Knotenpunkt ist mit 12 bezeichnet.
  • Die Flip-Flop-Schaltung besteht im wesentlichen aus zwei Schalttransistoren 13, 14 und zwei Lasttransistoren 16, 17. Durch die Uberkreuzverbindungen 18, 19 sind diese vier Transitoren in der für ein Flip-Flop charakteristischen Weise überkreuz geschaltete Die Lasttransistoren 16, 17 haben miteinander verbundene Gateanschlüsse, die an eine getrennte Taktspannung anlegbar sind. Das ganze Flip-Flop 1 liegt zwischen den Anschlüsseln 21 und 22 an einer Quelle für eine Versorgungsspannung.
  • Eine solche Flip-Flop-Schaltung ist z.B. gegenüber einfachen Inverterschaltungen vorteilhafter, da die Flip-Flop-Schaltung als Regenerierstufe höhere Empfindlichkeit hat und somit auch ein schon sehr schwach gewordenes Verschiebe signal regeneriert werden k85ne Die durch die Flip-Flop-Schaltung erreichbare höhere Empfindlichkeit rührt davon her, daß mit Hilfe eines passend gewählten zeitlichen Verlaufes der Potentiale an den Schaltungspunkten 21, 22 und 23 die an dem Ausgang der vorangehenden Ladungsverschiebeeinrichtung 3 am Schaltungspunkt 11 auftretende Ladung nur so groß sein muß, daß das Flip-Flop in eine entsprechende Lage kippt. Dabei muß das Flip-Flop gerade noch zwischen einem gewollten Auslesesignal mit einer Re,stladung und dem Fall keine Ladung" unterscheiden können.
  • Keine Ladung entspricht arigenommenerweise einer eingespescherten "O" undlVorhandene Landung" entspricht dann einer gespeicherter 1". Es ist darauf hinzuweisen, daß aufgrund von spontaner.
  • Ladungsträgererzeugung in einer Ladungsverschiebeeinrichtung geringe (Stör-)Ladungsmengen erzeugt werden können, so daß der Fall "O" zwangsläufig mit dem Auftreten einer kleinen Ladungsmenge verbunden ist. Das Flip-Flop hat also zwischen größerer gewollter Ladungsmenge 1" und kleinerer (Stör") Ladungsmenge "O" zu entscheiden.
  • Durch Anlegen eines Taktimpulses an den Anschluß 23 für die Gateelektroden der Lasttransistoren 16 und 17 der Flip-Flop-Schaltung 1 lassen sich durch Öffnen der Lasttransistoren 16 und 17 die beiden Schaltungspunkte 11 und 12 vorübergehend auf weitgehend nahezu gleiches Potential bei zwischen den Anschlüssen 21 und 22 anliegender Versorgungsspannung bringen. Aufgrund der Unsymmetrie der Flip-Flop-Schaltung verbleibt Jedoch ein notwendiger geringer Differenzbetrag zwischen den Potentialen der Schaltungspunkte 11 und 12. Zum Zeitpunkt des beabsichtigten Auslesens bzw. des möglichen Eintreffens eines Auslesesignals aus der Ladungsverschiebeeinrichtung am Schaltungspunkt 11 sind durch entsprechendes Potential am Anschluß 23, wobei z.B. die Anschlüsse 23 und 22 dann miteinander verbunden sind, die Lasttransistoren 16, 17 wieder gesperrt. Sie stellen dann Lastwiderstände einer wie üblichen Flip-Flop-Schaltung dar. Für den angenommenen Fall einer gespeicherten 1", d.h. für den Fall des Eintreffens eines Ladungssignals am Pullkt 11, erfährt die Flip-Flop-Schaltung 1 an 11 einen Anstoß, in den anderen Schaltzustand. umzuschalten, da sich in dieser Zeit am Schaltungspunkt 12 (vergleichsweise zum Schaltungspunkt 11) keine wesentlichen Änderungen von außen ergeben. Erscheint am Schaltungspunkt 11 kein Ladungssignal, entsprechend einer eingespeicherten "O", verbleibt das Flip-Flop in seinem sich nach Sperrung der Lasttransistoren 16 und 17 von selbst wieder einstellenden bisherigen Schaltungszustand.
  • Die Potentialwerte, auf die sich die Schaltungspunkte 11 und 12 einstellen bzw. wieder einstellen, sind in an sich bekanntctr Weise wesentlich durch die Schaltungskapazität bzw. parasitären Kapazitäten der Flip-Flop-Schaltung 1 gegeben.
