DE2425915B2 - Verfahren zum herstellen von integrierten halbleiterschaltungen - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von integrierten Halbleiterschaltungen nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.

Bei der Herstellung integrierter Halbleiteranordnungen ist es heute allgemein üblich, Halbleiterscheiben, auch Wafer genannt, zu produzieren, die auf einer etliche Quadratzentimeter großen Oberfläche viele tausend Schaltungen oder Schaltkreise enthalten. Bei Erhöhung der Anzahl und Dichte der Schaltungen auf einem Wafer steigen auch die Produktionsprobleme, und die Produktionsausbeute sinkt. Die Ausbeute ist natürlich ein wichtiger, die Nettokosten der nutzbaren Wafer beeinflussender Faktor.

Zur Erhöhung der Ausbeute bei der Herstellung integrierter Schaltungen wurde in der DT-OS 1514902 vorgeschlagen, im Verlaufe des Fertigungsprozesses integrierter Schaltungen redundante Reserve-Schaltelemente vorzusehen und sie im Bedarfsfall an Stelle defekter Schaltelemente, die elektrisch von der übrigen Schaltung abgetrennt werden, an diese übrige Schaltung anzuschließen.

Dieser Vorschlag weist aber einen gravierenden Nachteil auf, der darin besteht, daß der Platz, den die Reserve-Schaltkreise auf einem Chip einnehmen, dann für Nutzschaltkreise verloren geht, die beispielsweise für die Realisierung komplexer Funktionen auf einem Halbleiterchip dringend benötigt werden.

Ferner wurde in dieser Schrift schon vorgeschlagen, durch äußere Einwirkungen fehlerhafte Schaltelemente aus der Schaltung zu entfernen und dann an der betreffenden Stelle ein diskretes, einwandfreies Schaltelement einzusetzen, zu befestigen und zu kontaktieren. Der Nachteil dieser Lösung ist darin zu sehen, daß dieses Prinzip, das den Austausch einzelner Schaltelemente vorsieht, für den vollständigen Austausch komplexer Schaltkreisgruppen wegen des Fehlens eines automatischen Prozesses aus Wirtschaftlichkeitserwägungen heraus nicht anwendbar ist.

Auch die DT-OS 1514910 befaßt sich mit einer Variante des bereits erwähnten Redundanzverfahrens. Bei dieser Variante wird eine größere Menge von elektrischen Funktionseinheiten an einer Fläche oder Unterlage gebildet als für die Realisierung der gewünschten Funktion erforderlich wäre, wobei die Personalisierung., d. h. die endgültige Metallisierung des Leitungsmusters nach dem Ausprüfen der Funktionseinheiten auf gewünschte Eigenschaften hergestellt wird.

Da auch hier Reserve-Funktionseinheiten auf der Chipfläche untergebracht sind, geht auch hier, wie bereits zuvor erläutert wurde, Platz für solche Funktionseinheiten verloren, die für die Realisierung einer bestimmten Funktion unter Anwendung höchster Integrationsdichte erforderlich wären.

In dem »IBM Technical Disclosure Bulletin«, Vol. 10, No. 10, März 1968, Seiten 1573 und 1574, ist ein Verfahren beschrieben, nach dem monolithische Matrixspeicher aus Chips aufgebaut werden können, bei denen nicht alle Speicherzellen in Ordnung sind. Die Adressenleitungen werden dann so organisiert, daß bei Chips, deren Fehler alle in etwa der gleichen

Lokation liegen, ein oder zwei Adressenleitungen frei bleiben, die dann die Gesamtkapazität des Matrixspeichers entsprechend reduzieren. Es können mit diesem Verfahren immerhin noch Matrixspeicher aus teilweise defekten Chips hergestellt werden.

Auch dieses Verfahren zählt zu den bereits erwähnten Redundanzverfahren, so daß auch diesen dessen Nachteile anhaften. Für eine Erhöhung der Ausbeute an funktionsfähigen Halbleiterschaltungen aus einer Anzahl von mit Funktionsmängeln behafteten Halbleiterscheiben ist auch dieses Verfahren nicht geeignet.

Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist deshalb eine Verbesserung der Ausbeute an funktionsfähigen Wafern aus einer Anzahl von mit Funktionsmängeln behafteten Wafern.

