DE2438353C3 - Aufnahmeanordnung mit Informationsaufnahmestellen in einem Halbleiterkörper - Google Patents

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Aufnahmeanordnung mit Informationsaufnahmestellen in einem Halbleiterkörper, wobei die aufgenommene Information über Ladungsübertragung durch eine Reihe von Schiebeelementen unter Ansteuerung einer Taktimpulsquelle nach einem bei der Reihe vorhandenen Ausgang

durchschiebbar ist

Eine derartige Aufnahmeanordnung ist in der deutschen Offenlegungsschrift 19 17 324 beschrieben worden. Darin ist angegeben, daß die beispielsweise optische Information die Spannung an einer lichtempfindlichen Kapazität in den Aufnahmestellen der Schiebeelemente während einiger Zeit beeinflußt Danach werden in einer verhältnismäßig kurzen Zeit die durch die örtlich vorhandene Information bestimmten Ladungsmengen in den Aufnahmestellen durch die Reihe Schiebeelemente hindurch zum Ausgang befördert

Durch das Weiterschieben durch die Reihe durchläuft die Information von einer Aufnahmestelle, die näher beim Ausgang der Reihe liegt als eine andere, eine geringere Anzahl von Scbiebeelementen. Dies wäre nicht störend, wenn beim Weiterschieben eine mehr oder weniger ideale Ladungsübertragung vorhanden wäre. Die Ladungsübertragung ist jedoch in der Praxis nicht ideal, wodurch im Signal am Ausgang der Reihe eine Signaldegradation auftritt die vci der Anzahl der durchlaufenen Schiebeelemente abhängig, d. h. orts- bzw. zeitabhängig ist Dadurch entsteht abhängig von der Anzahl von durchlaufenen Schiebelemeiiten eine weitere Bandbreitenbeschränkung und ein kleineres Signal-Rausch verhältnis, während beim Weiterschieben auftretende Ladungsverluste eine sich ändernde Gleichstrom- bzw. Gleichspannungsverschiebung im Ausgangssignal, das zu der Reihe gehört, ergeben.

Aufgabe der Erfindung ist es nun, eine Aufnahmeanordnung zu verwirklichen, mit der ein Ausgangssignal erzeugt wird, das die beschriebene störende Signaldegradation nicht aufweist. Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß bei der eingangs genannten Aufnahmeanordnung dadurch gelöst, daß der Ausgang der Reihe von Schiebeelementen an einen Eingang eines analogen Schieberegisters zur Aufnahme der genannten Information in Registerelementen angeschlossen ist welches Schieberegister von einem Hin- und Herschiebetyp ist mit nacheinander eine Information Aufnehmen und Zurückschieben unter Ansteuerung der Taktimpulsquelle, wobei die Signaldegradation beim Weiterschieben bei den Registerelementen des Schieberegisters in der Größenordnung der Hälfte von der bei den Schiebeelementen der genannten Reihe liegt, und das am Ausgang vorliegende Signal eine im wesent'-chen einheitliche orts- bzw. zeitunabhängige Signaldegradation hat.

Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und werden im folgenden näher beschrieben. Es zeift

F i g. I eine erfindungsgemäße Aufnahmeanordnung, ausgebildet mit einer einzigen Reihe von Schiebeelementen mit Aufnahmestellen.

F ι g. 2 als Funktion der Zeit einige Signale, die in der Aufnahmeanordnung nach F i g. I auftreten.

F i g. 5 eine in einem Halbleiterkörper integrierte Ausführungsform eines in der Anordnung nach Fig. 1 verwendeten analogen Schieberegisters vom Hin- und Herschiebetyp.

F ι g. 4 eine Aufnahmeanordnung mit mehreren Reihen von Schiebeelementen mit Aufnahmestellen, die nacheinander gesteuert werden,

Fig. 5 eine Aufnahmeanordnung mit mehreren Reihen von nur Schiebeelementen mit gesonderten Aufnahmestellen.

In der Aufnahmeznordnung nach Fig. 1 ist durch PP1 eine Reihe von η Schiebeelementen mit Aufnahmestellen angegeben. Die Elemente der Reihe PPi sind durch Pi, P2...P5 angegeben, so daß für Fig. I gilt π=5. Weiter ist durch χ das dritte Element P 3 angegeben, wobei allgemein gilt Jr= 1, 2, 3,...n. Die Elemente P1...P5 sind identisch ausgebildet mit je zwei Transistoren 7Ί, T2... T9, TiO, zwei Kapazitäten Ci, C2...C9, ClO und zwei Dioden Dl, £»2...D9, DlO. Das Element Pl der Reihe PPi ist über einen Transistor TO an eine Klemme mit einer Spannung — Vb 1 angeschlossen, die von einer nicht

ίο angegebenen Spannungsquelle mit einer Klemme, die an Masse liegt und mit gegebenenfalls Klemmen die andere Spannungen führen, herrührt Die Transistoren Γ sind vom Typ mit isolierter Torelektrode und haben eine Quelle 5, eine Senke D und ein weiter nicht bezeichnetes Substrat das an Masse liegt. Von den Transistoren TO, Ti... Γ9 sind die Senken D an die Quellen 5der Transistoren Ti,... TiO gelegt worden. Bei der Ausbildung der Reihe PP1 und des Transistors TO in nur einem Halbleiterkörper als Substrat bedeutet dies, daß dio Senke D eines Transistors und die Quelle 5 des nachfolgenden Transistors al:, einziges Gebiet (D+ S)\m Substrat gebildet sind.

Wegen der identischen Ausbildung der Elemente Pi... PS wird nur die des Elementes Pi detailliert beschrieben. Die Senke D des Transistors Ti und die Quelle i'des Transistors Γ2 liegen über die Diode D 2 am Substrat und haben die Kapazität C2 zur Torelektrode des Transistors Ti. Die Quelle S des Transistors Ti (die weiter an der Senke D des Transistors Fliegt) hat die Diode D1 zum Substrat und die Kapazität Ci zur Torelektrode des Transistors T2 (und zu der des Transistors TO). Für die Verbindungen zwischen den Elementen Pi,... PS gilt, daß außerhalb des gemeinsamen Substrats die Torelektroden der Transistoren Ti, Tl, TS, Tl und 7"9 bzw. Γ2. Γ4. 76. 7"8 und 7"10 miteinander verbunden sind. Da die Kathoden der Dioden Di... DiO deran dargestellt sind, daß sie am Substrat liegen, folgt daß die Gebiete (D+ S) aus p-Halbleitermaterial gebildet sind in <.-inem Substrat aus n-Halbleitermaterial. Die Transistoren T sind dadurch p-leitend mit nur einem Löcherstrom von der Quelle 5zur Senke Deines Transistors. Die Dioden Di... DtO werden durch die Gebiet-Substrathalbieiterübergänge gebildet, die lichtempfindlich sind, was bedeutet, daß eine (Bezugs)-Sperrspannung an einer Diode Dl ... D 10 vorhanden ist, durch die Lochelektronenpaare abgeleitet werden, die unter dem Einfluß von Photonen in und in der Nähe des Halbleiterüberganges verursacht werden. Die Dioden D1 ... D10 sind dadurch als lichtempfindliche Kapazitäten zu betrachten, die bis zur Bezi'gsspannung aufgeladen unter dem Einfluß der auftretenden Photonen eine bestimmt" Entladung erfahren. Die Dioden Dl ...DlO sind die A-ifni/iiniestellen in der Reihe PPi. Die Kapazitäten Cl... C10 sind zwischen den Torelektroden der Transistoren Tvori.anden, die auf dem Halbleiterkörper isoliert angeordnet sind, und die Gebiete (D+S) im Halbleiterkörper als Substrat.

