DE3140433C2 - Vorrichtung zum Erzeugen einer Reihe binär gewichteter Werte einer elektrischen Größe - Google Patents
Vorrichtung zum Erzeugen einer Reihe binär gewichteter Werte einer elektrischen GrößeInfo
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Abstract
Die Vorrichtung nach der Erfindung erzeugt mit Hilfe geschalteter Kapazitäten eine Reihe von Werten einer elektrischen Größe (Ladung oder Spannung), die sich wie die Glieder einer geometrischen Reihe verhalten. Durch die dabei durchgeführten Schaltvorgänge werden Fehler erster Ordnung infolge von Ungenauigkeiten in den Kapazitätswerten der verwendeten Kondensatoren völlig beseitigt. Weiter werden Verfahren angegeben, durch die der Einfluß unvermeidlicher Streukapazitäten in der Vorrichtung auf ein Mindestmaß beschränkt wird.
Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung nach dem Oberbegriff des Patentanspruches 1.
Eine derartige Vorrichtung ist in integrierter Form aus der DE-OS 27 08 636 bekannt Dabei wird von einer
Spannungsquelle mit einem definierten Wert V ausgegangen, die an einen Kondensator mit mit einem
Kapazitätswert C angeschlossen wird, so daß dieser Kondensator eine Ladung Q = CV enthält. Wenn dann
die Verbindung zwischen der Spannungsquelle und diesem Kondensator unterbrochen und danach dieser Kondensator
zu einem genau gleich großen Kondensator parallelgeschaltet wird, verteilt die Ladung Q sich über
beide Kondensatoren gleichmäßig, so daß die Ladung in
jedem der Kondensatoren - Q beträgt. Dadurch, daß in
der Praxis zwei Kondensatoren aber nie genau die gleiche Kapazität aufweisen, ist diese gleiche Ladungsverteilung praktisch nicht verwirklichbar, so daß das
oben angegebene Verfahren sich nicht dazu eignet, eine Reihe von genau halbierter elektrischer Ladungen zu
erzeugen. Es läßt sich lediglich nachweisen, daß bei der bekannten Anordnung eine Reihe von elektrischer
Ladungen erzeugt wird, die sich tatsächlich relativ genau um den Faktor 4 unterscheiden.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Vorrichtung der eingangs genannten Art anzugeben, mit
der eine Reihe elektrischer Ladungen erzeugt wird, die sich sehr genau jeweils um den Faktor 2 unterscheiden,
ohne daß dabei strenge Anforderungen an die Genauigkeit der verwendeten Kondensatoren gestellt werden.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die im kennzeichnenden Teil des Patentanspruches 1 angegebenen
Maßnahmen gelöst.
Durch das Aufladen jeweils einer Reihenschaltung von Kondensatoren wird eine Ladungsteilung erreicht,
die jedoch nicht genau ist, wenn die Werte der Kondensatoren nicht genau übereinstimmen. Durch die
anschließende Parallelschaltung werden dann jedoch die Fehler mindestens erster Ordnung ausgeglichen, so
daß danach eine genaue Ladungsteilung erfolgt ist.
Bei der Ausführung der Vorrichtung für Ladungsteilung nach der Erfindung sind Streukapazitäten unvermeidlich,
und sie werden vor allem in integrierten Ausführungsformen einen nicht vernachlässigbaren Einfluß
ausüben. Um den Einfluß der wichtigsten Streukapazitäten zu neutralisieren, kann es vorteilhaft sein,
wenn eine Ausgestaltung der Krfindung dadurch gekennzeichnet ist, daß in wenigstens einem Abschnitt
die eine Elektrode eines der Kondensatoren mit einem gemeinsamen Anschlußpunkt verbunden ist und die
einen Elektroden der übrigen Kondensatoren dieses Abschnittes während der Zeit, in der die Kondensatoren
dieses Abschnittes parallelgeschaltet sind, über elektronische Schalter mit dem gemeinsamen Anschlußpunkl
verbunden werden, wobei die letzteren einen Elektroden Streukapazitäten aufweisen und Mittel vorhanden
sind, mit deren Hilfe mindestens eine dieser Streukapazitäten jeweils, bevor die Kondensatoren eines
Abschnittes in Reihe geschaltet werden, aaf ein Potential
aufgeladen wird, das dem Potential entspricht, das, wenn die Kondensatoren dieses Abschnittes in Reihe
geschaltet werden, an der einen Elektrode des zu der Streukapazität gehörigen Kondensators liegen würde,
wenn eine Streukapazitäten vorhanden wären.