Gelöst wird diese Aufgabe durch die in dem Anspruch 1 angegebenen Merkmale.

Weitere Merkmale, vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen des Gegenstande., der Erfindung sind den Unteransprüchen zu entnehmen.

Der Hauptvorteil dieser Erfindung besteht darin, daß sie die in einem Fertigungsverfahren erzielte Ausbeute von Wafern mit umfangreichen Schaltungen erhöht. Wafer mit nur einer kleinen Zahl defekter Schaltkreise können repariert werden und brauchen nicht verschrottet zu werden. Gute Schaltkreise können aus Wafern entfernt werden, in denen eine große Anzahl von Kreisen defekt ist, so daß auch diese Wafer nicht vollständig verschrottet zu werden brauchen. Auch können Funktionsänderungen, die im Laufe der Entwicklung notwendig sind, sehr leicht vorgenommen werden.

Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in den Zeichnungen dargestellt und wird anschließend näher beschrieben. Es zeigt

Fig. 1 zwei zueinander spiegelbildliche Wafer,

Fig. 2 Einzelheiten einer Funktionseinheit aus einem der in Fig. 1 gezeigten Wafer,

Fig. 3 die Art der Entfernung einer Funktionseinheit aus einem Wafer zur Reparatur eines zweiten Wafers,

Fig. 4 das Aussehen eines Wafers nach Anbringen einer Funktionseinheit aus einem anderen Wafer und

Fig. 5 in einem Ablaufdiagramm verschiedene Schritte des benutzten Herstellungsverfahrens.

In der Beschreibung und in den Zeichnungen wird öfter verwiesen auf Wafer (Halbleiterscheiben) oder deren Teile, die Spiegelbilder voneinander sind. Das bedeutet, daß diese Elemente miteinander identisch aber seitenvertauscht sind, d. h., bezüglich links und rechts umgekehrt zueinander liegen. Um diese spiegelbildliche Beziehung herauszustellen, wird das eine Elementeines Spiegelbildpaares mit einer Bezugszahl bezeichnet und das andere mit derselben Bezugszahl, der jedoch der Buchstabe »/?« (für reflektiert) hinzugefügt wird.

Der erste Schritt im Herstellungsverfahren ist die Festlegung der Schaltungsanordnung auf einem Wafer. Sie erfolgt derart, daß die ganze Schaltung in Funktionseinheiten, auch Schaltungsgruppen genannt, mit vernünftiger Größe, die miteinander ein Minimum an Verbindung benötigen, aufgeteilt wird. Eine Funktionseinheit kann z. B. ein aktives, logisches Netzwerk oder ein passives Netzwerk sein, welches z. B. Verbindungsleitungen für andere Schaltungsgruppen auf denselben oder anderen Wafern aufweist. Eine Schaltungsgruppe kann ein oder mehrere aktive

oder passive Schaltungselemente enthalten. Jede Schaltungsgruppe ist mit einer Anzahl von Eingabe/ Ausgabe (E/A)- und Stromversorgungsanschlüssen ausgerüstet, die mit der Gesamtschaltung verbunden sind. Diese Anordnung wird nachfolgend als »A« bezeichnet. Eine zweite Schaltungsanordnung »Β« ist das Spiegelbild der Anordnung »A« und wird ebenfalls hergestellt. Die Wafer werden nach diesen Entwürfen auf bekannte Art hergestellt.

In Fig. 1 sind zwei Wafer I und IR gezeigt. Jeder Wafer ist bezüglich rechts und links das Spiegelbild des anderen. Wafer 1 ist nach Entwurf A und Wafer IR nach Entwurf B hergestellt. Wafer I enthält die Schaltungsgruppen 2, 3, 4, 5 und 6, Wafer IR die Schaltungsgruppen 2R, 3R, AR, SR und 6R. Jedes zusammengehörige Paar von Schaltungsgruppen, 2 und 2 R, 3 und 3 R usw. hat dieselbe Spiegelbildbeziehung. Wesentlich ist jedoch nur die Spiegelbildbeziehung zwischen der Anordnung der E/A- und Strom-Versorgungsanschlüsse für ein gegebenes Paar. Die Schaltung innerhalb eines zusammengehörigen Schaltungsgruppenpaares braucht nicht spiegelbildlich zu sein.

