DE2502452A1 - Schmelzsicherungseinrichtung und verfahren zu ihrer herstellung - Google Patents
Schmelzsicherungseinrichtung und verfahren zu ihrer herstellungInfo
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 31
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 26
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 23
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 17
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 15
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000000712 assembly Effects 0.000 claims description 3
- 238000000429 assembly Methods 0.000 claims description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 54
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 41
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 15
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 15
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- ZXEYZECDXFPJRJ-UHFFFAOYSA-N $l^{3}-silane;platinum Chemical compound [SiH3].[Pt] ZXEYZECDXFPJRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910021339 platinum silicide Inorganic materials 0.000 description 9
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 6
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 210000000056 organ Anatomy 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 2
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 2
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H69/00—Apparatus or processes for the manufacture of emergency protective devices
- H01H69/02—Manufacture of fuses
- H01H69/022—Manufacture of fuses of printed circuit fuses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H85/00—Protective devices in which the current flows through a part of fusible material and this current is interrupted by displacement of the fusible material when this current becomes excessive
- H01H85/02—Details
- H01H85/04—Fuses, i.e. expendable parts of the protective device, e.g. cartridges
- H01H85/041—Fuses, i.e. expendable parts of the protective device, e.g. cartridges characterised by the type
- H01H85/046—Fuses formed as printed circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/525—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body with adaptable interconnections
- H01L23/5256—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body with adaptable interconnections comprising fuses, i.e. connections having their state changed from conductive to non-conductive
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N97/00—Electric solid-state thin-film or thick-film devices, not otherwise provided for
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/49105—Connecting at different heights
- H01L2224/49109—Connecting at different heights outside the semiconductor or solid-state body
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
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- Semiconductor Memories (AREA)
- Fuses (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
Description
PATENTANWÄLTE 9502452
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München, den 17· Januar 1975 Anwaltsaktenz.: 27 - Pat. 107
Raytheon Company, l4l Spring Street, Lexington, Massachusetts
02173» Vereinigte Staaten von Amerika
Schmelzsicherungseinrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung.
Die Erfindung bezieht sich auf eine Schmelzsicherungseinrichtung insbesondere solcher Bauart, daß eine Fertigung als Teil
einer Anordnung auf einem Träger für eine integrierte; Schaltung möglich ist.
Derartige Schmelzsicherungseinrichtungen sind in bestimmten
Anwendungsfällen besonders zweckmäßig, beispielsweise in Mikrowellen-Diodenleistungsverstärkern,
bei welchen eine Vielzahl von Dioden in jedem Verstärker zueinander parallel geschaltet
ist. Bei einer solchen Beschaltungsart wird, wenn keine Schutzmaßnahmen
getroffen sind, bei einem Fehler an einer der Dioden. , durch Kurzschluß der gesamte Verstärker beschädigt und fällt
aus. Durch Verwendung einer Schmelzsicherung in Reihenschaltung im Gleichspannungs-VorSpannungszweig jeder Diode tritt bei
einem Fehler an einer einzelnen Diode nicht eine verhängnisvolle Zerstörung des gesamten Verstärkers ein. In den meisten
Fällen kann das gesamte Gerät, von welchem der Verstärker ein Teil ist, bis zu einem hohen Grad in Betrieb bleiben, wenn ein
OFUGiNAL INSPECTED K Π Cj ft 3 η / Ω 3 S 3
einzelner Verstärker nur noch beilweise arbeitet.
Ein anderes Anwendungsgebiet für Schmelzsicherungseinrichtungen
der hier in Betracht kommenden Art sind integrierte Schaltungen, in welchen jeweils in einzelnen Einheiten eine Anzahl
von Leistungstransistoren parallel betrieben wird. In diesem Falle kann eine Schmelzsicherung in den Emitterzweig jedes
Transistors auf dem Halbleitertäfeichen gelegt werden, so daß
ein Ausfall eines einzelnen Transistors durch Kurzschluß die Schmelzsicherung zum Ansprechen bringt, so daß dieser Transistor
aus der Schaltung herausgenommen und nicht die gesamte Schaltung außer Betrieb gesetzt wird. Die Schmelzsicherung kann
auch als Emitterbelastungswiderstand für jeden Ausgangs-Leistungstransistor verwendet werden, indem Widerstandsmaterial in das
Schmelzsicherungselement eingearbeitet wird. In den angegebenen und auch in weiteren Anwendungsfällen ist es wichtig,
daß der Strom, bei welchem die Schmelzsicherung ausgelöst wird, vorherbestimmbar und in genauem Maße einstellbar ist, um
ein Gerät, mit welchem die Schmelzsicherung schaltungsmäßig verbunden ist, in der gewünschten Weise zu schützen.
Bei bisher bekannten Schmelzsicherungseinrichtungen zur Verwendung
in Verbindung mit integrierten Schaltungen war das Schmelzsicherungselement unmittelbar auf dem Halbleitersubstrat gebildet.
Da verschiedene Bereiche des die Unterlage bildenden Halbleitersubstrats die Wärme in jeweils unterschiedlichem
Maße je nach Dotierung des Halbleitermaterials abführen, bereitete
der Wärmeabfluß unmittelbar von dem Schmelzsicherungselement in das Substrat hinein Schwierigkeiten bei der genauen
Bestimmung des Stromes, bei welchem die Schmelzsicherung auslöste. Auch ergab sich das Problem, daß benachbarte Schaltungselemente
durch die von dem Schmelzsicherungselement in das Substrat strömende Wärme beschädigt werden konnten.
Viele Arten von Lesespeichern oder Festwertspeichern sind ebenfalls
mit in die integrierten Schaltungen einbezogenen Schmelz-
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Sicherungseinrichtungen ausgerüstet. Beispielsweise ist es bei
einer solchen Speicherart zum Einschreiben oder Speichern einer logischen Null an einem bestimmten Speicherplatz notwendig,
an dem entsprechenden Speicherplatz innerhalb einer Diodenspeichermatrix
auf dem Haitoieitertäfeichen des Festwertspeichers
eine Schmelzsicherung zum Ansprechen zu bringen. In diesem speziellen Anwendungsfall ist es besonders wichtig, daß die
Schmelzsicherungen bei einem vorher bestimmten Strom durchschmelzen. Anderenfalls könnte die gesamte Einheit zerstört werden.
