DE2455668A1 - Dielektrischer optischer wellenleiter und dessen herstellungsverfahren - Google Patents

Dielektrischer optischer wellenleiter und dessen herstellungsverfahren

Info

Publication number
DE2455668A1
DE2455668A1 DE19742455668 DE2455668A DE2455668A1 DE 2455668 A1 DE2455668 A1 DE 2455668A1 DE 19742455668 DE19742455668 DE 19742455668 DE 2455668 A DE2455668 A DE 2455668A DE 2455668 A1 DE2455668 A1 DE 2455668A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
quartz
dielectric optical
optical waveguide
lump
gaseous
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE19742455668
Other languages
English (en)
Inventor
Keith John Beales
George Reginald Newns
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Post Office
Original Assignee
Post Office
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Post Office filed Critical Post Office
Publication of DE2455668A1 publication Critical patent/DE2455668A1/de
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/26—Plasma torches
    • H05H1/30—Plasma torches using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
    • C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
    • C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
    • C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
    • C03B37/01413—Reactant delivery systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
    • C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
    • C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
    • C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
    • C03B37/01413—Reactant delivery systems
    • C03B37/0142—Reactant deposition burners
    • C03B37/01426—Plasma deposition burners or torches
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
    • C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
    • C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
    • C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
    • C03B37/018—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD] by glass deposition on a glass substrate, e.g. by inside-, modified-, plasma-, or plasma modified- chemical vapour deposition [ICVD, MCVD, PCVD, PMCVD], i.e. by thin layer coating on the inside or outside of a glass tube or on a glass rod
    • C03B37/01807—Reactant delivery systems, e.g. reactant deposition burners
    • C03B37/01815—Reactant deposition burners or deposition heating means
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C13/00—Fibre or filament compositions
    • C03C13/04—Fibre optics, e.g. core and clad fibre compositions
    • C03C13/045—Silica-containing oxide glass compositions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00—Glass compositions
    • C03C3/04—Glass compositions containing silica
    • C03C3/045—Silicon oxycarbide, oxynitride or oxycarbonitride glasses
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/02—Optical fibres with cladding with or without a coating
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/01—Handling plasma, e.g. of subatomic particles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B2201/00—Type of glass produced
    • C03B2201/06—Doped silica-based glasses
    • C03B2201/20—Doped silica-based glasses doped with non-metals other than boron or fluorine
    • C03B2201/24—Doped silica-based glasses doped with non-metals other than boron or fluorine doped with nitrogen, e.g. silicon oxy-nitride glasses

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Optical Fibers, Optical Fiber Cores, And Optical Fiber Bundles (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)

Description

Pafentanw&tto D!p!.-lng. R. BEETZ ββη,
DlpWng. K. LAMPRECHT
Dr.-lng. R. B E E T Z Jr.
• MBeeh»n 22, Stelwdwfrtr. 1· 2 Λ 5 5 6 6 8
41-23.454P 25. 11. 1974
THE POST OFFICE,· London (Großbritannien)
Dielektrischer optischer Wellenleiter und dessen Herstellungsverfahren
Die Erfindung betrifft einen dielektrischen optischen Wellenleiter und Verfahren zu seiner Herstellung. . ■
Unter dem Begriff "optisch" werden hierbei die Bereiche deö elektromagnetischen Spektrums verstanden, die üblicherweise mit infrarot, sichtbar und ultraviolett bezeichnet werden. > ..
Um für die Nachrichtenübertragung geeignete dielektrische Wellen-
41-(83 646)-Me-r (7)
509822/0730
leiter zu schaffen, werden Gläser mit äußerst niedrigen Absorptionskoeffizienten und Brechzahlen benötigt, die nur geringfügig verschieden sind. Quarzgut (bzw- Quarzglas) kann so zubereitet werden, daß es einen äußerst geringen Dämpfungsfaktor besitzt. Um jedoch einen dielektrischen optischen Wellenleiter zu schaffen, wird ein zweites Glas mit einer Brechzahl benötigt, die zwar nahe der des Quarzes ist, sich aber davon geringfügig unterscheidet. Ein derartiges Glas kann dadurch hergestellt werden, daß ein geeigneter Dotierstoff oder Zusatz dem Quarz zugefügt wird. Dotiertes Quarz dieser Art gibt es bereits. Jedoch wurde bisher dotiertes Quarz dadurch geschaffen, daß ein Kation dem Quarz - wie Titan, Aluminium oder Zirkon - zugeführt wird (vgl. GB-PS 1368 093). Es hat sich auch als möglich erwiesen·, Quarz mit einem Anion zu dotieren.
Es ist Aufgabe der Erfindung, einen ein mit einem Anion, insbesondere Stickstoff, dotiertes Quarz enthaltenden dielektrischen optischen Wellenleiter sowie Verfahren zu dessen Herstellung zu schaffen.
Wenn nämlich Quarz mit Stickstoff dotiert ist, ist die Brechzahl erhöht. Unter diesen Umständen kann das dotierte Quarz als Kern eines dielektrischen optischen Wellenleiters wirken, indem es verwendet wird.
Die Aufgabe wird bei einem dielektrischen optischen Wellenleiter mit einem Kernbereich und einem Mantelbereich erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß der Kernbereich Glas mit 90 - 99,9 Gew.-% Quarz und 0.1 - 10 Gew.-% Si R enthält, mit R = Nichtsauerstoff-Anion ist.
χ y
Vorzugsweise ist das Anion R Stickstoff.
509822/0730
Ein Verfahren zur Herstellung eines dielektrischen optischen Wellenleiters ist dadurch gekennzeichnet, daß ein Klumpen aus mit Si R dotiertem Quarz gebildet wird durch Führen eines Gemisches
aus einer gasförmigen Quarzverbindung und einer gasförmigen, R-haltigen Substanz durch einen induktionsgekoppelt betriebenen Plasmabrenner, der Klumpen auf eine Temperatur über 800 C in sauerstoffhaltiger Atmosphäre erhitzt wird, und der Klumpen zu dem dielektrischen optischen Wellenleiter gezogen wird.
Ein anderes Verfahren zur Herstellung eines dielektrischen optischen Wellenleiters zeichnet sich dadurch aus, daß ein Klumpen aus mit Si R dotiertem Quarz gebildet wird durch Führen eines Gemisches
χ y
aus einer gasförmigen Siliziumverbindung und einer gasförmigen, R-haltigen Substanz durch einen induktionsgekoppelt betriebenen Plasmabrenner, der Klumpen in eine Faser der Abmessungen eines dielektrischen optischen Wellenleiters gezogen wird, und die Faser auf eine Temperatur über 800 C in einer säuerstoffhaltigen Atmosphäre erhitzt wird.
Die Erfindung wird anhand des in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiels näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 schematisch eine Vorrichtung zur Herstellung eines dotierten Quarzklumpens,
Fig. 2 schematisch eine Vorrichtung zur Herstellung eines dielektrischen optischen Wellenleiter-Vorformlings,
Fig. 3 eine Brechzahl-MoI-^SiO -Kennlinie für ein Si N -SiO System · .
B09822/073Q
Ein eine Mischung aus SiO und Si N enthaltendes Glas kann
3 4
hergestellt werden. In diesem Glas ist Stickstoff der einzige wesentliche Bestandteil außer Silizium oder Sauerstoff. Stickstoff ist in diesem besonderen Glas ein Anion. Das ist gegensätzlich zu den meisten Gläsern, in denen die Hauptbestandteile, außer Silizium und Sauerstoff, durch Oxide gebildet sind, d. h., daß die Hauptbestandteile außer Silizium und Sauerstoff Kationen sind..
Die Brechzahl eines eine Mischung aus Quarz (Siliziumdioxid) und Siliziumnitrid enthaltenden Glases ist höher als die Brechzahl reinen Quarzes. Das bedeutet, daß ein Quarz-Siliziumnitrid-Glas im Kern eines dielektrischen optischen Wellenleiters verwendbar ist, der einen Reinquafz-Mantel besitzt.
Zwei herkömmliche Arten dielektrischer optischer Wellenleiter sind dielektrische optische Wellenleiter mit sich abgestuft ändernder Brechzahl und die mit sich allmählich oder graduiert ändernder Brechzahl. Bei dem dielektrischen optischen Wellenleiter mit Brechzahlstufe sind der Kern und der Mantel diskrete, gut bestimmbare Bereiche derart, daß die Brechzahl zwischen dem Kern und dem Mantel sich plötzlich ändert. Bei dem dielektrischen optischen Wellenleiter mit Brechzahlgradation erfolgt eine kontinuierliche Gradation oder Abstufung der Brechzahl zwischen dem Kern und dem Mantel, so daß es keine ausgeprägte Grenze zwischen den beiden Bereichen gibt. Es ist jedoch möglich, den Mittelbereich als Kernbereich und den Außenbereich als Mantelbereich zu bezeichnen.
Die Beschreibung erläutert zwei Herstellungsverfahren für di-
509822/0730
elektrische optische Wellenleiter niit ein Quarz-Siliziumnitrid-Glas enthaltenden Kernen. Das wird im folgenden beschrieben:
In der Fig. 1 wird eine Mischung aus Argon und Siliziumtetrachlorid einer Mischkammer 1 über eine erste Zufuhrleitung 5 zugeführt. Stickstoff wird über eine zweite Zufuhr leitung 4 ebenso der Mischkammer 1 zugeführt. In der Mischkammer 1 werden die Gasströme zusammengeführt und treten durch Quarzwolle 7, die eine ausreichende Mischun g ermöglicht. Das Gasgemisch tritt durch ein Fallrohr 8 zu einer induktiven Plasmaentladung 11. Zwei Außenrohre 9 und 10 sind konzentrisch um das Fallrohr 8 angeordnet. Anfänglich, d. h. bevor die Plasmaentladung 11 sanft oder glatt ausfließt, enthält das erste Qußenrohr 9 reines Argon und das zweite Außenrohr 10 Sauerstoff. Die Außenseite des zweiten Außenrohres 10 wird von einer Wasserummantelung gekühlt. Wenn die Plasmaentladung 11 glatt fließt, wird die Argonströmung durch das erste Außenrohr 9 durch ein Gemisch aus Sauerstoff und Argon mit 0 - 80 % Sauerstoff ersetzt. Der Plasmabrenner wird mit Hochfrequenzen versorgt, die in das Plasma über eine Spule 12 eingekoppelt werden. Die Reaktionspartner erreichen eine Temperatur über 5000 K im Plasma.
Der Stickstoff im Plasma kann dort als Aktivstickstoff enthalten sein, d. h. ein Gemisch aus ionisiertem Stickstoff, isolierten Stickstoffatomen und einer bestimmten Anzahl von Stickstoffmolekülen. In dieser Form ist Stickstoff äußerst reaktionsfähig und reagiert mit dem im Plasma enthaltenen Siliziumdioxid unter Bildung von Siliziumnitrid. Das Siliziumtetrachlorid wird in dem Plasma oxidiert unter Bildung von Siliziumdioxid. Es ist daher selbstverständlich schwierig, genau zu be-
509822/0730
stimmen, welche Molekülarten in dem Plasma vorhanden sind und .welche nicht. Im Endergebnis wird jedoch ein Gemisch aus Siliziumdioxid und Siliziumnitrid gebildet. Dieses Gemisch wird auf einer sich drehenden Prallscheibe 13 kondensiert unter Bildung eines Klumpens aus stickstoffdotiertem Quarz.
Obwohl das beschriebene Verfahren Stickstoff verwendet, kann jede der nachfolgend anhand eines zweiten Herstellungsverfahrens erläuterten Stickstoff enthaltenden Verbindungen verwendet werden.
Um einen dielektrischen optischen "Wellenleiter aus dem Klumpen dotierten Quarzes zu bilden, wird das dotierte Quarz in einem Rohr aus Reinquarz angeordnet und auf herkömmliche Weise gezogen.
Ebenso kann Reinquarz durch Dampfniederschlag auf der Außenseite des dotierten Quarzklumpens gebildet und der sich ergebende Vorformling dann gezogen werden. Ebenso kann das Äußere des stickstoffdotierten Quarzklumpens oxidiert werden durch Aufheizen des Stabs auf über 800 C während einer längeren Zeitspanne. Diese Wärmebehandlung kann durchgeführt werden, bevor der Klumpen gezogen wird oder während des Ziehens, oder es kann die gezogene Faser wärmebehandelt werden.
Anhand der Fig. 2 wird ein zweites Verfahren zur Herstellung eines dielektrischen optischen Wellenleiters erläutert. Ein Quarzrohr wird von Heizwicklungen 1 geheizt, und Gas wird längs des Rohres 2 hindurchgeführt, wie durch den Pfeil 3 angedeutet. Der Gasstrom enthält Silizium verbindungen und Stickstoffverbindungen. Im geheizten Be-
509822/0730
reich des Quarzrohres 2 zerfallen die Silizium- und Stickstoffverbindungen und reagieren unter Bildung eines Quarz-Siliziumnitrid-Glases, das an den Wänden des Quarzrohrs 2 niedergeschlagen wird- Üblicherweise wird das Quarzrohr 2 auf einer Temperatur von 1000 C bis 1600 C gehalten. Um die Adhäsion zwischen dem Quarzrohr 2 und dem Quarz-Siliziumnitrid-Glas zu verbessern, kann zunächst eine Schicht aus Reinquarz auf dem Rohr 2 niedergeschlagen werden, durch Schicken einer flüchtigen Siliziumverbindung wie Siliziumchlorid durch das Rohr 2. Wenn eine Reinquarz-Schicht auf der Innenseite des erhitzten Rohres 2 gebildet ist, kann das Rohr 2 aus jedem beliebigen feuerfesten Werkstoff bestehen, der wärmeverträglich oder -kompatibel mit Quarz und Quarz-Siliziumnitrid-Glas ist, beispielsweise kann das Rohr 2 aus einem dotierten Quarz bestehen. Nachdem die Quarz- und die Quarz-Siliziumnitrid-Glasschicht an der Innenseite des Hohres 2 gebildet sind, wird das Rohr 2 auf einer Glasblas-Maschine oder -Vorrichtung befestigt, das Rohr 2 erhitzt und zusammengedrückt zur Bildung eines Glasfaser-Vorformlings. Wenn Wasser bei der Reaktion zur Bildung von Quarz; oder Quarz-Siliziumnitrid-Glas gebildet wird, kann es notwendig sein, das Glasrohr 2 unter Vakuum abzuschließen und es während einer beträchtlichen Zeitspanne zu erhitzen, um so viel Wasserdampf wie möglich aus den InnenscMchten des Rohres 2 auszugasen. Der Vorformling wird dann in herkömmlicher Weise in einen dielektrischen optischen Wellenleiter gezogen, mittels einer üblichen Fas er zieh-Einrichtung. Üblicherweise" kann das beheizte Rohr 2 einen Durchmesser von 0,5 cm bei einer Dicke von 0,1 cm besitzen, das nach dem Zusammendrücken einen Durchmesser von 0,22 cm besitzt; bei Verwendung eines Rohres 2 mit einem Durchmesser von 0,5 cm und einer Dicke von 2 mm besitzt der Vorformling nach dem Zusammendrücken einen Durchmesser von 0,32 cm.
5 09 822/073 0
Eine Anzahl verschiedener Gas verbindungen , -gemische und -zusammensetzungen kann zur Bildung des Quarz-Siliziumnitrid-Glases verwendet werden, von denen einige in der folgenden Tabelle aufgelistet sind:
1. SiH +NO+N +NH
4 2 3
.2. SiCl +NO+N +NH
Ί Ci ό
3. Si OCl +NO+N 0
2 6 2 3
4. SiH +N O+NH +N
4 dt ό c\
5? SiCl +N O+NH +N
Tt Cu ό Ct
6. Si OCl +N O+NH +N
7. SiH +CO +NH +N
8. SiCl +COn+NH +N
4 2a ο ^
9. Si0OCl+CO0+NH+N
Δ ο ά ό Δ
10. Si (NR R) (OR ) · +NH +N mit R , R , R = organische
X C* Λ Ο TT-^X ό Cd χ Ct O
Radikale.
Wenn der dielektrische optische Wellenleiter durch Ziehen gebildet ist, besitzt er einen Kern aus Quarz-Siliziumnitrid-Glas und einen Mantel aus Reinquarz. Durch Verändern des Siliziumnitridanteils im Glas kann die Brechzahl des Kerns so eingestellt werden, daß sie den Sollwert oder den gewünschten Wert besitzt. Quarz-Siliziumnitrid-Glas kann mit einer Brechzahl von 1,5 bis 2 durch Ändern des Quarzanteils von nahe 100 % bis 0 hergestellt werden. Die Fig. 3 zeigt die Brechzahländerung des durch Dampf niederschlag entstandenen Films.
509822/0 7 30
Nach der Bildung der Quarzschicht auf der Innenseite des Rohrs 2 kann die Zusammensetzung der Glasinnenschicht kontinuierlich verändert werden durch kontinuierliches Ändern der Menge der Stickstoff enthaltenden Verbindung in dem Gasstrom. Das ergibt eine gezogene Faser ohne scharfe Grenze zwischen Kern und Mantel, jedoch mit einer sich kontinuierlich ändernden Brechzahl vom Mantelbereich zum Kernbereich.
509 822/073 0