Zur Steuerung der Reihe PPi ist die Aufnahmean-Ordnung nach F i g. I an eine Taktimpulsquelle G I über einen Schalter Q1 angeschlossen. Der Taktimpulsquelle G 1 wird ein Signal F zugeführt, das in F i -g. 2 als Funktion der Zeit mit den Zeitpunkten to, tu t₂... t₂\ angegeben ist. Im Zeitpunkt ίο tritt im Signal F ein

μ Impuls auf, der die Quelle G i während der Zeit bis zum Zeitpunkt f₂i einschaltet zum Liefern eines Signals A und eines Signals B, die in F i g. 2 als die Signale A = A₁A und B= B,B mit Taktimpulsen zwischen dem Massenpo-

tential O und einer Spannung —Εaufgetragen sind. Die Signale A und B werden in Fig. 1 einem Impulszähler G 2 zugeführt, dem ebenfalls das Signal F zugeführt wird. Nach dem Startimpuls im Signal F (to) wird der Impulszähler C2 bei einer Ziihlstellung η wirksam und gibt nach η Taktimpulsen im Signal B (tu) und danach nach π Taktimpulsen im Signal A (t2\) Impulse ab. die in F i g. 2 bei einem Signal //dargestellt sind. Das Signal H, das durch den Impulszähler C 2 mit einer weiter irrelevanten Ausbildung erzeugt wird, wird nach F i g. I als Schaltsignal dem Schalter Q zugeführt. Der Schalter Q 1 ist mit zwei Umschaltern mit je einem Mutterkontakt ausgebildet, der mit der Reihe PPi verbunden ist. und mit zwei Wahlkontakten, die durch w und / angegeben sind. Die Wahlkontakte fliegen an den zwei Ausgängen der Quelle C 1, während die Wahlkontakte ζ an Masse liegen. In F i g. 2 sind durch w und /. zwei 7i*itHailprn />„ Hie /.. MriH /. ■ Hie #..\ beZSiChnCi, !" dC"C" die Umschalter im Schalter Q 1 an die Wahlkontakte w bzw. ζ angeschlossen sind. Daraus ergibt sich, daß die Torelektroden der Transistoren 7*1, 73. 75. 77und 79 in der Zeitdauer w die Taktimpulse des Signals A zugeführt bekommen und in der Zeitdauer 7 an Masse liegen: in F i g. 2 ist das dabei auftretende Signal Af) aufgetragen. Auf dieselbe Weise erhalten die Torelektroden der Transistoren 7"0, 72. 74. 76. 78 und TiQ ein Signal ÄO zugeführt.

Bevor die Signale bei der Reihe PP \ beschrieben werden, werden die weiteren Bauelemente der Aufnahmeanordnung nach F i g. 1 angegeben, die zum Durchführen einer Signalkorrektur vorgesehen sind. Die Senke Ddes Transistors 7"1O im Element P5 der Reihe PP 1 liegt an einer Klemme K 1. Die Klemme K 1 ist der Ausgang der Reihe PP 1. Weiter ist die Klemme K I der Eingang eines analogen Schieberegisters 551. das mit Registereiementen 51... 55 ausgebildet ist. In der Allgemeinheit hat das Schieberegister 551 η Registerelemente, wie es η Schiebeelemente Pl usw. in der Reihe PP ¹I gibt. Das Schieberegister 551 ist mit zehn Transistoren 7*11 ... 7~2O ausgebildet, die in Reihe an die Klemme mit der Spannung - Vb 1 angeschlossen sind, und mit zehn an Verbindungspunkte in der Reihenschaltung angeschlossenen Kapazitäten CI1...C20. die je zu zweit die Registerelemente 51 .55 bilden. Die Transistoren 711... 7*20 sind vom Typ mit isolierter Torelektrode. Die bei der Reihe PPi angegebenen Verbindungen zum Substrat sind beim Register 55 1 fortgelassen, da sie hier irrevelant sind. Ein wesentlicher Unterschied ist, daß es vier gesonderte Verbindungen gibt, und zwar zwischen den Kapazitäten CU. C13. C15. C17 und C19 bzw. C12. C14. C16. C18 und C20 und den Transistoren 711. 713. 715. 717und 719bzw. 71Z 714. 716, 718, 720. Die Verbindung der geradzahligen Kapazitäten C12... C20 liegt am Ausgang der Taktimpulsquelle Gi mit dem Signal Af=AA), während die der ungeradzahligen Kapazitäten CIl ... C19 am Ausgang mit dem Signal B (= B.B) liegt. Mit zwei einzelnen Verbindungen der ungeradzahligen und geradzahligen Transistoren 711... 720 ist über einen Schalter Q2 mit den zwei Ausgängen die Taktimpulsquelle G1 mit den Signalen A und B verbunden. Der Schalter Q2 enthält zwei Umschalter mit je einem Mutterkontakt, der mit dem Schieberegister 551 verbunden ist. und mit zwei Wahikontakten w und z. Beim Anschluß an die Wahlkontakte w bekommen die ungeradzahligen bzw. geradzahligen Transistoren 711... 720 das Signal A bzw. B zugeführt und bei der z-Steiiung das Signal B bzw. A. wie in F i g. I und F i g. 2 mit den Signalen A.B und B.A angegeben ist. Das vom Impulszähler G 2 gelieferte Schaltsignal H wird außer dem Schalter Q 2 weiter einem Schalter Q3 zugeführt. Der Schalter Q3 enthält zwei Umschalter mit je zwei Wahlkontakten n und 7, wobei die Wahlkontakte wan Masse gelegt sind.

Der Wahlkontakt ζ eines der Umschalter des Schalters Q3 liegt an einer Klemme mit der Spannung - Vb 2. während der Mutterkontakt an der Senke D eines Transistors 721 liegt, dessen isolierte Torelektrode an die Klemme K 1 angeschlossen ist und der mit der Quelle 5über einen Widerstand RR an Masse liegt. Die Quelle 5 des Transistors 721 liegt an einer Klemme K 10, die der Ausgang der Aufnahmeanordnung nach F i g. 1 ist und ein Ausgangssignal L¹KiO führt. Der Transistor 721 kann in der iv-Stellung des Schalters Q 3 nicht leitend sein, so daß im Ausgangssignal UK IO an

vorhanden ist. In der /Stellung des Schalters Q 3 ist der Transistor 721 als Quellenfolger für ein an der Torelektrode auftretendes Signal wirksam.