Die Verbindungen zwischen den Schaltungsgruppen auf dem Wafer 1 und IR in Fig. 1 sind durch die Linien 7, 8, 9 und 10 und die Linien TR, 8/?, 9R und 10/? dargestellt. Fig. 1 zeigt ein sehr einfaches Verbindungsnetzwerk zwischen den Schaltungsgruppen. In der Praxis ist es im allgemeinen etwas komplexer.

Fig. 2 zeigt weitere Einzelheiten von zwei Schaltungsgruppen 3 und 3/?. Die Schaltungsgruppe 3 ist mit E/A-Anschlüssen und Stromversorgungsanschlüssen 12,13,14,15 und die Schaltungsgruppe 3 R mit spiegelbildlichen Andchlüssen 12R, 13/?, 14/? und 15R ausgerüstet. Beide Schaltungsgruppen 3 und 3/? enthalten zusätzlich innere Stromversorgungsanschlüsse 16,17,18 und 19 sowie 16/?, 17/?, 18/? und 19/?. Diese inneren Anschlüsse sind nicht unbedingt erforderlich, können jedoch aus später beschriebenen Gründen vorteilhaft sein.

Nachdem die Wafer hergestellt sind, werden sie geprüft und in zwei verschiedene Klassen sortiert. Die Klasse I enthält diejenigen Wafer, auf welchen die meisten oder alle Schaltungsgruppen allen Prüfungen genügen, d. h., intakt sind. Die Klasse II enthält diejenigen Wafer, von denen die meisten, aber nicht alle Schaltungsgruppen den Anforderungen der Prüfungen nicht genügen. Eine Schaltungsgruppe, die nicht alle Prüfungen bestanden hat, wird in diesem Zusammenhang als defekte Schaltungsgruppe bezeichnet. Wafer mit lauter defekten Schaltungsgruppen können verschrottet werden.

Aus Wafern der Klasse I werden im nächsten Schritt alle defekten Schaltungsgruppen herausgeschnitten. Der Schnitt erfolgt innerhalb der äußeren E/A- und Stromversorgungsanschlüsse (12, 13,14 und 15 oder 12/?, 13/?, 14/? und ISR in Fig. 2), so daß der äußere Anschlußsatz auf dem Wafer zurückbleibt, nachdem die defekte Schaltungsgruppe entfernt wurde. Wenn ein innerer Satz von Anschlüssen (16, 17, 18 und 19 sowie 16/?, 17/?, 18/? und 19/? in Fig. 2) vorgesehen ist, erfolgt dieser Schritt außerhalb der inneren Anschlüsse, so daß diese mit der defekten Schaltungsgruppe von dem Wafer entfernt werden. Die auf der defekten Schaltungsgruppe verbleibenden Stromanschlüsse erleichtern die weitere Prüfung und Analyse dieser Schaltungsgruppe. Nach Abschluß dieser Prü-

fungen können die defekten Schaltungsgruppen verschrottet werden.

Bei den Wafern der Klasse II werden im nächsten Schritt die intakten Schaltungsgruppen ausgeschnitten. Dieses Ausschneiden erfolgt außerhalb des äußeren Satzes von E/A- und Stromversorgungsanschlüssen. Der Rest des Wafers der Klasse II kann nach der gewünschten Prüfung und Analyse verschrottet werden. Zum Ausschneiden kann jedes geeignete Verfahren, wie z. B. Schnitt mittels Laserstrahl, verwendet werden.

Wenn angenommen wird, daß in Fig. 2 die Schaltungsgruppe 3 eine defekte Schaltungsgruppe von einem Wafer der Klasse I mit meistens intakten Schaltungsgruppen ist, so wird entlang der unterbrochenen Linie 20 innerhalb des äußeren Satzes von E/A- und Stromanschlüssen 12, 13, 14 und 15 und außerhalb des inneren Satzes von Anschlüssen 16, 17, 18 und 19 ausgeschnitten. Ist die Schaltungsgruppe 3/? eine intakte Schaltungsgruppe von einem Wafer der Klasse II mit meistens defekten Schaltungsgruppen, so wird sie entlang der unterbrochenen Linie 21 außerhalb des äußeren Satzes von E/A- und Stromversorgungsanschlüssen 12/?, 13/?, 14/? und 15/? ausgeschnitten. Die Schaltungsgruppe 3 wird verschrottet und die Schaltungsgruppe 3/? zurückbehalten.

