DE2508686A1 - Diodenmatrix - Google Patents

Diodenmatrix

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DE2508686A1
DE2508686A1 DE19752508686 DE2508686A DE2508686A1 DE 2508686 A1 DE2508686 A1 DE 2508686A1 DE 19752508686 DE19752508686 DE 19752508686 DE 2508686 A DE2508686 A DE 2508686A DE 2508686 A1 DE2508686 A1 DE 2508686A1
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conductor
diode matrix
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Robert Dr Rer Nat Friedrich
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Alcatel Lucent Deutschland AG
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Standard Elektrik Lorenz AG
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Publication date
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Description

Standard Elektrik Lorenz AG
Stuttgart 25Q8686
R.Friedrich 3
Diodenmatrix
Die Erfindung betrifft eine Diodenmatrix, bei der zwei Gruppen von elektrischen Leitern sich überkreuzend in Koordinatenform angeordnet und an mindestens einem Teil der Kreuzungspunkte jeweils ein Leiter der einen Gruppe und ein Leiter der anderen Gruppe über eine Diode miteinander verbünden sind, sowie ein Verfahren zur Herstellung einer solchen Diodenmatrix.
Die eine Gruppe der elektrischen Leiter der Matrix stellt die Eingabeleitungen dar, welche mit digitalen Schaltimpulsen bestimmter Polarität gegenüber einer Bezugsspannung gespeist werden, und die andere Gruppe von elektrischen Leitern die Ausgabeleitungen. Die Eingabe- und die Ausgabeleitungen sind gemäß eines Codes der Matrix über Dioden teilweise miteinander verbunden. Die Ausgabeleitungen wirken mit elektronischen Auswerteschaltungen zusammen.
Derartige Matrizen sind als integrierte Schaltungen unter Verwendung von Siliziumdioden bekannt. Sie sind jedoch nur mit Hilfe einer relativ komplizierten Technik herstellbar. Dies wirkt sich auch entsprechend kostspielig aus. Als
- 12.2.1975
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weiterer Nachteil erweist sich, daß nur eine begrenzte Anzahl von elektrischen Leitern entsprechend der sehr kleinen Fläche der einzelnen Siliziumdioden bzw. der gesamten integrierten Schaltung .möglich ist. Bei.Silizium-Matrizen hilft man sich mit einer außen angeschlossenen Codiervorrichtung, welche die Anzahl der Eingabeleitunge.n reduziert, und einer integrierten Decodiervorrichtung und für die Ausgabeleitungen entsprechend mit einer integrierten Codiervorrichtung., welche die Anzahl der Ausgabeleitungen vermindert, sowie einer außen angeschlossenen Decodiervorrichtung, die die Ausgabeleitungen auf die eigentlich gewünschte Anzahl erweitert.
Die Erfindung hat sich die Aufgabe gestellt, eine Diodenmatrix der eingangs beschriebenen Art für einen weiten Belastungsbereich mit einer beliebigen Vielzahl von elektrischen Anschlußleitern als Direktanschlüsse ohne zusätzliche Codier- und Decodiervorrichtungen zu schaffen und sie in einfacher Technologie kostensparend herzustellen.
Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung dadurch gelöst, daß an wenigstens einem Teil der Kreuzungspunkte der elektrischen Leiter der Matrix der Schichtaufbau von Selengleichrichtern angeordnet ist.
Eine solche Anordnung wird erfindungsgemäß dadurch hergestellt, daß auf die elektrisch isolierende Oberfläche einer Trägerplatte streifenförmig Leiter in der X-Koordinatenrichtung der Matrix aufgebracht werden, daß an den Kreuzungspunkten, an denen jeweils ein Leiter der einen
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Gruppe und ein Leiter der anderen Gruppe über eine Diode miteinander verbunden werden sollen, der Schichtaufbau von Selengleichrichtern aufgebracht wird, daß anschließend streifenförmige Leiter in der-Y-Koordinatenrichtung der Matrix aufgebracht werden,'daß die Anordnung danach einem Temperungsprozeß bei 110 C und anschließend einem Tempe-, rungsprozeß bei 217.C unterworfen wird.,, und daß schließlich die Anordnung formiert wird.