Es ist in bezug auf das vorherige Aufladen der Streukapazitäten des ersten Abschnittes vorteilhaft, daß die
Mittel wenigstens eine Hilfskapazität enthalten, die mittels eines siebten Schalters mit einem Eingangsanschluß
gekoppelt ist und mittels eines achten Schalters zu einer Streukapazität des mit dem Eingangsanschluß
gekoppelten Abschnittes parallelgeschaltet wird.
Um auch die Streukapazitäten der anderen Alischnitte vorher aufzuladen, ist es vorteilhaft, daß die
Mittel weitere Schalter enthalten, die entsprechende Streukapazitäten benachbarter Abschnitte miteinander
koppeln.
Bei Integration der Vorrichtung für Ladungsteilung nach der Erfindung auf z. B. einem Siliciumsubstrat
kann es vorteilhaft sein, die Streukapazität zwischen den Kondensatoren und dem Substrat klein zu halten.
Eine weitere Ausgestaltung der Erfindung ist dazu dadurch gekennzeichnet, daß sie in einem Halbleiterkörper
integriert ist, wobei wenigstens die Kondensatoren jedes Abschnittes, die eine für die Wirkung der Vorrichtung
nachteilige Streukapazität aufweisen, auf der Oberseite eines Teiles einer durch örtliche Oxidation
erhaltenen verhältnismäßig dicken isolierenden Oxidschicht gebildet sind.
Bei Integration kann es in bezug auf die Kapazitäts-Verhältnisse zwischen der Hilfskapazität und den Streukapazitäten
vorteilhaft sein, daß das Dielektrikum der Hilfskapazität durch einen Teil der genannten verhältnismäßig
dicken isolierenden Oxidschicht gebildet wird.
Hinige Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in
der Zeichnung dargestellt und werden im folgenden näher beschrieben. Es zeigt
Fig. 1 eine bekannte Vorrichtung zur Ladungsteilung,
Fig. 2 ein Ausfuhrungsbeispiel einer Vorrichtung nach der Erfindung,
Fig. 3 eine Übersicht der unterschiedlichen Taktsignale
zur Steuerung der Schaltung nach Fig. 2, und
F i g. 4 einen Schnitt durch einen Halbleiterkörper, in dem einige Einzelteile der Schaltung nach Fig. 2 integriert
sind.
F i g. 1 zeigt eine bekannte Vorrichtung für Ladungsteilung, die aus drei Kondensatoren C1O, C2o und C30,
fünf Schaltern Sm,, S2O1SiO1S40 und S50 und einer Bezugs-Spannungsquelle
B mit einer Spannung V aufgebaut ist. Diese Schaltung wirkt wie folgt:
Zunächst wird durch die Steueranordnung K der Schalter Sn, geschlossen, während die übrigen Schalter geöffnet sind. Der Kondensator Ci0, dessen Kapazitätswert annahmeweise gleich C ist, wird dann von der Quelle B über den Schalters^ auf eine Spannung von KVoltaufgcladen. Die Ladung des Kondensators C10 beträgt also Q = CV Coulomb. Dann wird der Schalter S10 geöffnet und der Schalter S2n geschlossen, wodurch der Kondensator Cm zu dem Kondensator C20 parallelgeschaltet wird, dessen Kapazitätswert annahmeweise gleich C(I + 2x) ist, wobei χ klein gegenüber 1 ist. Wenn angenommen wird, daß die Ladung am Kondensator C2o vorher gleich Null war, und wenn Tenne zweiter und höherer Ordnungen vernachlässigt werden, nimmt die
Zunächst wird durch die Steueranordnung K der Schalter Sn, geschlossen, während die übrigen Schalter geöffnet sind. Der Kondensator Ci0, dessen Kapazitätswert annahmeweise gleich C ist, wird dann von der Quelle B über den Schalters^ auf eine Spannung von KVoltaufgcladen. Die Ladung des Kondensators C10 beträgt also Q = CV Coulomb. Dann wird der Schalter S10 geöffnet und der Schalter S2n geschlossen, wodurch der Kondensator Cm zu dem Kondensator C20 parallelgeschaltet wird, dessen Kapazitätswert annahmeweise gleich C(I + 2x) ist, wobei χ klein gegenüber 1 ist. Wenn angenommen wird, daß die Ladung am Kondensator C2o vorher gleich Null war, und wenn Tenne zweiter und höherer Ordnungen vernachlässigt werden, nimmt die
Ladung am Kondensator Cw auf -· Q (1-jc) ab, während
die Ladung am Kondensator C20 auf - Q (1 + jt)
zunimmt Der Schalter S2o wird nun geöffnet und der
Schalter S30 zeitweilig geschlossen, wodurch die Ladung
des Kondensators Ci0 abgeleitet wird. Anschließend