Würde das Durchschmelzen der Schmelzsicherung bei einem zu niedrigen Strom stattfinden, so könnte die Schmelzsicherung
während des normalen Betriebes des Gerätes ansprechen, so daß es zu einer Änderung der gespeicherten Daten käme. Ist jedoch
der Ansprechstrom für die Schmelzsicherungen zu hoch, so ist es nicht möglich, die richtigen Daten in den Festwertspeicher
einzuschreiben, da von den Geräten zum willkürlichen Durchschmelzen bestimmter Schmelzsicherungen naturgemäß nur ein begrenzter
Strom geliefert werden soll.
Durch die Erfindung soll die Aufgabe gelöst werden, eine Schmelzsicherungseinrichtung,
insbesondere zur Verwendung in Verbindung mit integrierten Schaltungen, in solcher Weise zu fertigen,
daß der zum Durchschmelzen oder Durchbrennen der Schmelzsicherung notwendige Strom präzise Vorherbestimmbar und von
Einrichtung zu Einrichtung reproduzierbar ist.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein Substrat mit mehreren,
auf mindestens einer seiner Oberflächen angeordneten, leitfähigen Bereichen und durch mindestens ein Schmelzsicherungsorgan
gelöst, welches sich auf der betreffenden Substratoberfläche befindet und zwei Anschlüsse sowie ein Schmelzsicherungselement aufweist, das von dem Substrat getrennt gehalten und
zwischen den Anschlüssen gelegen ist, welche jeweils mit einem der leitfähigen Bereiche in Verbindung stehen. Die Erfindung
beinhaltet auch ein Verfahren zur Herstellung solcher Schmelzsicherungseinrichtungen.
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Das Substrat kann das die Basis siner integrierten Schaltung
oder eines Transistors bildende Halbleitertäfelchen, eine keramische oder ferritische Basis für eine integrierte Mikrowellenschaltung
oder für andere Einrichtungen sein, bei welchen eine Schmelzsicherung unter Einsatz von Herstellungsverfahren
für integrierte Schaltungen gebildet wird. Die zwei Anschlüsse des Schmelzsicherungsorganes sind an die die leitfähigen Bereiche
bildenden Leiter oder Halbleiterteile angeschlossen, die in oder an dem Substrat vorgesehen sind und das zwischen
den Anschlüssen befindliche Schmelzsicherungselement ist von dem Substrat so getrennt gehalten, daß es keine körperliche
Berührung mit dem Substrat hat.
Die Schmelzsicherungseinrichtung enthält vorzugsweise eine erste Leiterschicht, aus welcher jeweils die beiden Anschlüsse
des Schmelzsicherungsorgans gebildet sind, die voneinander getrennt sind, sowie eine zweite Leiterschicht, aus der das
Schmelzsicherungselement gebildet ist. Bei einigen Ausführungsformen findet noch eine dritte Leiterschicht Verwendung, welche
sich parallel zu den beiden Anschlüssen des Schmelzsicherungsorgans erstreckt und der zweiten Leiterschicht benachbart ist,
Bevorzugtermaßen wird das Schmelzsicherungselement aus Platin hergestellt, doch lassen sich gemäß anderen Ausführungsformen
auch mit Vorteil Chrom, Titan, Molybdän oder Wolfram an dieser Stelle einsetzen. Die genannte erste und die dritte Leiterschicht
werden vorzugsweise aus Gold gefertigt.
Zur Herstellung von Schmelzsicherungseinrichtungen der hier vorgeschlagenen Art werden Schichten aus Titan, Platin, Gold
und wieder Titan in dieser Reihenfolge auf einem Substrat übereinander
abgelagert. Die Schichten können mit einem oder mehreren Halbleitergeräten in oder an dem Substrat elektrisch
Verbindung haben. Danach wird ein Teil der Oberfläche der obersten Titanschicht oxidiert. Der verbleibende, nicht oxidierte
Teil der obersten Titanschicht und die dazu parallel liegenden Teile der Goldschicht werden ebenso wie die darunterliegenden
Teile der unteren Titanschicht weggeätzt, so daß nur
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ein Schmelzsicherungselement aus Platin verbleibt. Bei bestimmten
Ausführungsformen wird dann noch ein Teil des Substrates abgeätzt,
so daß die gewünschten Halbleitergerä.te zurückbleiben.
Im übrigen bilden zweckmäßige Ausgestaltungen und Weiterbildungen Gegenstand der anliegenden Ansprüche, auf welche zur Verkürzung
und Vereinfachung der Beschreibung ausdrücklich hingewiesen wird. Einige Ausführungsformen werden nachfolgend unter
Bezugnahme auf die anliegende Zeichnung näher erläutert. Es
stellen dar;
Fig. IA eine Folge von Querschnitten durch eine Schmelzsicherungseinrichtung
in
während der Herstellung,
während der Herstellung,
sicherungseinrichtung in bestimmten Zuständen
Fig. 2A Schnittdarstellungen der Einrichtung nach den
Figuren IA bis IE entsprechend einer um 90°
gedrehten Schnittebene,
Fig. 3A Schnittansichten einer Schmelzsicherungseinrichtung
zur Verdeutlichung von Einzelheiten des Herstellungsganges,
Fig. 4a eine Aufsicht auf einen Mikrowellenverstärker
in Form einer integrierten Schaltung mit Schmelzsicherungseinrichtungen der hier vorgeschlagenen
Art,
Fig. 4b eine Schnittansicht eines Teiles der Verstärkerschaltung
nach Figur 4A, woraus der Aufbau der Schmelzsicherungseinrichtung und ihre Verbindung
zu den benachbarten Schaltungsteilen ■ ersichtlich ist,
Fig. 5 ein Blockschaltbild eines Radarsystems mit
phasengesteuerter Antennenanordnung als ein Gebiet zur vorteilhaften Anwendung von Schmelzsicherungseinrichtungen
der hier vorgeschlagenen Art,
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Fig. 6 ein Schaltbild eixies Teiles eines Festwertspeichers
als weiteres Anwendungsgebiet von Schmelzsicherungseinrichtungen und
Fig. 7 ein schematisches Schaltbild eines umstellbaren Speichers willkürlicher Zugriffsmöglichkeit
als wiederum anderes Anwendungsgebiet für Schmelzsicherungseinrichtungen der hier angegebenen
Bauart.
In den Figuren IA bis IE ist eine Folge von Querschnitten wiedergegeben,
welche jeweils bestimmte Herstellungszustände von drei Schmelzsicherungseinrichtungen zeigen, welche auf einem Halbleitersubstrat
gebildet werden. In dem in Figur IA mit 10 bezeichneten Halbleiterkörper oder Halbleitertäfelchen ist zwischen
den Schichten l4 und 16 ein Diodenübergang gebildet. Die Schicht
14 kann ρ -leitendes Material sein, während das Material der
Schicht l6 η-leitend sein kann. Die Herstellung des Halbleiterkörpers 10 und des von den'Schichten 14 und l6 gebildeten Übergangs
kann nach bekannten Herstellungsverfahren der Halbleitertechnik durchgeführt werden. Auf der Schicht 14 wird eine leitfähige
Metallschicht 12 abgelagert, welche eine Wärmesenke bildet und von den Diodenübergängen unter normalen Betriebsbedingungen
Wärme abführt. Danach wird, wie in Figur IB gezeigt ist, eine Platinschicht l8 auf der in der zeichnerischen Darstellung
unten liegenden Fläche der Schicht l6 aufgebracht» Das Ablagern der Platinschicht 18 kann durch Aufsputtern des
Metalls erfolgen. Dann wird die gebildete Platinschicht maskiert und durch gebräuchliche Fotoresistverfahren abgeätzt, so daß
drei kreisscheibenförmige Bereiche l8a bis l8c auf der Schicht l6 zurückbleiben, wie aus den Figuren IC und 2A ersichtlich
ist. Die Platinbereiche l6a bis l6c werden dann durch Erhitzen des gesamten Bauelementes gesintert, so daß drei Platinsilizidbereiche
19a his 19c zurückbleiben, welche sich teilweise in
daa Material der Schicht l6 hinein erstrecken. Die Platinsilizidbereiche 19a bis 19c dienen zur Kontaktierung der Diodenübergänge
durch das Material der Schicht l6 hindurch. Das verblei-
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bende Platin, welches beim Sint ei Vorgang nicht zu Platinsilizidumgewandelt
worden ist, wird durch chemisches Abätzen des Platins in einem Ätzmittel entfernt, welches zwar das Platin, nicht
jedoch das Platinsilizid angreift. Darauf wird über der betreffenden Fläche der Schicht 16 und den Platinsilizidbereichen 19a
bis 19c eine Schicht aus Siliziumdioxid 20 abgelagert. Dies ist
auch aus Figur 2B im einzelnen zu sehen.
Die Siliziumdioxidschicht 20 wird danach maskiert und um die Platinsilizidbereiche 19a bis 19c abgeätzt, so daß diese Bereiche
freigelegt werden. Hierauf wird eine Anordnung von vier Metallisierungsschichten abgelagert, welche mit den Platinsilizidbereichen
19a bis 19c Berührung haben,und, wie aus den
Figuren IE und 2C ersichtlich ist, sich auch über einen Teil der Siliziumdioxidschicht 20 erstrecken. Die erste Metallisierungsschicht
22a bzw. 24a bzw. 26a besteht vorzugsweise aus Titan in einer Stärke im Bereich von 500 bis 1000 A. Die zweite
Metallisierungsschicht 22b bzw. 24b bzw. 26b, welche jeweils
das Schmelzsicherungselement oder die durchschmelzbare Brücke bildet, besteht vorzugsweise aus Platin in einer Stärke im
Bereich von 1000 bis 4000 S, wobei die Stärke von dem Strom abhängig ist, bei welchem die betreffende Schmelzsicherungseinrichtung
konstruktionsgemäß durchschmelzen soll. Die dritte Metallisierungsschicht 22c bzw. 24c bzw. 26c besteht vorzugsweise aus Gold und hat etwa dieselbe Stärke wie die zweite
Metallisierungsschicht 22b bzw. 24b bzw. 26b. Die vierte Metallisierungsschicht 22d, 24d und 26d besteht dann vorzugsweise
aus Titan in einer Stärke von etwa 1000 A. Die Metallisierungsschichten werden jeweils der Reihe nach aufgebracht, was in
an sich bekannter Weise durch Aufsputtern des Metalls geschehen kann· \
Figur 3A zeigt einen Schnitt durch einen der Dioden- und Schmelzsicherungsbereiche
der Anordnung nach Figur 2C. Die Darstellung nach Figur 3A ist gegenüber derjenigen nach Figur2C vergrößert,
um den Aufbau der Schmelzsicherungseinrichtung und ihre Verbindung
zu dem Platinsilizidbereich 19a in seinen Einzelheiten
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wiederzugeben. Nachdem die Herstellung biü zu dera in den Figuren
2C und 3A gezeigten Zustand fortgesthritten ist, wird die
Oberfläche der vierten Metallisierungsschicht 22d unter Umwandlung von Titan in Titandioxid oxidiert, so daß eine Oberflächenschicht
28a entsteht mit Ausnahme in denjenigen Bereichen, in welchen eine durchschmelzbare Brücke oder ein Sicherungselement
gebildet werden soll. Zu diesem Zwecke wird über diesen Bereichen ein Fotoresistmaterial aufgebracht und Sauerstoff
wird gegen die freiliegende Oberfläche der vierten, aus Titan bestehenden Metallisierungsschicht 22d gesputtert. Dann
wird das Fotoresistmaterial abgestreift und entfernt und die darunterliegenden Bereiche der vierten Metallisierungsschicht
22d aus Titan und der dritten aus Gold bestehenden Metallisierungsschicht 22c werden im Sputterverfahren weggeätzt, so daß
sich Ausnehmungen 31a bilden, in welchen die aus Platin bestehende,
zweite Metallisierungsschicht 22b an denjenigen Stellen freiliegt, an welchen die durchschmelzbaren Brücken oder Schmelzsicherungselemente
gebildet werden sollen. Dieser Zustand bei der Herstellung der Schmelzsicherungseinrichtungen ist genauer
in Figur 3B wiedergegeben.