Eine solche Diodenmatrix läßt sich in einfacher Weise unter Anwendung der für Gleichrichter bekannten und bewährten Technologien sehr preisgünstig herstellen. Sie ist überall dort gut anwendbar, wo räumliche Abmessungen nicht begrenzend vorgeschrieben sind. Infolge der größeren Diodenflächen bzw. der größeren Fläche der Anordnung lassen sich beliebig viele Anschlußleiter direkt anschließen. Darüber hinaus liegt bei Selendioden der Wert der Schleuscnspannung, also der Spannung, die mindestens notX'/endig ist, um die Diffusionsspannung aufzuheben, erheblich niedriger als bei Siliziumdioden. Dies besagt, daß sehr viel kleinere Spannungen noch verarbeitet werden können. Es lassen sich aber auch Impulse großer Leistung gut verarbeiten. Darüber hinaus sind die Selendioden gegen Oberspannung wesentlich unempfindlicher als die Siliziumdioden.
!■'eitere Ausführungsformen und Einzelheiten der Erfindung werden nachstehend in Ausführungsbeispielen anhand der Zeichnung näher erläutert; es zeigen:
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Die Figuren T.bis 4 jeweils im Grundriß die einzelnen
Aufbaustufen der Diodenmatrix, wobei die Figur 3a in einer Teilzeichnung einen Kreüzungspunkt der Diodenmatrix darstellt;
Figur 5 in einem Schnitt eine auf die Diodenmatrix geschobene Steckerleiste und
Figur 6 die zu einem Block vergossene gesamte Anordnung.
Als Grundplatte für die Diodenmatrix dient eine Trägerplatte. Die Trägerplatte muß wenigstens auf ihrer Oberfläche elektrisch isolieren und zum Aufdampfen von weiteren Schichten geeignet sein; sie darf also z.B. in Vakuum nicht gasen. Des weiteren muß sie eine mechanische Stabilität und eine glatte Oberfläche mit definierter Rauhigkeit aufweisen. Als Material für die Trägerplatte ist daher vorzugsweise Glas, Keramik, Kunststoff oder Metall mit einer Isolierstoffschicht verwendet. Letzteres ist insbesondere bei Verwendung von Dioden mit größerer Leistung für die Wärmeabführung günstig.
Auf der Trägerplatte 1 sind gemäß der Figur 1 streifenförmig Leiterbahnen 2 in Abständen parallel in der X-Koordinatenrichtung der Matrix angeordnet. Die Leiterbahnen 2 sind elektrisch gut leitfähig. Da sie auch die Grundplatte für die aufzubringenden Selendioden bilden, ist es erforderlich, daß ihr Material mit Selen einen
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ohmschen Kontakt gibt. Als Material ist daher vorzugsweise Nickel oder Wismut verwendet. Die Leiterbahnen
können auch mehrschichtig aus verschiedenen Metallen ausgebildet sein, wobei die oberste Schicht mindestens an den Stellen, wo Selengleichrichter gebildet werden sollen, mit Selen einen ohmschen Kontakt geben muß. So können beispielsweise die Leiterbahnen auch aus einer' Aluminiumschicht mit einer oberen Schicht aus Wismut oder Nickel gebildet sein. Die Leiterbahnen 2 sind so auf der Trägerplatte angeordnet, daß ihre Längskanten-nicht mit der Trägerplatte.1 abschließen und auf der einen Seite ein schmalerer isolierender Streifen 3, welcher beim späteren Aufbringen einer leitenden Schicht Kurzschlußübergänge verhindern soll, und auf der anderen ein breiterer isolierender Streifen 4 der Trägerplatte 1. verbleibt, auf dessen Funktion nachfolgend noch näher eingegangen werden soll. Die Leiterbahnen 2 weisen eine Dicke von ?twa 5 bis 10,u auf, um beim späteren Aufschieben von Anschlußsteckerleisten nicht beschädigt zu werden.
