DE2423303A1 - Vorrichtung zur abscheidung von epitaktischen schichten auf halbleitersubstraten - Google Patents

Vorrichtung zur abscheidung von epitaktischen schichten auf halbleitersubstraten

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Description

Patentanwälte Dipl.-Ing E Vjückmann,
Dipl.-Ing. H.Weickmann, Dipl.-Phys. Dr. K. Fincke Dipl.-Ing. F. A.Weickmann, Dipl.-Chem. B. Huber
DXIII/Kta 8 MÜNCHEN 36, DEN 2423303
POSTFACH 860 820 MÖHLSTRASSE 22, RUFNUMMER 98 3921/22
HLS Industries, 762 Palomar Avenue, Sunnyvale, California USA
■Vorrichtung zur Abscheidung von epiaktischen Schichten auf Halbleitersubstraten
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Abscheidung von epitaktischen Schichten auf Halbleitersubstraten durch chemisches Abscheiden aus der Gasphase, wobei Reaktionsgas sowie 'Trägergas und Verdünnungsgas über freiliegende Plächen der Substrate geleitet werden, mit einer eine Kammer bildenden Außenwand, einem in der Kammer angeordneten, die Substrate aufnehmenden Suszeptor und mit einem Heizer zur Aufheizung des Suszeptors und Abscheidung der epitaktischen Schichten auf den Substraten aus einem mit deren freiliegenden
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Flächen in Kontakt tretenden Gasgemisch.
Es sind bereits Vorrichtungen bekannt geworden, bei denen Substrate von- einem rotierenden Suszeptor aus Graphit getragen v/erden, welcher sich in einer durch eine Reaktionswand gebildeten Reaktionskammer befindet. Derartige Vorrichtungen sind in den US-Patentschriften 3 659 552, 3 424 629 und 3 65-9 230 beschrieben. Generell besteht dabei die Reaktionswand aus durchlässigem Quarz, wie dies beispielsweise in den US-Patentschriften 3 047 438, 3 304 9O8 und 3 293 074 beschrieben ist. In der US-Patentschrift 3 645 230 wird eine wassergekühlte Reaktionswand aus rostfreiem Stahl beschrieben. Bei einer Vorrichtung nach der US-Patentschrift 3 424 629 wird eine undurchlässige Reaktionswand aus Quarz verwendet. Weiterhin sind auch bereits mehrere Heizmöglichkeiten, wie beispielsweise Hochfrequenzheizung, Induktionsheizung, Infrarot-Heizung und Ultraviolett-Heizung bekannt geworden. Derartige Ausführungsformen sind beispielsweise in den US-Patentschriften 3 338 209, 3 659 552, 3 623 712 und 3 200 018 beschrieben. Die US-Patentschrift 3 645 230 beschreibt; einen zylindrischen Suszeptor aus Graphit, mit einem zentral angeordneten Heizer.
Bei bisher bekannten Vorrichtungen zur chemischen Abscheidung von. epitaktischen Schichten auf Halbleitersubstraten besteht immer noch das Problem der Verschmutzung durch Restpartikel aus Silziumdioxyd. Diese Partikel aus Siliziumdioxyd sind ein Nebenprodukt der Reaktion von SiH^, und Op. Dabei ist die freie Kieselerde im Gasstrom suspendiert. Um die Partikel in Bewegung zu halten, ist ein sehr starker Strom aus Verdünndungsgas und Hauptgas erforderlich. Zu diesem Zweck wird die Reaktion auf ;ien Obaflächen der Halbleiter-Substrate derart gesteuert, daß die maximal mögliche Menge an SiH^ vor der Bildung der freien Kieselerde zu den heißen
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Substratoberflächen gebracht wird.
