DE2508689A1

DE2508689A1 - Diodenmatrix

Info

Publication number: DE2508689A1
Application number: DE19752508689
Authority: DE
Inventors: Peter Ing Grad Jung
Original assignee: Standard Elektrik Lorenz AG
Current assignee: Alcatel Lucent Deutschland AG
Priority date: 1975-02-28
Filing date: 1975-02-28
Publication date: 1976-09-09

Description

Standard Elektrik Lorenz AG
Stuttgart

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Diodenmatrix

Die Erfindung betrifft eine Diodenmatrix, bei der zwei Gruppen von elektrischen Leitern sich überkreuzend in Koordinatenform angeordnet und an mindestens einem Teil der Kreuzungspunkte jeweils ein Leiter der einen Gruppe und ein Leiter der anderen Gruppe über eine Diode miteinander verbunden sind, sowie ein Verfahren zur Herstellung einer solchen Diodenmatrix.

Dabei stellt die eine Gruppe der elektrischen Leiter eine Vielzahl von Eingabeleitungen dar, denen als Information Schaltspannungen mit einer vorbestimmten Polarität gegenüber einer Bezugsspannung zugeführt werden, und die andere Gruppe der elektrischen Leiter eine Vielzahl von Ausgabeleitungen. Die Eingabe- und die Ausgabeleitungen sind gemäß eines Codes der Matrix über Dioden teilweise miteinander verbunden. Die Ausgabeleitungen wirken mit elektronischen Auswerteschaltungen zusammen.

Derartige Matrizen sind als integrierte Schaltungen unter Verwendung von Siliziumdioden bekannt. Sie sind jedoch nur mit Hilfe einer relativ komplizierten Technik herstellbar. Dies wirkt sich auch entsprechend kostspielig aus. Als v/eiterer Nachteil erweist sich, daß nur eine begrenzte

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Anzahl von elektrischen Leitern entsprechend der sehr kleinen Fläche der einzelnen Siliziumdioden bzw. der gesamten integrierten Schaltung möglich ist. Bei Silizium-Matrizen hilft man sich -mit einer außen angeschlossenen Codiervorrichtung, welche die Anzahl der Eingabeleitungen reduziert, und einer integrierten Decodiervorrichtung und für die Ausgabeleitungen entsprechend mit einer integrierten Codiervorrichtung, welche die Anzahl der Ausgabeleitungen vermindert, sowie einer außen angeschlossenen Decodiervorrichtung, die die Ausgabeleitungen auf die eigentlich gewünschte Anzahl erweitert.

Die Erfindung hat sich die Aufgabe gestellt, eine Diodenmatrix der eingangs beschriebenen Art für einen weiten Belastungsbereich mit einer beliebigen Vielzahl von elektrischen Anschlußleitern als Direktanschlüsse ohne zusätzliche Codier- und Decodiervorrichtungen zu schaffen und sie in einfacher Technologie kostensparend herzustellen.

Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung dadurch gelöst, daß zwischen den beiden Leitergruppen eine elektrisch isolierende Schicht mit Durchbrüchen an diesen Kreuzungspunkten und in diesen Durchbrüchen mindestens teilweise der Schichtaufbau von Selengleichrichtern angeordnet ist.

Eine solche Anordnung wird erfindungsgemäß dadurch hergestellt, da?, auf die elektrisch isolierende Oberfläche einer'

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einer Trägerplatte streifenförir.ige Leiterbahnen in der X-Koordinatenrichtung der Matrix aufgebracht werden, daß darauf eine isolierende Schicht aufgebracht wird, daß in der isolierenden· Schicht an den Kreuzungspunkten der Matrix, an denen jeweils ein Leiter der einen Gruppe und ein Leiter der anderen Gruppe über eine Diode miteinander verbunden werden sollen, Durchbrüche bis zu den Leiterbahnen gebildet werden, daß in die Druchbrüche der Schichtaufbau eines Selengleichrichters eingebracht wird, daß anschließend streifenförrcige Leiterbahnen in der Y-Koordinatenrichtung der Matrix aufgebracht werden, daß die Anordnung danach einem Temperungsprozeß bei ca. 110 C und anschließend einem Temperungsprozeß bei 217 C unterworfen wird und daß schließlich die Anordnung formiert wird.