Während der einzelnen Schritte der Herstellung von Wafern der Arten A und B und ihrer Sortierung in die Klassen I und II sollte man die einzelnen Arten genau verfolgen können. Innerhalb jeder Klasse sollten /1-Wafer und B-Wafer voneinander getrennt gehalten werden. Auch innerhalb der Klasse I sollten die A -Wafer und B- Wafer in weitere Gruppen nach den jeweils ermittelten, ausgefallenen Schaltungsgruppen aufgeteilt werden. Innerhalb der Klasse II sollte ein Verzeichnis für jede Art von intakten Schaltungsgruppen angelegt werden, die ausgeschnitten sind.

Die IIA-Schaltungsgruppen werden nun zum Reparieren von IB-Wafern benutzt. Dabei geht man wie folgt vor:

1. Aus den Wafern der Klasse I wird einer ausgewählt, aus dem eine defekte Schaltungsgruppe entfernt wurde;

2. aus dem Schaltungsgruppenverzeichnis der Klasse II wird das Spiegelbild der aus dem Wafer der Klasse I entfernten Schaltungsgruppe ausgewählt;

3. die Schaltungsgruppe wird mit der Oberseite nach unten so auf dem Wafer angeordnet, daß die E/A- und Stromversorgungsanschlüsse in Berührung mit den komplementären, spiegelbildlichen Anschlüssen auf dem Wafer sind;

4. die Anschlüsse werden durch Punktlötung oder ein anderes geeignetes Verfahren miteinander verbunden.

Fig. 3 zeigt eine Platte I der Klasse 1 und Art A, von der eine defekte Schaltungsgruppe 3 (Fig. 1) entfernt wurde, wovon ein Loch 20 zurückblieb, welches von den Anschlüssen 12, 13, 14 und 15 umgeben ist. Von den vier Anschlüssen 12 ist nur einer und von den fünf Anschlüssen 15 sind nur zwei gezeigt. Außerdem ist in Fig. 3 eine Schaltungsgruppe 3/? gezeigt, die aus einem Wafer der Klasse II entfernt wurde, die nach der Art ß hergestellt wurde. Die Schaltungsgruppc 3/? ist in Fig. 3 zweimal dargestellt, um die Art zu zeigen, in der sie über dem Wafer I umgekehrt wird. Rechts in Fig. 3 ist die Schaltungsgruppe 3R

dargestellt mit den Anschlüssen IZR, 13/?, 14/? un< 15 R auf der Oberseite ähnlich der Darstellung ii Fig. 2. Um die aus dem Wafer ! aus dem Loch 2( entfernte Schaltungsgruppe 3 zu ersetzen, wird di< Schaltungsgruppe 3 herumgedreht und auf dem Wa fer 1 gemäß dem Pfeil 21 aufgesetzt. Die Schaltungs gruppe 3/? befindet sich dann mit der Oberseite nach unten über dem Loch 20, so daß ihre äußeren Anschlüsse, als durchbrochene Kreise dargestellt, auf in· rer Unterseite liegen. Die Anschlüsse 12/? werden aul die Anschlüsse 12, 13/? auf 13, wie 14/? auf 14 unc 15/? auf 15 ausgerichtet. Die ausgerichteten Anschlüsse werden, wie die unterbrochenen Linien 22 23,24 und 25 zeigen, dann in Berührung miteinandei gebracht und elektrisch verbunden, so daß der Wafer 1 funktionell identisch wird mit einem Wafer, aul dem die Schaltungsgruppe 3 intakt war.

Fig. 4 zeigt, wie ein Wafer nach Ausführung dei obigen Schritte aussieht. Der Klarheit halber ist ir Fig. 4 keine andere Schaltungsgruppe gezeigt. Aul der Oberseite des Wafers 1 befindet sich, mit dei Oberseite nach unten, die Schaltungsgruppe 3/?, deren Anschlüsse 12/?, 13/?, 14/? und 15/? jeweils mil den in Fig. 4 nicht gezeigten entsprechenden An-Schlüssen 12, 13, 14 und 15 verbunden sind.