Ein weiteres Problem bei bisher bekannten Vorrichtungen zur chemischen Abscheidung von epitaktischen Schichten auf Halbleitersubstraten besteht in durch Partikel hervorgerufenen Ausfällen. In diesem Zusammenhang spielt der Molekülprozentsatz in bezug auf die Oberflächengröße eine Rolle. Sind die Partikel einmal auf den Oberflächen der Halbleitersubstrate abgeschieden, so bilden sie auf den auf diesen Oberflächen befindlichen epitaktischen Schichten Spitzen. Dadurch wird der ausnutzbare Bereich auf dem Substrat reduziert. Weitere Verfahrensschritte bei. der Herstellung von Halbleiteranordnungen, wie beispielsweise Maskierungsverfahren v/erden damit beispielsweise hinsichtlich der Ausbeute nachteilig beeinflußt.
Bei bisher bekannten Vorrichtungen zur Abscheidung von epitaktischen Schichten auf Halbleitersubstraten sind auch strömungslose Grenzbereiche, beispielsweise an den Wänden, an Ecken und an erhabenen Kanten des Suszeptors vorhanden. Diese Effekte können zu Stauerscheinungen im dynamischen Gasstrom führen, was wiederum eine ungleichförmige Abscheidung auf den Halbleitersubstraten zur Folge hat.
Schließlich führen Verschmutzungen und die reine Mischung der Gase zur Bildung von sogenannten "pin holes" in der eptitaktischen Schicht.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung der in Rede stehenden Art anzugeben, bei der die Mischung im Gasstrom besser ist, bei der die thermische Energie wirksamer ausgenützt wird und bei der das erforderliche Gasvolumen geringer ist, um eine gewünschte chemische epitaktische Abscheidung auf den Halbleitersubstraten zu erreichen.
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Die Vorrichtung soll dabei weiterhin eine bessere Steuerung des Massentransports, eine Erhöhung der Produktionskapazität und einen wirtschaftlicheren Betrieb möglich machen.
Insbesondere soll dabei die Bildung von Partikeln aus freier Kieselerde dadurch so klein wie möglich gehalten v/erden, daß eine Mischung der Reaktionsgase mit Sauerstoff solange verhindert wird, bis sie mit der geheizten Oberfläche der Substrate in Kontakt treten; danach soll eine maximale molekulare Mischung der Reaktionsgase mit Sauerstoff erfolgen, wenn ein in Kontakttreten mit der geheizten Oberfläche der Substrate stattfindet.
Diese Aufgabe wird bei einer Vorrichtung der eingangs genannten Art erfindungsgemäß durch folgende Merkmale gelöst: eine in der Kammer vorgesehene, im Strömungsweg von Trägergas und Verdünnungsgas angeordnete poröse Wand zur Mischung dieser zum Suszeptor strömenden Gase und durch eine Mischung von Trägergas, Verdünndungsgas und Reaktionsgas zur Bildung des mit den freiliegenden Flächen der Substrate in Kontakt tretenden Gasgemisches.
Die zur Mischung von Trägergas und Verdünndungsgas vorgesehene poröse Wand ist dabei gemäß einem besonderen Merkmal der Erfindung gewellt.
iDrägergas und Verdünntingsgas treten dabei unter Bildung eines sehr gleichförmigen Gasstroms in vollkommen gemischtem Zustand durch diese gewählte poröse Wand. Die molekulare Mischung und die Steuerung von Grenzschichteffekten werden durch die poröse Wand verbessert. Wenn Trägergas und Verdünnungsgas vollkommen gemischt sind und in einem sehr gleichförmigen Strom fließen, so sind Grenzschichteffekte, welche die Strömungsdynamik beeinflussen und zu
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nicht gleichförmigen Abscheidebedingungen führen, reduziert.
Nachdem Trägergas und Verdünndungsgas durch die poröse Wand getreten und gemischt sind, gelangen sie mit dem Reaktionsgas in Verbindung. Das Reaktionsgas wird dabei durch Öffnungen eingebracht, welche sich in den Bereichen maximaler, radial nach außen gerichteter Amplitude der gewählten porösen Wand befinden. Auf diese V/eise wird die Mischung von Trägergas, Verdünndungsgas und Reaktionsgas sowie die Steuerung der dynamischen Gasströmung verbessert.