An den Kreuzungspunkten der Matrix, an denen die Leiterbahnen der X-Koordinatenrichtung entsprechend eines Codes nicht mit denen der Y-Koordinatenrichtung über Dioden verbunden werden sollen, ist auf den Leiterbahnen 2 gemäß der Figur 2 jeweils fleckenförmig Isoliermaterial 5 angeordnet. Das Isoliermaterial 5 soll so beschaffen sein, daß es Temperaturen von 22O0C ohne Beschädigung aushält und im Vakuum nicht gast. Zur Herstellung kann vorzugsweise Photolack verwendet werden. Die Durchmesser der
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einzelnen fleckenförmigen Flächen des Isoliermaterials sind jeweils mindestens so breit wie die Leiterbahnen vorzugsweise jedoch etwas breiter gestaltet, um unerwünschte Kurzschlüsse durch später aufzubringende leitende Schichten sicher zu verhindern. Benachbarte einzelne Isolierflächen können auch zu einer Isolierfläche zusammengefaßt sein. Die Dicke des Isoliermaterials 5 entspricht in etwa der Dicke der noch aufzubringenden Selenschicht, also ca. 50 bis 100,u.
Gemäß der Figur 3 ist an den Kreuzungspunkten der Matrix, an denen die Leiter der X-Koordinatenrichtung entsprechend des Codes der Matrix mit denen der Y-Koordinatenrichtung über Dioden verbunden werden sollen, auf den Leiterbahnen 2 jeweils eine Selenschicht 6 angeordnet, wobei dem Selen geringe Mengen von Dotierungsstoffen zugesetzt sein können* Die einzelnen Selenschichten 6 weisen eine Dicke von ca, 50 bis 100,u auf. Sie sind so angeordnet, daß sie über die Leiterbahnen 2 hinausragen, um Kurzschlüsse zwischen den Leiterbahnen der X-Koordinatenrichtung und den noch aufzubringenden Leiterbahnen der Y-Koordinatenrichtung zu verhindern. Wenn der Durchmesser der Fläche der Selenschicht kleiner sein soll als die Breite der Leiterbahnen, so ist sie mit einer rahmenartigen Isolierschicht 18 umgeben, die über die Leiterbahnen hinausragt (Figur 3a).
Dann sind gemäß der Figur 4 streifenförmige Leiterbahnen in Abständen parallel in der Y-Koordinatenrichtung der
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Matrix angeordnet. Die Leiterbahnen 7 sollen elektrisch leitend sein,eine gute Haftung haben und mit Selen einen Sperrkontakt bilden. Als Material ist daher vorzugsweise Cadmium oder eine Cadmiumlegierung verwendet. An den Stellen, an denen Selen angeordnet ist, wirken sie als Deckelektroden. Die Leiterbahnen 7 sind etwa 1O,u dick. Die Leiterbahnen in der Y-Koordinatenrichtung können ebenfalls mehrschichtig aus verschiedenen Metallen hergestellt sein, wobei die oberste Schicht mindestens an den Stellen, wo Selendioden gebildet werden sollen, mit Selen einen Sperrkontakt ergeben muP-. Ebenso wie die Leiterbahnen 2 sind auch die Leiterbahnen 7 so angeordnet, daß ihre Längskanten nicht mit der Trägerplatte 1 abschließen. Im Ausführungsbeispiel ist auf der einen Seite ein schmaler isolierender Streifen S der Trägerplatte 1 belassen, um Kurzschlüsse Zivi sehen den Leiterbahnen 2 und 7 bei deren Aufbringen zu vermeiden, und auf der anderen Seite ein breiterer isolierender Streifen 9 der Trägerplatte 1.
Die Leiterbahnen 2 in der X-Koordinatenrichtung und die Leiterbahnen 7 in der Y-Koordinatenrichtung der Matrix sind z.B. gemäß der Figur 5 mittels zweier Steckerleisten 10 und 11 als elektrische Anschlüsse nach außen geführt. Die Steckerleiste 10 ist dabei auf den nur mit den Leiterbahnen 7 beschichteten Streifen 4 der Trägerplatte 1 , die Steckerleiste 11 auf den nur mit den Leiterbahnen 2 beschichteten Streifen 9 der Trägerplatte 1 aufgeschoben. Die Steckerleiste 10 bzw. 11 ist aus einer Steckerfassung
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12 und in einer Aussparung 13 befindlichen, im wesentlichen U-förmig gestalteten Metallfedern 14 gebildet. Die Metallfedern 14 umgreifen die Trägerplatte 1 und bilden dabei mit den einzelnen Leiterbahnen 2 bzw. 7 jeweils einen elektrischen Kontakt. Aus der Steckerfassung ragen seitlich mit den Metallfedern 14 elektrisch verbundene Anschlußstifte 15 bzw. 16.