Der Wahlkontakt / des zweiten Umschalters im Schalter Q3 liegt am Ausgang der T.iktimpulsquelk' G 1, der das Signal A führt. Der Mutterkontakt liegt an der Torelektrode eines Transistors 722. dessen Senke D am iiiuitcrkoniaki des anderen ersten Umschalters liegt un ■ dessen Quelle 5 mit dem Verbindungspunkt der Kapazität ClI und des Transistors 711 verbunden ist. In der iv-Stellung des Schalters Q3 ist der Transistor 722 gesperrt, und ?.war dadurch, daß an der Senke D und an der Torelektrode Massepotential vorhanden ist. während an der Quelle 5 nur negative Spannungen auftreten können. In der z-Stellung wird der Transistor 722 leitend mit einem Löcherstrom, wenn die Spannung an der Quelle 5 weniger negativ ist als die an der Torelektrode plus der Tor-Quellenschwellenspannung.

Die Schalter Qi. Q2 und Q3 sind in F ι g. 1 der Einfachheit halber als mechanischer Schalter dargestellt, werden aber in der Praxis mit elektronischen Bauelementen ausgebildet sein.

Zur Erläuterung der Wirkungsweise der Aufnahmeanordnung nach F i g. 1 sind in F i g. 1 und 2 einige in der Reihe PPi auftretende Signale Ui. U2. U9 und UW und einige im Schieberegister 551 auftretende Signale t/11, t/12, t/19 und t/20 gegeben. Die Signale Ui ... U20 geben die Spannungen an. die an den mit den Transistoren 7 verbundenen Anschlüssen der Kapazitäten C1...C20 auftreten. Die in Fig. 2 dargestellten Signale t/1...t/20 sind schenwisch dargestellt, wobei der Einfachheit halber die in der Praxis übliche Vorladung, die in der Reihe PPi und in dem Register 551 weitergeschoben und von der Spannung — Vb 1 geliefert wird, nicht berücksichtigt worden ist. Zur Erläuterung der Schaltung ist eine derartige Vorladung, die zum Erhalten eines wirksameren Schaltens bei den Transistoren 7 verwendet wird, von keiner Bedeutung.

Es wird ausgegangen von einem Zeitpunkt der kurz vor dem in Fig.2 angegebenen Zeitpunkt u, liegt. Dieser Zeitpunkt tritt am Ende einer Zeitdauer auf, die in F i g. 2 durch w' angegeben ist Es wird vorausgesetzt daß die Zeitdauer w*vie\ größer ist als die Zeiten wund z. In der Zeitdauer w' gibt die Taktimpulsquelle G1 keine Taktimpuise in den Signalen A und B, sondern darin tritt Massepotential 0 auf, was ebenfalls für die Signale AJO; 5,0; Aß und BA gilt Der Anfangszeitpunkt der Zeitdauer iv'ist bei einem periodischen Betrieb der

Aufnahmeanordnung der dann periodisch auftretende Zeitpunkt /21; alle in Fig. 2 angegebenen Zeitpunkte treten dann periodisch auf. Aus F i g. 2 geht hervor, daß nach dem Zeitpunkt /21 die gezeichneten Signale LM... (720 eine Spannung — E+v haben. Diese Spannung ist eine Bezugsspannung, die durch die negative Taktimpulsspannung - E, verringert um die Tor-Q^K-'Henschwellenspannung (v), des Transistors T gegeben wird. Die Schwellenspannung ν tritt bei einem Transistor Tauf, der keinen Strom (mehr) führt, sondern zum Leiten vorgespannt ist. Die Bezugsspannung -E+v tritt an den Kapazitäten Cin der Reihe PPI und im Schieberegister SS1 auf, aber in der Reihe PP1 steht die Spannung zugleich an den lichtempfindlichen Dioden D 1 ... D 10. Die Photonen des in der verhältnismäßig langen Zeitdauer w' auf die Aufnahmestellen mit den gesperrten Dioden D 1... D 10 treffenden Lichtes ergeben durch die Entladung eine weniger negative Spannung in den Signalen U i ... U iö. Es wird von einer gleichmäßigen einheitlichen Beleuchtung auf die Reihe PPi ausgegangen, wodurch gerade vor dem Zeitpunkt (0 die Spannung in den Signalen U1 ... U10 für alle um einen gleich großen Betrag weniger negativ geworden ist als die Bezugsspannung - £+ v. Für das Schieberegister 551 gilt, daß vor dem Zeitpunkt f₀ während der ganzen Zeitdauer w'die Bezugsspannung

— E+ ν in den Signalen U11 ... Ul¹Q vorhanden ist. Um zu vermeiden, daß auf das Schieberegister 551 Licht trifft, das ein unerwünschtes Lecken bei den Spannungen t/11... U20 ergeben kann, kann es gegen Licht abgeschirmt werden; für die Signalverarbeitung nach der Erfindung ist dies jedoch nicht wesentlich, da aus F i g. 2 hervorgehen wird, daß der Leckeinfluß örtlich entfernt und die Bezugsspannung erhalten wird, bevor an dieser Stelle die Signalverarbeitung anfängt.

Vom Zeitpunkt Ib bis zum Zeitpunkt h tritt in den Signalen A = AA: AO und A.B die negative Spannung

— E auf. Die Spannung — E im Signal AO tritt an den Torelektroden der Transistoren Ti, T3, TS. Tl und T9 auf, während an den Senken Ddie Spannung - Eauf der davor vorhandenen negativen Spannung an den

Kansmtätcn Cl Γ Λ Cf\ ΓΛ nnH Γ in hinvitgefügt

wird. In F i g. 2 ist der Spannungssprung von der Größenordnung — E im Zeitpunkt ίο bei den Signalen i/2 und (710 aufgetragen. Die Spannung -fan den Torelektroden der Transistoren Ti. Ti, TS, T7und Γ9 bewirkt, daß an den Quellen 5 keine weniger negative Spannung als — E+ ν auftreten kann, und von der Quelle 5 zur Senke D fließt ein Löcherstrom, bis dieser Zustand erreicht ist In F i g. 2 ist der Effekt des Löcherstromes zwischen den Zeitpunkten ίο und U bei den Signalen U1 und t/9 aufgetragen. Der Löchersirom hat weiter zur Folge, daß die Spannung in den Signalen U'2 und UiO um ebensoviel weniger negativ wird. Vor dem Zeitpunkt fi tritt in den Signalen t/2 und t/10 eine Spannung auf, die gegenüber der Spannung — 2 E+ c die summierte Information des durch die Photonen bestimmten Leckens an den Aufnahmestellen, und zwar den Dioden D1 und D 2 bzw. D 9 und D10. ergibt In F i g. 2 ist bei den Signalen t/2 und t/10 angegeben, daß vor dem Zeitpunkt fi die im Element Pi bzw. P5 summierte Information (Pi) bzw. (PS) für ein weiteres Durchschieben zur Ausgangsklemme K1 zur Verfügung steht

Bei den Signalen Uli, t/12, t/19 und t/20 nach Fig.2 sind zwischen den Zeitpunkten to und U die Spannungen dargestellt wie diese auftreten, wenn in der Zeitdauer iv'kein Lecken in den Elementen 51 und 55 aufgetreten ist und kein Löcherstrotn fließen wird.