Darüber hinaus wird bei der erfindungsgemäßen Vorrichtung der dynamische Gasstrom auch hinsichtlich des aus ihr austretenden Abgases und des Injektionsdrucks im Abgasbereich " verbessert. __ ._-,
Die Erfindung wird im folgenden anhand eines in den Figuren der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiels näher erläutert. Es zeigt:
Fig. Λ einen Aufriß einer erfindungsgemäßen Vorrichtung in teilweise weggebrochener Darstellung, um auch das Innere dieser Vorrichtung sichtbar zu machen;
Fig. 2 eine ebene Ansicht der Vorrichtung nach Mg. % in teilweise weggebrochener Darstellung, um wiederum innere Teile sichtbar zu machen;
Fig. 3 eine ebene Teilansicht der gewsLlten porösen Wand sowie der Hauptwand der Vorrichtung nach den Fig. · 1 und 2 mit vertikal ausgerichteten öffnungen zur Einbringung von Reaktionsgas; und
Fig. 4- ein axiales Schnittbild des Heizers, der geveLlten
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porösen Wand, und der Hauptwand und den vertikal ausgerichteten öffnungen zur Einbringung von Reaktionsgas der' Vorrichtung nach den Figuren 1 und 2, wobei aus Übersichtlichkeitsgründen bestimmte Teile nicht dargestellt sind.
Die Figuren 1 und 2 zeigen eine erfindungsgemäße Vorrichtung 10 zur chemischen Abscheidung von epitaktischen Schichten auf Halbleitersubstraten. Diese Vorrichtung 10 besitzt einen, geeigneten Heizer 15· Bei einer bevorzugten Ausführungsform ist dieser Heizer 15 als Infrarotstrahlungsheizer ausgebildet wobei rohrfönnige Wolfram-Quarz-Strahlungslampen Verwendung finden, deren Heizfäden parallel zur vertikalen Achse der Vorrichtung ausgerichtet sind. Derartige Heizer werden beispielsweise durch die Sesearch Inc. of Minneapolis, Minnesota unter der Typentezzeichnung SA 4926 und SA 4927 vertrieben. In der Vorrichtung 10 ist der Heizer 15 als Kern in der vertikalen Achse fest angeordnet· .
Ein Heizer der vorgenannten Art besitzt einen Auslaßstutzen 16 für heiße Luft, einen Einlaßstutzen 17 für Kühlluft, einen Einlaßstutzen 18 für Kühlwasser, einen "Auslaßstutzen 19 für Kühlwasser sowie Anschlüsse 20 zur Stromversorgung. Verfahren zu Kühlung der Vorrichtung 10 mittels Wasser und Luft sind an sich bekannt. Beispielsweise kann an Stellen, an denen in der Vorrichtung 10 die größte Wärme entsteht, Kühlwasser durch rohrförmige Ringe 22 geleitet werden. Die Heizlampen sind von einem transparentem Quarzrohr 21 umgeben. Die Deck- und Grundplatte des Heizers bestehen aus rostfreiem Stahl. Das Quarzrohr 21 verhindert in an sich bekannter Weise das Eintreten von Kieselerde in den Heizer 15 und bildet weiterhin ein Gehäuse zur Trennung von Kühlluft und Kühlwasser vom Strom des Eeaktionsgasgemisches. Für die von den Infrarotlampen des Heizers 15 ausgehende
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Infrarotstrahlung ist das Quarzrohr 21 durchlässig. Zur Reinigung durch chemische Ätzung wird das Quarzrohr 21 in regelmäßigen Abständen ausgebaut und danach wieder eingebaut. Die Wolfram-Quarz-Joditlampen des Heizers 15 strahlen bei einer .Wellenlänge von etwa 0,8 bis Ί,2 Mikrometer. Ein weiteres Beispiel für einen derartigen an sich bekanten Heizer ist ein durch Hugo -N. Cahnman Associates, Inc. of.Kew Gardens,-New York vertriebener Infrarot-Strahlungsheizer, bei dem in einer transparenten rohrförmigen Außenwand aus Quarz Halterungsformen aus Hitzebeständigem Material in Form von Wiederstandsdraht-Wicklungen vorgesehen sind.