Wie aus der Figur 6 ersichtlich, ist die gesamte Anordnung mit den aufgeschobenen Steckerleisten 10 und 11 zum Schutz gegen Feuchtigkeit und agressive Atmosphäre zu einem kompakten Block 17 umspritzt oder vergossen, aus welchem nur die Anschlußstifte 15 und 16 ragen. Sie kann aber auch in ein Gehäuse eingebaut sein.
Das Ausf-'ihrungsbeispiel der Diodenmatrix gemäß den vorausgehend beschriebenen Figuren ist nicht auf eine bestimmte Anzahl von Leiterbahnen beschränkt. Es können beliebig viele Leiterbahnen angeordnet sein, soweit dies die Größe der Trägerplatte 1 zuläßt. Die Breite der Leiterbahnen und ihr gegenseitiger Abstand orientieren sich lediglich an der Leistung des elektrischen Durchgangssignals. Im Ausführungsbeispiel gemäß den Figuren sind die Kreuzungspunkte der Matrix, an denen die Leiter der X-Koordinatenrichtung mit denen der Y-Koordinatenrichtung nicht oder über die Dioden nitei/ahder verbunden sind, ohne Berücksichtigung eines bestimmten Codes rein schematisch dargestellt. Die Codierung der Matrix kann beliebig erfolgen.
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Es ist auch möglich, anstelle der einen Selenschicht an den definierten Kreuzungspunkten (Figur 3) mehrere Selenschichten übereinander anzuordnen. Eine solche Schichtenkonfiguration kann beispielsweise aus einer ersten Schicht aus Nickelselenid oder Wismutselenid entsprechend dem jeweilig verwendeten Material für die Leiterbahnen 2, einer darüber aufgebrachten zweiten Schicht aus mit Halogenen und/oder Indium, Gallium u.a. versetztem Selen und einer wiederum darüber aufgebrachten dritten Selenschicht mit einer Sperrdotierung wie beispielsweise Thallium gebildet sein.
Es liegt im Rahmen der Erfindung, die Diodenmatrix auch in umgekehrtem Aufbau darzustellen, dergestalt, daß die unmittelbar auf der Trägerplatte 1 angeordneten Leiterbahnen in der X-Koordinatenrichtung der Matrix aus Deckelektrodenmaterial und die über den Selenschichten an den Kreuzungspunkten verlaufenden Leiterbahnen in der Y-Koordinatenrichtung der Matrix aus Grundelektrodenmaterial ausgebildet sind. Kommt ein Aufbau der Selendioden in mehreren Selenschichten zur Anwendung, so ist die Schichtenkonfiguration dann in der umgekehrten Weise ausgebildet, dergestalt,, daß die erste Selenschicht mit einer Sperrdotierung versehen ist, die zweite Schicht aus mit Kalogenen und/oder Indium, Gallium u.a. versetztem Selen und die dritte Schicht aus Nickelselenid oder Jv'ismutselehid entsprechend dem jeweilig ve zuwendeten Leiterbahnmaterial gebildet sind.
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Es liegt weiterhin im Rahmen der Erfindung, an den Kreuzungspunkten der Matrix, an denen jeweils ein Leiter der X-Koordinatenrichtung entsprechend des Codes der Matrix mit jeweils einem Leiter der Y-Koordinatenrichtung über Dioden miteinander verbunden werden sollen, anstelle· einer Selenschicht bzw. den vorausgehend beschriebenen, übereinander angeordneten Selenschichten zwischen den Leitern jeweils den Schichtaufbau eines Selengleichrichters anzuordnen und die Leiterbahnen 2 und 7 aus elektrisch leitendem Material, wie einem Metall oder einer Metallegierung auszubilden.