Die Fertigstellung der durchschmelzbaren Brücken 39 erfolgt gemäß Figur 3C durch Wegätzen der Titandioxidschicht 28a und des
Restes der aus Titan bestehenden Schicht 22d sowie durch W-egätzen
desjenigen Teiles der ersten, aus Titan bestehenden Metallisierungsschicht 22a, der zwischen der Siliziumdioxidschicht
20 und der durchschmelzbaren Brücke 39 gelegen ist. Schließlich wird die Schmelzsicherungseinrichtung im Bereich
der durchschmelzbaren Brücke 39 maskiert und das Halbleitermaterial der Schichten l6 und lA sowie auch Teile der Siliziumdioxidschicht
20 werden weggeätzt, so daß die in Figur 3C gezeigte
Mesastruktur übrig bleibt. Die Dioden werden jeweils durch die verbleibenden Mesa-Schichten Jk und 36 gebildet, welehe
an der Metallschicht 12 gehalten und über die Platinsilizidschicht 19a und die Metallisierungsschichten 22a bis 22c
kontaktiert und schließlich über das Schmelzsicherungselement
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mit einer Sammelschienenkonstruktion 3& verbunden sind, welche
von den Schichten 22a bis 22c dort gebildet ist, wo diese Schichten über dem verbliebenen Teil der Siliziumdioxidschicht 20
verlaufen. Die Sammelschienenkonstruktion 3$ verbindet die drei
Dioden miteinander und liefert an jeden Eingangsanschluß dieser Dioden eine Gleichspannungs-Vorspannung. Der übrig gebliebene
Teil der Siliziumdioxidschicht 20 isoliert die Sammelschiene
38 von den aus Halbleitermaterial bestehenden Abstützungen 30
und 32.
Aus Figur 3C ersieht man, daß die durchschmelzbare Brücke oder
das Sicherungselement 39 von jeglichen benachbarten Halbleiterteilen
derart entfernt gehalten ist, daß die von der durchschmelzbaren Brücke 39 oder dem Sicherungselement abgegebene
Wärme nicht von dem Halbleitersubstrat abgeleitet werden kann. Dar zum Durchschmelzen des Schmelzsicherungselementes 39 erforderliche
Strom ist daher unabhängig von der Art des benachbarten oder umgebenden Halbleitermaterials oder dessen thermischer oder
elektrischer Leitfähigkeit. Außerdem besteht beim Durchbrennen
oder Durchschmelzen des Schmelzsicherungselementes 39 nur geringe
Gefahr, dass Metall des Schmelzsicherungselementes 39 auf aktive Übergangsbereiche spritzt, da das Schmelzsicherungselement
39 von diesen Übergangsbereichen entfernt und isoliert gehalten ist.
Die durchschmelzbare Brücke oder das Schmelzsicherungselement
kann auch aus anderem Werkstoff als Platin bestehen. Wie oben bereits erwähnt, eignen sich auch Chrom, Titan, Molybdän oder
Wolfram, welche bei Verwendung als Sicherungselement einen
dielektrischen oder nicht leitfä&igen Rückstand bilden, wenn
die auf eine ausreichend hohe Temperatur erhitzt werden, um ein
Schmelzen zu bewirken. Die Verwendung solcher Werkstoffe in der hier beschriebenen Schmelzsicherungseinrichtung stellt sicher,
daß über das Schmelzsicherungselement hinweg oder über die Halbleiterübergänge oder andere Schaltungsteile beim- Durchbrennen
der Sicherung keine Kurzschlüsse entstehen.
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25P2452
In den Figuren 4A und 4B ist die Anwendung der hier vorgeschlagenen
Schmelzsicherungseinrichtung in einem mehrere Dioden enthaltenden, parametrischen Mikrowellenverstärker gezeigt.
Derartige Verstärker werden im allgemeinen als Mikrowellen-Leistungsverstärker in phasengesteuerten Radarantennenanordnungen
sowohl senderseitig als auch empfängerseitig eingesetzt und auch in vielen Mikrowellen-Informationsübertragungssystemen
gebraucht, beispielsweise zur Sprachübertragung, Datenübertragung
und anderen Informationsübertragungen.
Das keramische Substrat 40 bildet die Basis oder Halterung für die zur Schaltungsverbindung dienenden Metallisierungen ,für
die Schmelzsicherungseinrichtungen 44a bis 44e, für den Mikrowellenzirkulator 48, welcher sich auf der Oberseite des Substrates
befindet und auch für die Dioden 46a bis 46e und die von unten angesetzten Grundplatten 49· Die Vorspannung für die
Dioden 46a bis 46e wird über die Leitung 43 zugeführt, welche eine Sammelschiene 42 mit einer äußeren Gleichspannungsquelle
verbindet. Die Dioden 46a bis 46e sind jeweils an einem Stöpsel angeordnet, welcher in eine Gewindebohrung der metallischen
Grundplatte 49 eingeschraubt ist. Bei den Dioden handelt es sich beispielsweise um sogenannte IMPATT-Dioden zum Aufbau
eines parametrischen Mikrowellenverstärkers.
Ankommende Mikrowellensignale, welche verstärkt werden sollen, werden über einen Eingangsleiterstreifen 4l an den Mikrowellenzirkulator
48 angekoppelt. Die Signale werden dann von dem Mikrowellenzirkulator 48 aus über Leiterstreifen 51 den Gleichspannungs-Trennkondensatoren
47a bis 47e zugeführt, welche
die Gleichspannungs-Vorspannung zurückhalten, welche über die Leitung 43» die Sammelschiene 42, die Schmelzsicherungseinrichtungen
44a bis 44e, die Leitungsstücke 50a bis 5Oe und die Dioden 46a bis 46e sowie die Leitungsstücke 50a bis 5°e
übertragen wird. Die Trennkondensatoren 47a bis 47e enthalten
jeweils einen Block 54 aus keramischem Werkstoff in einer Länge von der Hälfte der Mittenfrequenz der zu verstärkenden Signale,
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welcher zwischen die streifenfü/itiigen Leiter 51 und 56a bis
56e eingelagert ist. Die Leiterstücke 50a bis 5Oe verbinden
die Dioden 46a bis 46e mit den Schmelzsicherungsorganen 4Aa bis 44e und liegen damit ebenfalls an der über die Sammelschiene
42 zugeführten Vorspannungs-Gleichspannung . Die verstärkten Signale werden von den Dioden 46a bis 46e über die Leiterstücke
52a bis 52e und die Gleichspannungs-Trennkondensatoren 47a bis
47e längs der Leiter 51 zu dem Mikrowellenzirkulator 48 zurückgekoppelt,
welcher die verstärkten Signale dann über den streifenförmigen
Leiter 45 zum Ausgang der Einrichtung weitergibt. Die streifenförmigen Leiter 4l, 451 51 und 56a bis 56e sowie
auch der Mikrowellenzirkulator 48 enthalten Bereiche aus in
hohem Maße leitfähigen Werkstoff, beispielsweise aus Kupfer, welches zur Erzielung niedriger Mikrowellenverluste vorzugsweise mit Gold plaziert ist. Außerdem ist, wie für Mikrowellenzirkulator en allgemein bekannt, ein Ferritkörper unterhalb des
Mikrowellenzirkulators 48 angeordnet.