Eine solche Diodenmatrix läßt sich in einfacher Weise unter Anwendung der für Gleichrichter bekannten und bewährten Technologien sehr preisgünstig herstellen. Sie ist überall dort gut anwendbar, wo räumliche Abmessungen nicht begrenzend vorgeschrieben sind. Infolge der größeren Diodenflächen bzw. der größeren Fläche der Anordnung lassen sich beliebig viele Anschlußleiter direkt anschließen. Darüber hinaus liegt bei Selendioden der Wert der Schleusenspannung, also der Spannung, die mindestens notwendig ist, um die Diffusionsspannung aufzuheben, erheblich niedriger als bei Selendioden. Dies besagt, daß sehr viel kleinere Spannungen noch verarbeitet werden können. Es lassen sich aber auch Inpulse großer Leistung gut verarbeiten. Darüber hinaus sind die Selendioden gegen Überspannung wesentlich unempfindlicher als die Siliziumdioden.

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Weitere Ausführungsformen und Einzelheiten der Erfindung werden nachstehend in Ausführungsbeispielen anhand der Zeichnung näher erläutert; es zeigen:

Die Figuren-1, 2, 4 und 6 jeweils im Grundriß die einzelnen Aufbaustufen der Diodenmatrix,

Figur 5 einen Kreuzungspunkt I der Diodenmatrix im Schnitt und

Figur 5 einen Schnitt entlang der Schnittlinie A-A der Figur 4 durch die Diodenmatrix.

Gemäß den Figuren ist mit 1 eine Trägerplatte bezeichnet. Die Trägerplatte 1 dient als Grundplatte für die Diodenmatrix. Sie muß wenigstens auf ihrer Oberfläche elektrisch isolierend wirken und zum Aufdampfen von weiteren Schichten geeignet sein; so darf sie z.B. in Vakuum nicht gasen. Weiterhin muH sie eine gex^isse mechanische Stabilität und eine glatte Oberfläche aufweisen. Als Material für die Trägerplatte 1 ist daher vorzugsweise Glas, Keramik, Kunststoff oder Metall mit einer Isolierstoffschicht als Oberfläche verwendet. Die letztere Ausführung ist insbesondere für die Wärmeabführung günstig, wenn Dioden mit höheren Leistungen verwendet werden.

Auf der Trägerplatte 1 sind gemäß der Figur 1 in Abständen parallel in der X-Koordinatenrichtung der Matrix str«ifenförmige Leiterbahnen 2 angeordnet. Die Leiterbahnen 2 sind

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elektrisch gut leitfähig. Da sie die Grundplatte für die aufzubringenden Selengleichrichter bilden, muß ihr Material mit Selen einen ohmschen Kontakt geben. Als Material wird deshalb vorzugsweise Nickel oder Wismut verwendet. Die Leiterbahnen können aber auch aus verschieb denen Metallen mehrschichtig ausgebildet sein, jedoch muß dann die oberste Schicht mindestens an den Stellen, wo Gleichrichter gebildet werden sollen, mit Selen einen ohmschen Kontakt geben. Die Leiterbahnen 2 sind so auf der Trägerplatte 1 angeordnet, daß ihre Längskanten nicht mit der Trägerplatte 1 abschließen und auf der einen Seite ein schmalerer Streifen 3 und auf der anderen Seite ein breiterer Streifen 4 der Trägerplatte unbeschichtet verbleibt. Die Leiterbahnen 2 weisen eine Dicke von etwa 5 bis 10 ,u auf, um beim späteren Aufbringen einer Anschlußsteckerleiste nicht beschädigt zu wercbn.

