DE2431311B2 - Verfahren zur Strukturierung einer Photolackschicht - Google Patents
Verfahren zur Strukturierung einer PhotolackschichtInfo
- Publication number
- DE2431311B2 DE2431311B2 DE19742431311 DE2431311A DE2431311B2 DE 2431311 B2 DE2431311 B2 DE 2431311B2 DE 19742431311 DE19742431311 DE 19742431311 DE 2431311 A DE2431311 A DE 2431311A DE 2431311 B2 DE2431311 B2 DE 2431311B2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- photoresist layer
- layer
- photomask
- metal
- opaque
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Weting (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Strukturierung einer Photolackschicht, die über eine
metallische Photomaske belichtet und entwickelt wird, wonach die entwickelte Photolackschicht als
Maskierung verwendet wird.
Vorrichtungen, die durch ein derartiges Verfahren hergestellt werden, sind z. B. Halbleiteranordnungcn
oder Dünnfilmmagnetköpfe zum Einschreiben oder Auslesen von Informationen in einem magnctisierbaren
Material.
Als Photomaske wird ein Positiv oder ein Negativ eines in der Photolackschicht gewünschten Musters
verwendet, je nachdem die Photolackschicht aus einer positiven oder einer negativen Photolackschicht besteht.
Es ist bekannt, beim obengenannten Verfahren Photomasken zu verwenden, die z. B. aus einer gelochten
Metallplatte, einer Emulsionsplatte oder einer durchsichtigen Glasplatte mit einer Metallschicht mit
dem gewünschten Muster oder einem Negativ desselben bestehen. Zum Erhalten einer genauen Abbildung
des Musters ist es erwünscht, dafür zu sorgen, daß sich derartige Photomasken genau und gleichmäßig
der Photolackschicht anschließen. Dies ist oft ein Problem, wenn die Oberfläche der Photoiackschicht
und/oder die Oberfläche der Photomaske nicht völlig flach ist (sind). Die Anwendung von Druck zum Erhalten
eines vollständigen Anschlusses führt häufig zu Verformung oder Bruch der Photomaske und/oder
des Körpers. Wenn sich die Oberflächen der Photolackschicht und der Photomaske nicht vollständig anschließen,
läßt sich dies oft durch das Auftreten von Interferenzringen feststellen und hat zur Folge, daß
eine weniger genaue Abbildung und auch Abrundung der Ränder des in der Photolackschicht gebildeten
Musters erhalten werden.
Wenn nun z. B. das Photolackschichtmuster als Maskierung bei Materialentfernung von dem nicht
von dem Muster bedeckten Teil des Körpers durch Zerstäubung verwendet wird, wird die Form des abgerundeten
Randes des Mustere beim Zerstäuben auf den Körper übertragen. Dies ist ein wesentlicher
ίο Nachteil, wenn Spalte mit einer genau definierten
Breite in einem Körper gebildet werden müssen.
Wenn das Photolackschichtmuster als Maskierung beim Anbringen z. B. genau definierter Metallbahnen
durch Aufdampfen von Metall auf den ganzen Körper
is und beim anschließenden Entfernen des Photolackschichtmusters
mit dem darauf liegenden Metall dient, wird diese Entfernung dadurch erschwert, daß das auf
dem Lack liegende Metall über die abgerundeten Ränder oft mit dem direkt auf dem Körper liegenden
2« Metall verbunden ist.
Die Erfindung bezweckt u. a., die beschriebenen Schwierigkeiten wenigstens größtenteils zu vermeiden.
Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, daß dies erreicht werden kann, wenn sich die Phovomaske
und die Photolackschicht völlig aneinander anschließen.
Dies wird erzielt, ohne daß praktisch Verformung oder Bruch der Photomaske oder des Körpers auftreten
kann, wenn das eingangs genannte Verfahren da-
Ji) durch gekennzeichnet ist, daß die Photomaske in situ
auf der Photolackschicht gebildet wird.
Bei einer so gebildeten Metallmaske wird ein vollständiger
Anschluß an die Photolackochicht erhalten,
ohne daß ein Relief an der Oberfläche des Körpers Schwierigkeiten herbeiführt. Die Photomaske wird
z. B. durch Aufdampfen eines Metallmusters über eine Aufdampfmaske, wie eine gelochte Metallfolie,
gebildet.
Vorzugsweise wird aber die Photomaske auf photomechanischem
Wege aus einer auf der Photolackschicht angebrachten undurchsichtigen Schicht gebildet.
Unter dem Ausdruck »undurchsichtig« ist hier zu verstehen, daß die Schicht praktisch keine Strahlung
durchläßt, die für die Belichtung der Photolackschicht verwendet wird.