Jedes der Schmelzsicherungsorgane- 44a bis 44e ist in der Weise
hergestellt, wie dies oben anhand der Figuren IA bis IE, Figur
2C und den Figuren 3A bis 3C beschrieben worden ist, wobei eine
entsprechende Anpassung für den vorliegenden Anwendungsfall vorgenommen ist. Die aus vier Schichten aufgebaute Metallisierung
wird auf die Oberfläche des keramischen Substrates 40 dort aufgebracht, wo die Schmelzsicherungsorgane 44a bis 44e
und die Sammelschiene 42 hergestellt werden sollen. Wie zuvor beschrieben, wird die Titan-Oberflächenschicht mit Fotoresistmaterial
maskiert und dann mit Sauerstoff einer Sputterbehandlung unterzogen. Das Fotoresistmaterial wird dann entfernt
und die Oberflächenshicht aus Titan sowie die nächstfolgende
Schicht aus Gold werden im Sputterverfahren oberhalb <ies Schmelzsicherungselementes weggeätzt und die gebildete Titandioxidschicht
entfernt. Schließlich wird im Bereich unterhalb des Schmelzsicherungselementes
die untere:· Titanschicht weggeätzt, so daß das Schmelzsicherungselement frei über dem Substrat gehalten
ist.
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Schmelzsicherungseinrichtungen, welche in der hier vorgeschlagenen
Art und Weise ausgebildet sind, eignen sich besonders für den in den Figuren kA und 4B dargestellten Anwendungsfall, da bei ihrer
Herstellung die Mfitallisierungsschichten zusammen mit denjenigen
zur Bildung der Mikrostreifenleiter hergestellt werden können.
Ein weiterer Vorteil ergibt sich im vorliegenden Anwendungsfall daraus, daß der Strom, bei welchem jedes Sicherungselement
durchbrennt oder durchschmilzt, sehr genau so eingestellt werden muß, daß eine durch Kurzschluß fehlerhafte Diode rasch aus der
Schaltung herausgenommen wird. Der Strom, bei welchem Schmelzsicherung selemente der hier beschriebenen Art durchschmelzen oder
durchbrennen, läßt sich leicht in genauen Grenzen einstellen, da dieser Strom durch die physikalischen Abmessungen des Schmelzsicherungselementes
oder der durchschmelzbaren Brücke bestimmt ist, welche sich durch die Herstellungsverfahren der integrierten
Schaltungstechnik außerordentlich genau einhalten lassen. In
der Schaltung nach Figur 4A führt ein Fehler einer einzigen Diode nicht zu einer folgenschweren Zerstörung der gesamten Einheit.
Die Verstärkereinheit kann mit verminderter Leistung weiterbetrieben werden, bis sie ausgewechselt wird, so daß also die
Schmelzsicherungen die Einheit insgesamt vor einer Zerstörung schützen.
Während in der Zeichnung nur eine Anordnung von fünf zu schützenden
Dioden 48a bis 48e gezeigt ist, kann eine beliebige Diodenzahl vorgesehen sein. Außerdem können mehrere Diodenverstärker
der in Figur 4A gezeigten Art in Kaskade geschaltet oder zur Erzielung zusätzlicher Leistung parallelgeschaltet sein.
Figur 5 zeigt ein Radarsystem mit einer phaeengesteuerten Antennenanordnung,
wobei Verstärker und Schmelzsicherungsorgane, wie sie in Figur 4A gezeigt sind, zur Anwendung kommen. Die
Sende- und Empfangssteuerung 6l steuert die Umschaltung zwischen
Sendebetrieb und Empfangsbetrieb und löst den Sendeimpulsgenerator 62 zu Beginn des Sendebetriebes aus. Die Sende- und Empfangssteuerung 6l betätigt den Sende- und Empfangsschalter 65 und
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die Schaltergruppen 71a bis 71d sowie 73a bis 73d, welche vorzugsweise
elektronische Schalter oder Ferrit schalt er sind," während in Figur 5 zur Vereinfachung und Verdeutlichung der Darstellung
nur Schaltersymbole gezeigt sind. Der Sende- und Empfangsschalter
65 und die Schaltergruppen 71a bis 71d sowie 73a bis
73°^ sind in der Schalt st ellung entsprechend dem Sendebetrieb gezeigt.
Nach Auslösung des Sendeimpulsgenerators 62 durch die Sende- und Empfangssteuerung 6l erzeugt der Generator 62 ein
Sendesignal, beispielsweise eine Welle mit Chirp-Modulation oder eine andere Welle, welche im allgemeinen als Radarsignal verwendbar
ist. Dieses Signal wird dann über einen Hochfrequenzverteiler 67 den Phasenschiebern 70a bis 7Od zugeführt. Eine Recheneinrichtung
78 zur Strahlsteuerung errechnet einen gewünschten Winkel,
unter welchem ein Radarsignal oder Radarimpuls von der Antenne ausgesendet werden soll und liefert Phasenverschiebungs-Steuersignale
über Leitungen 69 zu den Phasenschiebern 70a bis
7Od, um deren Phasenverschiebung jeweils entsprechend einzustellen. Die phasenverschobenen Signale werden dann über die Schalter
71a bis 71d den Eingängen der als integrierte Schaltungen
ausgebildeten Mikrowellenverstärker 72a bis 72d zugeführt, die
jeweils vorzugsweise wie in Figur 4A gezeigt, ausgebildet sind
und jeweils Schmelzsicherungsorgane enthalten, die so aufgebaut und ausgebildet sind, wie vorstehend ausgeführt wurde. Selbstverständlich
kann jeder der als integrierte Schaltung ausgebildeten Mikrowellenverstärker 72a bis 72d seinerseits eine Serienschaltung oder Parallelschaltung von Verstärkereinheiten gemäß
Figur 4a enthalten. Eine Gleichstromquelle 77 zur Lieferung der
Vorspannung versorgt jeden der als integrierte Schaltung ausgebildeten Mikrowellenverstärker 72a bis 72d und die darin enthaltenen
Dioden über eine Leitung 78 mit einer Gleichspannungs-Vorspannung.