In Fig. 5 sind verschiedene Schritte dieses Verfahrens zusammengefaßt. Zuerst wird ein Wafer dei Art A und die spiegelbildliche Art B entworfer (Block 30) und dann hergestellt (Block 40). Die Wafei werden geprüft und sortiert (Block 50), und zwar zu Wafern einer Klasse I mit einer relativ kleinen Anzahl defekter Schaltungsgruppen (Block 60) und Wafern einer zweiten Klasse mit einer relativ großen Anzahl defekter Schaltungsgruppen (Block 70). Aus den Wafern der Klasse I werden defekte Schaltungsgruppen entfernt und verschrottet (Block 80), aus den Wafern der Klasse II werden einwandfreie Schaltungsgruppen entfernt und aufbewahrt (Block 90). Die aus den Wafern der Klasse II entfernten Schaltungsgruppen werden dann auf den Wafern der Klasse I in der oben beschriebenen Art angebracht, um ausgefallene Schaltungsgruppen zu ersetzen, die dort entfernt wurden (Block 100).

Bisher wurde gezeigt, wie defekte Schaltungsgruppen aus den Wafern der Klasse I entfernt werden, indem man sie z. B. mit einem Laser ausschneidet. Die Entfernung ist jedoch nicht notwendig, wenn die defekten Schaltungsgruppen auf andere Art elektrisch von dem restlichen Wafer getrennt werden. So kann man z. B. mit einem Laser oder einer anderen geeigneten Einrichtung die gedruckten Leitungen unterbrechen, die von der Schaltungsgruppe zu den E/A- und Stromversorgungsanschlüssen 12, 13, 14 und 15 führen, d. h. die Linien, die durch die unterbrochene Linie 20 in Fig. 2 geschnitten werden. In einem weiteren Isolierschritt müßten dann alle in der Schaltungsgruppe 3 enthaltenen Komponenten von der zur Reparatur benutzten Schaltungsgruppc 3/? isoliert werden, indem man z. B. ein dielektrisches Material niederschlägt. Dabei ist jedoch sicherzustellen, daß zwischen den Anschlüssen 12 und 12/?, 13 und 13/?, 14 und 14/?, 15 und 15/? ein elektrischer Kontakt zustande kommt. Diese Alternativlösung kann erwünscht sein, wenn die physische Entfernung fchlerhafter Schaltungsgruppen die Festigkeit des Wafers beeinträchtigen sollte.

Die Einteilung der Wafer in die Klassen I und II hängt natürlich in gewissem Ausmaß auch vom Pro-

duktionsertrag ab. Wenn ζ. B. nur ein kleiner Prozentsatz der hergestellten Wafer intakte Schaltungsgruppen enthält, kann man der Klasse I alle Wafer zuordnen, die einen niedrigeren Prozentsatz von z.B. 30% an einwandfreien Schaltungsgruppen enthalten. Bei einem niedrigen Ertrag ergibt sich durch ein Senken der Forderungen für die Klasse I eine wirtschaftlichere Nutzung der verfügbaren Mittel. Wenn andererseits der Produktionsertrag hoch ist, kann es wirtschaftlicher sein, die Klasse I auf Wafern mit einem relativ hohen Prozentsatz, z. B. 80% einwandfreier Schaltungsgruppen zu begrenzen.

Wie bereits gesagt wurde, ist der einzig wesentliche Punkt bei der spiegelbildlichen Anordnung der Arten A und B die komplementäre Anordnung der Anschlüsse. Dieser Punkt wird besonders wichtig, wenn mit dem gewünschten Verfahren technische Änderungen in Wafern eingebaut werden sollen, die bereits produziert sind. Wenn Einzelheiten einer bestimmten Schaltungsgruppe auf einem Wafer geändert werden sollen, können die betroffenen Schaltungsgruppen gemäß der obigen Beschreibung entfernt und zu ihrem Ersatz neue Schaltungsgruppen mit komplementären Anschlüssen angebracht werden. In diesem Fall wären die neuen Schaltungsgruppen in zwei spiegelbildlichen Arten anzufertigen, wenn auch die zu ändernden Wafer in beiden Formen A und B existieren.

Eine andere Anwendungsmöglichkeit ergibt sich, wenn eine bestimmte Schaltungsgruppe auf den Wafern wesentlich häufiger ausfällt als andere. In diesem Fall kann die separate Herstellung relativ großer Mengen dieser bestimmten Schaltungsgruppe erwünscht sein, anstatt daß man sich allein auf die intakten Schaltungsgruppen der Wafer der Klasse II verläßt, um den gesamten Austausch zu ermöglichen.