werden die Kondensatoren C10 und C2o wieder dadurch
parallelgeschaltet, daß der Schalter S20 geschlossen
wird. Die Ladung -Q(I +x) am KondensatorS20 ver-
teilt sich dann derart, daß gilt:
CV + C(I +2Jt)K'= y Q(I
wobei V die endgültige Spannung über der Parallelschaltung der Kondensatoren Crü und Qg ist. Aus der
Formel (1) läßt sich ableiten, daß die Ladung am Kondensator Cio gleich
Q' = CV = i- Q
wird, also gleich einem Viertel der ursprünglichen Ladung, wobei der Fehler erster Ordnung durch den
Vorgang beseitigt ist. Dieser Vorgang kann dadurch fortgesetzt werden, daß der Schaltzyklus von dem Zeitpunkt
an, zu dem der Schalter S20 zum ersten Mal
geschlossen wird, wiederholt wird. Auf diese Weise kann eine Reihe von Ladungswerten gemäß der Reihe
- Q, — Q, — Q usw. erzeugt werden.
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Eine andere Möglichkeit besteht darin, daß von dem Zeitpunkt an, zu dem der Kondensator C?o zum ersten
Mal aufgeladen wird, also nachdem der Schalter C2o
zum ersten Mal geschlossen gewesen ist, der Schalter S40 geschlossen und somit der Kondensator C30 mit dem
Kapazitätswert C(I + 2y) mity «1 zu dem Kondensator
C20 parallelgeschaltet wird. Die Ladung -Q(I + x)
verteilt sich nun über die Kondensatoren C20 und C30
derart, daß:
C(I + 2x)V" + C(I + 2y) Γ=|ο(1+ jt) (3)
wobei V" die endgültige Spannung über der Parallelschaltung
der beiden Kondensatoren C20 und C30 ist.
Aus der Formel (3) läßt sich ableiten, daß die Ladung am Kondensator C30 nach dieser Ladungsverteilung
Q" = C(I + Iy) V" =
betragen wird, wobei bei dieser Ableitung die Terme zweiter Ordnung vernachlässigt sind.
Wenn inzwischen die Ladung am Kondensator C10
abgeleitet ist und der Schalter S50 geschlossen wird, gilt,
daß:
CV" + C(I + Iy) V" =
so daß dem Kondensator C10 die Ladung
Q'" = CV" = j Q
(6)
zugeführt werden wird, wobei der Fehler erster Ordnung wieder durch den Vorgang beseitigt ist. ' S
Dieser Vorgang kann wiederholter Male nacheinander durchlaufen werden, wobei der relative Fehler in
dem Ergebnis der wiederholten Spannungsteilung in bezug auf den gewünschten Wert zwar immer größer
werden kann, aber der Einfluß dieses Fehlers auf das endgültige analoge Signal wird immer geringer.
Die erhaltenen Ladungen, je mit dem dem Gewicht entsprechenden Bit des digitalen Eingangssignals
gewichtet, können mit Hilfe von Ladungsverschiebungsanordnungen (CTD's = Charge Transfer Devi- is
ces), wie Eimerkettenspeicher (BB's = Bucket Brigades), oder ladungsgekoppelten Anordnungen (CCD's =
Charge Coupled Devices), zu einem Ausgang weitergeschoben werden, an dem dann nach Integration das analoge
Ausgangssignal erscheint.
Die Schaltung nach F i g. 2 ist aus durch elektronische Schalter miteinander verbundene Kondensatoren aufgebaut,
die eine Anordnung in Form einer Leiter bilden, wobei jeder Abschnitt der Leiter aus einer Anzahl
(im dargestellten Beispiel zwei) Kondensatoren besteht. Während der Taktphase Φ,, in der die zugehörigen elektronischen
Schalter geschlossen werden, wird die Spannungsquelle B] über die Eingangsanschlüsse 70 und 80
an die Reihenschaltung der Kondensatoren C1 und C1
des ersten Abschnittes 1 angeschlossen. Wenn angenommen wird, daß diese Kondensatoren etwa gleich
groß sind, wird jeder der Kondensatoren daher etwa die
halbe Spannung - V fuhren. Während der Taktphase Φ2
werden nun die beiden Kondensatoren C] und C] des
Abschnittes 1 parallelgeschaltet, so daß eine etwaige Ungleichheit zwischen den Spannungen über diesen
Kondensatoren ausgeglichen wird. Weiter werden während dieser Taktphase Φ2 die Kondensatoren C1 und C]
des Abschnittes 1 an die Reihenschaltung der Kondensatoren C2 und C2 des Abschnittes2 angeschlossen. Die
Spannung nimmt dadurch bei gleichen Kapazitätswerten aller Kondensatoren von - V auf - V ab, aber während
jeder folgenden Taktphase Φ, wird der Pegel von - V über den Kondensatoren C, und C1 des ersten
Abschnittes immer wiederhergestellt.
