DE2446930A1 - Verfahren zur herstellung einer negativen aetzmaske durch polymerisation mittels energiereicher strahlung - Google Patents
Verfahren zur herstellung einer negativen aetzmaske durch polymerisation mittels energiereicher strahlungInfo
- Publication number
- DE2446930A1 DE2446930A1 DE19742446930 DE2446930A DE2446930A1 DE 2446930 A1 DE2446930 A1 DE 2446930A1 DE 19742446930 DE19742446930 DE 19742446930 DE 2446930 A DE2446930 A DE 2446930A DE 2446930 A1 DE2446930 A1 DE 2446930A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- polymer
- styrene
- copolymer
- etching
- fluorinated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US41293073A | 1973-11-05 | 1973-11-05 | |
US41293373A | 1973-11-05 | 1973-11-05 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2446930A1 true DE2446930A1 (de) | 1975-05-07 |
Family
ID=27021973
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19742446930 Withdrawn DE2446930A1 (de) | 1973-11-05 | 1974-10-01 | Verfahren zur herstellung einer negativen aetzmaske durch polymerisation mittels energiereicher strahlung |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS576573B2 (zh) |
DE (1) | DE2446930A1 (zh) |
FR (1) | FR2250139B1 (zh) |
GB (1) | GB1487936A (zh) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4171417A (en) * | 1978-10-30 | 1979-10-16 | Calgon Corporation | Polymers with improved solvent holdout in electroconductive paper |
NL7906932A (nl) * | 1979-09-18 | 1981-03-20 | Philips Nv | Negatief resist-materiaal, drager met resist-materiaal en werkwijze voor het volgens een patroon aanbrengen van een laag. |
EP0240726A3 (en) * | 1986-03-05 | 1987-12-09 | Daikin Industries, Limited | Resist material |
IL141803A0 (en) | 1998-09-23 | 2002-03-10 | Du Pont | Photoresists, polymers and processes for microlithography |
US6849377B2 (en) | 1998-09-23 | 2005-02-01 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Photoresists, polymers and processes for microlithography |
CA2381128A1 (en) * | 2002-04-09 | 2003-10-09 | Quantiscript Inc. | Plasma polymerized electron beam resist |
-
1974
- 1974-09-25 JP JP11039974A patent/JPS576573B2/ja not_active Expired
- 1974-10-01 DE DE19742446930 patent/DE2446930A1/de not_active Withdrawn
- 1974-10-30 FR FR7436260A patent/FR2250139B1/fr not_active Expired
- 1974-11-04 GB GB4765274A patent/GB1487936A/en not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS576573B2 (zh) | 1982-02-05 |
JPS5073705A (zh) | 1975-06-18 |
GB1487936A (en) | 1977-10-05 |
FR2250139B1 (zh) | 1980-06-27 |
FR2250139A1 (zh) | 1975-05-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2655455C2 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Maske und Lackstruktur zur Verwendung bei dem Verfahren | |
DE2534801C2 (de) | Verfahren zum Herstellen von dotierten Gebieten in einem Halbleiterkörper durch Ionen-Implantation | |
DE2610014C2 (zh) | ||
EP0008389B1 (de) | Verfahren zur Stabilisierung einer Bildschicht auf einer Unterlage | |
DE2735377C2 (de) | Mit einem gegenüber Elektronen- und Röntgenstrahlung empfindlichen Negativ-Resistmaterial beschichteter Werkstoff | |
DE2314124C3 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Polymermusters unter Verwendung von Elektronenstrahl-empfindlichem Polymermaterial | |
DE2624832A1 (de) | Verfahren zum herstellen von lackmustern | |
CH619303A5 (zh) | ||
DE2061699A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halb leiteranordnung | |
DE3315118C2 (zh) | ||
DE2706878A1 (de) | Strahlungsempfindliches material | |
EP0143437B1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Resistmustern und für dieses Verfahren geeigneter Trockenresist | |
DE3539201C2 (zh) | ||
DE2459156B2 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Photolackmaske auf einem Halbleitersubstrat | |
DE2948324C2 (de) | Lichtempfindliches Gemisch, enthaltend eine Bisazidverbindung, und Verfahren zur Bildung von Mustern | |
DE3201815C2 (zh) | ||
DE2927838A1 (de) | Verfahren zur ausbildung eines negativen resistmusters | |
EP1844105A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines elastomers und elastomer | |
DE2724160A1 (de) | Bildaufzeichnungsmaterial | |
DE2446930A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer negativen aetzmaske durch polymerisation mittels energiereicher strahlung | |
DE69032464T2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Photolackmustern | |
DE3112196A1 (de) | "photosensitive zusammensetzung zur trockenentwicklung" | |
DE3884502T2 (de) | Polydiacetylen-Dünnschicht-Herstellungsverfahren. | |
DE2452326A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer aetzmaske mittels energiereicher strahlung | |
CH621890A5 (zh) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8141 | Disposal/no request for examination |