Der Heizer 15 ist konzentrisch von einem drehbaren, zylindrisch geformten strahlungsundurchlässigen Suszeptor
30 umgeben, welcher bei der hier beschriebenen bevorzugten Ausführungsform aus Graphit hergestellt ist. Wie die Figuren 1 und 2 zeigen, wird der Suszeptor 30 durch axial angeordnete Montageplatten 31 aus Graphit oder einem anderen strahlungsundurchlässigen Material gebildet. In diesen Montageplatten
31 sind Ausnehmungen bzw. Taschen 32. vorgesehen, in welche die Halbleitersubstrate eingesetzt werden. Die Hinterseite der Platten 31» welche den Suszeptor 30 bilden, ist relativ glatt und natürlich aus strahlungsundurchlässigem Material hergestellt, so daß diese Platten als Wärmeabsorber wirken. Die die Substrate .tragenden Platten 31 sind dir ch Schlitze 33 getrennt. In noch näher zu beschreibender Weise strömt Trägergas und Verdünndungsgas von der Hauptseite (die Seite an der Außenwand des Suszeptors 30) durch die Schlitze 33 zwischen den vertikalen Substrathalterungsplatten 31 in einen Bereich negativen Drucks und sodann abwärts in eine Auäaßleitung 40. Der im folgenden noch genauer zu beschreibende BeELCh negativen Drucks liegt auf der Heizerseite (auf der Seite der Innenwand des Suszeptors 30) der vertikal
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angeordneten Substrathalterungsplatten 31· Auf der Innenseite des Suszeptors 30 besteht ein negativer Gasdruck. Mittels Schraubbolzen 34- und Befestigungselementen 35 an den Enden dieser Platten 31 sind diese einzeln ausbaubar. Ein Klemmring 36 drückt die Halterungsplatten 31 gegen einen Bodenlagering 37 und die obere Abdeckung 38. Um eine Halterungsplatte 31 zu ersetzen, werden der Klemmring 36 unäein Befestigungselement 35 entfernt, wodurch die Platte entnommen werden kann. Nach dem Einsetzen einer neuen Platte werden das Befestigungselement 35 und der Klemmring 36 erneut eingesetzt. Ein Befestigungselement 39 hält den Klemmring 36 gegen den Lagering 37·
Um den zylindrischen Suszeptor 30 oberhalb der ihm und dem Heizer 15 gemeinsamen Achse in Rotation zu versetzen, wird eine Antriebswelle 41 durch einen Antriebsmotor und ein Zahnradgetriebe (nicht dargestellt) angetrieben. An der Antriebswelle 41 ist eine Adapter-Antriebsplatte 42 drehbar befestigt, an der wiederum die Abdeckplatte 38 drehbar befestigt ist. Die rotierende Abdeckplatte 38 ist durch eine Platte 44 gehaltert und drehbar in dnem Dichtringlager 45 gelagert. Wie Fig. 1 zeigt, ist der Suszeptor 30 durch die Befestigungselemente 35 an der rotierenden Abdeckplatte 38 befestigt, so daß er mit dieser rotiert. Zwischen der Platte 44 und dem Hauptteil der Vorrichtung sind Dichtungen 46 vorgesehen. Die Dichtringlager sind aus Teflon mit Glaseinlage, Graphit oder mechanischem Filz hergestellt^ um die Reaktionskammer zur Vermeidung von Verschmutzungen abzudichten. Auch die Dichtungen 46 sind aus mechanischem Filz oder Silikonkautschuk hergestellt, um die Reaktionskammer zur Vermeidung von Verschmutzungen abzudichten. Die Ringe 22 schützen die Dichtungen 45 und 46 durch Ableitung gegenÜberhitzung.
Das untere Ende des Suszeptors 30 ist durch den Lagerring
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und eine stationäre Bodenplatte 51 drehbar gelagert, wobei die Platte 51 durch ein an einer Platte 52 befestigtes Winkelstück 50 gehaltert wird. Zwischen den Platten 52 und 37 sind Lagerringe 53 vorgesehen, welche über einen Wasserkühlring 54 in der Basis der Platte 51 gekühlt v/erden. Auf der Platte 52 sind Lagerstreifen 5^' und Radialdichtungen 55 zur Halterung der Hauptkammern beim Öffnen und Schließen und .zur Dichtung des Reaktors gegen die Atmosphäre vorgesehen. Die Bodenplatte des Heizers 15 ist ebenfalls an der Platte 44 befestigt.
In der vorstehend beschriebenen Vorrichtung ist erfindungsgemäß eine gewellte poröse Wand 60 vorgesehen. Diese gewellte poröse Reaktionswand 60 ist beispielsweise aus gesintertem rostfreiem Stahl hergestellt und in Radialrichtung außerhalb des zylindrischen-Suszeptors 30 angeordnet. Ihre Achse fällt mit der Achse des zylindrischen Suszeptors 30 und der des Heizers 15 zusammen.- Die Porosität der Wand 60 liegt im Bereich von zwei bis 100 Mikrometer in Abhängig-' keit von der geforderten Strömungscharakteristik und der Strömungsgeschwindigkeit des Gases durch diese Wand, welche Mikrofilter-Eigenschaften besitzt. Weiterhin wird die Wand auch hinsichtlich eines optimalen Strömungsdruckes und einer otpimalen Strömungsgeschwindigkeit dimensioniert. Die Welligkeit der Wand 70 verläuft längs ihres Umfangs. Trägergas und Verdünnungsgas, beispielsweise eine Mischung
aus stoff und Sauerstoff werden unter gleichförmigem Druck in einer Hauptkammer 61 eingeleitet, von der aus sie durch die gewellte poröse Wand 60 strömen. Die aus der porösen Reaktionswand 60 austretenden Träger- und Verdünnungsgase sind aufgrund der Mikro-Filtereigenschaften dieser Wand und aufgrund des regellosen Druchtrittes durch diese Wand ' vollständig gemischt. Darüber hinaus bewirkt die gewellte poröse Wand 60 aufgrund des gesteuerten Gegendrucks in der
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Hauptkammer 61 einen sehr gleichförmigen Gasstrom. Grenzschichteffekte sind daher praktisch nicht vorhanden. Die gewellte poröse Wand 60 ist sowohl an ihrer Ober- und Unterseite als auch an den" Endplatten abgedichtet. Dies kann beispielsweise durch Schweißen, einen hitzebeständigen Klebstoff oder ähnliches erfolgen.
Durch vertikal ausgerichtete Öffnungen 65 im Bereich der maximalen, radial nach außen gerichteten Amplitude -62 der gewellten porösen Wand 60 wird Reaktionsgas eingeleitet. Stattdessen kann auch ein nicht dargestelltes poröses. Rohr verwendet werden. Die. Lage der Öffnungen 62 ist vorzugsweise so gewählt, daß eine maximale molekulare Mischung des Reaktionsgases und des Sauerstoffs im Trägerstrom stattfindet. Typische Reaktronsgase sind.beispielsweise Silan Phosphen und Diboran. Im Bereich jeweils einer axialen Linie radial nach außen gerichteter Maximai-Amplituden 62 ist eine axiale Linie von vertikal zueinander ausgerichteten öffnungen 65 vorgesehen. Jede vertikale Linie von Öffnungen 65 liegt in einem Itektionsgas-Hohrkrümmer 64, welcher axial ausgerichtet ist. Die öffnungen 65 sind dabei nur auf die gewellte poröse Wand 60 gerichtet. Nachdem Trägergas und Verdünnungsgas durch die gewellte poröse Wand 60 durchgetreten sind, treten sie im Bereich der maximalen Amplituden 62 mit dem aus den öffnungen 65 austretenden Reaktionsgas in Verbindung. Dadurch ist eine ausgezeichnete Mischung und eine gute Steuerung des dynamisches Gasflusses möglich. Zur Zuführung des Reaktionsgases in die Rohrkrümmer 64 sind Reaktionsgas-Rohrkrümmer 65 vorgesehen.
Die Substrate sind so auf dem Suszeptor 50 angeordnet, daß sich ihre freiliegenden Oberflächen in einem solchen Abstand von der porösen Wand 60 befinden (Fig. 5)* daß eine gleichföraige Abscheidung der epitaktischen Schicht ohne
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"pin holes" oder Partikelverschmutzung ergibt.
Radial außerhalb der gewellten porösen Wand 60 befindet sich eine Hauptv/and 70, welche starr und nach allen Seiten abgedichtet ist. Diese Hauptwand 70 bildet die Kauptkammer 61. Bei der dargestellten Ausführungsform besteht diese Hauptwand 70 aus Aluminium. Trägergas und Verdünnungsgas werden durch idnlaßstutzen 71. und Öffnungen 7^ in die Hauptkammer 61 eingeleitet, damit sie durch die gewellte poröse Wand 60 treten können. Die Einlaßstutzen 71 befinden sich sowohl an der Oberseite als auch an der Unterseite der Hauptwand 70. Sowohl die oberen als auch die unteren Einlaßstutzen 71 befinden sich in einem Abstand von 180°. Durch Einlaßstutzen 73 wird Reaktionsgas in die Hauptkammer 61 eingeleitet. Dabei sind drei obere und drei untere Einlaßstutzen 73 im Abstand von 120° vorgesehen. Diese Einlaßstutzen 73 stehen mit dem Reaktionsgas-Rohrkrümmer 65 in Verbindung.
Trägergas und Verdünnungsgas treten an Stellen durch die gewellte poröse Wand 60, an denen das Reaktionsgas aus den öffnungen 63 austritt. Durch die Mischung dieser Gase wird ein Gasstrom gebildet, welcher mit den freiliegenden Oberflächen der Substrate auf dem rotierenden Suszeptor 30 in Kontakt tritt. Der Gasstrom ist dabei linear. Der rotierende Suszeptor 30 wird auf eine vorgegebene Temperatur aufgeheizt. Infolgedessen wird auf den freiliegenden Oberflächen der Substrate eine epitaktische Schicht abgeschieden. Die freiliegenden Oberflächen der Substrate stehen senkrecht zum Gasstrom aus der Mischung von Trägergas, Verdünnungsgas und Reaktionsgas. Die freiliegenden Oberflächen dar Substrate befinden sich in einem Abstand von etwa 0,315 bis 0,954 cm von den öffnungen 63.
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Abgase der Vorrichtung 10 werden durch Schlitze 33 im Suszeptor 30 in eine Abgaskammer 80 geleitet. Die in dieser Abgaskammer 80 befindlichen Abgase v/erden durch einen Abgasstutzen 40 gezogen. In der Abgaskammer 80 ist ein negativer Druck vorhanden. Der Gasstrom der Mischung aus Trägergas, Verdünnungsgas und Reaktionsgas tritt durch die Schlitze 35 im Suszeptor pO in den Bereich negativen Drucks auf der Keizerseite undwird in den Stutzen 40 gezogen. Ein durch Differenzdrusk gesteuerter Dämpfer 85 steuert den Abgasstrom durch den Abgasstutzen 40. Der Dämpfer kann in an sich bekannter Weise durch einen Motor angetrieben werden. Die Steuerung des Abgasstroms durch den Abgasstutzen 40 und den negativen Druck in der Abgaskammer 80 ermöglicht eine weitere Beeinflussung des dynamischen Gasflusses.
Zur Steuerung des zum Suszeptor strömenden Reaktionsgases 30 sind durch Gas betätigte, doppelt wirkende Zylinder vorgesehen. Speziell sind dabei vier deraüge Zylinder vorhanden. Ein in diesen Zylindern vorhandener Kolben öffnet und schließt die Hauptkammeranordnung.