Der Grenzwert, dem sich die Spannung über jedem der Kondensatoren des Abschnittes 2 nach einer Anzahl
Taktperioden nähert, beträgt - V; bei dem Abschnitt 3 ist dieser Grenzwert - V, usw. Dieser Grenzwert wird in
der Praxis schon bald nachdem die Taktimpulse Φ) und
Φ2 die zugehörigen elektronischen Schalter einige Male
geschlossen und geöffnet haben, erreicht Gegenseitige Gleichheit der Kondensatoren jedes Abschnittes ist nur
von geringer Bedeutung, während Gleichheit der Kondensatoren aus verschiedenen Abschnitten noch unwesentlicher
ist.
Oben wurde stillschweigend angenommen, daß der Einfluß von Streukapazitäten vernachlässigbar ist. Bei
Anwendung diskreter Elemente kann diese Bedingung leicht erfüllt werden, aber bei Ausführung der Vorrichtung
als integrierte Schaltung kann der Einfluß von Streukapazitäten nicht außer Betracht gelassen werden.
Wenn der Abschnitt 1 der Schaltung nach Fig. 2 betrachtet wird, spielt insbesondere die Kapazität C111
von dem Verbindungsweg zwischen dem Fußpunkt des Kondensators C| und dem oberen Anschluß des Kondensators
C] zur Erde eine wichtige Rolle. Während der Parallelschaltung der Kondensatoren C1 und C] ist diese
Kapazität Cpl nämlich kurzgeschlossen. Wenn die Kondensatoren
C\ und C] dann während der folgenden Taktphase in Reihe geschaltet werden, liegt die Streukapazität
Cpi plötzlich parallel zu dem Kondensator C1,
wodurch diesem Kondensator C1 Ladung entzogen wird. Wenn angenommen wird, daß die Kondensatoren
C1 und C1 genau die gewünschte Spannung führen würden
(z. B. genau - V), wird, indem der Streukapazität
Cpx Ladung entzogen wird, die Spannung über C] etwas
abnehmen und die über Ci etwas zunehmen.
Die in der Kapazität Crl gespeicherte Ladung geht bei
Parallelschaltung der Kondensatoren C| und C] über
den Schalter Si1 verloren, wodurch naturgemäß ein
zusätzlicher Fehler auftritt.
Ähnliches gilt selbstverständlich auch für alle anderen Abschnitte. Dieser unerwünschte Effekt kann
erheblich dadurch unterdrückt werden, daß in einem Zeitintervall zwischen den Taktphasen Φ2 und Φ,, und
zwar nach dem Zeitpunkt, zu dem der Schalter 5,, geöffnet
wird, und vor dem Zeitpunkt, zu dem der Schalter S12 geschlossen wird, die Kapazität C,,i auf den
gewünschten Spannungspegel (im vorliegenden Falle
- V) aufgeladen wird.
Die einfachste Weise, auf die dies erreicht werden kann, ist die Anbringung einer Hilfskapazität Ch mit
einem Kapazitätswert, der nahezu gleich dem der Streukapazität Cp 1 ist. Diese Kapazität Ch wird z. B. während
einer Taktphase Φ3 (siehe Fig. 3) auf die Spannung V
aufgeladen und dann während der Taktphase Φ4 (siehe
F i g. 3), die nach der Taktphase Φ2, aber vor der nächstfolgenden
Taktphase Φ, auftritt, zu der Streukapazität C1,1 parallelgeschaltet, wodurch diese auf eine Spannung
- V aufgeladen wird. In der darauffolgenden Taktphase Φ ι ist dann der Ladestrom (der Reihenschaltung
der Kondensatoren C| und C1) zu der Kapazität Qi
nahezu auf Null herabgesunken. Auf analoge Weise kann die Ladung an der Streukapazität C1,1 durch das
Schließen des Schalters S2i über diese und die folgende
Streukapazität C^2 verteilt werden, wodurch diese Kapazitäten,
wenn angenommen wird, daß sie gleich groß
sind, eine Spannung = - V führen. In der darauffolgenden Taktphase Φ2 ist dann daher kein Ladestrom für die
Streukapazität Cp2 erforderlich, so daß der Einfluß der
obengenannten Fehlerquelle unterdrückt wird.
Wenn es nicht möglich sein sollte, die Werte der Streukapazität C^1, C„2 usw. und der Hilfskapazität C„ in
genügendem MaJSe zu beherrschen, können die an Hand der Figuren 1 und 2 beschriebenen Mittel für
Ladungsteilung verwendet werden. Die Streukapazität C„2 kann dann z. B. während einer Taktphase Φ5 (die
Taktphasen Φ3 und Φ4 sind annahmeweise nicht vorhanden)
mit der Spannungsquelle ß, verbunden und anschließend während einer Taktphase Φή zu einer
Hilfskapazität etwa gleicher Größe (nicht dargestellt) parallelgeschaltet werden. Dann wird die Kapazität Cp2
während der Taktphase Φι entladen, wonach der Taktimpuls
Φ6 nochmals eine Verbindung mit der genannten Hilfskapazität herstellt, so daß danach die Spannung
über der Kapazität C„2 unter Vernachlässigung von
Fehlern zweiter Ordnung - : V beträgt, wie an Hand der
Fig. 1 erläutert wurde. Auf ähnliche Weise könnten auch die anderen Streukapazitäten in der Leiter vorher
auf den erforderlichen Spannungspegel aufgeladen werden. Da der Einfluß von Abweichungen dieser Streukapazitäten
auf das endgültige analoge Ausgangssignal immer geringer wird, kann man bei diesen Kapazitäten
in der Regel mit der Anwendung des bereits an Hand der Fig. 2 beschriebenen Verfahrens mit den Taktimpulsen
Φ., und Φ4 auskommen (wobei dann die Auftrittszeitpunkte
dieser Impulse angepaßt werden müsen, z. B. Φ3 nach Φ5 und Φ6, aber vor Φχ usw.).
Das obenbeschriebene Verfahren zum vorherigen Aufladen der Streukapazitäten auf den erforderlichen
Spannungspegel kann bei der Kapazität Cpl nicht angewendet
werden, da von allen Streukapazitäten der Einfluß dieser Kapazität auf das analoge Ausgangssignal
gerade der größte ist. Diesem Problem kann aber in erheblichem Maße dadurch abgeholfen werden, daß auf
analoge Weise wie bei den Kondensatoren Ci-Ci in
Fig. 2 angegeben Reihen/Parallelumschaltung angewandt wird. Der Fußpunkt des Hilfskondensators C1,
wird dazu nicht direkt, sondern über einen ersten elektronischen Schalter mit Masse verbunden, während
ein zweiter elektronischer Schalter zwischen dem Fußpunkt der Hilfskapazität Ch und dem oberen Punkt der
Streukapazität C,,\ angeordnet wird.
Während der Taktphase Φ5 ί siehe Fig. 3), die nach
Φ2, aber vor Φ, auftritt, kann dann die Reihenschaltung
von C1, und C,,, aus der Spannungsquelle Ä, aufgeladen
werden, so daß jede dieser Kapazitäten eine Spannung
von etwa - V führt, wonach während der Taktphase Φη
die Kapazitäten C1, und Cpl parallelgeschaltet werden.
Der Taktimpuls Φη darf während der Taktphase Φχ vorhanden
sein; er muß während der Taktphase Φ2 vorhanden
sein, weil bei Entladung von Cp\ auch Ch entladen
werden muß. Für Φη kann daher die Invertierung der
Taktphase Φ5 gewählt werden.
Grundsätzlich kann die Schaltung nach Fig. 2 auch mit mehr als zwei Kondensatoren pro Abschnitt ausgeführt
werden, die auch dann mit Hilfe elektronischer Schalter abwechselnd in Reihe und parallel geschaltet
werden. Mit Rücksicht auf den wesentlichen Einfluß, den Streukapazitäten auf das endgültige Ergebnis ausüben,
während auch für ADCs und DACs der Bedarf an einer Reihe von Spannungswerten, die sich wie die
Glieder einer geometrischen Reihe mit einem Verhältnis kleiner als - verhalten, gering ist, werden vorzugsweise
zwei Kondensatoren pro Abschnitt verwendet.
Zum Erhalten eines analogen Ausgangssignalwertes als Funktion eines digitalen Eingangssignals müßten
mit Hilfe elektronischer (nicht dargestellter) Schalter die Verbindungen sämtlicher Kondensatoren Ck und C'k
(mit 1 < k < n) mit Masse unterbrochen werden. Wenn in Abhängigkeit von dem digitalen Eingangssignal die
in dem A:-ten Abschnitt erzeugte Spannung zum Erhalten des analogen Ausgangssignals verwendet werden
muß, wird der Verbindungsschalter zwischen dem Fußpunkt des Kondensators Ck und dem oberen Punkt des
Kondensators C'k geschlossen; wenn diese Spannung
nicht verwendet werden muß, wird der elektronische Schalter, der die oberen Punkt der Kondensatoren Ck
und Ck miteinander verbindet, geschlossen. Wenn z. B.
Bit 1, aber nicht Bit 2 verwendet werden muß, werden die elektronischen Schalter zwischen dem Fußpunkt
von Ci und der Spitze von C\, zwischen den Spitzen von
C\ und C2 und zwischen den Spitzen von C2 und C2
geschlossen.
In F i g. 2 ist weiter eine Lösung dargestellt, die auf der aufeinanderfolgenden Abtastung der Spannungen über den Kondensatoren C1, basiert, wobei die abgetasteten Spannungswerte, je mit dem dem Gewicht entsprechenden Bit des digitalen Eingangssignals gewichtet, in einem integrierenden Verstärker summiert werden, der aus einem MOS-Transistor T, einem Kondensator C1 und einem Widerstand R, besteht. Es ist zu bevorzugen, dabei die Kondensatoren Q und C'k jedes Abschnittes parallel zu schalten. Nacheinander werden die Schalter S3,, S32 bzw. S3n zeitweilig geschlossen. Die eigentliche Abtastung erfolgt dadurch, daß während konstanter Abtastperioden der Schalter S40 geschlossen wird. Nach jeder Abtastperiode wird der Schalter S4i zeitweilig geschlossen, um die Steuerelektrode des MOS-Transistors T zu entladen. Beim Abtasten werden, wie bereits erwähnt, diejenigen Werte, bei denen das dem Gewicht entsprechende Bit des digitalen Eingangssignals gleich Null ist, überschlagen. Vor dem Beginn eines Abtastzyklus wird der Kondensator C1 dadurch entladen, daß der Schalter S42 zeitweilig geschlossen wird.
In F i g. 2 ist weiter eine Lösung dargestellt, die auf der aufeinanderfolgenden Abtastung der Spannungen über den Kondensatoren C1, basiert, wobei die abgetasteten Spannungswerte, je mit dem dem Gewicht entsprechenden Bit des digitalen Eingangssignals gewichtet, in einem integrierenden Verstärker summiert werden, der aus einem MOS-Transistor T, einem Kondensator C1 und einem Widerstand R, besteht. Es ist zu bevorzugen, dabei die Kondensatoren Q und C'k jedes Abschnittes parallel zu schalten. Nacheinander werden die Schalter S3,, S32 bzw. S3n zeitweilig geschlossen. Die eigentliche Abtastung erfolgt dadurch, daß während konstanter Abtastperioden der Schalter S40 geschlossen wird. Nach jeder Abtastperiode wird der Schalter S4i zeitweilig geschlossen, um die Steuerelektrode des MOS-Transistors T zu entladen. Beim Abtasten werden, wie bereits erwähnt, diejenigen Werte, bei denen das dem Gewicht entsprechende Bit des digitalen Eingangssignals gleich Null ist, überschlagen. Vor dem Beginn eines Abtastzyklus wird der Kondensator C1 dadurch entladen, daß der Schalter S42 zeitweilig geschlossen wird.
Zum Erzeugen eines digitalen Ausgangssignals als Funktion eines analogen Eingangssignals kann auf
bekannte Weise das am Ausgang Λ 0 erzeugte Signal mit dem analogen Eingangssignal verglichen werden, und
in Abhängigkeit von dem Ergebnis dieses Vergleichs können, die Schalter S3,, S32 bzw. S3n gegebenenfalls
geschlossen werden.
In Fig. 4 ist angegeben, wie die Kondensatoren Ck
und C'k auf einem Halbleiterkörper angebracht werden
können. Es wird von einem Halbleiterkörper21 aus z. B.
schwach p-dotiertem Silicium ausgegangen.
Die Oberfläche dieses Halbleiterkörpers wird mit Siliciumnitrid überzogen, in das dann örtlich Löcher geätzt
werden. An den Stellen dieser Löcher wird das Silicium dadurch oxidiert, daß es in einem Ofen auf hohe Temperatur
in eine sauerstoffreiche Atmosphäre gebracht wird. Dieser Vorgang ist in der Literatur unter der
Bezeichnung »LOCOS« bekannt. Auf diese Weise können die Oxidzonen 22 und 23 erzeugt werden. Anschließend
wird die Siliciumnitridschicht weggeätzt und die η-dotierte Siliciumschicht 24 aufgewachsen, die an den
Stellen der Oxidzonen 22 und 23 polykristallin und an anderen Stellen einkristallin ist. Ein Teil dieser Schicht
wird weggeätzt, derart, daß auf den Oxidzonen 22 und 23 die Inseln aus η-leitendem Silicium 24a und 246
übrigbleiben, die als eine Elektrode zu bildender Kondensatoren wirken. Außerdem wird eine p-dotierte
Zone 25 in dem Halbleiterkörper 21 angebracht, die als die eine Elektrode eines Kondensators mit einer an
Masse liegenden Elektrode dient. Dann wird eine
dünne Isolierschicht 26, vorzugsweise aus Siliciumnitrid, auf dem Körper z. B. durch Ablagerung aus der
Dampfphase niedergeschlagen, und danach werden die Metallelektroden 27 angebracht
Die Zone 246 und die zugehörige Metallelektrode 27 bilden mit dem durch die Isolierschicht 26 gebildeten Dielektrikum einen der Kondensatoren Ck oder C'k nach F i g. 2; die Zone 25 und die zugehörige Metallelektrode 27 können mit dem Dielektrikum 26 erwünschtenfalls einen der Kondensatoren C'k nach Fig. 2 bilden.
Die Zone 246 und die zugehörige Metallelektrode 27 bilden mit dem durch die Isolierschicht 26 gebildeten Dielektrikum einen der Kondensatoren Ck oder C'k nach F i g. 2; die Zone 25 und die zugehörige Metallelektrode 27 können mit dem Dielektrikum 26 erwünschtenfalls einen der Kondensatoren C'k nach Fig. 2 bilden.
In der Praxis ist es möglich, die Dicke der Schicht 26 und die Oberflächen der Zonen 246,25 und 27 derart zu
beherrschen, daß Kapazitätsabweichungen zwischen den Kondensatoren Ck und C'k innerhalb von 1% blei-
ben. Da die Schicht 26 erheblich dünner als die Schicht 23 und die Dielektrizitätskonstante der Schicht 26 z. B.
um einen Faktor 3 höher als die der Schicht 23 sein kann, ist auch ein Kapazitätswert möglich, der erheblich
(z. B. mehr als fünfzigmal) höher als der der Streukapazität ist, die die Zone 24b in bezug auf den Halbleiterkörper
21 aufweist. Dieser Körper wird an Masse gelegt, und diese Streukapazität bildet eine der Kapazitäten
CpUCp2...Cr nach F ig. 2.
Um die Hilfskapazität C1, nach F i g. 2 zu erhalten, sind
die Oxidzone 22 und die Zone 24a angebracht, wobei die letztere Zone eine praktisch gleich große Kapazität
zu Masse (Körper 21) wie die Zone 24b aufweist. Auf diese Weise kann erreicht werden, daß Q innerhalb
einiger Prozent gleich Cpk (mit 1
< k < n) ist, und weil Cpk einige zehn Male kleiner als Ck bzw. C'k sein kann,
kann der Einfluß von Streukapazitäten auf weniger als l°/oo herabgesetzt werden.