An Stelle einer einzelnen Schaltungsgruppe kann man natürlich auch zwei oder mehr Schaltungsgruppen als eine Einheit entfernen und sie gegen eine mehrere benachbarte, intakte Schaltungsgruppen umfassende, ähnliche Einheit aus Wafern der Klasse II oder anderen Produktionsquellen zu ersetzen, wenn ein Wafer der Klasse I zwei oder mehrere benachbarte, ausgefallene Schaltungsgruppen aufweist. Die Ersatzeinheiten enthalten natürlich untereinander schon die entsprechenden Verbindungen, so daß durch Entfernung der entsprechenden Anschlüsse aus dem Wafer der Klasse I keine Probleme entstehen.

Hierzu 3 Blatt Zeichnungen

Claims (5)

Patentansprüche:

1. Verfahren zum Herstellen von integrierten Halbleiterschaltungen, bei dem auf einer Halbleiterscheibe eine mehrere Funktionseinheiten umfassende Schaltungsanordnung ausgebildet wird und durch Prüfen ermittelte, fehlerhafte Funktionseinheiten elektrisch abgetrennt oder ganz entfernt und durch intakte Funktionseinheiten ersetzt werden, indem diese mit dem restlichen Teil der Schaltungsanordnung elektrisch verbunden werden,dadurch gekennzeichnet, daß die intakte Funktionseinheit einer zweiten Halbleiterscheibe (IR) mit einer zweiten Schaltungsanordnung entnommen wird, die wenigstens eine Funktionseinheit enthält, deren Anschlüsse in bezug auf die Anschlüsse der zu ersetzenden Funktionseinheit auf der ersten Halbleiterscheibe (1) auf der zweiten Halbleiterscheibe (IR) spiegelbildlich angeordnet sind, daß der die intakte Funktionseinheit enthaltende Teil der zweiten Halbleiterscheibe oberflächenverkehrt auf die erste Halbleiterscheibe aufgesetzt und die Anschlüsse der intakten Funktionseinheit mit den auf der ersten Halbleiterscheibe unverändert verbliebenen Anschlüssen der ersten Schaltungsanordnung elektrisch verbunden werden.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die intakte Funktionseinheit mit der fehlerhaften Funktionseinheit gleichartig ist.

3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die intakte Funktionseinheit eine andere elektrische Schaltung enthält als die fehlerhafte Funktionseinheit.

4. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterscheiben mit den zueinander spiegelbildlich angeordneten Anschlüssen in zwei Klassen I und II sortiert werden, wobei die Klasse I Halbleiterscheiben umfaßt, auf welchen die meisten oder alle Funktionseinheiten intakt sind, wogegen die Klasse II Halbleiterscheiben umfaßt, auf welche die meisten, aber nicht alle Funktionseinheiten fehlerhaft sind, daß aus den Halbleiterscheiben der Klasse I alle fehlerhaften Funktionseinheiten und aus den Halbleiterscheiben der Klasse II alle intakten Funktionseinheiten herausgeschnitten werden und daß in die Halbleiterscheiben der Klasse I die herausgeschnittenen Funktionseinheiten der Klasse II eingesetzt werden, die spiegelbildlich angeordnete Anschlüsse in bezug auf die Anschlüsse der zu ersetzenden Funktionseinheiten aufweisen.

5. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Funktionseinheiten auf den Halbleiterscheiben mit doppelten Anschlüssen (z. B. 12 und 16, 13 und 17, 12Ä und 18Λ, UR und 17Ä,...) für elektrische Ein- und Ausgänge sowie für die Stromversorgung versehen sind und daß beim Herausschneiden der fehlerhaften Funktionseinheiten aus den Halbleiterscheiben jeweils ein Anschluß (z. B. 12, 13,...) auf der Halbleiterscheibe verbleibt, wogegen beim Herausschneiden der intakten Funktionseinheiten jeweils beide Anschlüsse (z. B. 12R und IHR, 13/? und 17«,...) auf den die intakte Funktionseinheit enthaltenden Teil der Halbleiterscheibe verbleiben.