Die Herstellung einer solchen Selendiodenmatrix erfolgt in der nachfolgend beschriebenen V/eise:
Auf eine elektrisch isolierende und zum Aufbringen weiterer Schichten geeignete Trägerplatte aus Glas, Keramik, Kunststoff oder auch auf eine Metallplatte mit einer darauf angeordneten Isolierschicht werden zuerst streifenförmige Leiterbahnen aus Grundplattenmaterial, wie beispielsweise Nickel oder Wismut, in Abständen parallel in der X-Koordinatenrichtung der Matrix aufgebracht. Dies kann derart erfolgen, daß die Leiterbahnen mit einer Maske aufgedampft werden: Zum einen derart, daß auf die Trägerplatte eine Maske aufgelegt wird und eine streifenförmige Bedampfung an den nicht von der Maske bedeckten Stellen der Trägerplatte erfolgt. Die Maske wird nach dem Bedampfen abgezogen. Zum anderen kann eine Maske mittels Pho.tolack auf der Trägerplatte erzeugt werden. Es ist auch möglich, daß
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die Leiterbahnen mittels einer Maske durch Kathodenzerstäubung aufgebracht werden, darüber hinaus können die Leiterbahnen aber auch auf die Trägerplatte aufgedruckt oder aufgespritzt werden.
Dann wird an den Kreuzungspunkten der Matrix, an denen die Leiterbahnen der X-Koordinatenrichtung nicht mit denen der Y-Koordinatenrichtung über Dioden verbunden werden sollen, auf die auf die Trägerplatte aufgebrachten Leiterbahnen fleckenförmig ein Isoliermaterial aufgebracht. Das Isoliermaterial soll Temperaturen von 220 C ohne Beschädigung aushalten und im Vakuum nicht gasen. Das Isoliermaterial kann aufgespritzt, aufgestrichen, nach dem Photolack-Ätzverfahren oder durch ähnliche Verfahren aufgebracht werden.
An den jeweiligen Kreuzungspunkten der Matrix, an denen die Leiterbahnen der X-Koordinatenrichtung mit denen der Y-Koordinatenrichtung über Dioden verbunden werden sollen, wird auf die aufgebrachten Leiterbahnen eine Selenschicht mittels einer Maske aufgedampft. Dem Selen können geringe Mengen von Dotierungsstoffen zugesetzt sein. Die aufgedampfte Selenschicht wird einem Temperungsprozeß unterworfen, um die elektrisch gutleitende, graue, kristalline Form des Selens zu erhalten. Sollen mehrere Selenschichten übereinander aufgebracht werden, so wird eine erste Selenschicht mit Hilfe einer Maske auf die Leiterbahnen an den betreffenden Kreuzungspunkten aufgedampft. Danach erfolgt ein Terrperungsprozeß, durch welchem Nickelselenid
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bzw. iVisnutselenid ie nach Leiterbahnmaterial gebildet wird und damit ein guter ohmscher Kontakt zu den Leiterbahnen entsteht. Dann wird eine zweite, mit einer Durchlaßdotierung wie beispielsweise Halogenen und/oder Indium, Gallium und ähnlichem versehene Selenschicht aufgedampft. Danach folgt wiederum ein Temperungsprozeß zur Ausbildung der kristallinen Form der zweiten Selenschicht. Anschließend wird die dritte, mit einer Sperrdotierung wie z.B. Thallium versehene Selenschicht aufgedampft und anschließend getempert. Die Durchmesser der Flächen der aufgebrachten. Selenschichten sind jeweils größer als die Breite der Leiterbahnen. Falls die Durchmesser der Selenschichtflächen kleiner gewählt werden sollen als die Breite der Leiterbahnen, muß um die Selenschicht eine rahmenartige Isolierschicht aufgebracht werden (Figur 3a). Diese Isolierschicht kann gleichzeitig und in gleicher Art mit dem fleckenförmigen Isoliermaterial aufgebracht werden, welches an den Stellen aufgebracht wird, wo keine Dioden angeordnet werden.
Danach werden streifenförmige Leiterbahnen aus Deckelektrodenmaterial wie beispielsweise Cadmium in Abständen parallel in der Y-Koordinatenrichtung der Matrix aufgebracht. Die Leiterbahnen werden unter Verwendung einer Maske aufgedampft oder, durch Kathodenverstäubung aufgebracht, welche entweder mechanisch von der Anordnung getrennt ausgebildet ist oder aus Photolack gebildet wird. Es ist auch möglich, die Leiterbahnen aufzuspritzen.
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Die Herstellung der Matrix kann auch in umgekehrter Reihenfolge entsprechend der vorausgehend beschriebenen Anordnung derart erfolgen, daß die Leiterbahnen mit Deckelektrodenmaterial, wie beschrieben, direkt auf die Trägerplatte aufgebracht werden, dann die Selenschicht aufgedampft und getempert wird - bei mehreren Selenschichten entsprechend zuerst die dritte, dann die zweite und zuletzt die erste Selenschicht mit jeweils nachfolgendem Ter.perungsprozeß wie beschrieben - und anschließend die Leiterbahnen aus Grundplattenmaterial wie beschrieben aufgebracht werden.
Die Herstellung der Matrix kann auch derart erfolgen, daß direkt auf die Trägerplatte Leiterbahnen aus elektrisch gut leitfähigem Material x\rie einen Metall oder einer Metallegierung, in der X-Koordinatenrichtung der Matrix ■ aufgebracht werden, daß anstelle der Selenschicht bzw. mehreren Selenschichten übereinander an den entsprechenden Kreuzungspunkten der Matrix jeweils der Schichtaufbau eines Selengleichrichters - also eine Schicht aus Grundplattenmaterial wie Nickel oder Wismut, eine oder mehrere übereinander angeordnete Selenschichten und eine Schicht aus Deckelektrodenmaterial - aufgebracht wird, und dann wiederum Leiterbahnen in der Y-Koordinatenrichtung der Matrix ebenfalls aus einen Metall oder einer Metallegierung aufgebracht werden.
Anschließend erfolgen die Schritte zur Ausbildung der Selendioden: Die ganze Anordnung wird zur vollständigen
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Kristallisation der Selenschicht(en) bei ca. 11O°C getempert. Dann erfolgt ein Temperungsprozeß bei ca. 217 C zur Ausbildung der Sperrschicht Cadir.iumselenid-Selen. Danach wird die Anordnung formiert, indem jeweils die Leiterbahnen in der X-Koordinatenrichtung und die in der Y-Koordinatenrichtung untereinander kurzgeschlossen und an die Formierungsspannung gelegt werden.
Dann werden die beiden Steckerleisten auf die Trägerplatte bzw..die Leiterbahnen aufgeschoben, welche die Leiterbahnen der X- und der Y-Koordinatenrichtungen als elektrische Anschlüsse nach außen führen.
Zuletzt wird die gesagte Anordnung zum Schutz gegen Feuchtigkeit und agressive Atmosphäre in Isoliermaterial eingebettet oder in ein Gehäuse eingebaut.
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Verzeichnis der Bezugszeichen
1 Trägerplatte
2 Leiterbahn
3 ")
4 J		 Streifen
5 Iso]iermaterial
6 Selenschicht
7 Leiterbahn
3 Ί
9 J		 Streifen
10 ^
11 J		 Steckerleiste
12 Steckerfassung
13 Aussparung
14 Metallfeder
Anschlußstift 17 Block
30 Patentansprüche 2 Blatt Zeichnungen
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Claims (1)

  1. R.Friedrich 3
    Patentansprüche
    μ}) Diodenmatrix, bei der zwei Gruppen von elektrischen Leitern sich überkreuzend in Kcordinatenform angeordnet und an wenigstens einem Teil der Kreuzungspunkte jeweils ein Leiter der einen Gruppe und ein Leiter der anderen Gruppe über eine Diode miteinander verbunden sind i dadurch gekennzeichnet, daß an diesen Kreuzungspunkten der Schichtaufbau von Selengleichrichtern angeordnet ist.
    2.) Diodenmatrix nach Anspruch T, dadurch gekennzeichnet, daß die Leiter der einen Gruppe aus einem-Metall oder einer Metallegierung bestehen, welche mit Selen einen Sperrschichtfreien Obergang bilden, und daß die Leiter der anderen Gruppe aus einem Metali cder einer Metallegierung bestehen j welche mit Selen eine Sperrschicht bilden.
    3.) Diodenmatrix nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Leiter, die mit Selen einen sperrschichtfreien Übergang bilden, aus einer Wismutschicht gebildet sind.
    4.) Diodenmatrix nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Leiter, die mit Selen einen sperrschichtfreien Obergang bilden, aus einer Aluminiumschicht und einer zwischen der Aluminiumschicht und dem Selen befindlichen Wismutschicht gebildet sind.
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    - 11
    7 _
    R.Friedrich 3
    5.) Diodenmatrix nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Leiter, die mit Selen einen sperrschichtfreien Obergang bilden, aus einer Nickelschicht gebildet sind.
    6.) Diodenmatrix nach den Ansprüchen.! und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Leiter} die mit Selen einen sperrschichtfreien Obergang bilden, aus einer Aluminiumschicht und einer zwischen dar Aluminiumschicht und dem Selen befindlichen Nickelschicht gebildet sind.
    7.) Diodenmatrix nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Leiter, die mit Selen eine Sperrschicht bilden, aus einer Schicht aus Cadmium oder einer Cadmiumlegierung gebildet sind.
    8.) Diodenmatrix nach einem oder mehreren der Ansprüche 2 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß an den Kreuzungspunkten, an denen jeweils ein Leiter der einen Gruppe und ein Leiter der anderen Gruppe über eine Diode miteinander verbunden sind, zwischen den Leitern eine Schicht aus Selen angeordnet ist.
    9.) Diodenmatrix nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht aus Selen Dotierungsstofte enthält.
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    - T8 -
    R.Friedrich 3
    10;) Diodenmatrix nach einem oder mehreren der Ansprüche 2 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß an den Kreuzungspunkten, an denen jeweils ein Leiter der einen Gruppe und ein Leiter der anderen Gruppe über eine Diode miteinander verbunden sind, zwischen den Leitern mehrere Selenschichten übereinander angeordnet sind.
    11.) Diodenmatrix nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen den Leitern eine Schicht aus Nickel oder Wismut enthaltendem Selen, eine Schicht aus mit Halogenen und/oder Indium, Gallium versetztem Selen und eine Schicht aus mit Thallium versetztem Selen angeordnet sind.
    12.) Diodenmatrix nach wenigstens einem der Ansprüche 8 bis 11, dadurch gekennzeichnet, da" die Flächen der Selenschichten jeweils einen Durchmesser aufweisen, der größer ist als die Breite der Leiter.
    15.) Diodenmatrix nach xvenigstens einem der Ansprüche 8 bis 11, dadurch gekennzeichnet, da3 die Flächen der Selenschichten jeweils einen Durchmesser aufweisen, der kleiner ist als die Breite der Leiter, und daß um diese Flächen eine rahmenartige Isolierschicht angeordnet ist.
    14.) Diodenmatrix nach wenigstens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß an den Kreuzungspunkten, an denen jeweils ein Leiter der einen Gruppe nicht mit einem Leiter der anderen Gruppe über eine Diode verbunden sind, zwischen den Leitern eine Isolierschicht angeordnet ist.
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    R.Friedrich 3
    15.) Diodenmatrix nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Fläche der Isolierschicht einen Durchmesser aufweist, der größer ist als die Breite der .Leiter.
    16..) Diodenmatrix nach den Ansprüchen 14 und 15> dadurch gekennzeichnet, daß benachbart liegende einzelne Flächen der Isolierschicht zu einer Isolierfläche zusammengefaßt sind.
    17.) Diodenmatrix nach wenigstens einem der vorhergehenden Anspruch?, dadurch gekennzeichnet, daß die Leiter jeweils einer Gruppe über jeweils eine Steckerleiste als elektrische Anschlüsse nach außen geführt sind. ,
    18.) Diodenmatrix nach wenigstens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Anordnung auf einer Trägerplatte aus elektrisch isolierendem Material angeordnet ist.
    19.) Diodenmatrix nach wenigstens einem der Ansprüche 1 bis 17, dadurch gekennzeichnet, daß die Anordnung auf einer Trägerplatte aus Metall mit einer elektrisch isolierenden Oberflächenschicht angeordnet ist.
    20.) Diodenmatrix nach wenigstens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Anordnung in Isoliermaterial eingebettet ist.
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    21.) Diodenmatrix nach wenigstens einem der Ansprüche 1 bis 19, dadurch gekennzeichnet, d^aß die Anordnung in ein Gehäuse eingebaut ist.