Die verstärkten Ausgangssignale der Mikrowellenverstärker
72a bis 72d werden über die Schalter 73a bis 73d zu der phasengesteuerten
Radarantenne 75 übertragen. Jedes der Ausgangssignale der als integrierte Schaltungen ausgebildeten Mikrowellenverstärker
wird an ein gesondertes Antennenelement 76 angekoppelt,
wobei 1000 oder mehr derartige Antennenelemente je nach Anwendungsfall vorgesehen sein können. Zur Vereinfachung der Dar-
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stellung sind in Figur 5 nur die integrierten Mikrowellenverstärkerschaltungen
für vier Antennenelemente gezeigt.
Zum Sendebetrieb stellt die Sende- und Empfangssteuerung 6l den
Schalter 65 und die Schaltergruppen 71a bis 71d sowie 73a bis
73d in die jeweils andere, in Figur 5 nicht gezeigte Schaltstellung.
Die empfangenen Signale werden von den einzelnen Antennenelementen 76 aufgenommen und werden über die Leitungen 7^ta bis
7^td an die Eingänge der integrierten Mikrowellenverstärkerschaltungen
72a bis 72d zurückgekoppelt. Die Ausgänge der integrierten Mikrowellenverstärkerschaltungen 72a bis 72d werden wiederum zu
den Phasenschiebern 70a bis 7Od zurückgekoppelt, welche jeweils
auf die gleiche Phasenverschiebung eingestellt sind, wie sie zuvor
beim Sendebetrieb für das betreffende Signal eingestellt war. Die phasenverschobenen Empfangssignale gelangen über den Hochfrequenzverteiler
76 zu der Signalverarbeitungseinrichtung 63, in welcher: eine Auswertung und Verstärkung der Empfangs signale
erfolgt, so daß man schließlich ein analoges Video-Ausgangssignal erhält. Dieses wird einer Datenverarbeitungseinrichtung 6k zugeführt,
welche das Empfangssignal zur sichtbaren Anzeige an dem
Radarwiedergabegerät 66 umformt und auswertet.
Wenn eine der Dioden in einer der integrierten Mikrowellenverstärkerschaltungen
72a bis 72d durch Kurzschluß ausfällt, so entfernt die zugehörige Schmelzsicherungseinrichtung diese Diode
rasch aus der Schaltung und verhindert dadurch einen Ausfall des gesamten Verstärkers. Das führt dazu, daß der Verstärker einen
etwas geringeren Verstärkungsgewinn besitzt und folglich das Ausgangssignal der phasengesteuerten Antennenanordnung 75 in eine
ganz wenig andere Richtung gesteuert wird. In den meisten Anwendungsfällen ist jedoch dieser Unterschied nahezu nicht feststellbar
und das Radarsystem kann im wesentlichen vollständig ordnungsgemäß weiterarbeiten, bis der fehlerhafte Verstärker ersetzt
wird. Sind aber den einzelnen Dioden keine Schmelzsicherungsorgane zugeordnet, so fällt der gesamte Verstärker aus und das
ganze Radarsystem kann nicht mehr arbeiten.
- Ik -
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Figur 6 zeigt einen Teil eines Festwertspeichers, bei welchem sich mit Vorteil von Schmelzsicherungseinrichtungen der hier vorgeschlagenen
Art Gebrauch machen läßt. Der Speicher ist aus einer Vielzahl sich kreuzender Horizontalleiter und Vertikalleiter aufgebaut,
deren Kreuzungspunkte jeweils einen Speicherplatz in dem Speicher bilden. Zwischen den Horizontalleitern oder Zeilenleitern
und den Vertikalleitern oder Spaltenleitern ist jeweils am Kreuzungspunkt eine Reihenschaltung eines Schmelzsicherungsorgans
68 und einer Diode 6k eingeschaltet. Soll an einem bestimmten Speicherplatz eine logische 1 eingeschrieben werden,
welche durch eine positive Spannung gegenüber Erde versinnbildlicht wird, so bleibt das Schmelzsicherungsorgan 86 an dem betreffenden
Kreuzungspunkt intakt. Soll eine logische O an diesem
Speicherplatz eingeschrieben werden, welche durch die Spannung O versinnbildlicht wird, so läßt man die Schmelzsicherung
68 an diesem Punkt durchbrennen, so daß der Schaltungszweig aufgetrennt
wird. Die in dem Festwertspeicher gespeicherten Daten werden über die Vertikalleiter oder Spaltenleiter Zeile für Zeile
herausgelesen, indem an den Horizontalleiter oder Zeilenleiter entsprechend der abzulesenden Zeile eine positive Spannung angelegt
wird. Der Strom fließt durch die Dioden 84 und die Schmelzsicherungsorgane 86 an denjenigen Kreuzungspunkten, wo das betreffende Schmelzsicherungsorgan 86 intakt gelassen worden ist,
über einen Ausgangsbelastungswiderstand 88, so daß die aufgeprägte positive Spannung an dem zugehörigen Ausgangsanschluß
erscheint. Wenn andererseits das betreffende Schmelzsicherungsorgan 86 zuvor durchgeschmolzen worden ist, so fließt kein Strom
über den betreffenden Kreuzungspunkt und folglich erscheint an
dem zugehörigen Ausgangsanschluß 87 keine Spannung oder es tritt nur Erdpotential auf. .