Selbstverständlich werden die übrigen Kondensatoren Ck durch mehrfache Ausführung der Struktur 23,
24b, 26,27 und die übrigen Kondensatoren Q. entweder als Ck oder durch mehrfache Ausführung der Struktur
25, 26, 27 erhalten. Als elektronische Schalter werden vorzugsweise Feldeffekttransistoren mit isolierter Gate-Elektrode
(IGFET's) verwendet, die mittels der Integrationsschritte, durch die die Zonen und Elektroden 25,
26,27 erzeugt werden, erhalten werden könnten. Insbesondere kann die Zone 26 als die Isolierzone zwischen
der Gate-Elektrode und dem Kanal eines solchen Feldeffekttransistors mit isoliertem Gate dienen.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
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45
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55
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•5
Claims (6)
1. Vorrichtung zum Erzeugen einer Reihe von Weiten einer elektrischen Größe, die sich wie die
Glieder einer geometrischen Reihe verhalten, insbesondere für Analog/Digital- bzw. Digital/Analog-Umsetzer,
mit Hilfe von Kondensatoren und Schaltern, wobei von den Kondensatoren mindestens
einer zunächst auf eine vorgegebene Spannung aufgeladen und danach mindestens einem anderen
Kondensator über einen anderen Schalter parallelgeschaltet wird und durch Ladungsteilung jeweils
eine etwa halbierte Ladung erzeugt wird,
dadurch gekennzeichnet,
dadurch gekennzeichnet,
daß eine Anordnung in Form einer Leiter von Kondensatorabschnitten
(1,2 bzw. n) vorgesehen ist, von denen jeder eine Anzahl (vorzugsweise zwei) Kondensatoren
(C1, C1; C2, C2... bzw. Cn, Cn) enthält,
die mit Hilfe von Taktsignalen (Φ,, Φ2) gesteuerter
elektronischer Schalter (Si, S2 bzw. S2n; Su, S^2, Si3,
5)4 bzw. Sin, Sin+i) abwechselnd in Reihe und parallelgeschaltet
werden, wobei, wenn die Kondensatoren (Ci, C'i) eines Abschnittes (1) parallel geschaltet
werden, die Kondensatoren (C2, C2) des nächstfolgenden
Abschnittes (2) in Reihe geschaltet werden und diese Reihenschaltung zu mindestens einem
und vorzugsweise zu allen parallelgeschalteten Kondensatoren (Ci, C'i) des vorhergehenden Abschnittes
(1) parallelgeschaltet wird.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß in wenigstens einem Abschnitt (1, 2
bzw. n) die eine Elektrode eines der Kondensatoren (C'i, C2 bzw. Cn) mit einem gemeinsamen Anschlußpunkt
(80) verbunden ist und die einen Elektroden der übrigen Kondensatoren (Ci, C2 bzw. Cn) dieses
Abschnittes (1,2 bzw. n) während der Zeit, in der die Kondensatoren dieses Abschnittes parallel geschaltet
sind, über elektronische Schalter (Sw, Si2 bzw.
Si„) mit dem gemeinsamen Anschlußpunkt (80) verbunden
werden, wobei die letzteren einen Elektroden Streukapazitäten (C1,\, Cp2 bzw. C11n) aufweisen
und Mittel vorhanden sind, mit deren Hilfe mindestens eine dieser Streukapazitäten (C„\, C,,2 bzw.
Cn„) jeweils, bevor die Kondensatoren eines
Abschnittes (1,2 bzw. n) in Reihe geschaltet werden, auf ein Potential aufgeladen werden, das dem Potential
entspricht, das, wenn die Kondensatoren dieses Abschnittes (1,2 bzw. n) in Reihe geschaltet werden,
an der einen Elektrode der zu der Streukapazität gehörigen Kapazität liegen würde, wenn keine
Streukapazitäten vorhanden wären.
3. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Mittel mindestens eine Hilfskapazität
(C,,) enthalten, die mittels eines siebten Schalters
(S2]) mit einem Eingangsanschluß (70) gekoppelt ist und mittels eines achten Schalters (S22) zu
einer Streukapazität (C,,,) des mit dem Eingangsanschluß
(70) gekoppelten Abschnittes (1) parallelgeschaltet wird.
4. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Mittel weitere Schalter (S23, S2n)
enthalten, die entsprechende Streukapazitäten (C,,,,
Cn2 bzw. C1111) benachbarter Abschnitte miteinander
koppeln.
5. Vorrichtung nach Anspruch 1, 2, 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß sie in einem Halbleiterkörper
integriert ist, wobei wenigstens die Kon-
densatoren (Cj, C2 bzw. CJ jedes Abschnittes, die
einer für Wirkung der Schaltung ungünstige Streukapazität (C1, ι, Cp2 bzw. Ce„) aufweisen, auf der
Oberseite eines Teiles (23) einer durch örtliche Oxidation erhaltenen verhältnismäßig dicken isolierenden
Oxidschicht gebildet sind.
6. Vorrichtung nach den Ansprüchen 4 und 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Dielektrikum der
Hilfskapazität durch einen Teil (22) der verhältnismäßig dicken Oxidschicht gebildet wird.
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