Auf der Trägerplatte 1 und den Leiterbahnen 2 ist gemäß der Figur 2 eine Isolierschicht 5 angeordnet. Die Isolierschicht 5 soll so beschaffen sein, daß sie Temperaturen von 22O⁰C ohne Beschädigung aushält und im Vakuum nicht gast. Zur Herstellung kann vorzugsweise Photolack verwendet werden. Die Isolierschicht 5 ist in einer Dicke von etwa 50.u bis 100.u so angeordnet, daß sie den schmaleren Streifen 3 ganz und den breiteren Streifen 4 der Trägerplatte 1 teilweise bedeckt, also über die Längskanten der Leiterbahnen 2 und auch der der noch aufzubringenden Leiterbahnen in der Y-Koordinatenrichtung hinausragt, um Kurzschlußübergänge beim Aufbringen leitender

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Schichten zu verhindern. Es ist an zwei aneinander stoßenden Seiten der Trägerplatte 1 jeweils ein von der Isolierschicht 5 unbedeckter Streifen 4a, 6 belassen, dessen jeweilige Breite-das spätere Aufbringen einer Anschlußsteckerleiste erlaubt. Um eine möglichst gleichmäßige Schichtdicke zu erhalten, ist dem Isoliermaterial vorzugsweise ein Füllstoff aus körnigen oder fadenförmigen Teilchen beigegeben.

An den Kreuzungspunkten der Matrix, an denen die Leiter der X-Koordinatenrichtung entsprechend des Codes der Matrix mit denen der Y-Koordinatenrichtung über Dioden verbunden werden sollen, ist die Isolierschicht 5 mit topfartigen Durchbrüchen 7 versehen. Diese topfartigen Durchbrüche 7 weisen eine Fläche auf, welche der Fläche der aufzubringenden Selengleichrichter entspricht. Um die Fläche voll auszunutzen, sind die topfartigen Durchbrüche vorzugsweise rechteckig ausgebildet.

In diesen topfartigen Durchbrücheh 7 der Isolierschicht ist gemäß der Figur 3 auf den Leiterbahnen 2 jeweils eine Selenschicht 8 angeordnet. Dem Selen können geringe Mengen von Dotierungsstoffen zugesetzt sein. Die einzelnen Selenschichten 8 in den Durchbrüchen 7 weisen eine Dicke von etwa 50,u bis 100,u auf; sie sind vorzugsweise entsprechend der Dicke der Isolierschicht 5 ausgebildet. Anstelle der einen Selenschicht 8 können auch mehrere Teilschichten übereinander in den topfartigen Durchbrüchen 7 angeordnet sein. Eine solche Schichtenkonfiguration

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kann beispielsweise aus einer ersten Teilschicht aus Nickelselenid oder Wismutselenid entsprechend dem jeweilig verwendeten Material für die Leiterbahnen 2, einer darüber aufgebrachten zweiten Teilschicht aus mit Halogenen und/oder Indium, Gallium und ähnlichem versetztem Selen und einer wiederum darüber aufgebrachten dritten Selenteilschicht mit einer Sperrdotierung, wie beispielsweise Gallium, gebildet sein.

Auf der Isolierschicht 5 und dem nicht bedeckten Teil 4a des Streifens 4 der Trägerplatte 1 sind gemäß den Figuren 4 und 5 streifenförmige Leiterbahnen 9 in Abständen parallel in der Y-Koordinatenrichtung der Matrix angeordnet. Sie verlaufen über die mit der Selenschicht 8 gefüllten topfartigen Durchbrüche 7 der Isolierschicht 5. Die Leiterbahnen sollen elektrisch gut leitfähig sein, eine gute Haftung haben und mit Selen einen Sperrkontakt bilden. Als Material ist daher vorzugsweise Cadmium oder eine Cadmiumlegierung verwendet. Über den Durchbrüchen 7 wirken die Leiterbahnen 9 als Deckelektroden für die Selengleichrichter. Die Leiterbahnen 9 weisen eine Dicke von etwa 10,u auf. Die Leiterbahnen in der Y-Koordinatenrichtung können ebenfalls mehrschichtig aus verschiedenen Metallen hergestellt sein, wobei die oberste Schicht mindestens an den Stellen, wo Selengleichrichter gebildet werden, mit Selen einen Sperrkontakt ergeben muH.