    22.) Verfahren zur Herstellung einer Anordnung nach den Ansprüchen 1 bis 21, dadurch gekennzeichnet, daß auf die elektrisch'isolierende Oberfläche einer Trägerplatte streifenförmige.Leiter in der X-Kooordinatenrichtung der Matrix aufgebracht werden, daß an den Kreuzungspunkten5 an denen jeweils ein Leiter der einen Gruppe ■ und ein Leiter der anderen Gruppe über eine Diode miteinander verbunden werden sollen, der Schichtaufbau von Selengleichrichtern aufgebracht wird, daß anschließend streifenförmige Leiter in der Y-Koordinatenrichtung der Matrix aufgebracht werden, daß die Anordnung danach einem Temperungsprozeß bei ca. 110 C und anschließend einem Temperungsprozep. bei ca. 217 C unterworfen wird und daß schließlich die Anordnung formiert wird..
    3.) Verfahren nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, daß auf die elektrisch isolierende Oberfläche einer Trägerplatte streifenförmige Leiter aus Grundplattenmaterial in der X-Kcordinatenrichtung der Matrix aufgebracht werden, daß an den Kreuzungspunkten, an denen jeweils ein Leiter der einen Gruppe und ein Leiter der anderen Gruppe über eine Diode miteinander verbunden werden sollen, eine Selenschicht aufgebracht wird, daß die Selenschicht getempert wird, daß anschließend streifenförmige Leiter . aus Deckelektrodenmaterial in der Y-Koordinat.enrichtung der Matrix aufgebracht werden, daß die Anordnung danach einem Temperungsprozeß bei ca. 11O°C und anschließend einem Temperungsprozeß bei ca. 217°C unterworfen wird und daß schließlich die Anordnung formiert wird,
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    24.) Verfahren nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, daß auf die elektrisch isolierende Trägerplatte streifenförmige Leiter aus Deckelektrodenmaterial in der X-Koordinatenrichtung aufgebracht und die streifenförmiges Leiter in der Y-Koordinatenrichtung aus Grundplattenmaterial ausgebildet werden.
    25.) Verfahren nach den Ansprüchen 22 bis 24, dadurch gekennzeichnet ,■ daß anstelle einer Selenschicht mehrere Selenschichten übereinander aufgebracht werden.
    26.) Verfahren nach Anspruch 25, dadurch gekennzeichnet, daß jede Selenschicht nach dem Aufbringen getempert wird.
    27.) Verfahren nach den Ansprüchen 22 bis 26, dadurch gekennzeichnet, daß nach den Aufbringen der streifenförmigen Leiter in der X-Koordinatenrichtung, aber vor dem Aufbringen der streifenförmigen Leiter in der Y-Koordinatenrichtung, an den nicht mit Selen beschichteten Kreuzungspunkten Isolierschichten aufgebracht werden.
    2S.) Verfahren nach den Ansprüchen 22 bis 27, dadurch gekennzeichnet, daß nach dem Aufbringen der streifenförmigen Leiter in der X-Koordinatenrichtung, aber vor dem Aufbringen der streifenförmigen Leiter in der Y-Koordinatenrichtung, rahmenartige Isolierschichten um die Selenschichten bz\^r. die mit Selen zu beschichtenden Stellen aufgebracht werden.
    609837/0809
    R.Friedrich 3
    29.) V-erfahren nach ivenigstens einem der Ansprüche 22 bis 28, dadurch gekennzeichnet, daß auf die Trägerplatte und die Leiter jeweils einer Gruppe jeweils eine Steckerleiste
    aufgeschoben wird. * .
    30.) Verfahren nach den Ansprüchen 22 bis 29, dadurch gekennzeichnet, daß die Anordnung mit Gießharz zu einem Block
    vergossen wird.
    Rg/pr - 12.2.1975
    60983 7/0809
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005004232A1 (de) * 2005-01-28 2006-08-10 Ksc Kraftwerks-Service Cottbus Anlagenbau Gmbh, Sitz Peitz Verfahren und Vorrichtung insbesondere zur Reparatur von Absperrarmaturen in Kraftwerken

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005004232A1 (de) * 2005-01-28 2006-08-10 Ksc Kraftwerks-Service Cottbus Anlagenbau Gmbh, Sitz Peitz Verfahren und Vorrichtung insbesondere zur Reparatur von Absperrarmaturen in Kraftwerken

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