Vom Zeitpunkt t\ bis zum Zeitpunkt i? tritt in den Signalen B- B.B; S₁O und B₁A die Spannung - E auf, während Massepotential 0 nun in den Signalen A = A,A; AO und A,B vorhanden ist. Dabei können die geradzahligen Transistoren TO, T2... Γ20 mit einem Löcherstrom leitend werden, während im Zeitpunkt t\ in allen Signalen Ui...U20 ein Spannungssprung E vorhanden ist, der für die ungeradzahligen Signale negativ gerichtet ist und für die geradzahligen Signale positiv. Im Zeitpunkt fi erfolgt ein Weiterschieben der summierten Information aus dem einen Element P der Reihe PPi zum folgenden Element P. Die Information (PS) im Signal U10 nach F i g. 2 wird vom Zeitpunkt J, zur Ausgangsklemme K 1 weiiergeschoben, an der das Signal t/11 nach Fig. 2 vorhanden ist mit der Information (PS) vor dem Zeitpunkt h.

Im Zeitpunkt h findet ein Weiterschieben in den Schiebeelementen P und im Registerelement 5 selbst statt, wodurch nach dem Zeitpunkt r₂ im dargestellten Signal UiO die Information (PA) auftritt, während im Signal U12 die Information PS erscheint.

Auf die beschriebene Art und Weise folgen im Signal UiO die weiteren Informationen (P3), (P2) und (Pi) und im Signal UH die Informationen (PA). (P3). (Pi) und (Pi). Vor dem Zeitpunkt /to tritt die Information (PS) im Signal U19 auf, die danach nach dem Zeitpunkt fio im Signal t/20 auftritt. Vor dem Zeitpunkt tu befinden sich die Informationen (Pi). (P2), (P3). (PA) und (PS) in den Signalen t/12, UiA, t/16, t/18 und U 20 des Schieberegisters 551.

Im Zeitpunkt fi ι werden die Schalter Qi. Q 2 und Q 3 durch das Schaltsignal H in die z-Stellung gebracht. Über den Schalter Q1 wird die Steuerung der Reihe PPi gestoppt und vom Zeitpunkt tu an ist in den Signalen AO und S.O während der Zeiten ζ und w'nach wie vor Massepotential 0 vorhanden. In allen Signalen Ui... UiO tritt vom Zeitpunkt tu an die negative Bezugsspannung - E+ ν auf. die in den Zeiten ζ und w' abhängig von den auf die Aufnahmestellen mit den Dioden D1... D10 treffenden Photonen abnehmen kann. Da die Zeitdauer ζ viel kleiner ist als die Zeitdauer

Bezugsspannung — E+ ν noch in den Signalen Ui... UiO vorhanden ist, von welchem Zustand

■»5 obenstehend ausgegangen wurde.

Die Umschaltung des Schalters O3 zum Wahlkontakt ζ mit der Spannung — Vb 2 setzt den Transistor T2i als Quellenfolger in Wirkung, was bedeutet, daß die Spannung an der Klemme K10 eine Schwellenspannung von etwa 2v weniger negativ liegt als die Spannung an der Torelektrode. Die Tor-Quellenschwellenspannung eines stromleitenden Transistors T mit isolierter Torelektrode hat nämlich etwa den doppelten Wert von der Spannung v, die bei einem bis zum Leiten vorgespannten, aber keinen Strom (mehr) leitenden Transistor rauftritt Weiter wird über den Schalter Q 3 der Transistor T22 freigegeben, um unter Ansteuerung des Signals A gegebenenfalls in den leitenden Zustand gelangen zu können, was von der Spannung an der Quelle 5 abhängt

Die Umschaltung im Schalter Q 2 hat zur Folge, daß die Richtung der Signalschiebung im Register 551 umgekehrt wird. Beim Registerelement 53 ist angegeben, daß in der beschriebenen Zeitdauer w der Transistor 7" 15 eine Senke D hat die an einer Quelle 5 des Transistors Γ16 liegt Aus dem Obenstehenden folgt daß dabei in jedem Transistor rein Löcherstrom auftreten kann, und zwar von der Quelle 5 zur Senke D

unter Ansteuerung des Signals A bzw. B an den Torelektroden der ungeradzahligen bzw. geradzahligen Transistoren TIl... Γ20. Beim Registerelement 53 ist die Richtung des Löcherstromes durch einen Pfeil w angegeben. Wenn nun in der Zeitdauer ζ auf -> umgekehrte Weise das Signal flbzw. A den Torelektroden der ungeradzahligen bzw. geradzahligen Transistoren Π1... 7*20 zugeführt wird, wird in jedem Transistor Tder Löcherstrom seine Richtung umkehren, wobei aus einer Quelle 5 eine Senke D wird. Beim Registerelement 53 ist die umgekehrte Richtung des Löcherstromes durch einen Pfeils ζ angegeben. Die Klemme K 1, die zunächst als Eingangsklemme für das Schieberegister 551 wirksam gewesen ist, wird nun die Ausgangsklemme. r>

Im Zeitpunkt in tritt im Signal B₁A Massepotential 0 auf, so daß die geradzahligen Transistoren T\2... T20 gesperrt sind. Der Transistor T22 ist dabei auch durch Massenotenti.il 0 in Hern über den Schalter 03 ihm Eugeführten Signal A gesperrt. Im Signal A₁B tritt dann .>n die Spannung - E auf, während im Signal A.A Massepotential 0 und im Signal S,S die Spannung -E erscheint, so daß die ungeradzahligen Transistoren TM ... Γ19 leitend werden können und ein Löcher- »trom von den geradzahligen zu den ungeradzahligen >> kapazitäten C20...C11 fließt. Dadurch wird die Information (P5), die im Signal i/20 nach Fig. 2 vorhanden ist, zum Signal t/19 zurückgeschoben. Auf gleiche Weise wird die Information (PY) im Signal U12 Eum Signal UM zurückgeschoben. Im Signal U11 ist to die Information (P Y) gegenüber der Bezugsspannung -2e+v vorhanden, so daß über den leitenden Transistor Γ21 die Information (Pi) im Signal UK 10 gegenüber der Bezugsspannung -2£+3v erscheint. Vor dem Zeitpunkt tu ist die Information (P 1) im Signal t > UK 10 vorhanden.