Die Leiterbahnen 2 in der Y-Koordinatenrichtung und die Leiterbahnen 9 in der Y-Koordinatenrichtung der Matrix

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sind mittels zweier Steckerleisten 10 und 11 (Figur 6) als elektrische Anschlüsse 12 und 13 in Form von Abschlußstiften nach außen geführt. Die Steckerleiste 10 ist auf den nur mit den Leiterbahnen 2 beschichteten, von der Isolierschicht 5 unbedeckten Streifen 7, die Steckerleiste 11 auf den nur mit den Leiterbahnen 9 beschichteten, von der Isolierschicht 5 unbedeckten Streifen 4a der Trägerplatte 1 aufgeschoben.

Die gesamte Anordnung mit den aufgeschobenen Steckerleisten 10 und 11 ist, wie aus Figur 6 ersichtlich, zum Schutz gegen Feuchtigkeit und ε/gressive Atmosphäre zu einem konmakten Block 14 umspritzt oder vergossen, aus welchem nur die Anschlußstifte 12 und 13 ragen. Sie kann aber auch in ein Gehäuse eingebaut sein.

Das Ausführungsbeispiel der Diodenmatrix gemäß den vorausgehend beschriebenen Figuren ist nicht auf eine bestimmte Anzahl von Leiterbahnen beschränkt. Es können beliebig viele Leiterbahnen angeordnet sein, soweit dies die Größe der Trägerplatte 1 zuläßt. Die Breite der Leiterbahnen und ihr gegenseitiger Abstand orientieren sich lediglich an der Leistung des elektrischen Durchgangssignals. Im Ausführungsbeispiel gemäß den Figuren sind die Kreuzungspunkte der Matrix, an denen die Leiter der X-Koordinatenrichtung mit denen der Y-Koordinatenrichtung nicht oder über die Dioden miteinander verbunden sind, ohne Berücksichtigung eines bestimmten Codes rein schematisch dargestellt. Die Codierung der Matrix kann beliebig erfolgen.

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Es liegt im Rahmen der Erfindung, die Diodenmatrix auch in umgekehrtem Aufbau darzustellen, dergestalt, daß die unmittelbar auf der Trägerplatte 1 angeordnetenLeiterbahnen in der X-Koordinatenrichtung 'der Matrix aus Deckelektrodenmaterial, also aus einem Metall oder einer Metallegierung, welche mit Selen eine Sperrschicht bildet, und die über den mit Selenschichten gefüllten Durchbrüchen 7 an den Kreuzungspunkten verlaufenden Leiterbahnen in der Y-Koordinatenrichtung der Matrix aus Grundelektrodenmaterial, also aus einem Metall oder einer Metallegierung, welche mit Selen einen sperrschichtfreien Übergang bildet, ausgebildet sind.

Es liegt weiterhin im Rahmen der Erfindung, die Leiterbahnen in der X- und in der Y-Koordinatenrichtung der Matrix aus einem elektrisch gut leitfähigen Metall oder einer Metallegierung auszubilden und in den topfähnlichen Durchbrüchen 7 der Isolierschicht 5 den Schichtaufbau von Selengleichrichtern - also übereinander angeordnet eine Schicht aus Grundplattenmaterial, wie Nickel oder Wismut, eine Schicht oder auch mehrere Teilschichten aus Selen und eine Schicht aus Deckelektrodenmaterial, bzw. auch in umgekehrter Reihenfolge - anzuordnen.

Die Herstellung der Diodenmatrix erfolgt in der nachfolgend beschriebenen Weise:

Auf die Trägerplatte 1 aus Glas, Keramik, Kunststoff oder auch aus Metall mit einer isolierenden Oberflächenschicht

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werden zuerst die streifenförmigen Leiterbahnen aus Grundplattenmaterial wie beispielsweise Nickel oder Wismut in der Y-Koordinatenrichtung der Matrix aufgebracht. Die Leiterbahnen werden mit einer Maske aufgedampft oder mittels einer Maske durch Kathodenzerstäubung aufgebracht; sie können aber auch auf die Trägerplatte aufgedruckt oder aufgespritzt sein.

