DE2420394A1 - Verfahren zur herstellung eines lichtempfindlichen elements hoher empfindlichkeit - Google Patents

Verfahren zur herstellung eines lichtempfindlichen elements hoher empfindlichkeit

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Description

  • Verfahren zur Herstellung eines lichtempfindlichen Elements hoher Empfindlichkeit Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines lichtempfindlichen Elements hoher Empfindlichkeit, das mit einem Miniaturelektrodenmuster versehen ist.
  • Lichtempfindliche Elemente werden als Photoleiter, Photozellen usw. verwendet. Die Leistung eines lichtempfindlichen Elements wird durch das das Element bildende Halbleitermaterial und durch die Empfindlichkeit des daran angeschlossenen Elektrodenmusters bestimmt. Als ausgezeichnete Halbleitermaterialien haben sich Chalkogenelemente eingeführt. Diese Halbleiterelemente unterliegen jedoch dem Angriff durch Chemikalien, und es gibt noch einige technische Probleme zu lösen hinsichtlich der Herstellung lichtempfindlicher. Elemente, insbesondere der Bildung der darin befindlichen Elektroden. Ein auf der Elementmaterialschicht eines Chalkogenelement-Halbleiters zu bildendes Elektrodenmuster muß sehr klein und im Hinblick auf die Verbesserung der Leistung des lichtempfindlichen Elements so empfindlich wie möglich sein.
  • Außerdem darf die Elementmaterialschicht während der Bildung des Eiektrodeniusters nicht beschädigt oder zerstört werden. Beispielsweise verwendet ein typisches, bisher zur Herstellung von Miniaturelektrodenmustern verwendetes Verfahren eine Metallmaske, wie in den Fig. 1 bis 4 der beiliegenden Zeichnung erläutert ist. Ein anderes typisches Verfahren verwendet photoempfindliches Harzmaterial, wLe in den Fig. 5 bis 9 dargestellt ist. Die Bildung von Miniaturelektrodenmustern nach diesen Verfahren konnte jedoch bei der Herstellung lichtempfindlicher Elemente unter Verwendung von Chalkogen-Halbleitern nicht befriedigen.
  • Bei den früheren Verfahren unter Verwendung einer Metallmaske wurde ein Basismaterial aus einem Substrat 1 und einer Elementmaterialschicht 2 (Fig. 1) hergestellt, eine Metallmaske 3 wurde in dichten Kontakt mit dem Basismaterial (Fig. 2) gebracht, und dann wurde ein Elektroden bildendes Metall unter Bildung einer Metallschicht 4 (Fig. 3) auf die Maske aufgedampft, worauf die Metallmaske entfernt wurde und ein Elektrodenmuster geschaffen war, wie in Fig. 4 dargestellt ist. Diese Methode ist wegen ihres einfachen Herstellungsverfahrens industriell geeignet. Man stößt mit ihr aber aus den folgenden Gründen auf große Schwierigkeiten bei der Herstellung von Miniaturelektrodenmustern mit einem Abstand zwischen den Elektroden von 0,15 mi.
  • Das die Metallmaske bildende Material und die erforderliche Dicke der Platte zwin#n zu Begrenzungen der Musterdichte der Metallmaske selbst; ein ideal vollkommener, dichter Kontakt zwischen der Metallmaske und dem Basismaterial ist praktisch schwierig zu erhalten, so daß bei der Metallverdampfung etwas verdampftes Metall von der Seite zwischen die Metallmaske und das Basismaterial gelangt und so die Genauigkeit des Elektrodenmusters verringert.
  • Außerdem verringert das auf der Metallmaske abgeschiedene Metall die Wiederverwendbarkeit der Metallmaske.
  • Bei dem letzteren Verfahren unter Verwendung eines Photowiderstandes wird entsprechend den Fig. s bis 9 ein Metall zur Bildung eines Elektrodenmusters auf ein Basismaterial 11 aus lediglich einem Elementmaterial aufgedampft, um so eine Metallschicht 12 (Fig. 5) zu bilden. Weiter wird eine Schicht eines lichtempfindlichen Harzes 13 auf die Metallschicht (Fig. 6) gebracht, worauf eine musterartige Belichtung erfolgt und die unbelichteten (oder belichteten) Bereiche unter Bildung eines lichtempfindlichen Harzmusters (Fig. 7) durch ein Lösungsmittel entfernt werden. Anschließend wird die Metallschicht an den belichteten Stellen durch Ätzen (Fig. 8) entfernt, worauf das lichtempfindliche Harzmuster unter Bildung eines Elektrodenmusters (Fig. 9) entfernt wird. Die Methode mit dem photoempfindlichen Harz verwendet keine Metallmaske und vermeidet die Beeinträchtigung der Genauigkeit des Musters, die bei der Verwendung einer Metallmaske entsteht. Durch die zum Ätzen der Metallschicht verwendete starke Säure oder Alkalilauge und die wenig flexiblen Ätzbedingungen wird oft das Elementmaterial geschädigt oder deren elektrische Eigenschaften verändert. Diese Methode kann nicht angewandt werden, wenn das Elementmaterial Chalkogen-Halbleiter, wie CdS, CdSe, CdTe, SeTe oder dgl. war, da diese Materialien durch die Ätzflüssigkeit eine Zersetzung oder Reaktion erfahren.
  • Die vorliegende Erfindung ist gerichtet auf die Bildung eines lichtempfindlichen Elements unter Verwendung eines Chalkogen-Halbleiters und schafft ein Verfahren zur Herstellung eines lichtempfindlichen Elements hoher Empfindlichkeit, das mit einem Miniaturelektrodenmuster versehen ist.
  • Das erfindungsgemäße Verfahren besteht darin, daß man auf einer Elementmaterialschicht ein photoempfindliches Harzmuster bildet, auf das photoempfindliche Harzmuster eine Metallschicht aufbringt und dann das photoempfindliche Harzmuster unter Bildung des Miniaturelektrodenmusters entfernt.
  • Die Erfindung wird aus der folgenden detaillierten Beschreibung in Verbindung mit der Zeichnung deutlich.
  • Die Fig. bis 4 zeigen die Aufeinanderfolge der Arbeitsgänge bei einem Verfahren zur Bildung eines Metallmusters.
  • Die Fig. 5 bis 9 zeigen die Aufeinanderfolge von Arbeitsgängen bei einem anderen Verfahren zur Herstellung eines Metallmusters.
  • Die Fig. 10 bis 14 zeigen die Aufeinanderfolge von Arbeitsgängen bei dem erfindungsgemäßen Verfahren.
  • Die Fig. 15 ist eine graphische Darstellung, welche die Eigenschaft des erfindungsgemäß hergestellten Photoleiterelements erläutert.
  • Auf die Fig. 1 bis 9 der Zeichnung wurde bereits Bezug genommen. In den Fig. 10 bis 14 ist das erfindungsgemäße Verfahren erläutert. Ein Basismaterial aus einem Substrat 21. und einer Elementmaterialschicht 22 (Fig. 10). Eine photoempfindliche Harzschicht 23 wird auf das Basismaterial (Fig. 11) aufgebracht. Dann erfolgt eine mustermäßige Belichtung, und die unbelichteten (oder belichteten) Stellen werden durch Behandlung mit einem vorbestiunten organischen Lösungsmittel entfernt, wodurch eine photoempfindliches Harzmuster (Fig. 12) gebildet wird. #nschließend wird zur Bildung eines Metallmusters ein Metall im Vakuum aufgedampft und dabei eine Metallschicht 24 (Fig. 13) gebildet. Anschließend folgt eine Behandlung mit einem organischen Lösungsmittel, um das photoempfindliche Harzmuster zu entfernen, wobei dann ein Miniaturelektrodenmuster gebildet wird, wie es in Fig.
  • 14 gezeigt ist. Das Verfahren zur Oberführung des in Fig. 13'gezeigten Zustandes in den in #ig. 14 gezeigten Zustand durch Behandlung Mit einem organischen Lösungsmittel kann wie folgt erklärt werden: Die durch Aufdampfen gebildete Metallschicht hat gewöhnlich viele Fehlerstellen, und bei der Behandlung mit dem organischen Lösungsmittel dringt dieses durch diese Fehlerstellen der Metallschicht und schmilzt und entfernt das photoempfindliche Harzmuster, wobei gleichzeitig die das Muster bedeckende Metallschicht zusammen mit dem Muster abgelöst wird Auf diese Weise wird ein Elektrodenmuster gebildet, wie es in Fig. 14 zu sehen ist.
  • Die vorliegende Erfindung arbeitet ohne Metallmaske und ist frei von den vorgenannten Nachteilen, die sich bei Verwendung einer Metallmaske ergeben.-Ferner werden zur Bildung des Metallmusters erfindungsgemäß keine starke Säure oder Alkalibase eingesetzt, so daß das Elementmaterial in keiner Weise schadhaft wird.
  • Die Erfindung läßt sich in sehr wirksamer Weise auf viele verschiedene Elementmaterialien anwenden, wie z.B. CdS, CdSe, CdTe, SeTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe usw.
  • Das Verfahren der Erfindung gestattet die Herstellung eines- Miniaturelektrodenmusters mit einem Zwischenelektrodenabstand in der Größenordnung von 0,01 bis 0,1 mm. Die Eigenschaft eines solchen Miniaturelektrodenmusteys wird nun an einem Photoleiter beschrieben. Die Empfindlichkeit des Photoleiters ist umgekehrt proportional dem Quadrat des Zwischenelektrodeüabstandes.
  • Aus diesem Grunde hat der erfindungemäß vorgesehene Photoleiter eine Empfindlichkeit, die gegenüber dem herkömmlichen Photoleiter um das zwei- bis zweihunderfache verbessert ist. In der Vergangenheit versuchte man eine Steigerung der Empfindlichkeit nur durch Vergrößerung der lichtaufnehmenden Fläche. Demgegenüber führt die Bildung eines kleineren Elektrodenmusters nach der vorliegende#n Erfindung zu einer Verringerung der lichtempfindlichen Fläche und demgemäß zu einer Verkleinerung des Elements.
  • Außerdem gingen die Arbeiten zur Verringerung des Widerstandswertes je lux bisher dahin, daß man die dem Kadmiumsulfid zugesetzte Menge an Cl, Cu, Ag oder dgl. variierte. Dies hatte oft Änderungen - im - #-Wert, der Spektralempfindlichkeit, der Ansprechempfindlichkeit und dem Temperaturverhalten des resultierunden Elements zur Folge, während die erfindungsgemäße Methode die Lichtempfindlichkeit alleine durch Verringerung des Zwischenelektrodenabstandes ohne Änderung der Menge der dem Photoleiter zugesetzten Verunreinigung verbessern kann.
  • Nach dem erfindungsgemäßen Verfahren kann nicht nur das Elektrodenmuster sehr klein ausgeführt werden, sondern es kann auch der Zwischenelektrodenabstand sehr genau ausgeführt werden, so daß die bei der Lichtempfindlichkeit des Elements auftretende Unregelmäßigkeit in Vergleich zu üblichen Verfahren verringert wird. Bei dem üblichen Verfahren litt die Metallmaske selbst an einer gewissen unregelmäßigen Genauigkeit der Dimension ihres Abstandes während der Photoätzung. Oder das auf der Metallmaske während deren wiederholter Benutzung abgeschiedene Material verursachte unregelmäßige Abstände die ihrerseits zu einer Ungleichförmigkeit des auf der Photoleiteroberfläche gebildeten Zwischenelektrodenabstands und damit zu einer unregelmäßigen Lichtempfindlichkeit des Elements führte.
  • Ein anderes Merkmal des vorliegenden Verfahrens besteht darin, daß es leicht auf solche herkömmlichen Elemente anwendbar ist, in denen die Fläche der Photoleiteroberfläche zu klein ist als daß man eine Metallmaske in dichten Kontakt mit der Photoleiteroberfläche bringen kann. Außerdem ist die Erfindung auch anwendbar auf die Elemente, in denen das Gebiet der Photoleiteroberfläche sehr groß ist, auf die Elemente, in denen die den Photoleiter haltende Basis eine große Dicke hat, oder jene Elemente, in denen der Photoleiter eine spezielle Form hat, etwa ein langer Streifen, Sektor oder dgl. ist.
  • Ein photoempfindliches Harz ist ein Harz, das bei mustermäßiger Belichtung die Eigenschaft der belichteten Bereiche verändert, so daß diese in einem vorgeschriebenen Lösungsmittel unlöslich oder löslich werden oder aber durch ein vorgeschriebenes Lösungsmittel oder eine mechanische Behandlung (d.h. Abblättern durch Klebeband oder Reibung) leicht oder schwierig abblätterbar werden. Das photoempfindliche Harz wird üblicherweise als Photowiderstand bezeichnet. Eine Schicht des photoempfindlichen Harzes kann gewöhnlich durch eine Tauchschleuder, Aufsprühen, Siebdruck oder Messerbeschichtung gebildet werden.
  • Verschiedene Arten photoempfindlicher Harze sind im Handel erhältlich, und alle von ihnen können verwendet werden. Typische photoempfindliche Harze sind KPR (-Kodak Photo Resist), KMER (Kodak Metal Ethyl Resist), TPR (Tokyo Oyokagaku Photo Resist), SHIPLEY AZ 1350 (Produkt of Shipley Co.), KTFR (Kodak Thilo Film Resist), EPPR (Produkt der Tokyo Oka Kogyo), Liston Film (Produkt der DuPont), und Laminar Film (Produkt der Dyna Chemical).
  • Ein besonderes geeignetes photoempfindliches Harz ist das, welches hauptsächlich aus Akrylpolymer, Alkrylmonomer und Starter für die Photopolymerisation besteht.
  • Das üblichste photoempfindliche Harz ist das, dessen belichtete Teile in einem vorgeschriebenen Lb#sungsmittel unlöslich werden, so daß sich ein negatives Harzbild ergibt. Das verwendete Lösungsmittel bestimmt sich nach der Art des verwendeten photoempfindlichen Harzes. Die folgenden organischen Lösungsmittel werden verhältnismäßig häufig verwendet: Trichlene, Methylchlorid, -AZ-Entferner (Handelsname des Produktes der Shipley Co.) Chlorothene (Handelname des 1,1,1-Trichloräthans der Dow Chemical Co.), par-chloräthylen, Xylol und Toluol. Bei einigen photoempfindlichen Harzen werden ihre belichteten Bereiche in einem vorgeschrfebenen Lösungsmittel löslich. Natürlich sind solche photoempfindlichen Harze ebenfalls bei der vorliegenden Erfindung brauchbar. Ein typisches, im Handel erhältliches photoempfindliches Harz dieser Art ist AZ 1350 (Produkt der Shipley Co.).
  • Dieses empfindliche Harz wird nach mustermäßiger Belichtung in einem bestimmten Lösungsmittel löslich und wird unter Bildung eines positiven Musters entfernt. Die Art des verwendeten Lösungsmittels hangt von der Art des photoenipfindlichen Harzes ab. Gewöhnlich sind Alkalien, Wasser oder Alkohol die gebräuchlichsten Lösungsmittel. Die Schicht des photoempfindlichen Harzes kann bis auf eine Dicke von 10 bis 30 P abgebunden sein, insbesondere bis auf eine Dicke von 5 bis 10 >i, um ein sehr kleines Elektrodenmuster zu schaffen. Das zur Bildung der Metallschicht verwendete Metall ist meistens Sn, In, Ag, Au, Al, Cu oder dgl.
  • Die Verdampfung des Metalls kann durch übliche Vakuumverdampfung erfolgen . Die Dicke der Metallschicht kann gewöhnlich 0,2 bis #1-, insbsondere 0,2 bis 0,4 P betragen.
  • Nachdem eine Metallschicht auf dem photoempfindlichen Harzmuster gebildet wurde, wird-ein organisches Lösungsmittel angewandt, um das photoempfindliche Harzmuster zu entfernen. Das organische Lösungsmittel kann in geeigneter Weise entsprechend der Art des photoempfindlichen Harzes ausgewählt werden. Die Behandlung mit dem organischen Lösungsmittel erfolgt gewöhnlich durc#h Eintauchen. Um die Wirksamkeit der Behandlung zu steigern, kann das Eintauchen erforderlichenfalls unter Erhitzung oder Rührung erfolgen. Die Art des organischen Lösungsmittels hängt von der Art und der chemischen Struktur des photoempfindlichen Harzes ab und kann nicht beschrieben werden. Einige verfügbare Kombinationen aus photoempfindlichem Harz und geeignetem organischem Lösungsmittel sind nachfolgend angegeben.
    Photoempfindliches Harz (Handelsname) geeignetes organisches
    Lösungsmittel
    KPR (Produkt der Kodak) Entwickler für KPR
    OMR (Produkt der Tokyo Oka) Entwickler für OMR
    KMER (Produkt der Tokyo Oka) Trichlene
    Da das photoempfindliche Harz selbst farblos und durchsich#ig ist, kann ihm ein Farbstoff, wie Kristallviolett, Malachitgrün, Rhodamin oder dgl. zugesetzt werden, um die Erkennung des photoempfindlichen Harzmusters nach der Entwicklung zu erleichtern.
  • Beispiel 1 Zu CdS hoher Reinheit wurde Kupfer als Verunreinigung zugesetzt, wobei CdCl2 als Flußmittel verwendet wurde. Die Mischung wurde 30 bis 60 Minuten auf 6000C erhitzt und zu einem Pulver dispergiert. Das Pulver wurde in einer Kugelmühle 16 Stunden gemahlen. Das gemahlene Material wurde auf ein Aluminiumoxydsubstrat von 99,8t oder von hoher Reinheit in den Abmessungen 3 x 8 mm aufgesprüht und dann in einer Stickstoffatmosphäre 0 30 Minuten auf 600 C erhitzt. Auf diese Weise wurde als Photoleitermaterial ein etwa 10 P dicker gesinterter Film hergestellt.
  • Das photoempfindliche Material aus einem Akrylpolymer, Akrylmonome#r und einem Polymerisations-Starter wurde bis auf eine Dicke von 20 je auf den Photoleiterfilm aufgebracht und bei 800C 10 Minuten gebrannt.
  • Das hier verwendete photoempfindliche Harz hatte die folgende Zusammensetzung: 6,0g Polymethylmethacrylat (im Handel erhältlich von Mitsubishi Rayon unter dem Handelsnamen FR-1054), 2,0g Polyäthylenglykoldiacrylat (im Handel erhältlich von Shin-Nakamura Kagaku kogyo unter dem Handelsnamen NK ESTER A-4G) und 0,2 g Benzoinäthyläther.
  • Als Elektrodenmuster wurde ein kammförmiges Muster mit einem Zwischenelektroden-abstand von 0,05 mm und einer Elektrodenbreite von 0,1 mm verwendet, das auf eine trockene Glasplatte aufgebrannt war. (im Handel erhältlich von Kodak unter dem Handelsnamen HRP). Die Emulsionsoberfläche der trockenen Platte und die photoempfindliche kiarzoberfläche wurden übereinandergelegt und 15 Minuten mit einer Xenonlampe von 300 W aus einem Abstand von 60 cm bestrahlt. Da wurden sie in flüssigem Trichloräthan entwickelt und das photoempfindliche Harzmaterial wurde an den unbelichteten Stellen unter Bildung eines photoempfindlichen Harzmusters entfernt. Dann wurde als Elektrodenmetall Zinn im Vakuum bis auf eine Dicke von etwa 0,5 P auf die gesamte Oberfläche- des photoempfindlichen Harzmusters aufgedampft. Anschließend wurde der Körper in flüssiges Dichlormethan eingetaucht, um zu bewirken, daß das mit Zinn bedeckte photoempfindliche Harzmuster sich abziehen läßt. Auf diese Weise erhielt man einen Photoleiter mit einem auf dem Photoleiterfilm gebildeten kaiiiniförmigen Miniaturelektrodenmuster , das aus Zinn bestand und einen Zwischenelektrodenabstand von 0,05 mm und eine Elektrodenbreite von 0,1 mm aufwies.
  • In Fig. 15 bedeutet die gerade Linie 31 die Beziehung von Photowiderstand zu Belichtung bei dem nach der oben beschriebenen Ausführungsform hergestellten Photoleiter und die gerade Linie 32 die Beziehung von Photowiderstand zu Belichtung eines Photo-' leiters, der in herkömmlicher Weise hergestellt worden war, wobei man einen Photoleiter verwendete, der in Zusammensetzung und Aufbrennbedingungen mit dem durch die Linie 31 dargestellten Photoleiter identisch war, und wobei man eine Metallmaske in engen Kontakt mit dem Photoleiter brachte und unter Bildung einer kammförmigen Elektrode mit einem Zwischenelektrodenabstand von 0,2 mm Zinn im Vakuum aufdampfte.
  • Aus Fig. 15 ist zu ersehen, daß das nach der vorliegenden Erfindung hergestellte Photoleiterelement einen kleineren Zwischenelektrodenabstand hat und demgemäß auch eine kleinere Elektrodenbreite, die ihrerseits eine größere Elektrodenlänge bei gleicher Photoleiteroberfläche gestattet. Daher zeigt dieses Element einen viel geringeren Photowiderstandswert bei vorgegebener Belichtung und eine höhere Empfindlichkeit.
  • Beispiel 2 Anstelle des als Acrylpolymer in Beispiel 1 verwendeten Polymethylmethacrylats wurde Polyäthylmethacrylat verwendet. Ferner wurde anstelle des als Acrylmonomer verwendeten Polyäthylenglykoldiacrylats das Methoxypolyäthylenglykolmethacrylat eingesetzt. Es wurden die gleichen-Verfahrensstufen wie in Beispiel 1 benutzt. Das Ergebnis war ein hochempfindlicher Photoleiter mit einem Miniaturelektrodenmuster.
  • Beispiel 3 Anstelle des in dem Beispiel 1 und 2 als Polymerisations-Starter verwendeten Benzoinäthyläthers wurde 2-tert. -butylanthrachinon verwendet bei den gleichen Verfahrensstufen wie in Beispiel 1. Man erhielt einen hochempfindlichen Photoleiter mit einem Miniaturelektroderniiuster.
  • Beispiel 4 Anstelle des photoempfindlichen Harzes der Beispiele 1, 2 und 3, das als photoempfindliche Gruppe die Acryloylgruppe enthielt, wurde im Handel von Kodak unter der Bezeichnung KPR erhältliches Polyvinylzinnamat als photoempfindliches Harz einem photoleitendem Film mittels der gleichen Stufen wie in den Beispielen 1 bis 3 zugesetzt und eine Minute mit einer Ultrahochspannungs-Quecksilberlampe aus einem Abstand von 40 cm bestrahlt.
  • Danach wurde das Material in flüssigem Trichlene entwickelt, woran sich die gleichen Stufen wie in den Beispielen 1 bis 3 anschlossen. Das Ergenis war ein liochempfindlicher Photoleiter mit einem kammförmigen Miniaturelektrodenmuster.
  • Beispiel 5 Anstelle des in den Beispiel 1 bis 4 verwendeten Kadmiumsulfids wurde Kadmiumselenid verwelldet, und es fanden die gleichen Stufen wie in den Beispielen 1 bis 4 Anwendung. Das Ergebnis war ein llochempfilldliclles Photoleiterlement mit einem Miniaturelektrodenmuster.
  • Beispiel 6 Anstelle des in den Beispielen 1 bis 4 verwendeten Kadmiumsulfids wurde eine Mischung aus Kadmiuinsulfid und Kadmiumselenid eingesetzt. Im übrigen wurde wie in den Beispielen 1 bis 4 gearbeitet. Man erhielt ein hochempfindliches Photoleiterlement mit einem Miniaturelektrodenmuster.
  • Beispiel 7 Anstelle des in den Beispielen 1 bis 6 verwendeten Zinns wurde Indium verwendet. Im übrigen wurde in gleicher Weise wie in den Beispielen 1 bis 6 gearbeitet. Das Ergebnis war ein hochempfindlicher Photoleiter mit einem kammförmigen Miniaturelektrodenmuster.
  • Beispiel 8 Der gesinterte Photoleiterfilm in den Beispielen 1 bis 7 wurde ersetzt durch eine Schicht, die mit einem Verunreinigungszusatz versetzt war. Die Schicht wurde auf einem Glassubstrat eine Stunde einer Sprühentladung mit einer Hochfrequenz von 13,56 MHz bei einer anliegenden Spannung von 1,2 KV und einem Argondruck von 8 x 10 3 Torr und einem eingehaltenen Abstand von 40 mm ausgesetzt, wobei ein Photoleitfilm enstand. Der Film wurde den gleichen Stufen wie in den Beispielen 1 bis 7 unterworfen, wobei man einen hochempfindlichen Photoleiter mit einem kammförmigen Miniaturelektrodenmuster erhielt. Da der der Sprühentladung unterworfene Filnieine glattere Oberfläche als der gesinterte Film hatte wurde ein feineres Muster (10 #) gebildet.
  • Kurz zusammengefaßt besteht die Erfindung in folgendem: Bei der Herstellung eines hochempfindlichen lichtempfindlichen Elements wird eine photoelllpfindliche Harzschicht auf einer Elementmaterialschicht aus einem Chalkogen-Halbleiter gebildet. Die photoempfindliche Harzschicht wird mustermäßig belichtet. Sie wird dann mit einem organischen Lösungsmittel behandelt, das die Harzschicht entsprechend ihrem belichteten Muster selektiv schmilzt und dabei ein photoempfindliches Harzmuster bildet.
  • Durch Vakuumverdampfung wird auf der Oberfläche des photoempfindlichen Harzmusters eine Metallschicht abgeschieden, die danach mit einem das Harzmuster schmelzenden organischen Lösungsmittel behandelt wird, wodurch die photoempfindliche Harzschicht mit der darauf befindlichen Metallschicht entfernt wird. Auf die se Weise wird auf der Elementmaterialschicht ein Miniaturelektrodenmuster aus Metall gebildet.

Claims (3)

  1. Patentansprüche
    Verfahren zur Herstellung eines lichtempfindlichen Elements hoher Empfindlichkeit, dadurch gekennzeichnet, daß man über einer einen Chalkogen-Halbleiter enthaltenden Elementmaterialschicht eine photoempfindliche Harzschicht bildet, die photoempfindliche Harzschicht mustermäßig belichtet, sie dann mit einem organischen Lösungsmittel behandelt, das die Harzschicht entsprechend ihrem Belichtungsmuster unter Bildung eines photoempfindlichen Harzmusters selektiv schmilzt, auf der Oberfläche des photoempfindlichen Harzmusters durch Vakuumverdampfung eine Metallschicht abscheidet und danach die Metallschicht mit einem das Harzmusttr schmelzenden organischen Lösungsmittel behandelt, wodurch das photoempfindliche Harzmuster mit der darauf befindlichen Metallschicht entfernt und so ein Miniaturelektrodenmuster aus Metall auf der genannten Elementmaterialschicht gebildet wird.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Chalkogen-Halbleiter unter CdS, CdSe, CdTe, SeTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSeund HgTe ausgewählt wird.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß man-den Zwischenelektrodenabstand des Miniaturelektrodenmusters in dem Bereich von 0,01 bis 0,1 mm wählt.
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