Claims (8)

  1. Pat.ent a nsprüche
    il.)Dielektrischer optischer Wellenleiter mit einem Kernbereich und einem Mantelbereich,
    dadurch gekennzeichnet, daß
    der Kernbereich Glas mit 90 - 99,9 Gew.-% Quarz und 0,1 - 10 Gew.-% Si R enthält, mit R = Nichtsauerstoff-Anionen, ist.
    χ y ■ .
  2. 2. Dielektrischer optischer Wellenleiter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß R = Stickstoff, χ = 3 und y = 4 ist.
  3. 3. Dielektrischer optischer Wellenleiter nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet durch einen Stufenübergang der Brechzahlen.
  4. 4. Dielektrischer optischer Wellenleiter nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet durch einen Gradationsübergang der Brechzahlen .
  5. 5. Verfahren zur Herstellung eines dielektrischen optischen Wellenleiters nach Anspruch 1 oder 2,
    dadurch gekennzeichnet, daß
    ein Klumpen aus mit Si R dotiertem Quarz gebildet wird durch Führen
    χ y
    eines Gemisches aus einer gasförmigen Quarzverbindung und einer gasförmigen, R-haltigen Substanz durch einen induktionsgekoppelt betriebenen Plasmabrenner,
    509822/0730
    der Klumpen auf eine Temperatur über 800 C in sauerstoffhaltiger Atmosphäre erhitzt wird, und
    der Klumpen zu dem dielektrischen optischen Wellenleiter gezogen wird.
  6. 6. Verfahren zur Herstellung eines dielektrischen optischen Wellenleiters nach Anspruch 1 oder 2,
    dadurch gekennzeichnet, daß
    ein Klumpen aus mit Si R dotiertem Quarz gebildet wird durch Führen eines Gemisches aus einer gasförmigen Siliziumverbindung und einer gasförmigen, R-haltigen Substanz durch einen induktionsgekoppelt betriebenen Plasmabrenner,
    .der Klumpen in eine Faser der Abmessungen eines dielektrischen optischen Wellenleiters gezogen wird, und
    die Faser auf eine Temperatur über 800 C in einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre erhitzt wird.
  7. 7. Verfahren nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Siliziumverbindung Siliziumtetrachlorid und die R-haltige Substanz Ammoniak ist. ■ -
  8. 8. Verfahren nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Gemisch eines der in der einzigen Tabelle der Beschreibung aufgelisteten Gemische ist.
    509822/0730
DE19742455668 1973-11-27 1974-11-25 Dielektrischer optischer wellenleiter und dessen herstellungsverfahren Ceased DE2455668A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB3064973A GB1450123A (en) 1973-11-27 1973-11-27 Doped vitreous silica
GB5538873 1973-11-29

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE2455668A1 true DE2455668A1 (de) 1975-05-28

Family

ID=26260545

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19742455668 Ceased DE2455668A1 (de) 1973-11-27 1974-11-25 Dielektrischer optischer wellenleiter und dessen herstellungsverfahren

Country Status (8)

Country Link
US (1) US3999835A (de)
JP (1) JPS589056B2 (de)
AU (1) AU7583274A (de)
CA (1) CA1035613A (de)
DE (1) DE2455668A1 (de)
FR (1) FR2252585B3 (de)
GB (1) GB1450123A (de)
NL (1) NL7414974A (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3441056A1 (de) * 1984-11-09 1986-05-22 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur verminderung des verschleisses von bei der gasphasenabscheidung von silizium verwendeten quarzteilen