Dann wird die Isolierschicht durch Aufstreichen oder ähnliche Verfahren aufgebracht. Wird als Isoliermaterial Photolack verwendet, so xvird die Photolackschicht mit einem Muster, welches entsprechend den Flächen der später aufzubringenden Selengleichrichter ausgebildet ist, belichtet. Dann werden die belichteten Stellen herausgelöst, so daß in der Photolackschicht topfartige Durchbrüche bis zu den X-Leiterbahnen gebildet werden.

Es ist aber auch möglich, ein anderes Isoliermaterial für die Isolierschicht zu verwenden, und dieses beispielsweise mit Hilfe einer Maske so aufzubringen, daß sich an. den definierten Stellen topfartige Durchbrüche bilden.

In die topfartigen Durchbrüche der Isolierschicht wird auf die Leiterbahn in der X-Koordinatenrichtung eine Selenschicht mittels einer Maske aufgedampft. Dem Selen können geringe Mengen von Dotierungsstoffen zugesetzt sein. Die aufgedampfte Selenschicht wird einem Temperungsprozei? unterworfen, um die elektrisch gutleitende, graue, kristalline Form des Selens zu erhalten.

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Sollen in den topfartigen Djirchbrüchen mehrere Teilschichten aus Selen übereinander aufgebracht werden, so wird eine erste Teilschicht aus Selen mit Hilfe einer Maske aufgedampft. Danach erfolgt ein Temperungsprozeß, durch welchen Nickelselenid bzw. Wismutselenid je nach Leiterbahnmaterial gebildet wird und damit ein guter ohmscher Kontakt zu den Leiterbahnen entsteht. Dann wird eine zweite, mit einer Durchlaßdotierung, wie beispielsweise Halogenen und/oder Indium, Gallium und ähnlichem versetzte Teilschicht aus Selen aufgedampft. Danach folgt wiederum ein Temperungsprozeß zur Ausbildung der kristallinen Form der zweiten Teilschicht aus Selen. Anschließend wird die dritte mit einer Sperrdotierung, wie z.B. ThalliuiUjVersehene Teilschicht aus Selen aufgedampft und anschließend getempert.

Danach werden streifenförmig Leiterbahnen aus Deckelektrodenmaterial, wie beispielsweise Cadmium, -in der Y-Koordinatenrichtung der Matrix auf den nicht beschichteten Teil der Trägerplatte und die Isolierschicht, über den topfartigen Durchbrüchen verlaufend, aufgebracht. Die Leiterbahnen werden unter Ver\\^Tendung einer Maske aufgedampft oder durch Kathodenzerstäubung aufgebracht oder auch aufgespritzt.

Es ist auch möglich, daß die Leiterbahnen aus Deckelektrodenmaterial direkt auf die Trägerplatte in der X-Koordinatenrichtung der Matrix aufgebracht werden, daß

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dann die Selenschicht in die topfartigen Durchbrüche der Isolierschicht eingebracht wird - bei mehreren übereinander liegenden Teilschichten aus Selen wird dann entsprechend zuerst die dritte, dann die zweite und schließlich die erste Teilschicht mit jeweilig nachfolgendem Temperungsprozeß, wie beschrieben, aufgebracht - und daß anschließend die Leiterbahnen aus Grundplattenmaterial in der Y-Koordinatenrichtung, wie beschrieben, aufgebracht werden.

Die Herstellung der Matrix kann auch derart erfolgen, daß direkt auf die Trägerplatte Leiterbahnen aus elektrisch gut leitfähigem Material in der X-Koordinatenrichtung der Matrix aufgebracht werden, daß in die topfähnlichen Durchbrüche der Isolierschicht jeweils der Schichtaufbau eines Selengleichrichters, also eine Schicht aus Grundplattenmaterial, eine Schicht oder mehrere übereinander angeordnete Teilschichten aus Selen und eine Schicht aus Deckelektrodenmaterial, aufgebracht wird, und dann wiederum Leiterbahnen aus elektrisch gut leitfähigem Material, aufgebracht werden.

Anschließend erfolgen die Schritte zur Ausbildung der Selengleichrichter: Die ganze Anordnung wird zur vollständigen Kristallisation der Selenschicht(en) bei ca. 11O°C getempert. Dann erfolgt ein Temperungsprozeß bei ca. 217⁰C zur Ausbildung der Sperrschicht Cadmiumselenid - Selen. Danach wird die Anordnung formiert, indem jeweils die Leiterbahnen in der X-Koordinatenrichtung

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und die in der Y-Xoordinatenrichtung untereinander kurzgeschlossen und an die Formierungsspannung gelegt werden.

Dann werden die beiden Steckerleisten auf die Trägerplatte bzw. die Leiterbahnen aufgeschoben, welche die Leiterbahnen der X- und der Y-Koordinatenrichtungen als elektrische Anschlüsse nach außen führen.

Zuletzt wird die gesamte Anordnung zum Schutz gegen Feuchtigkeit und a^ressive Atmosphäre mit Gießharz zu einem Block vergossen .

Verzeichnis der Bezugszeichen

1 Trägerplatte

2 Leiterbahn

\ Streifen der Trägerplatte

4a unbedeckter Streifen

5 Isolierschicht

6 unbedeckter Streifen

7 Durchbruch

8 Selenschicht

9 Leiterbahn

Steckerleiste

.V Anschlußstift

Block . /

Patentansprüche 609837/0494 Blatt Zeichnungen '

Claims

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Patentansprüche"

MJ) Diodenmatrix, bei der zwei Gruppen von elektrischen Leitern sich überkreuzend in Koordinatenform angeordnet und an wenigstens einem Teil der Kreuzung.spunkte jeweils ein Leiter der einen Gruppe und ein Leiter der anderen Gruppe über eine Diode miteinander verbunden sind, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen den beiden Leitergruppen eine elektrisch isolierende Schicht mit Durchbrüchen an diesen Kreuzungspunkten und in diesen Durchbrüchen mindestens teilweise der Schichtaufbau von Selengleichrichtern angeordnet ist.
2.) Diodenmatrix nach Ansprxich 1, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrisch isolierende Schicht aus Photolack besteht.
3.) Diodenmatrix nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrisch isolierende Schicht einen Füllstoff aus körnigen oder fadenförmigen Teilchen enthält.
4.) Diodenmatrix nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrisch isolierende Schicht an zwei aneinanderstoßenden Seiten der Trägerplatte ' nicht bis zum Rand reicht.

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5.) Diodenmatrix nach den Ansprüchen 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrisch isolierende Schicht eine Dicke von etwa 50.u bis 100.u hat.
6.) Diodenmatrix nach den Ansprüchen 1 und 5, dadurch gekennzeichnet, daß 'dor Schichtaufbau des Selengleichrichters die gleiche Dicke hat wie die elektrisch isolierende Schicht.
7.) Diodenmatrix nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß in den Durchbrüchen eine Schicht aus einem Metall oder einer Metallegierung, welche mit Selen einen sperrschichtfreien Obergang bilden, eine Schicht aus Selen und eine Schicht aus einem Metall oder einer Metallegierung, welche mit Selen eine Sperrschicht bilden, übereinander angeordnet sind.
8.) Diodenmatrix nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Leiter der einen Gruppe aus einem Metall oder einer Metallegierung bestehen, welche mit Selen einen sperrschichtfreien Obergang bilden, und die Leiter der anderen Gruppe aus einem Metall oder einer Metallegierung, welche mit Selen eine Sperrschicht bilden, und daß in den Durchbrüchen eine Selenschicht angeordnet ist.
9.) Diodenmatrix nach den Ansprüchen 7 oder 8, dadurch rrekennzeich.net, daß die Selenschicht aus mehreren Teilschichten besteht. .