  • Eine vorteilhafte Weiterbildung der zur Regenerierung zu verwendenden FliI)-Flop-Schaltwng, vergleichsweise zu den Flip-Flop-Schaltungen nach Figuren 1 und 2, wird mit einer in Figur 3 gezeigten Flip-Flop-Schaltung 31 erreicht. Der Vorteil besteht, wie dies noch aus dem Nachfolgenden näher hervorgeht, darin, daß für die Flip-Flop-Schaltung nach Figur 3 nur noch ein Takt benötigt wird und ihre Empfindlichkeit größer ist.
  • Die Flip-Flop-Schaltung 31 nach Figur 3 weist wiederum zwei Schalt transistoren 13, 14 und dazu die Querverbindungen 18, 19 auf. Abweichen zu den Figuren 1 und 2 hat die Flip-Flop-Schaltung 31 nur einen einzigen Lasttransistor 16. DerJenige Source- bzw.
  • Drain-Anschluß des Lasttransistors 16, der nicht an dem Schaltungs punkt 11 anliegt, ist mit dem Gate-Anschluß 32 verbunden.
  • Die Flip-Flop-Schaltung 31 hat zusätzlich noch einen sogenannten Quertransistor 33, wie er für Flip-Flop-Schaltungen in der deutschen Offenlegungsschrift 2 148 896 sowohl in seiner Anordnung als auch in seiner schaltungstechnischen Bedeutung beschrieben ist. Mit diesem Quertransistor lassen sich die Pof tentiale der Schaltungspunkt 11 und 12 vorab noch besser auf gleiches Potential bringen. Für diese Ausgleichung der Potentiale der Schaltungspunkte 11 und 12 wird der Quertransistor 33 an seinem Gate-Anschluß 34 mit einer Impuls spannung getaktet. Aufgrund von Unsymmetrien in der Flip-Flolp-Schaltung verbleibt aber dennoch ein geringer Potential-unterschied zwischen 11 und 12, wie dies in seiner Bedeutung bereits oben erläutert ist.
  • Eine Besonderheit der erfindungsgemäß vorgesehenen Flip-Flop-Schaltung ist, daß der Gate A.nschluß 34 des Quertransistors 33 mit dem Gate-Anschluß des Lasttransistors 16 und mit dessen vom Schaltungspunkt 11 abgewandten Source- bzw. Drain-Anschluß verbunden ist. Diese Verbindung 35 ist die Taktleitung zum Anlegen eines Taktpotentials R Durch den Kurvenzug 36 ist das Taktpotential, das an die Verbindungsleitung 35 und damit an den Lasttransistor und an den Quertransistor angelegt wird, charakterisiert. Das Taktpotential schwankt zwischen den Potentialwerteri XR1 und #R2. Figur 4 zeigt Potentialverhältnisse in den Ladungsverschiebeeinrichtungen 3 und 15, die dort aufgrmld der an die an sich bekannten Elektroden 103, 203, 115 und 215 angelegten Taktimpulspotentiale °1 und °2 auftreten. Figur 4a gehört dabei zu der Ladungsverschiebeeinrichtung 3 und Figur 4t zur Ladungsverschiebeeinrichtung 15. Durch Abwechseln der Potentiale 1 und 2 wird, wie für Ladungsverschiebeeinrichtungen bekannt, Ladung in dieser verschoben, und zwar angenommen in Richtung von links nach rechts in den Figuren. Der Schaltungspunkt 11 ist mit dem Ausgang der Ladungsverschiebeeinrichtung 3 verbunden. In den einzelnen Speicherelementen der Ladungsverschiebeeinrichtung, Je nachdem welches Signal eingespeichert ist, ob eine "O" = keine Ladung oder eine 1" = vorhandene Ladung (angenommene Definition) vorliegt, ändert sich das Potential am Schaltungspunkt 11. Das Jeweils am Schaltungspunkt 11 anliegende Potential ist in Figur 4a mit 111 bezeichnet. Das an dem Schaltungspunkt 12 anliegende Potential ist in entsprechender Weise mit 112 in Figur 4b bezeichnet. Die Angabe 0'R1 und llR1 bezieht sich auf die durch kr erreichten Potentiale an den Schaltungspunkn 11 und 12.