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH620181A5 (en) * 1975-08-16 1980-11-14 Heraeus Schott Quarzschmelze Process for the preparation of synthetic quartz glass, apparatus to carry out the process, and the use of the synthetic quartz glass
US4186021A (en) * 1976-03-05 1980-01-29 Corning Glass Works Oxynitride glass-ceramics
DE2648702C3 (de) * 1976-10-27 1980-08-21 Jenaer Glaswerk Schott & Gen., 6500 Mainz Infrarotdurchlässige Lichtleitfaser aus sauerstoffarmem bzw. sauerstofffreiem GUs und Verfahren zu ihrer Herstellung
US4319803A (en) * 1978-11-24 1982-03-16 Hewlett-Packard Company Optical fiber coating
US4203744A (en) * 1979-01-02 1980-05-20 Corning Glass Works Method of making nitrogen-doped graded index optical waveguides
DE3037491C2 (de) * 1979-10-04 1983-10-27 Nippon Telegraph & Telephone Public Corp., Tokyo Verfahren zur Herstellung einer Glasvorform für optische Fasern
US4402720A (en) 1980-01-22 1983-09-06 Nippon Telegraph & Telephone Public Corporation Process for preparing glass preform for optical fiber
CA1218270A (en) * 1982-07-26 1987-02-24 Herman M. Presby Method of fabricating optical fiber preforms
JPS6042244A (ja) * 1983-08-12 1985-03-06 Toshiba Ceramics Co Ltd シリコン単結晶引上用ルツボ
JPS60162207A (ja) * 1984-02-01 1985-08-24 Hitachi Ltd 光導波路およびその製造方法
JPS6112915A (ja) * 1984-06-25 1986-01-21 Tokushu Muki Zairyo Kenkyusho 実質的にＳｉ，Ｎ及びＯからなる連続無機繊維とその製造法
US4701008A (en) * 1984-08-10 1987-10-20 Motorola, Inc. Optical waveguide including superstrate of niobium or silicon oxynitride and method of making same
FR2569180B1 (fr) * 1984-08-14 1992-06-19 Fibres Optiques Ind Procede de preparation de silice synthetique, notamment pour la fabrication de fibres optiques, silice synthetique et fibres optiques obtenues
US4609631A (en) * 1985-09-12 1986-09-02 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Oxynitride glass fibers
GB8630918D0 (en) * 1986-12-24 1987-02-04 Pilkington Brothers Plc Coatings on glass
JP2830617B2 (ja) * 1992-06-17 1998-12-02 日立電線株式会社 希土類元素添加マルチコアファイバ及びその製造方法
FR2722939B1 (fr) * 1994-07-22 1996-08-23 Alcatel Fibres Optiques Torche a plasma par induction
JP2811160B2 (ja) * 1995-03-08 1998-10-15 科学技術振興事業団 蛍光体およびその製造方法
UA47454C2 (uk) * 1996-12-20 2002-07-15 Научний Центр Волоконной Оптікі Прі Інстітутє Общєй Фізікі Россійской Акадєміі Наук Волоконний конвертор діаметра поля моди, спосіб локальної зміни показника заломлення оптичних хвильоводів та спосіб виготовлення заготівок для оптичних хвильоводів
US6233381B1 (en) 1997-07-25 2001-05-15 Corning Incorporated Photoinduced grating in oxynitride glass
US6549706B2 (en) * 1997-07-25 2003-04-15 Corning Incorporated Photoinduced grating in oxynitride glass
DE10027263B4 (de) * 2000-05-31 2011-11-24 Jenoptik Laser Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Lichtleitfaser auf SiO2-Basis zur Übertragung einer hohen Lichtleistungsdichte
US6550279B1 (en) 2000-09-01 2003-04-22 Corning Incorporated Process for drawing optical fiber from a multiple crucible apparatus with a thermal gradient
US6588235B2 (en) 2001-08-30 2003-07-08 Corning Incorporated Method of centering a fiber core in a multiple-crucible method
US7262140B2 (en) * 2003-11-24 2007-08-28 Intel Corporation Method of smoothing waveguide structures
DE102008033945B4 (de) * 2008-07-19 2012-03-08 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung von mit Stickstoff dotiertem Quarzglas sowie zur Durchführung des Verfahrens geeignete Quarzglaskörnung, Verfahren zur Herstellung eines Quarzglasstrangs und Verfahren zur Herstellung eines Quarzglastiegels
DE202008017383U1 (de) * 2008-12-19 2009-08-20 J-Fiber Gmbh Glas, insbesondere Glasfaser-Preform
CN111875248B (zh) * 2020-07-10 2022-06-17 烽火通信科技股份有限公司 Vad制备弯曲不敏感光纤预制棒的喷灯及光纤预制棒

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3558213A (en) * 1969-04-25 1971-01-26 Bell Telephone Labor Inc Optical frequency filters using disc cavity
US3806223A (en) * 1972-03-30 1974-04-23 Corning Glass Works Planar optical waveguide

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3441056A1 (de) * 1984-11-09 1986-05-22 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur verminderung des verschleisses von bei der gasphasenabscheidung von silizium verwendeten quarzteilen

Also Published As

Publication number Publication date
AU7583274A (en) 1976-05-27
FR2252585B3 (de) 1977-08-12
CA1035613A (en) 1978-08-01
NL7414974A (nl) 1975-05-29
US3999835A (en) 1976-12-28
GB1450123A (en) 1976-09-22
JPS589056B2 (ja) 1983-02-18
JPS5087339A (de) 1975-07-14
FR2252585A1 (de) 1975-06-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2455668A1 (de) Dielektrischer optischer wellenleiter und dessen herstellungsverfahren
DE3105295C2 (de)
DE2538313C3 (de) Verfahren zur Herstellung eines Vorproduktes für die Erzeugung eines optischen, selbstfokussierenden Lichtleiters
DE2806931C2 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Behandlung einer durch Flammhydrolyse hergestellten porösen Glasrußvorform in einem Sinterofen
DE2463097C2 (de) Verfahren zur Herstellung von Glasfaser-Lichtleitern
DE69300600T2 (de) Verfahren zum Dotieren von porösen Glasvorformen.
DE68922476T2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Kohlenstoff-beschichteten optischen Faser.
DE2919080A1 (de) Verfahren zum herstellen einer optischen faser
CH620181A5 (en) Process for the preparation of synthetic quartz glass, apparatus to carry out the process, and the use of the synthetic quartz glass
DE2755373A1 (de) Verfahren zur kontinuierlichen herstellung von lichtleitern
EP0117009B1 (de) Verfahren zum Herstellen einer massiven Vorform zum Ziehen optischer Fasern
DE2524335C2 (de)
DE102012007520B3 (de) Verfahren für die Herstellung eines zylinderförmigen Bauteils aus Fluor enthaltendem synthetischem Quarzglas
EP0141365B1 (de) Verfahren zur Verringerung des Hydroxylanteils in Lichtwellenleitern
DE2239249A1 (de) Verfahren zum herstellen eines siliziumhaltigen materials und danach hergestellter optischer wellenleiter
DE2804467B2 (de) Optische Faser mit einer zwischen Kern und Mantel angeordneten, durch chemische Dampfreaktion hergestellten Zwischenschicht, die im wesentlichen den gleichen Brechungsindex hat wie der Mantel, sowie Verfahren zur Herstellung einer derartigen Faser
DE3037491C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Glasvorform für optische Fasern
DE2746418C3 (de)
DE2730346C3 (de) Verfahren zur Herstellung eines Vorformlings für optische Glasfasern
DE3326043A1 (de) Verfahren zur herstellung eines aerosolstromes und dessen verwendung
WO2009121763A1 (de) Verfahren zur herstellung von synthetischem quarzglas
DE2712993A1 (de) Verfahren zum herstellen einer optischen glasfaser-uebertragungsleitung
WO2003091171A2 (de) Verfahren zur herstellung eines zylinderförmigen quarzglaskörpers mit geringem oh-gehalt
DE2741854B2 (de) Verfahren zur Herstellung optischer Fasern
EP0536631B1 (de) Verfahren zum Herstellen einer Vorform für optische Fasern

Legal Events

Date Code Title Description
OF Willingness to grant licences before publication of examined application
8110 Request for examination paragraph 44
8131 Rejection