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10.) Diodenmatrix nach den Ansprüchen 7, 8 und 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Selenschicht Dotierungsstoffe enthält. .
11.) Diodenmatrix nach den Ansprüchen 7 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Selenschicht die gleiche Dicke hat wie die elektrisch isolierende Schicht.
12.) Diodenmatrix nach wenigstens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Leiter jeweils einer Gruppe über eine Steckerleiste als elektrische Anschlüsse nach außen geführt sind.
13.) Diodenmatrix nach wenigstens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Anordnung auf einer Trägerplatte aus elektrisch isolierendem Material angeordnet ist.
14.) Diodenmatrix nach wenigstens einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Anordnung auf einer Trägerplatte aus Metall mit einer elektrisch isolierenden Oberflächenschicht angeordnet ist.
15.) Diodenmatrix nach wenigstens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Anordnung in Isoliermaterial eingebettet ist.

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16.) Diodenmatrix nach wenigstens einem der Ansprüche bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Anordnung in ein Gehäuse eingebaut ist.
17.) Verfahren zur Herstellung einer Anordnung nach den Ansprüchen 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß auf die elektrisch isolierende Oberfläche einer Trägerplatte streifenförmige Leiterbahnen in der X-Koordinatenrichtung der Matrix aufgebracht werden, daß darauf eine isolierende Schicht aufgebracht wird, daß in der isolierenden Schicht an den Kreuzungspunkten der Matrix, an denen jeweils ein Leiter der einen Gruppe und ein Leiter der anderen Gruppe über eine Diode miteinander verbunden werden sollen, Durchbrüche bis zu den Leiterbahnen gebildet werden, daß in die Durchbrüche der Schichtaufbau eines Selengleichrichters eingebracht wird, daß anschließend streifenförmige Leiterbahnen in der Y-Koordinatenrichtung der Matrix aufgebracht werden, daß die Anordnung danach einem Temperungsprozeß bei ca. 11O⁰C und anschliessend einem Temperungsprozeß bei 217⁰C unterx</orfen wird, und daß schließlich die Anordnung formiert wird.
18.) Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß die Isolierschicht mit Hilfe einer Maske so aufgebracht wird, daß an den Kreuzungspunkten, an denen Selengleichrichter entstehen sollen, Durchbrüche gebildet werden.

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19.) Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß die isolierende Schicht aus Photolack gebildet wird, daß die Photolackschicht mit einem entsprechend der Anordnung und den Flächen der zu bildenden Selengleichrichtern ausgebildeten Muster belichtet wird, und daß die Durchbrüche durch Herauslösen der belichteten Stellen gebildet werden,
20.) Verfahrer, nach den Ansprüchen 17 bis 19, dadurch gekennzeichnet, daß auf die elektrisch isolierende Oberfläche einer Trägerplatte streifenförmige Leiter aus Grundplattenmaterial in der X-Koordinatenrichtung der Matrix aufgebracht werden, daß eine Isolierschicht mit Durchbrüchen erzeugt wird, daß in die Durchbrüche eine Selenschicht eingebracht wird, daß die Selenschicht getempert wird, daß anschließend streifenförmige Leiter aus Deckelektrodenmaterial in der Y-Koordinatenrichtung der Matrix aufgebracht werden, daß die Anordnung danach einem Temperungsprozeß bei ca. 110 C und anschließend einem Temperungsprozeß bei 217 C unterworfen wird und daß schließlich die Anordnung formiert wird.
21.) Verfahren nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, daß auf die elektrisch isolierende Trägerplatte streifenförmige Leiter aus Deckelektrodenmaterial in der X-Koordinatenrichtung aufgebracht und die streifeiförmigen Leiter in der Y-Koordinatenrichtung aus Grundplattenmaterial ausgebildet werden.

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22.") Verfahren nach den Ansprüchen 17 bis 21, dadurch gekennzeichnet, daß die Selenschicht in Form von mehreren Teilschichten in die Durchbrüche eingebracht wird.
23.) Verfahren nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, daß jede Selenteilschicht nach dem Aufbrin-• gen getempert vrird.

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