Anstelle eines um eine vertikale Achse rotierenden Suszeptors kann in der erfindungsgemäßen Vorrichtung auch ein sich längs eines horizontalen Weges oder in einer horizontalen Ebene bewegender Suszeptor vorgesehen werden.
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Claims (5)

Patentansprüche
1. Vorrichtung zur Abscheidung von epitaktischen Schichten auf Halbleitersubstraten durch chemisches Abscheidenaus der Gasphase, wobei Reaktionsgas sowie Trägergas und Verdünnungsgas über freiliegende flächen der Substrate geleitet werden, mit einer eine Kammer bildenden Außenwand, einem in der Kammer angeordneten, die Substrate aufnehmenden Suszeptor und mit einem Heizer zur Aufheizung des Suszeptors und Abscheidung der epitaktischen Schichten auf den Substraten aus einem mit deren, freiliegenden Flächen in Kontakt tretenden Gasgemisch, gekennzeichnet durch eine in der Kammer (61) -vorgesehene, im Strömungsweg von Trägergas und Verdünnungsgas angeordnete poröse Wand (60) zur Mischung dieser zum Suszeptor (30) strömenden Gase und durch eine Mischung von Trägergas, Verdünnungsgas und Reaktionsgas zur Bildung des mit den freiliegenden Flächen der Substrate in Kontakt tretenden Gasgemisches.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1,' dadurch gekennzeichnet, daß die poröse Wand (60) gewellt ist.
3· Vorrichtung nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß in den Bereichen maximaler Amplitude der gewellten porösen Wand (60) Öffnungen (63) zum Einlaß von Reaktionsgas zwecks Mischung mit Trägergas und Verdünnungsgas vorgesehen sind.
4. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die poröse Wand (60) als Zylinder ausgebildet ist, bei dem die Welligkeit längs seines Umfangs verläuft.
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5^ Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Suszeptor (30) als Zylinder ausgebildet ist, dessen Achse mit der Achse der porösen Wand zusammen fällt.
6. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5» gekennzeichnet durch eine Einrichtung (44,45,37?51) zur drehbaren Halterung des Suszeptors (30) und durch einen Antrieb (41,42) zur'Drehung des Suszeptors -(30) relativ zur porösen Wand (60).
7· Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Heizer (15) längs der Achse des Suszeptors (30) angeordnet ist.
8. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7» dadurch gekennzeichnet, daß der Heizer (15) durch Infrarotlampen gebildet ist.
9· Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennz eichnet, daß der Suszeptor (30) in seiner zylindrischen Außenwand Taschen (32) zur Aufnahme der Substrate aufweist und daß die Aufheizung durch den Heizer (15) an der zylindrischen Innenwand des Suszeptors (30) erfolgt.
10. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 9,dadurch gekennzeichnet, daß die den Heizer (15) bildenden Infrarotlampen in einem transparentem Quarzrohr (21) angeordnet sind.
ΛΛ. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Mischung von Trägergas, Verdünnungsgas und ^eaktionsgas zur Bilding des mit den freiliegenden.Oberflächen der Substrate in Kontakt
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tretenden Gasgemisches nach dem Durchtritt von 2rägergas und Verdünnungsgas durch die poröse Wand (60) erfolgt.
12.Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 11, gekennzeichnet durch einen durch Differenzdruck betätigten Dämpfer (85) zur Regelung des Seaktorgegendrucks in der Kammer (61), einen den.Dämpfer betätigenden Motor (M) und durch einen Differenzdruck-Erfassungsschalter zur Steuerung des Motors (M).
13.Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß der Suszeptor (30) zur Bildung eines Abgasweges Öffnungen (33) aufweist, durch die zwecks Steuerung der Entfernung von im Gasstrom suspendierten Partikeln ein einseitig gerichteter Gasstrom in der Kammer (61) erzeugt wird.
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■ eerseite
DE2423303A 1973-10-18 1974-05-14 Vorrichtung zur abscheidung von epitaktischen schichten auf halbleitersubstraten Pending DE2423303A1 (de)

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DE (1) DE2423303A1 (de)
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IT (1) IT1011349B (de)
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