Im Zeitpunkt tu erscheint die Spannung —fin den Signalen B₁A und A₁A und das Massepotential 0 in den Signalen A₁B und B.B, wodurch die geradzahligen Transistoren Γ12...Γ18 zum Zurückschieben der Information zwischen den Registerelementen 55, 54, 53, 52 und 51 in den leitenden Zustand gelangen können. Beim Signal U12 nach F ι g. 2 ist angegeben, daß die Information (P2) dorthin gelangt. Weiter gelangt durch die Spannung — E im Signal A an der Torelektrode des Transistors 7"22 dieser Transistor in den leitenden Zustand mit einem Löcherstrom, bis in der Spannung UM die Spannung -E+ ν vorhanden ist. Dabei tritt vor dem Zeitpunkt i_t3 die Spannung — E+3v im Signal UK 10 auf. >n

Im Zeitpunkt U3 fängt die Übertragung der Information (P 2) zum Signal U11 an, und vor dem Zeitpunkt in ist die information (P 2) in den beiden Signalen U11 und UK10 vorhanden. Auf dieselbe Art und Weise treten vor den Zeitpunkten f₎₆, fi8 und f» die Informationen (P3,\ ρ 4) bzw. (PS) im Signal UK10 am Ausgang K10 der Aufnahmeanordnung auf.

Im Zeitpunkt t2\ liefert der Impulszähler G2 einen Impuls //im Schaltsignal, wodurch die Schalter Q1, Q2 und Q 3 in die iv-Stellung gebracht werden, während M) durch innere Verbindungen oder durch Zufuhr des Signals H zu der Taktimpulsquelle G1 diese mit der Lieferung der Taktimpulse aufhört Damit fängt die beschriebene Zeitdauer w' zum Aufnehmen von Information in die Aufnahmestellen mit den Dioden DX... D10 in der Reihe PPX an.

Obenstehend ist die Wirkungsweise der Aufnahmeanordnung nach F i g. 1 beschneben worden, ohne daß auf den Hintergrund eingegangen ist, der sich nun auf einfachere Weise erklären läßt. Sollte die Aufnahmeanordnung nur die Reihe PPX mit den Schiebeelementen PX ...PS und tien darin vorhandenen Aufnahmestellen mit den Dioden D I... D10 enthalten, abgesehen von einer Ausgangsstufe und Steuermitteln, so würde an der Klemme K 1 ein Ausgangssignal auftreten, wie dies in Fig. 2 beim Signal U11 in der Zeitdauer wdargestellt ist. Es stellt sich heraus, daß nacheinander die Informationen (P5)...(PX) an der Klemme KX auftreten. Dabei wird die Information (P5) verfügbar, nachdem zwei Transistoren T9 und Γ10 in den leitenden Zustand gebracht sind; mit anderen Worten: die Information (P5) hat zwei Schiebevorgänge erfahren. Für die Information (Pi) folgt, daß diese über zehn Transistoren Ti ... T10, also nach zehn Schieb'.·- vorgängen an der Klemme K 1 erscheint. Allgemein gut. daß bei /J-Elementen in der Reihe PPi die Information dp« Elements χ H h Hip Information /Px) pin? Aniahj von 2(n+]-x) Schiebevorgängen erfährt. Wenn die Schiebevorgänge auf ideale Weise stattfinden, d. h. eine Ladungsübertragung der einen Kapazität auf die andere ohne irgendeinen Ladungsverlust und ein Schalten der Transistoren (T) ohne irgendeine Signalbeeinflussung, so würden mehr oder weniger Schiebevorgänge zum Erhalten der Information (Px), diese nicht beeinflussen. In der Praxis erfolgen die Schiebevorgänge nicht auf ideale Weise, sondern es treten Ladungsverluste auf, und das Schalten beeinflußt das Signal. So tritt eine Gleichstrom- bzw. Gleichspannungsverschiebung im Signal auf, die größer wird bei einer größeren Anzahl von Schiebevorgängen, was ebenfalls eine weitere Bandbreitenbeschränkung und ein geringeres Signal-Rauschverhältnis ergibt. Im Ausgangssignal der Reihe PPi tritt dadurch eine orts- bzw. zeitabhängige Signaldegradation auf. Insbesondere bei großen Werten von n, beispielsweise /J=IOO oder mehr, ist die sich daraus ergebende orts- bzw. zeitabhängige Signaldegradation im Ausgangssignal in unakzeptierbarem Ausmaß vorhanden.

Zur Verringerung der orts- bzw. zeitabhängigen Signaldegradation ist in der Aufnahmeanordnung nach F1 g. 1 das Schieberegister SS1 vorgesehen, das vom Hin- und Herschiebetyp ist. Die Information (Px) die vom Element Px in der Reihe PPi herrührt, wird wie obenstehend beschrieben, dem Registerelement Sx des Schieberegisters 551 zugeführt und darin bis in die geradzahlige Kapazität Cgebracht. Dadurch erfährt die Information (Px) eine Anzahl von (2x- 1) Schiebevorgänge beim Eingeben in das Schieberegister 551. Beim Zurückschieben erfolgt dies durch dieselbe Anzahl Transistoren im Schieberegister 551, so daß die zurückgeschobene Information (Px) an der Ausgangsklemme K1 des Schieberegisters SS1 eine Anzahl von 2(2at-1) Schiebevorgängen im Schieberegister 551 erfahren hat

Wenn vorausgesetzt wird, daß jeder Schiebevorgang in der Reihe PfI eine Signaldegradation um einen Faktor a ergibt während die im Schieberegister 551 einen Wert b hat folgt, daß die Gesamtsignaldegradation an der Ausgangsklemme K1 des Schieberegisters SS X dem nachfolgenden Wert entspricht:

2(n+\-x)a + 2(2x-l)b.

Um zu verwirklichen, daß die Signaldegradation orts- bzw. zeitunabhängig ist muß die Formel (1) einen

konstanten Wert haben unabhängig von x, was gilt für

= ja-

Die in der Formel (2) festgelegte Anforderung, daß die Signaldegradation pro Schiebevorgang beim Schieberegister 5Sl die Hälfte sein muß von der bei der Reihe PPi, läßt sich durch Anpassung der Konfiguration der Kapazitäten C11... C20 und der Transistoren TIl... Γ20 an die integrierte Ausbildung in einem Halbleiterkörper erfüllen. Für die Reihe PPi gilt, daß die Konfiguration der darin vorhandenen Bauelemente ium größten Teil durch die Anforderung einer möglichst guien Informationsaufnahme in den Aufnahmestellen mit den Dioden D1... D10 bestimmt wird. Für das Schieberegister 551 gilt eine derartige Anforderung nicht, so daß es einen Freiheitsgrad gibt, üs Anforderung eier hslben Si'^ulwC'ruuutic" ^rc Schalthandlung erfüllen zu können.