Der gesamte Speicher kann als integrierte Schaltung auf einem
Tafelchen hergestellt werden, wobei die Schmelzsicherungsorgane
durch Herstellungsverfahren der integrierten Schaltungstechnik
gebildet werden, wie vorstehend beschrieben worden ist.
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5 0 9 8 3 0/0353
Die Verwendung der vorstehend beschriebenen SchmelzSicherungseinrichtung in Festwertspeichern ist außerordentlich vorteilhaft,
da der Strom sehr genau steuerbar ist, bei welchem die Sicherungsorgane durchschmelzen und sich die Sicherungsorgane
sehr leicht als Teil der integrierten Schaltung herstellen lassen. Selbstverständlich können in der anhand von Figur 6
beschriebenen Weise auch andere, vorprogrammierbare Speicherschaltungen aufgebaut werden, wobei die Schaltungsanordnung
nach Figur 6 nur der Einfachheit halber als Beispiel gewählt ist. So können an den Überkreuzungspunkten Transistorschaltungen
vorgesehen sein, welche Schmelzsicherungsorgane der vorstehend beschriebenen Art enthalten, welche den Ausgangsstrom
der Transistorschaltung beim Anschluß der Schaltung an den
Speicherausgang bestimmen.
Figur 7 zeigt die Verwendung von Dioden und Schmelzsicherungseinrichtungen, der vorstehend beschriebenen Art in einer Speicherschaltung
willkürlicher Zugriffsmöglichkeit, wobei eine Zeile des Speichers, in welcher ein Stellenfehler aufgetreten
ist, aus der Schaltung abgetrennt und eine andere Speicherzeile an diese Stelle gesetzt wird. Diese Möglichkeit ergibt
bei der Herstellung derartiger Speicher eine Erhöhung der Zahl der verwendbaren Speicher. Wenn jeder Stellenplatz
in jeder der Speicherzeilen 92a bis 92d ordnungsgemäß funktioniert, so wird die Adresseneingangsleitung 90a über die Diode
96a und das Schmelzsicherungsorgan Ska mit dem Eingang zu
der Speicherzeile 92a verbunden, so daß eine Information über die Eingangsleitungen 91a bis 91e in die Zeile 92a eingegeben
oder der Inhalt der Zeile 92a über die Leitungen 93a bis 93e herausgelesen werden kann, wenn die Adressenexngangsleitung
90a erregt wird. In entsprechender Weise ist die Adresseneingangsleitung 90b über die Diode 96c und das Schmelzsicherungsorgan
9^c mit der Speicherzeile 92b verbunden. Die Adresseneingangsleitung
90c hat über die Diode 96e und das Schmelzsicherungsorgan
9^e mit der Speicherzeile 92c Verbindung. Die
Adresseneingangsleitung 9Od ist über die Diode 96g und das
92 Schmelzsicherungsorgan 9^g mit der Speicherzeile/d verbunden.
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Weitere Adresseneingangsleitungen sind in entsprechender Weise
an die zugehörigen Speicherzeilen angeschlossen. Um die einzelnen Eingänge voneinander zu isolieren, werden die Schmelzsicherungsorgane
94b, 94d, 94f, 94h u.s.w. durchgeschmolzen oder durchgebrannt.
Stellt sich bei der Prüfung aber heraus, daß einer der Stellenplätze
nicht arbeitet, etwa der in der Zeile 92b angekreuzte Stellenplatz, so können die Schmelzsicherungsorgane dazu verwendet
werden, die Schaltung des Speichers in der Weise umzustellen, daß die normalerweise zur fehlerhaften Speicherzeile
führende Adresseneingangsleitung und auch jede folgende Eingangsleitung
jeweils mit einer in der Reihenfolge um Eins nachfolgenden Speicherzeile verbunden werden, während die letzte
Eingangsleitung der Folge mit einer Reservezeile verbunden wird. Die oberhalb der fehlerhaften Speicherzeile in der Reihenfolge
gelegenen Adresseneingangsleitungen bleiben mit den ihnen jeweils gegenüberliegenden, reihenfolgegerechten Speicherzeilen
verbunden. Die Adresseneingangsleitung 90a ist also, wie zuvor
angegeben, über die Diode 96a und das Schmelzsicherungsorgan
94a an die Speicherzeile 92a angeschlossen. Das Schmelzsicherungsorgan
94b wird durchgeschmolzen. Die Adresseneingangsleitung
90b wird nun nicht über die Diode 96c und das Schmelzsicherungsorgan
94c an die Speicherzeile 92b angeschlossen,, wie zuvor
beschrieben wurde, sondern das Schmelzsicherungsorgan 94c
wird durchgeschmolzen und die Adresseneingangsleitung 90b erhält über die Diode 96d und das Schmelzsicherungsorgan 94d Verbindung
zu der Speicherzeile 92c» Weiter wird die Adresseneingangsleitung
90c über die Diode 96f und das Schmelzsicherungsorgan
94f an die Speicherzeile 92d gelegt, während das Schmelzsicherungsorgan
94e durchgeschmolzen wird. Jede nachfolgende Adresseneingangsleitung wird analog geschaltet und die letzte
Adresseneingangsleitung wird an eine Reserve-Speicherzeile angeschlossen. Selbstverständlich kann eine beliebige Anzahl von
Speicherzelle!und Reserve-Speicherzeilen vorgesehen sein.
Für das willkürliche Durchschmelzen der Schmelzsicherungsorgane stehen mehrere Verfahren zur Verfügung. So können mit den An—
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Schlüssen des betreffenden Schmelzsicherungsorganes äußere Kontaktsonden
verbunden werden, über welche ein ausreichender Strom zugeführt wird. Auch können zusätzliche Verbindungen zu
den Schmelzsicherungsorganen über eine zweite Gruppe von Dioden auf dem Schaltungsträgertäfeichen hergestellt werden, um den
Strom zum Durchbrennen oder Durchschmelzen der Dioden zuleiten zu können. Auch können die Schmelzsicherungselemente oder die
durchschmelzbaren Brücken aus besonderem Werkstoff oder mit solchen physikalischen Abmessungen hergestellt werden, daß ein
an eine der Eingangsleitungen gegebener, äußerer Stromimpuls nur eine der beiden an die betreffende Eingangsleitung angeschlossenen
Schmelzsicherungsorgane durchbrennt. Für dieses Verfahren eignen sich besonders Schmelzsicherungsorgane der
hier vorgeschlagenen Bauart, da .... bei diesen Schmelzsicherungsorganen
der Strom, bei welchem die Schmelzsicherungsorgane ansprechen, leicht genau bestimmt werden kann. Es zeigt
sich dabei der besondere Vorteil der vorliegenden Schmelzsicherungseinrichtung,
daß eine große Anzahl von Schmelzsicherungsorganen in einem bestimmten Bereich eines Halbleitertäfelchens
durchgeschmolzen oder durchgebrannt werden kann, ohne daß unerwünschte Kurzschlüsse auftreten.
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509 83 0/03 53
Claims (12)
1.)Schmelzsicherungseinrichtung, insbesondere zur Verwendung
xn Verbindung mit integrierten Schaltungen, gekennzeichnet durch ein Substrat (l4, l6 bzw. 40) mit mehreren, auf mindestens
einer seiner Oberflächen angeordneten, 1extfähigen Bereichen
(38 bzw. 42 ) und durch mindestens ein Schmelzsicherungsorgan,
welches sich auf der betreffenden Substratoberfläche befindet und zwei Anschlüsse sowie ein Schmelzsicherungselement (39 bzw.
58) aufweist, das von dem Substrat getrennt gehalten und
zwischen den Anschlüssen gelegen ist, welche jeweils mit einem der leitfähigen Bereiche in Verbindung stehen.
2. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
das Substrat (l4, l6 bzw. 4θ) das Trägertäfeichen einer integrierten
Schaltung ist.
3. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
das Substrat (40) die keramische Basis einer integrierten Mikrowellenschaltung ist.
4. Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3» dadurch gekennzeichnet, daß das oder jedes Schmelzsicherungsorgan eine
erste, aus zwei voneinander getrennten Bereichen bestehende, lei'tfähige Schicht (22a) und eine zweite, der erstgenannten
leitfähigen Schicht unmittelbar benachbarte leitfähige Schicht (22b) enthält, welche das Schmelzsicherungselement in Form
einer durchschmelzbaren Brücke enthält.
5. Einrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß
das oder jedes Schmelzsicherungsorgan eine dritte, leitfähige Schicht (22c) enthält, welche an die zweite leitfähige Schicht
(22b) angrenzt und ebenfalls zwei getrennte Bereiche aufweist, die sich mit den Anschlüssen des Schmelzsicherungsorgans decken.
6. Einrichtung nach Anspruch 5» dadurch gekennzeichnet, daß
die dritte, leitfähige Schicht (22b, 22c) Titan und/öder Gold
- 19 - '
50983 0/0353
ίο
enthält.
7. Einrichtung nach einem der Ansprüche 4t bis 6, dadurch gekennzeichnet,
daß die erste, leitfähige Schicht (22a) Titan enthält.
8. Einrichtung nach einem der Ansprüche 4 bis 7» dadurch gekennzeichnet,
daß die zweite, 1extfähige Schicht (22b) Platin
enthält oder daraus besteht.
9. Einrichtung nach einem der Ansprüche k bis 7j dadurch gekennzeichnet,
daß die zweite leitfähige Schicht (22b) aus Chrom oder Titan oder Mobybdän oder Wolfram besteht.
10. Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet,
daß das Schmelzsxcherungselement (39 bzw. 58)
als durchschmelzbare Brücke zwischen voneinander getrennten, auf dem Substrat befindlichen Schichtverbänden verläuft und
gleichzeitig mit seinen Anschlußberexchen zwischen leitfähigen Schichten als zwischengelagerte Leiterschicht dieser Schichtverbände
angeordnet ist.
11. Verfahren zur Herstellung der Schmelzsicherungseinrichtung
nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß auf einem Substrat eine erste leitfähige Schicht abgelagert
wird, auf welche eine zweite leitfähige Schicht aufgebracht wird, die ein von dem Werkstoff der ersten leitfähigen Schicht
verschiedenes Material enthält, wonach ein Teil der ersten leitfähigen Schicht, welcher zwischen der zweiten leitfähigen ,
Schicht und dem Substrat liegt und sich quer über die erste leitfähige· Schicht erstreckt, entfernt wird, so daß die zweite
leitfähige Schuht über den entfernten Bereich der ersten leitfähigen
Schicht hinweg verläuft..
12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die
erste leitfähige Schicht und die zweite leitfähige Schicht durch
- 20 -
Aufsplittern von Metall aufgebracht werden.
13· Verfahren nach Anspruch 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, daß die erste leitfähige Schicht durch Aufbringen von Titan
und die zweite leitfähige Schicht durch Aufbringen von Platin gebildet werden.
Ik. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 13, dadurch gekennzeichnet,
daß auf der zweiten leitfähigen Schicht eine dritte leitfäh.ige Schicht abgelagert wird und daß ein Teil
dieser dritten leitfähigen Schicht in solcher Weise entfernt wird, daß sich dieser Bereich mit dem entfernten Bereich der
ersten leitfähigen Schicht deckt.
15· Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 14, dadurch gekennzeichnet,
daß die erste leitfähige Schicht mit Bauteilen innerhalb des Substrats in Verbindung gebracht wird.
l6. Verfahren nach Anspruch 13 und Anspruch l4, dadurch gekennzeichnet, daß die dritte leitfähige Schicht als Goldschicht auf die zweite leitfähige Schicht aufgebracht wird,
wonach über der Goldschicht als vierte Schicht eine Titanschicht aufgebracht wird, deren Oberfläche bereichsweise
oxidiert wird, worauf die Titanschicht in den nicht oxidierten Bereichen und die darunter befindliche Goldschicht in den sich
damit deckenden Bereichen und schließlich die zuunterst befindliche Titanschicht in den sich ebenfalls damit deckenden
Bereichen weggeätzt werden.
17· Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß auch ein Teil des Substrates bei dem Ätzvorgang weggeätzt wird.
l8. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 17, dadurch gekennzeichnet,
daß das Aufbringen der ersten leitfähigen Schicht bzw. der Titanschicht in solcher Weise erfolgt, daß diese
Schicht elektrischen Kontakt mit einem oder mehreren Halbleitergeräten innerhalb des Substrats hat.
- 21 -
509830/0 3 53
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