Unter dem Ausdruck »auf photomeehanischem Wege« ist hier zu verstehen, daß auf der undurchsichtigen
Schicht eine zweite Photolackschicht angebracht wird, die über eine übliche (zweite) Photomaske belichtet
und entwickelt wird und dann als Maske bei der Bildung des gewünschten Musters in der undurchsichtigen
Schicht dient. Es ist auffallend, daß dieser Vorgang, der nicht bei der ersten, direkt auf dem Körper
angebrachten Photolackschicht angewendet werden kann, bei der zweiten Photoiackschicht wohl zu
einem günstigen Ergebnis führt.
Abrundung der zweiten Photoiackschicht durch Abbildungsungenauigkeit inlolge eines weniger genauen
Anschlusses der zweiten Photomaske an die
Mi zweite Photoiackschicht ist in der Regel unbedenklich,
weil die zweite Photoiackschicht nur als Maske für die Bildung eines gewünschten Musters in einer verhältnismäßig
dünnen undurchsichtigen Schicht dient.
Vorzugsweise wird eine undurchsichtige Schicht
(i5 angebracht, clic dünner als 4000 A ist. Vorzugsweise
wird eine undurchsichtige, 600 bis 1000 A dicke Schicht unter Verwendung eines stromlosen Verfahrens
gebildet.
Bei den genannten geringen Dicken wird, wenn in der undurchsichtigen Schicht das Muster durch Ätzen
gebildet wird, nur eine geringe Unterätzung auftreten.
Mit Hilfe des Verfahrens nach der Erfi.idung kann ein Muster in der auf dem Körper angebrachten Photolackschicht
mit z. B. 0,65 bis 2 um breiten Spalten mit stellen Kanten erhalten werden.
Das Verfahren nach der Erfindung wird vorzugsweise verwendet, wenn die auf dem Körper angebrachte
Photolackschicht eine Dicke von mehr als
2 μΐη aufweist. Photolackschichten mit einer derartigen
Dicke werden als Maskierung verwendet, wenn Spalte in dem Körper durch Zerstäubung erhalten
werden müssen. Dazu kann zunächst die als Photomaske dienende undurchsichtige Schicht entfernt is
werden.
Dicke Metallbahnen, z. B. Platinbahnen, lassen sich oft schwer durch Ätzen erhalten. Bei einer Maskierung
mit Hilfe einer Photolackschicht mit r*.eilen Kanten wird wenig Metall auf diesen Kanten abgelagert
und es kann auf übliche Weise das auf der Photolackschicht liegende Metall mit dem Photolack entfernt
werden.
Die Erfindung bezieht sich auch auf eine Anordnung, die durch das erfindungsgemäße Verfahren hergestellt
ist.
Die Erfindung wird nunmehr für ein Ausführungsbeispiel an Hand der Zeichnung näher erläutert. Es
zeigt
Fig. 1 schematisch eine Draufsicht auf eine durch das erfindungsgemäße Verfahren hergestellte Anordnung,
und
Fig. 2 und 3 einen Teil cinncs Schnittes längs der Linie H-II durch die in Fig. 1 gezeigte Anordnung
in aufeinanderfolgenden Stufen der Durchführung des .is
Verfahrens nach der Erfindung.
Fig. 1 ist eine Draufsicht auf einen Magnetkopf zum Einschreiben und Auslesen von Informationen
in einem magnctisicrbarcn Medium. Mit 12 ist ein schichtförmigcr Nickel-Eiscn-Kern bezeichnet, des- -to
sen Schichtteil 16 von gegen diesen Teil isolierten Windungen 13und 14 umgeben ist. Die erhöhte Mitte
17 des Schichttcils 16 wird nach der Erfindung mit einem Spalt 15 verschen.
Fig. 2 zeigt einen Schnitt durch die Mitte 17. Auf eine Oberfläche eines Körpers, der aus einem Substrat
21 aus Halbleitermaterial, z. B. Silicium, das mit einer Siliciumoxidschicht 22 und mit dem 1,5 μηι dicken
Nickel-Eisen-Schichttcil 16 versehen ist, wird eine
3 (im dicke positive Photolackschicht 24 angebracht.
Diese Photolackschicht wird über eine metallische Photomask«: belichtet und einwickelt und dann als
Maskierung beim Entfernen von Material von dem Nickel-Eisen-Schichttcil 16 verwendet.
Die Photomaske wird in situ auf der Photolackschicht 24 gebildet. Dazu wird auf übliche Weise auf
der Photolackschicht 24 eine bei der anschließenden Behandlung undurchsichtige Nickelschicht 25 mit einer
Dicke von 600 bis K)(K) A aus einem üblichen sauren Bad für stromloses Vernickeln abgelagert, mi
Die Photomaske wird auf photochemischem Wege in der undurchsichtigc.i Schicht 25 pcbildet.