Ohne dk Verwendung des Schieberegisters S51 würde die Information (Pi) eine Signaldegradation Ina haben, während die für die Information (Pn) den Wert la hat. Durch Verwendung des Schieberegisters 551 ist die orts- bzw. zeitabhängige Signaldegradation eliminiert und gibt es eine einheitliche Signaldegradation von (2/7 + 1 )a für alle informationen (Px).

Die in F i g. 1 dargestellte Ausfühi-ungsform der Reihe PPi ist ein Beispiel davon, wie die Informationsaufnah- «ne und -Weiterschiebung in einer Halbleiteraufnahme-■nordnung erfolgen könnte. Statt einer Aufnahmeanordnung mit der Ladungsübertragung über im Substrat gebildete Transistoren könnte ebenfalls eine Aufnahmeanordnung verwendet sein, die mit dem Weiterschieben eines Potentialgebietes unter der Oberfläche des Substrats wirkt. Auch hier tritt eine orts- bzw. zeitabhängige Signaldegradation auf, die auf die bei F i g. 1 und 2 beschriebene Art und Weise auf eine einheitliche Signaldegradation eliminiert werden kann.

In F i g. 3 ist eine in einem Halbleiterkörper integrierte Ausführungsform des bei F i g. 1 beschriebenen analogen Schieberegisters SS1 dargestellt. F i e. 3 «igt eine Draufsicht des Halbleiterkörpers als Substrat, das aus η-leitendem Halbleitermaterial besteht, in dem Gebiete aus p-leitendem Halbleitermaterial durch Diffusion gebildet sind. Auf dem Substrat η mit den Gebieten ρ ist eine nicht angegebene isolierende Schicht angebracht, auf die einige Leitungen aus Aluminium aj angebracht sind. Dort, wo die Leitungen die p-Gebiete (davon isoliert) bedecken, sind diese Gebiete durch gestrichelte Linien dargestellt. Zwei Quadrate mit Diagonalen geben die Anschlüsse an zwei p-Gebiete an, an die über Leitungen die Klemme K1 und die Spannung - Vb i anschließbar sind. Die in Fig. 1 angegebenen Transistoren Γ11...Γ20 und Kapazitäten CIl.. C20 sind ebenfalls in Fig.3 angegeben. Die Transistoren T liegen zwischen zwei benachbarten p-Gebieten und werden über zwei kammförmig ineinandergreifende, jedoch voneinander getrennt liegende Leitungen gesteuert, denen die Signale A,B bzw. BA zugeführt werden. Die Kapazitäten C sind in zwei Gruppen, geradzahlige und ungeradzahlige, auf beiden Seiten gebildet und liegen zwischen einer Leitung, der das Signal B,B bzw. AA zugeführt wird, und dem davon isoliert darunterliegenden p-Gebiet Die bei F i g. I gegebenen Registerelemente Sl ...55 sind in Fig.3 nicht angegeben, sind jedoch darin auf einfache Weise zurückzufinden.

Für das in F i g. I gegebene Schieberegister SS1 ist es wesentlich, daß es keinen Unterschied in der Signalweiterschiebung für die eine und die andere Richtung gibt, was mit dem in F i g. 3 gegebenen Bau des Schieberegisters SS1 verwirklicht worden ist.

In F i g. 4 ist eine Aufnahmeanordnung dargestellt mit mehreren Reihen PPi, PPI...PPm-X, PPm von Schiebeelementen Pi... Pn mit Aufnahmestellen, die nacheinander gesteuert werden. Durch den zweidimen-π sionalen Charakter der Aufnahmeanordnung nach Fig.4 eignet sich diese gut für Fernsehaufnahmen. Bereits bei F i g. I angegebene Elemente sind mit denselben Bezugszeichen angegeben und sind gegebenenfalls zur Hervorhebung einer Änderung mit einer

π Akzentnotierung versehen. So gibt es einen Schalter Q1', über den die Reihen PPi... PPm in einem Zydus gesteuert werden. Es wird davon ausgegangen, daß in einer vorhergehenden Zeitdauer w die Reihe PP1 für

D OO \O /

.'ο in der momentanen Zeitdauer w die Reihe PP2 für Signalabgabe gesteuert wird (ausgezogener Pfeil). Die m Ausgänge der Reihen PPi... PPm sind in zwei Gruppen von geradzahligen und ungeradzahligen Reihen PP aufgeteilt, und die Gruppen von Ausgängen

_'ϊ liegen an einem Schalter QA mit zwei Umschaltern qAi und <;42. Die Umschalter qAi und qA2 werden durch das Schaltsignal H gesteuert und haben Wahlkontakte wund z, wobei die w-Wahlkontakte mit den Ausgängen der Reihen PP verbunden sind und die z-Wahlkontakte

m freiliegen. Im dargestellten Fall, wo die Reihe PPi bereits ausgelesen ist und die Reihe PP 2 ausgelesen wird, steht der Umschalter qAi auf dem Wahlkontakt ζ 1, während der Umschalter q 42 auf dem Wahlkontakt w2 steht. Die Umschalter qAi und qA2 sind je mit (m+\) Wahlkontakten ausgebildet, wobei der Umschalter q 42 bzw. q 41 auf einem nicht angegebenen Kontakt steht, wenn der Umschalter qAi auf dem Kontakt wi bzw. der Umschalter q 42 auf dem Kontakt zm steht.
Der Mutterkontakt des Umschalters qAi liegt an der Klemme K i, die weiter am analogen Schieberegister SSl liegt. Der Mutterkontakt des Umschalters q Al liest an einer Klemme K 2. die weiter an einem analogen Schieberegister 552 liegt. Die Schieberegister SSl und SS 2 sind beide vom Hin- und Herschiebetyp und werden unmittelbar durch die Taktimpulsquelle G 1 mit den Signalen A und S gesteuert über einen Schalter Q 2', wodurch, wenn dem Schieberegister SS augenblicklich die Signale B und A an bestimmten Eingängen zugeführt werden, das Schieberegister SS 2 die Signale A und B an entsprechenden Eingängen erhält und umgekehrt Daraus folgt, daß, während das eine Schieberegister SS Information aufnimmt, das andere Information abgibt In dem in F i g. 4 dargestellten Fall nimmt das Schieberegister 552 die Information der Reihe PP2 auf, während gleichzeitig das Schieberegister SSl die früher aufgenommene Information der Reihe PP labgibt

Die Klemmen K1 und K 2 liegen an Wahlkontakten eines Schalters Q 5, dessen Mutterkontakt an der Ausgangsklemme K10 der Aufnahmeanordnung nach Fig.4 liegt Der Schalter QS wird durch das Schaltsignal H gesteuert und verbindet im beschriebenen Fall die Klemme Ki mit der Ausgangsklemme K10, an der auf diese Weise die Information der Reihe PPi verfügbar wird. Bei einer Ausbildung der Schieberegister SSl und SS 2 mit einem gesonderten Eingang und Ausgang könnte der Schalter Q 5 fehlen, und die Reeisteraus?änere könnten unmittelbar an den

Ausgang KIO angeschlossen sein- Dabei gilt die Anforderung, daß bei Information an dem einen Registerausgang der andere Registerausgang kein (Stör-)Signal führen darf.

Bei der Informationsabgabe der Reihe PP 3 wird der Schalter q 41 an den Wahlkontakt w 3, der Schalter q 42 an den Wahlkontakt zi und der Schalter QS an die Klemme K 2 angeschlossen sein, während das Schieberegister SS 2 die Information der Reihe PP 2 abgeben wird und das Schieberegister 551 die der Reihe PP 3 aufnehmen wird.

Die in der Formel (2) gegebene Beziehung, daß die Signaldegradation pro Schiebevorgang im Schieberegister SS1 nach F i g. 1 die Hälfte sein muß, von der bei der Reihe PP1, gilt hier ebenfalls für die Schieberegister SS1 und S52 und die Reihen PPX... PPm.

In Fig.S ist eine Aufnahmeanordnung angegeben, die mit drei Reihen PR1, PR 2 und PR 3 ausgebildet ist die je mit Schiebeelementen Ri ...Rn und gesonderten Aufnahmestellen Pl'... Pn'gebildet sind. Der Einfachheit der Zeichnung halber sind bei F i g. 5 die Anschlüsse zur Steuerung der jeweiligen Elemente fortgelassen. Im Vergleich zu der bei F i g. 1 gegebenen Ausführungsform der Reihe PP\. wobei die Aufnahmestellen mit den Dioden D1... D10 beim Weiterschieben der Information auf die dargestellte Weise immer vorhanden sind, könnte für die Reihen PR an einen Aufbau gedacht werden, wobei die Dioden bei der Informationsweiterschiebung von den Schiebeelementen abgeschaltet sind. Die Reihen PR bestehen auf diese Weise aus einem Schieberegister mit den Elementen Rl... Rn. denen parallel die Informationen von den Aufnahmestellen Pt'... Pn' kurzzeitig zugeführt werden, die danach bei abgeschalteten Aufnahmestellen PY ...Pn' durch die Elemente Rl... Rn geschoben werden.

Die Ausgänge der Reihen PR 1, PR 2 und PR 3 liegen an einem Schalter Q 4'. der mit drei Umschaltern ς 43, q 44 und q 45 ausgebildet ist Die Umschalter q43,q44 und 9 45 sind mit je drei Wahlkontakten ausgebildet, von denen einer freiliegt und zwei an je ein Schieberegister 551. SSl'. SSZ SST bzw. 553. 553' angeschlossen sind. Die Schieberegister SS, SS' enthalten eine Klemme K, K', die Eingang sowie Ausgang sein kann, und die Klemmen Ail, KY; K2, K2' bzw. Ki, Ki' liegen an Eingängen einer Subtrahierstufe LI. Z.2 bzw. L3. Die Ausgänge der Subtrahierstufen L liegen an Wahlkontakten eines Schalters Q 5', der mit einem Umschalter versehen ist dessen Mutterkontakt mit der Ausgangsklemme K10 der Aufnahmeanordnung verbunden ist

Die Aufnahmeanordnung nach Fig.5 bietet außer der Möglichkeit zum Durchführen der einheitlichen Signaldegradation eine Möglichkeit zur weiteren Signalkorrektur. Dazu werden die Reihen PRl, PR 2 und PR 3 einmal ausgelesen, ohne daß aus den Aufnahmestellen PY... Pn' Information eingebracht ist. und sie werden einmal ausgelesen mit der Information. In F i g. 5 ist mit einem ausgezogenen Pfeil eine augenblickliche Signalverarbeitung angegeben während eine in einer vorhergehenden Periode stattnndende Signalverarbeitung durch einen strichpunktierten Pfeil und eine in einer Periode vor dei zweiten genannten Periode liegende Signalverarbeitung durch einen gestrichelten Pfeil angegeben ist Für die Reihe PRl folgt daß in der Periode vor dei vorhergehenden Periode die Elemente R zum Schieberegister 55 Γ ausgelesen worden sina (gestrichelte

ίο Pfeile). In der vorhergehenden Periode sind die Informationen aus den Aufnahmestellen PY...Pn'ir die Elemente R1... Rn gebracht und über den Schaltet q 43 dem Schieberegister 551 zugeführt, während gleichzeitig die Elemente R der Reihe PR 2 ohne

is Information aus den Aufnahmestellen P' über der Schalter q 44 zum Schieberegister 52' ausgeleser werden (strichpunktierte Pfeile). In der bei Fig.ί dargestellten augenblicklichen Periode (ausgezogene Pfeile) werden die Schieberegister 551 und SSY zui Subtrahierstufe L1 ausgelesen, während gleichzeitig ir der Reihe PR I die informationen aus den Aufnahme stellen P' dem Schieberegister 552 zugeführt werder und die Elemente R der Reihe PR 3 ohne Informatior aus den Aufnahmestellen P¹ zum Schieberegister 553 ausgelesen werden. In zyklischem Betrieb ist die augenblickliche Periode der Anfang von Zyklen vor drei Perioden. Die Subtrahierstufe L 1 liefert in dei augenblicklichen Periode ein Signal, das eine einheitli ehe Signaldegradation hat aber dabei eine Signalkor rektur erhalten hat und zwar dadurch, daß bein

Auslesen der Reihe PRl bei den Schiebeelementer Rl... Rn auftretende Fehler durch die Signalsubtrak

tion eliminiert werden.

Die bei F i g. 5 beschriebene Signalverarbeitung

könnte ebenfalls bei der Aufnahmeanordnung nach F i g. 4 angewandt werden, wobei dann der wesentliche Unterschied auftritt daß die Reihe PP 1...PPm au« Fig.4 zunächst mit Information ausgelesen werder müssen und danach abermals (ohne die bereit; abgegebene Information). Auch hier würde ein Zyklus von drei Signalverarbeitungsperioden vorhanden sein und es würden sechs Schieberegister SS, SS' notwendig sein. Bei der Anwendung der einzigen Reihe PP1 nach F i g. 1 würden nur ;;wei Schieberegister SS1 und SS1 notwendig sein.

Statt der drei Subtrahierstufen LX, L 2 und L 3 de; Schalters QS' könnte nur eine Subtrahierstufe Z verwendet werden, die mit den zwei Eingängen füi einen wechselweisen Anschluß an den Klemmen K1

so KY. Kt KT bzw. K 3. K3' und mit dem Ausgang unmittelbar am Ausgang K10 liegt umschalbar ist. Be der Ausbildung der Schieberegister SS und SS' mii einem gesonderten Eingang und Ausgang könnten die sechs Ausgänge in zwei Gruppen an die zwei Eingänge einer Subtrahierstufe L angeschlossen werden, wenr gewährleistet ist daß bei einem Signal an zwei Ausgängen es kein Signal an den übrigen viei Ausgängen der Schieberegister SS und SS'gibt.

Hierzu 5 Blatt Zeichnungen

Claims (1)

1. Patentansprüche:

   1. Aufnahmeanordnung mit Informationsaufnahmestellen in einem Halbleiterkörper, wobei die aufgenommene Information über Ladungsübertragung durch eine Reihe von Schiebeelementen unter Ansteuerung einer Taktimpulsquelle nach einem bei der Reihe vorhandenen Ausgang durchschiebbar ist, dadurch gekennzeichnet, daß der Ausgang (K) der Reihe von Schiebeelementen (PP bzw. PR) an einen Eingang eines analogen Schieberegisters (SS) zur Aufnahme der genannten Information in Registerelementen (S) angeschlossen ist, welches Schieberegister (SS) von einem Hin- und Herschiebetyp ist mit nacheinander eine Information Aufnehmen und Zurückschieben unter Ansteuerung der Taktimpulsquelle (G 1), wobei die Signaldegradation beim Weiterschieben bei den Registerelementen (S) des Schieberegisters (SS) in der Größenordntjng der Hälfte von der bei den Schiebeeiementen (P bzw. R) der genannten Reihe (PP bzw. PR) liegt, und das am Ausgang (K) vorliegende Signal eine im wesentlichen einheitliche orts- bzw. zeitunabhängige Signaldegradation hat.

   2. Aufnahmeanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß bei Anwendung von mindestens zwei Reihen von Schiebeelementen (PP bzw. PR), die nacheinander gesteuert werden, mindestens zwei der genannten Schieberegister (SS) vorhanden so sind, welche Schieberegister (SS) untereinander in verschiedene- Zeiten Information aufnehmen bzw. zurückschieben (F i g. 4 und 5).

   3. Aufnahmeanordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß bei Anwendung von minde- j> stens drei Reihen von Schiebeelementen (PP bzw. PR) ein Umschalter (Q4; Q4') vorhanden ist zwischen den Reihen von Schiebeelementen (PP bzw. PR) und den mindestens zwei vorhandenen Schieberegistern (SS)(F i g. 4 und 5).

   4. Aufnahmeanordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Reihen von Schiebeelementen (PP. PR)mh je einem Ausgang versehen sind und diese Ausgänge aufeinanderfolgend zyklisch in mindestens zwei Gruppen über den genannten Umschalter (Q4; QA') mit den Eingängen der mindestens zwei Schieberegister (SS) verbunden sind (F i g. 4 und 5).

   5. Aufnahmeanordnung nach einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß bei >o Anwendung einer .Schieberegisterausbildung, wobei der F.ingang für Informationsaufnahnie dem Ausgang (K) für Informationsabgabe entspricht, ein Umschalter (Q¹J. Q 5') vorhanden ist. der mit Wahlkontakten versehen ist. die an die Ausgänge r> (K) der Schieberegister (SS) angeschlossen sind und mit einem Mutterkontakt, der an einen Signalau* gang (K 1) der Aufnahmeanordnung angeschlossen ist(F ig. 4 und 5).

   b Aufnahmeanordnung nach einem der vorste m> henden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Anordnung mit einem an die Taktimpulsquelle (C 1) angeschlossenen Impulszähler (G 2) zum Liefern eines Schaltsignals (H) zu den in der Anordnung vorhandenen Schaltern (Q I, Q5) versehen ist, *> welcher Impulszähler (G 2) eine Zählzahl hat, die der Anzahl (n) Schiebeelemente (P, R) in der genannten Reihe (PP. PR) bzw. Registerelemente (S) im

   Schieberegister (SS) entspricht (F i g. 1,4 und 5).

   7. Aufnahmeanordnung nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß bei Anwendung einer Reihe von Schiebeelementen (PR, PP), die einmal mit der aufgenommenen Information und einmal ohne aufgenommene Information zum Ausgang ausgelesen wird, der Ausgang mit den zwei sequentiellen Signalen über einen Schalter (Q)an die Eingänge von zwei Schieberegistern (SS, SS') zur getrennten Speicherung der genannten zwei Signale angeschlossen ist, wobei die Ausgänge der zwei Schieberegister (SS, SS') mit simultan zurückgeschobenen Signalen an eine Subtrahierstufe (L) angeschlossen sind mit einem Ausgang, der an den Ausgang (K 10) der Aufnahmeanordnung gelegt ist (F ig. 5).

   8. Aufnahmeanordnung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß bei Verwendung von mindestens drei Reihen Schiebeelemente (PR, PP) drei Umschalter ^43—^45), drei Gruppen von je zwei Schieberegistern (SS, SS')und ein weiterer Umschalter (Qy) vorgesehen sind und der weitere Umschalter (QS') die Gruppen der Schieberegister (SS, SS') abwechselnd mit dem Ausgang (K 10) der Aufnahmeanordnung verbindet, wobei die drei Gruppen der Schieberegister zur sequentiellen Speicherung der zwei Signale und -air simultanen Zurückschiebung gegeneinander phasenverschobene Taktzyklen erhalten (Fig. 5).

   9. Aufnahmeanordnung nach einem der vorstehenden Ansprüche dadurch gekennzeichnet, daß die Aufnahmeanordnung zum größten Teil in einem Halbleiterkörper integriert ausgebildet ist (Fig. 1 und 3).

   10. Aufnahmeanordnung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Registerelemente (S) für ein gleiches Hin- und Herschieben für beide Richtungen auf gleiche Weise ausgebildet sind (Fig. 3).

   11. Aufnahmeanordnung nach Anspruch 10. dadurch gekennzeichnet, daß im Halbleiterkörper als Substrat (n) Gebiete aus Halbleitermaterial entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps (P) gebildet sind, wobei auf dem Halbleiterkörper davon isoliert zwei kammförmige ineinandergreifende, jedoch voneinander gcrennt liegende Leitungen (A. ßbzw. B. A) vorgesehen sind, die einigermaßen überlappend zwischen den Gebieten auftreten und die Torelektroden der auf diese Weise gebildeten Transistoren f7]}bilden (F i g. 3).

   12. Aufnahmeanordnung nach Anspruch II. dadurch gekennzeichnet, daß die Gebiete (P) bis außerhalb der kammförmigen Leitungen (A. B bzw. B. A) gebildet sind und auf beiden Seiten der kammförmigen Leitungen weitere Leitungen (B. B bzw. A. A) angeordnet sind, wodurch zwischen den Gebieten (P) und den letztgenannten Leitungen Kapazitäten ^gebildet sind (F i g. 3).