  • Die Figur 5a zeigt den Fall der Potentialverteilung für den Fall, daß am Ausgang der Ladungsverschiebeeinrichtung 3, d.h. am Schaltungspunkt 11, kein Ladungssignal auftritt, d.h. nach obiger Definition eine "O" auszulesen bzw zu regenerieren ist. Sobald beim Takt R das Potential erhöht wird, werden die Schalttransistoren 13 und 14 aktiviert und die ohne Lastelemente arbeitende Schaltung 31 schaltet daml in die stabile Lage, die durch die bereits erwähnte Vorzugslage vorgegeben ist, und bei der der Schalttransistor 14 leitend ist. Dadurch steigt aber das Potential am Schaltungspunkt 12 und dar,lit an dem mit diesem Schaltungspunkt verbundenen Eingang der Ladungsverschiebeein richtung 15. Diese Potentialveränderung von 0'R1 nach R2 in Figur 5b mit 113 bezeichnet, macht sich in der wie aus der Figur ersichtlichen Weise bemerkbar. Wie mit dem Pfeil 121 ange.-deutet, führt dies zu einer Ladungsverschibung aufgrund des nunmehr von 113 ausgehenden, in Richtung der für 15 vorgesehenen Ladungsverschiebung vorliegenden Potentialgefälles.
  • Es sei darauf hingewiesen, daß die in den Figuren 4, 5 und der noch nachfolgend zu beschreibenden Figur 6 beschriebenen Verhältnisse der Verschiebung der Potentiale auf ein p-dotiertes Ausgangs element der Ladungsverschiebeeinrichtung 3 und ein p-dotiertes Eingangselement der Ladungsverschiebeeinrichtung 15 bezogen sind.
  • Aufgrund des veränderten Potentials 113 fließt über den Schalttransistor 14 Ladung entsprechend einer Einspeisung in die Ladungsverschiebeeinrichtung 15 ein. Dies ist das regenerierte Signal. Infolge der vorhandenen Vorzugslage werden kleine ankommende Störledungsmengen; wie sie bereits oben erwähnt sind, am Schaltungspunkt 11 so bewertet, als würde keine Ladung, entsprechend der angenommenen "O" angekommen sein.
  • F'igur 6a zeigt die Potentialverhältnisse in der Ladungsverschiebeeinrichtung, wenn an deren Ausgang eine hier angenommen positive Ladung ankommt. Infolge der ankommenden Ladung steigt das Potential am Ausgang auf einen mit 121 gekennzeichneten Potentialwert. Die Flip-Flop-Schaltung 31 kippt dann beim Umschalten des Taktes R in denJenigen stabilen Zustand, bei dem der Schalttransistor 13 leitend wird. Wie mit 131 angedeutet, ändert sich damit, vergleichsweise zur Figur Sb, das Potential im Ausgang der Ladungsverschiebeeinrichtung 3. Vor allem aber bleibt das Potential am Schaltungspunkt 12 und damit im Eingang der Ladungsveirschiebeeinrichtung 15, zu der die Potentialverhältnesse in Figur 6b gezeigt sind, auf dem alten Wert 112. Es kann infolge des gesperrten Zustandes des Schalttransistors 14 keine Ladung an den Eingang der Ladungsverschiebeeinrichtung 15 gegeben werden.
  • Wie ersichtlich1 erfolg durch die erfindungsgemäß vorgesehene Flip-Flop-Schaltung 31 eine Invertierung des regenerierten Signals. Dies spielt aber im praktischen Fall regelmäßig keine Rolle. Will man diese Invertierung unbedingt vermeiden, schließt man beide Ladungsverschiebeeinrichtungen an nur einen Schaltungspunkt 11 oder 12 der Flip-Flop-Schaltung an. Der dann freie Schaltungspunkt kann dann beispielsweise als Ausgang benutzt werden.
  • Figur 7 zeigt zum noch besseren Verständnis der vorangehenden Erläuterungen das Taktschema für die Taktspannungen #1' 2 und #R. Die einzelnen Darstellungen für #1, #2 und #R sind parallel untereinanderliegend dargestellt und eine vertikale Linie kennzeichnet Jeweils den gleichen Zeitpunkt für die Taktpotentiale #1, #2 und #R. Wie insbesondere für #R zu erkennen ist, ist der Taktimpuls #R an seinem Impulsende zeitlich Jeweils kürzer, dh. eher beendet, als der zugehörige Taktimpuls 2 bzw. 1 in der Jeweiligen Ladungsverschiebeeinrichtung0 Sinn dieser Verkürzung des Taktimpulses ist, daß der Takt #R früher umschaltet als beispielsweise der Takt damit nicht. zuviel Regenerierladung an den Eingang der nachfolgenden Ladungsverschiebeeinrichtung 15 abgegeben. wird.
  • Eine wie im Zusammenhang mit den Figuren 3 bis 7 beschriebene Rogenerierschaltung läßt sich auch für Ladungsverschiebeeinrichzungen mit 3-Phasen-Takt und bei entsprechender Anpassung auch für bereits eingangs erwähnte Eimerketten-Schaltungen verwenden.
  • Eine weitere Verbesserung einer wie im Zusanen1iang mit den Figuren 3 bis 7 beschriebenen Regenerier-Flip-Flop-Schaltung läßt sich erreichen, wenn eine wie in Figur 8 gezeigte Flip-Flop-Schaltung 81 verwendet wird. Einzelheiten der Schaltung 81, die auch bei der Schaltung 31 vorliegen, sind mit Jeweils übereinstimmenden Bezugszeichen versehen. Zusätzlich sind in der Flip-Flop.-Schaltung 81 noch zwei Kapazitäten 82 und 83 sowie eine weitere Taktleitung 84 vorgesehen. Die Kapazitäten 82 und 83 liegen Jeweils zwischen dem Schaltungspunkt 11 bzw. 12 einerseits und der erwähnten Taktleitung 84. An die Verbindungsleitung 35 wird wieder, wie voranstehend beschrieben, das Taktpotential XR angelegt. Damit werden wieder beide Schaltungspunkte 11 und 12 auf gleiches Potential gebracht. Bei der er findungsgemäß weitergebildeten Flip-Flop-Schaltung 81 werden jedoch die im Einzelfall möglicherweise störenden Nachteile vermieden, die darauf beruhen, daß beide Schalttransistoren 13, 14 zunächst leitend werden und daher die elektrischen Ladungen von den Schaltungspunkten abfließen. Das bedeutet, daß für den Einzelfall ein zu kleines .Spannungssignal am Schaltungspunkt 12 zur Eingabe in die nachfolgende Ladungsverschiebeeinrichtung auftreten könnte.
  • Uber die vorgesehenen Kapazitäten 82 und 83 läßt sich eine weitere Ladung sowohl auf den Schaltungspunkt 11 als auch auf den Schaltungspunkt 12 bringen, und zwar über die Taktleitung 84 mit einem Taktpotential L. Sobald die Flip-Flop-Schaltung 81 ihren durch das Ausgangssignal der einen Ladungsversc.hiebe einrichtung gesetzten Zustand erreicht hat, d.h. entsprechend einer tlO7 oder einer 1" geschaltet ist, fließt bei dem Schaltungspunkt 11 oder 12, der mit einem dann leitenden Schalttransistor 13 oder 14 verbunden ist, die Ladung ab, die durch die Kapazität 82 oder 83 auf den Schaltungspunkt 11 oder 12 zugeführt worden ist. An dem Schaltungspunkt, der mit dem in diesem Schaltungszustand gesperrten Schalttransistor verbunden ist, bleibt die Ladung erhalten und es tritt an diesem Schaltungs punkt ein entsprechend hohes Spannungssignal auf. Die beiden Kapazitäten werden also u.a. als kapazitive Lastelemente eingesetzt.
  • Daß eine zusätzliche Taktleitung 83 für das Taktpotential L vorzusehen ist, erfordert innerhalb einer Ladungaverschiebeennrichtung keinen störenden zusätzlichen Aufwand. Diese Leitung 84 läuft nämlich parallel zu den anderen Taktleitungen für die Takte #1, 2 und #R. Außerdem kann die Leitung 84 durch einen schon vorhandenen Takt 1 oder 2 gespeist werden.
  • Um das voranstehend erwähnte, an sich unerwünschte Abfließen übermäßiger Ladungsmengen von den Schaltungspunkten beim Anlegen des Potentials XR einzuschränken, wird der Taktimpuls R so gewählt, daß derJenige Schalttransistor, der nach Ablauf des Regeneriervorganges gesperrt ist, nur wenig in leitendem Zustand geschaltet wird. Diese Wahl besteht in einem bestimmten Verlauf der Rückflanke dieses Taktimpulses, der in Bol:L, Lynch: "Optimization of Lodging Pulse for Dynamic Flip-Flop-Sensors" beschrieben ist.
  • 6 Patentanspruche 8 Figuren

Claims (6)

  1. Patentansprüche Regenerierschaltung nach dem Prinzip einer Flip-Flop-Schaltung mit Schalttransistoren und Lastwiderstand, mit einem Schaltungspunkt als Eingang zur Eingabe des zu regenerierenden Signals, mit einem Schaltungspunkt als Ausgang zur Ausgabe des regenerierten Signals und mit Anschlüssen für eine Versorgungsspannung, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , daß diese Flip-Flop-Schaltung (1) zur Signalregenerierung für CCD-Ladungsverschiebeeinrichtungen (3, 5; 3, 15) vorgesehen ist, wobei der Ausgangsanschluß der Ladeverschiebeeinrichtung mit dem zu regenerierenden Signal an den Schaltungspunkt (11) des einen Zweiges (13, 16) der Plip-Flop-Schalttmg (1) angeschlossen ist und wobei der Eingangsanschluß der Ladungsverschiebeeinrichtung (5, 15), in die das regenerierte Signal einzugeben ist, Je nach gewünschter Phase der Regenerierung an den Schaltungspunkt (11) des gleichen Zweiges (13, 16) der Flip.-Flop-Schaltung (1) oder an den Schaltungspunkt (12) des anderen Zweiges (14, 17) der Flip-Flop-Schaltung (1) angeschlossen ist (Fig.1 bzw. 2).
  2. 2. Regenerierschaltung, geeignet für Ladungsverschiebeeinrichtungen, nach dem Prinzip einer Flip-Flop-Schaltung mit Schalttransistoren und Lastwiderstand, mit einem Schaltungspunkt als Eingang zur Eingabe des zu regenerierenden Signals, mit einem Schaltungspunkt als Ausgang zur Ausgabe des regenerierten Signals, mit Anschlüssen ir eine Versorgungsspannung und mit einem die beiden SchaltungspunLte verbindenden Quertransistor, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , daß als Lastwiderstand nur ein Lasttransistor (16) bei zwei Schalttransistoren (13, 14) vorgesehen ist und daß der Gateanschluß (34) des Quertransistors (33), der Gateanschluß des Lasttronsistors (16) und vom Lasttransistor (16) derjenige Source-bzw. Drain-Anschluß (116), der über den Lasttransistor vom Schaltungspunkt (11 oder 12) getrennt ist, direkt miteinander mittels einer Ansteuerleitung (35) galvanisch verbunden sind.
  3. 3. Regenerierschaltung nach Anspruch 2, dadurch g e k e n n -z e i c h n e t , daß zusätzlich zwei Kapazitäten (82, 83) vorgesehen sind, von denen Jeweils ein Elektrodenanschluß miteinander und mit einer zweiten Ansteuerleitung (84) verbunden sind und deren andere Elektrodenanschlüsse Je mit einem der Schaltungspunkte (11, 12) verbunden sind.
  4. 4. Verfahren zum Betrieb einer Regenerierschaltung nach Anspruch 1, 2 oder 3 zusammen mit Ladungsverschiebeanordnungen, in denen die Ladungen durch Taktpotentiale (#1' 2) weitergeschoben werden, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , daß an die erste Ansteuerleitung (35) ein weiteres Taktpotential mit mit Potentialveränderungen zwischen einem ersten Wert und einem zweiten Wert (#R2) angelegt werden, die so bemessen sind, daß durch das Taktpotential (#R2) der Transistor (33) und der Lasttransistor (16) leitend gemacht werden, so daß die Schaltungspunkte (11 und 12) auf nahezu gleiches Potential und nahezu auf das Potential (#R2) der ersten Ansteuerleitung gebracht werden, wobei die Impulslänge des Taktpotentials () zum Leitendmachen des Quertransistors (33) zeitlich lErzer gewühlt ist als de Impulslänge der Taktpotentiale (#1, #2) der Ladungsverschiebeeinrichtung und der Impuls des Taktpotentials (#R) zeitlich vor dem Taktimpuls der Ladungsverschiebeeinrichtung endet.
  5. 5. Betrieb einer Regenerierschaltung nach Anspruch 3, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , daß zusätzlich zwei Kapazitäten (82, 83) vorgesehen sind, von denen Jeweils ein Elektrodenanschluß miteinander und mit einer zweiten Ansteuerleitung (84) verbunden sind und deren andere Elektrodenanschlüsse Je mit einem der Schaltungspunkte (11, 12) verbunden sind, und daß an die zweite Ansteuerleitung (84) ein getaktetes Potential (#L) angelegt wird, durch das eine AuSladung der Schaltungspunkte (11, 12) bewirkt wird, wobei an demjenigen Schaltungspunkt, der mit dem im leitenden Schaltzustand befindlichen Transistor verbunden ist, diese Ladung abfließt und an demjenigen Schaltungspunkt, der mit dem im gesperrten Schaltzustand befindlichen Schalttransistor verbunden ist, eine zusätzliche Potentialveränderung infolge der über die Kapazität zugeführten Ladung erreicht wird.
  6. 6. Betrieb einer Regenerierschaltung nach Anspruch 4, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , daß als Taktpotential an der zweiten Taktleitung (84) Taktpotentiale(1 oder #2) der Ladungsverschiebeeinrichtung verwendet werden, wobei das zusätsliche Taktpotential (#L) SO gewählt ist, daß der Takt in die Taktdauer des Taktpotentials (#L) fällt.
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