Dazu wird auf der Schicht 25 eine eiwa 0,4 um dicke zweite positive Photolackschicht 26 angebracht,
die z. B. über eine übliche auf einer Glasplatte angebrachte Chrommaske belichtet wird. Die Chrommaske
enthält ein Bild des in dem Schichtteil 16 anzubringenden Spaltes 15 mit einer Breite von z. B. 1 μΐη.
Nach Entwicklung der Photolackschicht 26 wird die Schicht 25 auf übliche Weise geätzt, wobei die Photolackschicht
26 als Ätzmaske dient. Anschließend wird die Photolackschicht 24 unter Verwendung der
Schicht 25 als Maske belichtet und entwickelt. Während der Entwicklung wird auch die Photolackschicht
26 entfernt. Die Schicht 25 kann auf übliche Weise entfernt werden (Fig. 3) oder während der darauffolgenden
Behandlung erhalten bleiben.
Danach wird der Schichtteil 16 mit der entwickelten Photolackschicht 24 als Maske auf übliche Weise einer
Zerstäubungsbehandlung unterworfen, wobei im Schichtteil 16 der Spalt 15 gebildet wird.
Bei dem Verfahren nach der Erfindung weisen öffnungen
in der Photolackschicht 24 infolge Belichtung über die sich eng an diese Schicht anschließende
Schicht 25 steile Kanten auf. Die steilen Kanten der
Öffnungen in der Photolackschicht 24 werden während der Zerstäubung in dem Schichtteil 16 reproduziert.
Etwaige nach der Zerstäubung verbleibende Teile eier Photolackschicht 24 können mit Hilfe eines üblichen
Lösungsmittels entfernt werden.
Das Verfahren nach der Erfindung ist oben an einem Beispiel veranschaulicht, bei dem Material von
dem Körper abgetragen wird. Die Erfindung kann aber auch verwendet werden, wenn Material auf dem
Körper angebracht werden muß und z. B. metallische Muster mit steilen Profilkanten erwünscht sind, z. B.
bei Anordnungen zum Erzeugen und Detektieren akustischer Oberflächenwellen, wobei kammartig ineinandergreifende
Metallmuster mit in geringer Entfernung (z. B. 0,5 μΐη) voneinander liegenden schmalen
Metallbahncnauf einem piezoelektrischen Körper
angebracht werden müssen.
Insofern wird dann von dem oben beschriebenen Beispiel abgewichen, daß die mit Öffnungen versehene
Photolackschicht 24 auf einem piezoelektrischen Körper angebracht ist und als Maske beim Aufdampfen
eines gewünschten Metalls, wie Gold oder Aluminium, verwendet wird, wonach die Photolackschicht
24 zugleich mit dem auf der Photolackschicht befindlichen
Metall vom piezoelektrischen Körper entfernt wird.
Dadurch, daß die Öffnungen in der Photolackschicht 24steile Kanten aufweisen, ist die Möglichkeit,
daß beim Aufdampfen Brücken zwischen dem Metall auf der Photolackschicht und dem Metall in den Öffnungen
gebildet werden, gering, wodurch sich die Photolackschicht mit dem darauf liegenden Metall
leicht entfernen läßt.
Mit Hilfe des Verfahrens nach der Erfindung können auch z. B. Muster aus Permalloy gebildet werden,
die zur Fortbewegung magnetischer zylindrischer Domänen (Bubbles) in oxidischen magnetischen Materialien
dienen.
Hierzu I Blatt Zeichnunccn
Claims (6)
1. Verfahren zur Strukturierung einer Photolackschicht, die über eine metallische Photomaske
belichtet und entwickelt wird, wonach die entwikkelte Photolackschicht als Maskierung verwendet
wird, dadurch gekennzeichnet, daß die Photomaske in situ auf der Photolackschicht gebildet
wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Photomaske auf photomechanischem
Wege aus einer auf der Photolackschicht angebrachten undurchsichtigen Schicht gebildet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß eine undurchsichtige Schicht
angebracht wird, die dünner als 4000 A ist.
4. Verfahren nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß als undurchsichtige Schicht
eine Metallschicht mit einer Dicke von 600 bis 1000 A mit Hilfe eines stromlosen Verfahrens gebildet
wird.
5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine Photolackschicht mit einer
Dicke von mehr als 2 μΐη angebracht wird.
6. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß als undurchsichtige Schicht eine
Nickelschicht angebracht wird.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL7309451A NL7309451A (nl) | 1973-07-06 | 1973-07-06 | Werkwijze voor het vervaardigen van een inrichting. |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2431311A1 DE2431311A1 (de) | 1975-01-30 |
DE2431311B2 true DE2431311B2 (de) | 1980-08-21 |
DE2431311C3 DE2431311C3 (de) | 1981-07-02 |
Family
ID=19819217
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19742431311 Expired DE2431311C3 (de) | 1973-07-06 | 1974-06-29 | Verfahren zur Strukturierung einer Photolackschicht |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5071273A (de) |
CA (1) | CA1032397A (de) |
DE (1) | DE2431311C3 (de) |
FR (1) | FR2236336B1 (de) |
GB (1) | GB1453253A (de) |
IT (1) | IT1037067B (de) |
NL (1) | NL7309451A (de) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4165395A (en) * | 1977-06-30 | 1979-08-21 | International Business Machines Corporation | Process for forming a high aspect ratio structure by successive exposures with electron beam and actinic radiation |
GB8825826D0 (en) * | 1988-11-04 | 1988-12-07 | Gen Electric Co Plc | Deposition processes |
US4985116A (en) * | 1990-02-23 | 1991-01-15 | Mint-Pac Technologies, Inc. | Three dimensional plating or etching process and masks therefor |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3518084A (en) * | 1967-01-09 | 1970-06-30 | Ibm | Method for etching an opening in an insulating layer without forming pinholes therein |
-
1973
- 1973-07-06 NL NL7309451A patent/NL7309451A/xx unknown
-
1974
- 1974-06-29 DE DE19742431311 patent/DE2431311C3/de not_active Expired
- 1974-07-03 IT IT2476774A patent/IT1037067B/it active
- 1974-07-03 JP JP49075488A patent/JPS5071273A/ja active Pending
- 1974-07-03 GB GB2948174A patent/GB1453253A/en not_active Expired
- 1974-07-08 FR FR7423638A patent/FR2236336B1/fr not_active Expired
- 1974-07-30 CA CA205,919A patent/CA1032397A/en not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL7309451A (nl) | 1975-01-08 |
DE2431311C3 (de) | 1981-07-02 |
GB1453253A (en) | 1976-10-20 |
IT1037067B (it) | 1979-11-10 |
FR2236336A1 (de) | 1975-01-31 |
DE2431311A1 (de) | 1975-01-30 |
CA1032397A (en) | 1978-06-06 |
JPS5071273A (de) | 1975-06-13 |
FR2236336B1 (de) | 1977-10-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3783897T3 (de) | Verfahren zur Herstellung von Matrizen für Plattierungsverfahren. | |
DE2424338C2 (de) | Verfahren zum Aufbringen von Mustern dünner Filme auf einem Substrat | |
DE69325287T2 (de) | Verfahren zur herstellung von mikrolinsen | |
DE69127058T2 (de) | Herstellungsverfahren einer Matrize | |
DE3030653C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen | |
DE4440230A1 (de) | Verfahren zur Ausbildung feiner Halbleitervorrichtungsmuster | |
DE2722557A1 (de) | Verfahren zum aufbringen von metallisierungsmustern auf einem halbleitersubstrat | |
DE2522549C3 (de) | Verfahren zum Übertragen eines in Photolack aufgezeichneten Halbton-Belichtungsmusters in ein Oberflächenreliefmuster einer Substratfläche | |
DE1597803A1 (de) | Photomaske zum Belichten ausgewaehlter Teile einer lichtempfindlichen Schicht | |
DE2658400A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer negativen maske auf einem substrat | |
DE2555299A1 (de) | Verfahren zur herstellung von vielschichtchips fuer mikroelektrische anordnungen | |
DE2453035B2 (de) | Verfahren zum Aufbringen einer metallischen Schicht in Form eines Musters auf einem mit einer ersten dünnen, metallischen Schicht überzogenen inerten Substrat | |
DE4103565A1 (de) | Verfahren zur bildung eines feinen musters auf einem halbleiter mit einer stufe | |
DE2752378C2 (de) | ||
DE2215906A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von leitenden Präzisionsmaschengittern | |
DE1622333A1 (de) | Herstellungsverfahren fuer eine Maske zum Herstellen einer Maskierung | |
DE2047316B2 (de) | ||
EP0308816A1 (de) | Verfahren zum Herstellen von Anschlusskontakten für Dünnfilm-Magnetköpfe | |
DE4342123B4 (de) | Farbfilter, insbesondere für eine Flüssigkristallanzeigeeinrichtung, und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE4447264B4 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbton-Phasenverschiebungsmaske | |
DE2431311C3 (de) | Verfahren zur Strukturierung einer Photolackschicht | |
DE3105934C2 (de) | ||
DE102004026206A1 (de) | Belichtungsmaskensubstrat-Herstellungsverfahren, Belichtungsmasken-Herstellungsverfahren und Halbleitereinrichtungs-Herstellungsverfahren | |
DE2528666C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Maske für Röntgenstrahl-Lithographie | |
DE1521800A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Mustern nach dem Photoaetzverfahren |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OD | Request for examination | ||
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |