DE2416684A1 - Elektrooptischer speicher und verfahren zur informationsspeicherung - Google Patents

Elektrooptischer speicher und verfahren zur informationsspeicherung

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Description

Elektrooptischer Speicher und Verfahren zur Informationsspeicherung
Die Erfindung betrifft einen elektrooptischen Speicher und ein Verfahren zum Speichern und Löschen von Information in solchen Speichern.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung und ein Verfahren zur elektrooptischen Informationsspeicherung unter Verwendung keramischen Materials zu schaffen, die bei hoher Speicherdichte ein schnelles, einfaches, sicheres und vollständiges Schreiben und Löschen ohne Nebensprechen ermöglichen.
Zur Lösung dieser Aufgabe wird erfindungsgemass ein elektrooptischer Speicher vorgeschlagen, der durch die im Patentanspruch 1 genannten Merlanale gekennzeichnet ist.
Zur Lösung dieser Aufgabe wird erfindunqsgemäss v/eiterhin ein Verfahren zum Speichern und Löschen von Information
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in elektrooptischen keramischen Speichern vorgeschlagen, das dadurch gekennzeichnet ist, dass man gleichzeitig mit einem elektrischen Feld, dessen Polarität der Polarität der ferroelektrischen Phase der elektrooptischen Keramik entgegengesetzt ist, Wärme auf die Keramik einwirken lässt, so dass der Speicher vom ferroelektrischen in den antiferroelektrischen oder paraelektrischen Zustand umklappt.
Eine Information wird also nach der Erfindung in der Weise in den Speicher geschrieben oder aus diesem gelöscht, dass man den Speicher, der aus einer elektrooptischen Keramik besteht, in der eine ferroelektrische Phase und eine antiferroelektrische Phase oder eine paraelektrische Phase koexistent sind und eine morphotrope Phasengrenze haben, auf eine Temperatur erwärmt, bei der die polymorphe Phasengrenze des keramischen Materials auftritt, und gleichzeitig ein elektrisches Feld an das Speichermaterial anlegt, dessen Polarität der Polarität der spontanen Polarisation des Speichers entgegengesetzt ist. Auf diese Weise kann ohne Resteffekte geschrieben und gelöscht werden.
Die Erfindung hat also mit anderen Worten ein Verfahren zum Schreiben und Löschen von Information für Speicher zum Gegenstand, die auf der Grundlage eines elektrooptischen keramischen Materials arbelen, in dem eine ferroelektrische Phase (im folgenden FE) und eine antiferroelektrische Phase (im folgenden AFE) oder eine paraelektrische Phase (im folgenden PE) koexistent nebeneinander vorliegen, und zwar mit einer morphotropen Phasengrenze (im folgenden MPB). Eine solche Speieherstruktur ist im Rahmen dieser Beschreibung als Melektrooptisch Keramik11 bezeichnet.
Die Erfindung ist im folgenden anhand der Zeichnungen näher
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beschrieben. Ea zeigen:
Fig. 1 ein schematisches Phasendiagramm einer
elektrooptischen Keramik:
Fig. 2 die dielektrische Verschiebung D einer
elektrooptischen keramik als Funktion der Feldstärke E;
Fig. 3 die Transmission einer dielektrischen
Keramik ale Funktion der Feldstärke;
Fig. 4 Formen der D-E-Hysterese einer elektrooptischen Keramik;
Fig. 5a ein 7-Segmentanzeigeelement auf der
Basis einer elektrooptischen Keramik in Draufsicht;
Fig.. 5b einen Schnitt nach Vb-Vb in Fig. 5a;
Fig. 6 in schematischer Darstellung das
Schreiben in einen Speicher der Erfindung;
Fig. 7 in schematischer Darstellung das Lesen
einer Information aus dem Speicher der Erfindung;
• ·
Fig. 8 in schematischer Darstellung eine
Schaltung und ihre Anwendung zum Löschen des Speichers der Erfindung, und
Fig. 9 die Helligkeit der Informationsdarstellung
im Speicher der Erfindung als Funktion
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der Dauer der Löschung mit der Löschspannung als Parameter.
Eine elektrooptische Keramik mit einer FE-Phase und einer AFE-Phase (oder PE-Phase), die nebeneinander vorliegen, weist bezüglich der Zusammensetzungsänderungen eine MPB auf. Eine solche elektrooptische Keramik hat die folgenden Eigenschaften:
(1) Die MPB unterliegt den Gesetzmässigkeiten der Phasenunwandlung erster Ordnung:
(a)Im allgemeinen ist die thermische Hysterese ausgeprägt. Beim Abkühlen und Erwärmen ein und derselben Probe liegt die MPB an verschiedenen Stellen, bezogen auf Temperatur und Zusammensetzung. Die in diesem Fall beim Abkühlen auftretende MPB wird als morphotrope Abkühlphasengrenze bezeichnet (im folgenden MPB(c)), während die entsprechend beim Aufheizen auftretende MPB als morphotrope Aufheizphasengrenze (im"folgenden MPB(h)) bezeichnet wird. Im Temperatur-Zusammensetzung- Bereich zwischen MPB(h) und MPB(c) ist also eine Phase stabil, während die andere metastabil ist. Beide Phasen können nebeneinander vorliegen, also koexistent •ein. .
(b) Beim Anlegen eines elektrischen Feldes innerhalb eines bestimmten Temperatur- oder Zusanniensetzungsbereiches wird die MPB bezüglich der Temperatur oder bezüglich der Zusammensetzung verschoben. Nach Abschalten des elektrischen Feldes stellt sich der ursprüngliche Zustand nicht vollständig wieder her. Der verschobene Zustand wird beibehalten.
(2) Durch Anlegen eines elektrischen Feldes an den Probenkörper, wird eine FE-Phase induziert. Auch auf diese Weise wird die MPB feldverschoben.
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(a) Wenn die MPB ala Phasengrenze zwischen zwei verschiedenen FE-Phasen auftritt, beispielsweise als Phasengrenze zwischen einer FE α-Phase und einer FE ß-Phase wird die Phase mit der höheren spontanen Polarisation Ps im Einkristall induziert. Die MPB wandert also in Richtung der Phase mit der kleineren Ps. In keramischem Material dehnt sich die Phase aus, deren Ps-Komponente in Richtung des angelegten Feldes grosser ist. Entsprechend wandert die MPB in Richtung der Phase mit den kleineren Ps-Komponenten.
(b) Wenn die MPB zwischen einer FE-Phase und einer PE-Phase auftritt, nimmt die FE-Phase beim Anlegen eines elektrischen Feldes zu, so dass die MPB in Richtung der PE-Phase wandert.
(c) Wenn die MPB zwischen einer AFE-Phase und einer FE-Phase auftritt, wandert die MPB beim Anlegen eines elektrischen Feldes wie in Fall (b) in Richtung der AFE-Phase.
In den vorstehend genannten Fällen (b) und (c) wird die FE-Phase durch Anlegen eines äusseren elektrischen Feldes an den Probenkörper induziert. Dadurch wandert die MPB in Richtung der AFE-Phase oder der PE-Phase. Einer solchen Induktion der FE-Phase sind jedoch Grenzen gesetzt. Die MPB wandert nicht über eine bestimmte Lage hinaus. Diese Grenzlage der MPB wird Überhitzungsgrenze der MPB genannt (im folgenden MPB(t)).
(3) Zwischen der MPB(t) und der MPB(h) wandert die MPB beim Abschalten des äusseren elektrischen Feldes vollständig in ihre ursprüngliche Lage, die sie vor dem Anlegen des Felde· hatte, zurück. Der Augenblickszustand eines solchen Materials ist in den genannten Grenzen also von den vorhergehenden Zuständen unabhängig, das Material ist also
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"unhistorisch" und zeigt keine Speicherwirkung.
Anders liegen die Verhältnisse auf der Tieftemperaturseite der MPB(h). Beim Anlegen eines äusseren elektrischen Feldes mit umgekehrter Polarität tritt eine Phasenumwandlung der Phase mit grösserer Ps in die Phase mit der kleineren Ps auf. Bei einer Temperatur, die ausreichend niedriger ist ale die der MPB(h) entsprechende Temperatur bleibt die Phase mit der grösseren Ps jedoch auch in Gegenwart eines äusseren elektrischen Feldes mit entgegengesetzter Polarität unverändert. Es findet kein Umklappen in die Phase mit der geringeren Ps statt. Diese Grenze, innerhalb derer die MPB wandern kann, also eine Umwandlung der Phase mit grösserer Ps in die Phase mit kleinerer Ps durch Einwirken eines äusseren elektrischen Feldes mit entgegengesetztem Vorzeichen eintritt, wird Unterkühlungsgrenze der MPB (im folgenden MPB(m)) genannt.
Die vorstehend beschriebenen Eigenschaften der MPB sind in Fig. 1 schematisch dargestellt. Das Diagramm zeigt' ein Phasendiagramm, bei dem die Temperatur auf der Ordinate und die Zusammensetzung der Probe auf der Abszisse aufgetragen sind. Die Einheiten sind beliebig. Der Bezugspunkt der Zusammensetzung, also die Standardzusairmensetzung, liegt bei χ β 0. Dem Phasendiagrainm ist zu entnehmen:
(a) AFE-Phase (oder PE-Phase) und FE-Phase sind nur im schraffierten Bereich zwischen den Gleichgewichtslinien MPB(c) und MPB(h) koexistent.
(b) In einer elektrooptischen Keramik ein und derselben Zusammensetzung sind die beiden Phasen nur im Temperatur-' bereich zwischen Th und Tc koexistent. Bei der Temperatur Tm der MPB (m) haben beide Phasen das gleiche thermodynamische Potential. Beide Phasen liegen also im Gleichgewicht vor
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lind aind volle tändig stabil.
(c) Bei ein und derselben Temperatur können die beiden Phasen nur im Bereich zwischen den Zusammensetzungen h' und c* nebeneinander vorliegen. Die Zusammensetzung t1 auf der Gleichgewichtslinie MPB(t) ist die Grenzzusammensetzung, bis zu der die MPB in die AFE-Phase bzw. in die PE-Phase unter Einwirkung äusserer Kraftfelder, beispielsweise eines Kusseren elektrischen Feldes, wandern kann.
Zwei weitere wichtige Kennlinien für elektrooptisches Material sind die elektrische Verschiebung als Funktion der elektrischen Feldstärke (im folgenden D-B-Kennlinie), die typische Hysteresen (im folgenden D-E-Hysterese) zeigen, und die Transmission als Funktion der elektrischen Feldstärke (im folgenden I-B-Kennlinie). Diese Kennlinien sind für den Koexistenzbereich der FE-Phase mit einer AFB- oder PB-Phase in den Figuren 2 und 3 gezeigt.
In der Fig. 2 entsprechen die Kennlinienabschnitte A-B und F-G dem D-E-Kennlinienverlauf zur Zeit des Anlegens eines äusseren elektrischen Feldes in der Grössenordnung 0 bis B bzw. 0 bis G an die AFE-Phaae bzw. PE-Phase entsprechender elektrooptlecher fester Lösungen. In diesen Feldbereichen wird in Material eine dem äusseren elektrischen Feld proportionale elektrische. Verschiebung erzeugt. Nach Abschalten eines Feldes dieser Grössenordnungtstellt •ich der Ausgangszustand unverändert wieder ein. Nach überschreiten der Schwellenspannungen B bzw. G durch das äuesere elektrische Feld wird die FE-Phas· induziert· Es werden die elektrischen Verschiebungen CQ bzw. Kq erhalten. Der Kennlinienverlauf bei Feldern grosser als B bzw. β zeigt typisches oättigungsverhalten.
Bei anschliessender Verringerung des Feldes bleibt selbst
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bei einer Feldstärke Null eine Polarisation H bestehen. Die FE-Phase ist stabil. Bei Umkehr der Feldpolarität tritt bei einer Feldstärke E bzw. M ein Umklappen in den AFE-Zustand bzw. den PE-Zustand ein. Bei weiterer Erhöhung der Feldstärke in Richtung der entgegengesetzten Polarität •wird dann beim Überschreiten der Feldstärke G wiederum die FE-Phase induziert. Feste Lösungen, in denen die zwei Polarisationsphasen nebeneinander vorliegen können, weisen also D-E-Doppelhystereseschleifen A-B-C0-C-H-E-F-G-K-M der in Fig. 2 gezeigten Art auf.
In der Fig. 3 sind typische I-E-Kennlinien dargestellt. Die Menge des durch eine Scheibe aus elektrooptischen! Material hindurchgehenden Lichtes (die Intensität des Lichtes In Transmission) ist als Funktion eines ausseren, an die Scheibe angelegten elektrischen Wechselfeldes dargestellt. Die elektrooptische Keramik' wird zur Herstellung des' Probenkörpers unter Erwärmung zu einem Scheibchen verpresst. Auf die Vorderseite und die Rückseite der so erhaltenen Scheibe werden durchsichtige Elektroden aufgebracht. Die so erhaltene Struktur wird zwischen einen gekreuzten Polarisator und Analysator in Kombination mit einem Babine-Sorille-Kompensator gebracht. Zur Veränderung der Polarisation wird die Scheibe mit .Wechselspannung beaufschlagt.
Wie aus der Fig. 3 zu entnehmen ist, wird das Licht in der AFE-Phase bzw. in der PE-Phase zwischen den Punkten A-B und F-G praktisch nicht gestreut. Die Intensität des Transmissionslichtes I_in ist praktisch 0. Die Bezeichnung der Punkte in Fig. 3 stimmt mit der Bezeichnung der Punkte in Fig. 2 überein.
Nach Anlegen einer die Schwellenspannung B erreichenden oder überschreitenden Spannung wird die FE-Phase induziert.
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Es tritt Streuung und bzw. oder Doppelbrechung des Lichtes auf* Die Intensität des Transmissionslichtes I nimmt zu.
max
Durch Umschalten von der FE-Phase zur AFE-Phase kann das Kontrastverhältnis I /i . Drinzipiell unendlich gross
T0S.X min *
werden. Entsprechend der in Fig. 2 gezeigten Hysterese zeigt auch die I-E-Kennlinie den in Fig. 3 gezeigten Verlauf A-B-C0-C-E-F-G-K0-L.
Die Temperatur- und Zusammensetzungsgrenzen (Fig. 1), innerhalb derer die vorgenannten MPB, nämlich die MPB(t), MPB(h), MPB(m) und MPB(c),in einer Standardverbindung (Linie 0-0 in Fig. 1) bei der Temperatur T (Linie T-T in Fig. 1) erzeugt werden können, sind durch die Grenzen Tt, Th, Tm und Tc bzw. t1, h1, in1 und c1 gegeben.
Die D-E-Kennlinien an diesen Punkten bzw. in den Temperatur- und Zusaimensetzungsbereichen zwischen benachbarten Punkten erzeugen Hystereseschleifen (a) bis (g) der in Fig.4 gezeigten Art. Auf den unter den Kennlinien in der Figur dargestellten Geraden M, T und S sind die zu den jeweiligen Hystereseschleifen gehörenden MFB, Temperaturen bzw. Zusammensetzungen dargestellt. Die Kennlinien zeigen, dass die Doppelhystereseschleifen nur im Bereich zwischen MPB(m) und MPB(t) auftreten. Im Bereich zwischen MPB(h) und MPB(t) wird durch eine Polaritätsumkehr des äusseren elektrischen Feldes jedoch keine reversible Phasenumwandlung erreicht. Nur -im Bereich zwischen MPB(h) und MPB(m) kann durch Einwirkenlassen eines äusseren Kraftfeldes, vorzugsweise eines elektrischen Feldes, eine reversible Phasenumwandlung in festen Lösungen mit leoexistenten Polarisationsphasen mit einer MPB auftreten.
Mit anderen Worten, in festen Lösungen, in denen eine AFE-Phase oder eine PS-Phase und eine FE-Phase mit einer MPB zwischen der MPB(h) und MPB(m) koexistent sind, kann
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die Transmission bzw. die Streuung des Lichtes durch Anleger ausserer elektrischer Felder mit Feldstärken oberhalb der Schwellenspannung und jeweils entgegengesetzter Polarität gesteuert bzw. geschaltet werden. Dabei ist die Streuung des Lichtes in der AFE-Phase bzw. in der PE-Phase Null, während die Streuung des Lichtes und bzw. oder die Doppelbrechung in der FE-Phase von Null verschieden ist.Beide Phasen können reversibel ineinander überführt werden. Material aus einer solchen festen Lösung kann daher vorteilhaft als Informationsspeichermedium verwendet werden.
Für ein und dieselbe Zusammensetzung kann ein elektrooptisches Material, dessen MPB zur Erzielung eines Speichereffektes ausgenutzt wird, nur bei Temperaturen unterhalb Th als Speicher verwendet werden.
Zum- Schreiben einer Information, beispielsweise einer Bildinformation, in ein solches elektrooptisches keramisches Element muss dessen Temperatur unterhalb Th liegen.
Zum Löschen einer in die FS-Phase der elektrooptischen Keramik geschriebenen Information muss, wie aus Fig. 4 ersichtlich, die remanente Polarisation auf Null gebracht werden. Das gespeicherte Bild sollte ausserdem beim Erwärmen auf eine Temperatur über Th gelöscht werden. Versuche an realen Strukturen haben jedoch gezeigt« dass auch nach einem Erhitzen auf eine Temperatur über Th ein Restbild im Material gespeichert bleibt. Dafür ist folgende Erklärung denkbar: Bei offenen Elektroden wird der ferroelektrische Zustand durch ein internes elektrisches Feld stabilisiert; der Bildspeicherzustand wird in der FE-Phase aufgrund des pyroelektrischen Effektes der spontanen Polarisation erzeugt. Das gespeicherte Bild zeigt also eine gewisse Eigenkonservierung. Diese Eigen-
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konservierung wird selbst bei kurz geschlossenen Elektroden beobachtet. Eine solche Eigenkonservierung der gespeicherten Bildinformation bei kurzgeschlossenen Elektroden tritt insbesondere bei Verwendung photoleitender Schichten auf, die im Dunklen als Isolatoren wirken.
Entsprechendes gilt für das Schreiben der Information, beispielsweise des Bildes, in die AFE-Phase bzw. Fü-Phase.
Beispiele für elektrooptisches keramisches Material, in dem eine FE-Phase und eine AFE- oder ΡΞ-Phase nebeneinander mit einer MPB vorliegen können, sind feste Lösungen der allgemeinen Formel
Pb(l-.x-a)LaxAai2rl-y-ß)TiyMß)l-( (x+a)/4)°3
in der 0 = χ £ 0#2i 0 = α <lj 0 ^ (x+a)<: It 0 = y = 0,6; 0 = ß = 1 und 0 = (y+ß) - 1 ist. A bedeutet mindestens ein Element aus der Gruppe der zweiwertigen und dreiwertigen Erdalkali- und Seltenerdelemente. M bedeutet mindestens ein Element aus der Gruppe der vierwertigen und fünfwertigen Metalle.
Beispiele für Verbindungen, die unter die vorstehend genannte allgemeine Formel fallen, sind in der Tabelle I zusammengestellt.
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In der Tabelle I bedeutet 14AFE <—> FE" und "PE «—» FE" in der zweiten Spalte, dass reversible Phasenumwandlung zwischen der antiferroelektrischen Phase und der ferroelektrischen Phase bzw. zwischen der paraelektrischen Phase und der ferroelektrischen Phase auftreten können. Die Buchetaben do bedeuten, dass die gleiche Umwandlung wie in der Zeile zuvor stattfindet- RT in der siebenten Spalte der Tabelle I bedeutet Raumtemperatur.
Die Erfindung verfolgt das Ziel, ein Informationsspeicherverfahren in Elementen der vorgenannten Art zu schaffen, das ein restbildfreies Schreiben und Löschen und beliebig häufiger Wiederholung ermöglicht.
Gegenstand der Erfindung ist im engeren Sinne also ein Verfahren zum Beschreiben und Löschen einer elektrooptischen Keramik der genannten Art, bei dem das Speicherelement auf eine Temperatur über dem Bereich der Temperatur Th, bei der eine polymorphe Phasengrenze auftritt, erwärmt wird und ein elektrisches Feld, dessen Polarität der Polarität der Polarisation des ferroelektrischen Zustandes entgegengesetzt ist, an das Speicherelement angelegt wird.
Wenn man einen Speicher mit der zuvor beschriebenen elektrooptischen Keramik, die eine bestimmte Information gespeichert enthält, auf eine Temperatur oberhalb Th, bei der die polymorphe Phasengrenze auftritt, erwärmt, wird der zuvor beschriebene Eigenkonservierungseffekt weitgehend abgebaut. Bei einer Erwärmung auf höhere Temperaturen kann der Löscheffekt zwar verstärkt werden, jedoch nimmt auch der für die Erwärmung erforderliche Energieverbrauch auf Werte zu, die für die praktische Anwendung ungünstig sind. Die in einem solchen Element gespeicherte Information kann jedoch auch bei einer unter Th liegenden Temperatur unter Einwirkung eines äusseren elektrischen Feldes geeigneter
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Stärke und entgegengesetzter Polarität durchgeführt werden. Beispiel" 1
PbO, ZrO2, TiO2 und La3O3 wurden in Pulverform entsprechend der Produktzusammensetzung »0.914ΐΑ0.0β4(ΖΓ(>.65Τΐ0.35)0,97903 eingewogen. Die Oxide wurden gut miteinander vermischt und 1 Ii lang bei 900 0C getempert. Das gebrannte Gemisch wurde zerkleindert, pulverisiert und ausgeformt. Das Ausformen erfolgte 16 h bei 1150 C unter einem Druck von 211 kp/cm Auf diese Weise werden zylindrische Bleilanthan-zirkonattitanat-Tabletten (im folgenden PLZT-Tabletten) erhalten. Die Tabletten haben einen Durchmesser von 15 ma und eine Höhe von 10 ram.
Die PLZT-Tablette wird mit einem Diamantschneider in 0,4 mm dicke Scheibchen geschnitten. Durch Polieren beider Hauptflächen der Scheibe wird schliesslich ein planparalleles 200 yum dickes Scheibchen erhalten. Anschliessend werden die Oberflächen der Probenscheibe optisch poliert. Die Ebenheit der Oberflächen beträgt etwa λ_/1Ο.
Die so erhaltenen Proben haben eine Transmiesion von etwa 68 %. Die Scheiben werden im elektrischen Ofen auf etwa 500 0C erhitzt. Bei dieser Temperatur wird eine im wesentlichen SnCl. enthaltende wässrige Lösung gleichmässig über die gesamte Oberfläche beider Seiten gesprüht. Dadurch werden durchsichtige Elektroden 2 und 21 (Fig. 5b) erhalten. Nach Abkühlen der Scheibe auf Zimmertemperatur wird die Elektrode auf der einen Seite der Scheibe nach einem Photoätzverfahren partiell und selektiv abgeätzt. Die Ätzung erfolgt unter Bildung einer aus sieben Segmenten zusammengesetzten Ziffer 8 (Fig. 5a). Am Kopf und am Fuss des Elementes werden Goldschichten 6 und 7 aufgedampft. Diese Goldschichten werden mit den Zuleitungen 3Q und 3a
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verbunden. Die Zuleitungen 3,, 32, ..... 3- werden mit den entsprechenden sieben Segmenten der Anzeigeelektroden verbunden.
Die so erhaltene Struktur wird auf einer in der Mitte ein kreisrundes Loch aufweisenden Acrylharzscheibe 4 gehaltert. Die Acrylharzscheibe wird mit neun Anschlüssen 5Q, 5, , 5g versehen.
Wenn das Element zwischen gekreuzte Polarisatoren 11 und (Fig. 7) gebracht wird, werden auch diese auf dem Acrylharzsubstrat gehaltert.
Auf diese Weise wird das in den Figuren 5a und 5b gezeigte numerische 7-Segmentanzeigeelement erhalten.
Zum Betrieb des Elementes werden die Anschlüsse 5_ und 5Q geerdet und werden an die für die Darstellung der jeweiligen Ziffer ausgewähltenAnschlüsse 5^ bis 5~ eine Spannung von 80 Vangelegt. Unter diesen Segmenten entsteht dadurch di· FE-Phase. Die Segmente werden hell. Auf diese Weise ist eine klare und gut lesbare Informationsdarstellung mit Hilfe des Elementes der Erfindung möglich.
Zum Löschen der im Element gespeicherten Ziffer und zur Darstellung einer anderen Ziffer wird ein Widerstand von 50 Ohm mit dem Anschluss 3Q verbunden. Die Anschlüsse 3, bis 3- werden geerdet. Am Anschluss 3Q wird eine Spannung von 20 V aufgeprägt. Die dargestellte Ziffer ist nach etwa O1I β.vollständig gelöscht.
Durch Ansteuern der für die Darstellung und Speicherung der nächsten Ziffer erforderlichen Anschlüsse 3. bis 3-mit 80 V erscheint dann die nächste Ziffer auf dem Element. Die Darstellung ist durch ein ausserordentlich hohes Kontrast-
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verhältnis ausgezeichnet.
Eine quantitative Nachmessung des Kontrastverhältnisses ergab Werte im Bereich von 100 bis 500. Diese Messungen sind im folgenden Beispiel näher beschrieben.
Beispiel 2
Nach der im Beispiel 1 beschriebenen Weise wird ein elektrooptisches Speicherelement in Form eines Scheibchens von 30 mm Durchmesser und 0,2 mm Dicke hergestellt. Die Keramik hat die Zusammensetzung »0.92βΙ*0.072(ΖΓ0.73Tl0.27^.9830S* Eine Seite der Scheibe wird in der im Beispiel 1 beschriebenen Weise mit einer durchsichtigen Elektrode 2 beschichtet. In der in den Figuren 5a und 5b gezeigten Weise werden an zwei gegenüberliegenden Endbereichen der Elektrode 2 Goldaufdampfschichten 6 und 7 in einer Stärke von etwa aufgedampft. Auf der anderen Oberfläche der Scheibe
wird in einer Stärke von etwa 1 /um eine Photoleiterschicht aufgebracht. Der Photoleiter, insbesondere ein organischer Photoleiter, besteht vorzugsweise aus Polyvinylcarbazol (PVGz #8). Die Polyvinylcarbazolschicht wird bei tiefen Temperaturen nach einem Kathodenzerstäubungsverfahren mit (In2O-J0 Q,(Sn02)o og beschichtet. Auf diese Weise wird eine transparente Elektrode 2* mit niedrigem Widerstand erhalten.
Die Elektroden 6,7 und 2* werden mit Zuleitungen 3Q, 32 bzw. 3, versehen. Die erhaltene Struktur wird in der im Beispiel 1 beschriebenen Weise auf einem Acrylharzsubstrat 4 gehaltert.
Die Zuführungen werden mit den Anschlüssen 5Q, S2 bzw. S^ auf dem Acrylharzeübstrat verbunden. Auf die Oberfläche des so erhaltenen Speichers 1 (Fig. 6) wird ein Diapositiv unter Verwendung eines lichtstarken Projektors fokussiert.
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Dabei sind die Goldaufdampfschichten 6 und 7 des Speichereleraentes geerdet. An die durchsichtige Elektrode 2' auf der Rückseite des Elementes wird 0,2 s lang eine Spannung von 120 V gegeben. Dadurch wird das auf die Scheibe projizierte Bild in den Speicher geschrieben.*
Zum Lesen des Speicherinhaltes wird dieser zwischen gekreuzte Polarisatoren 11 und 12 (Fig. 7) gesetzt. Die Speicherfläche wird mit Hilfe eines Projektors gleichmässig ausgeleuchtet. Das durch die gekreuzten Polarisatoren und das Speicherelement gehende Licht wird mit Hilfe einer Linse 22 auf eine Projektionsfläche 23 projiziert. Das im Speicher gespeicherte Bild wird klar und deutlich wiedergegeben.
Zum Löschen der gespeicherten Bildinformation unter Einwirkung von Wärme und eines elektrischen Feldes wird die in Fig. gezeigte Schaltung verwendet. Die Anschlüsse 5Q und 52 werden über 50 Ohm-Widerstände geerdet. Über zwei Steuertorschaltungen GQ bzw. G2 kann eine Gleichspannung von 40 V auf die Anschlüsse geprägt werden. Die Steuerung erfolgt in der Weise, dass G0 und G2 abwechselnd lOmal je 5 ms geschaltet werden« so dass insgesamt während einer Dauer von 100 ms 10 Stromiinpulszyklen aufgeprägt werden. Dadurch wird erreicht, dass auf das Speicherelement ein äusseres Feld mit einer der Polarität der Polarisation entgegengesetzten Polarität aufgedrückt wird, während das Element gleichzeitig erhitzt wird. Dabei beträgt die Spannung im durchgeschalteten Zustand der Steuerschaltung 40 V und in Sperrzustand der Steuerschaltung 20 V. Obwohl das Potential im Speicherelement nicht unbedingt zeitkonstant ist, kann nan durchaus berechtigt von einer Löschspannung von 30 V sprechen. Unter diesen Bedingungen wird das gespeicherte Bild, schnell, vollständig und gleichmässig gelöscht.
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In der Pig. 8 ist neben der Löschschaltung schematisch die Steuerimpulssynchronisation dargestellt.
In der Fig. 9 ist die Abnahme der Helligkeit eines gespeicherten Bildes als Funktion der Zeit beim Löschvorgang dargestellt. Die Löschspannung erscheint als Parameter. Als Messgrundlage dient dabei ein im Aus gangs zustand auf der gesamten Speicher fläche gleichmässig helles Weissbild. Es wird mit der in Fig. 3 gezeigten'Löschschaltung gelöscht. Die Messungen zeigen ein Kontrastverhältnis 1Jn^x/1 4 von etwa 500.
Bei einer Löschspannung von etwa 30 V und darüber wird das Bild vollständig gelöscht. Der gesamte Speicherbereich ist antiferroelektrisch. Anschliessend wird mit Hilfe eines Projektors und eines zur Hälfte abgedunkelten, zur Hälfte glasklaren Diapositivs die Information 1/2 weiss/1/2 schwarz eingeschrieben. Mit einem vor der Projektionsleinwand angeordneten Beleuchtungsmessgerät werden der Hellteil und der Dunkel teil des gelesenen Speicherinhalts vermessen.
Es wird ein Helligkeitskontrastverhältnis von 130 gemessen. Dieser Wert zeigt vor allem das ausgezeichnete Löechergebnis durch die gleichzeitige Einwirkung von Wanne und eines äusseren elektrischen Feldes auf den Speicher. Der Unterschied zwischen den Ganzflächenkontrastverhältnis von 500 und dem Halbflächenkon tastverhältnis von etwa 130 wird durch ein tiberblendrauschen'aus der hellen in die dunkle Flüche des Speicherbereiches erklärt; der Wert I_4n erreicht daher nicht so niedrige Werte wie im Fall der Ganzflächen* ' nessung·
Vorstehend ist ein neues System der Bild« bzw. Inforraation*- löschung für elektrooptische, mit einer Photolefcerechicht überzogene Speichervorrichtungen beschrieben. Gleichfalls
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ist das Prinzip des gleichzeitigen Einwirkenlassens von Wärme und eines elektrischen Feldes erklärt. Ein praktisches Ausführungsbeispiel ist beschrieben. Dazu ist noch folgendes zu ergänzen: Die angelegte Löschspannung erzeugt durch den Stromfluss durch die transparenten Elektroden Joule-Wärme. Gleichzeitig werden durch den Spannungsabfall über den 5O Ohm-Lastwiderstand Gegenspannungen aufgeprägt. Die Spannung ist jedoch wirkungslos, wenn sie auf die Photoleiterschichten gegeben wird. Sie muss wirksam auf das PLZT-Elenient geprägt werden. Dazu ist es erforderlich, dass beim Löschen eines mit einer Photoleiterschicht überzogenen Speichers beim Aufprägen der in Fig. 8 gezeigten Löschimpulse die gesamte Speicherfläche gleichmäesig hell .beleuchtet ist. Bei ungenügender Beleuchtung während des Löschens bleibt die Löschung auch bei korrekter Steuerung der Löschschaltung unvollständig. Eine solche Dunkellöschung ist in Fig. 9 durch die Kurve C dargestellt.
Vorstehend ist die Erfindung in der Weise beschrieben, dass die FS-Phase den gesetzten Zustand und die AFE-Phase den nichtgesetzten Zustand wiedergibt. Durch eine Umkehr dieser Zuordnung kann beispielsweise eine Negativ/Positiv-Bildumkehr im Speicher erzielt werden.
Eine solche Bildumkehr kann beispielsweise in der Weise erreicht werden, dass vor dem Einschreiben der Information, beispielsweise mit Hilfe eines Projektors in der in Fig. gezeigten Weise, die gesamte Speicherfläche des Speicherelementes 1 zunächst gleichförmig belichtet und dadurch in den nichtgesetzten Zustand, also den gelöschten Zustand, überführt wird. Das auf dem Diapositiv 21 enthaltene Informationsbild wird dann in der beschriebenen Weise unter gleichzeitiger Verwendung der Löschschaltung dadurch im Umkehrverfahren eingeschrieben, dass die Löschung nur im belichteten Bereich erfolgt. Der Unterschied zur normalen
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Löschung besteht bei der Umkehreinschreibung also lediglich darin, dass die Speicherfläche nicht gleichmässig belichtet wird. Helle Teile der Informationsdarstellung auf dem Diapositiv 21 löschen auf der Speicherfläche die ferroelektrische Phase und werden dunkel. Unter dunklen Bereichen der Informationsdarstellung auf dem Diapositiv reicht die Belichtung auf der Photoleiterschicht des Speicherelementes zur Löschung nicht aus, so dass seine Helligkeit praktisch nicht geändert wird. Der Speicher speichert ein Umkehrbild der auf dem Diapositiv 21 dargestellten Information.
Die im Vorstehenden beschriebene Umkehrdarstellung und Umkehrspeicherung dient als Beispiel dafür, wie die Erfindung ebenfalls eingesetzt werden kann. In der Hauptsache und im Hinblick auf die Praxis zielt die Erfindung jedoch auf ein System ab, in dem Information gespeichert und gelöscht werden kann, in-dem man die ferroelektrische Phase in die nichtferroelektrische Phase (AFE oder PE) schnell und vollständig unter gleichzeitigem Einwirkenlassen einer äusseren elektrischen Spannung und von Wärme auf ein elektrooptisches keramisches Element bewirkt.
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Claims (3)

  1. Patentansprüche
    Elektrooptischer Speicher, gekennzeichnet
    durch eine Keramik, in der eine ferroelektrische
    und eine antiferroelektrische oder eine paraelektrische Phase mit einer morphotropen Phasengrenze nebeneinander vorliegen, und die eine feste Lösung der allgemeinen
    Formel *
    Pb(l-x-a)LaxAa(Zrl-y-ß)TiyMß)l-((x+a)/4)°3
    ist, in der 0 & χ £ 0,2? 0 « α < Ij O^ (χ+α)< 1τ
    0 £ y = 0,6j 0 ^ ß £ Ij 0 « (y + β) *1τΑ mindestens ein Erdalkali- oder Seltenerdelement und M mindestens ein
    vier- oder fünfwertiges Metall ist.
  2. 2. Speicher nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , dass A Sr oder Ba und M Sn oder Hf sind.
  3. 3. Verfahren zum Speichern und Löschen von Information in Speichern nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch
    gekennzeichnet, dass man gleichzeitig mit einem elektrischen Feld, dessen Polarität der Polarität der ferroelektrischen Phase der elektrooptischen Keramik entgegengesetzt ist. Wärme auf die Keramik einwirken lässt,
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    so dass der Speicher vom ferroelektrisch^ in den antiferroelekfcrischen oder paraelektrischen Zustand umklappt.
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DE2416684A 1973-04-06 1974-04-05 Verfahren zum Löschen von in einer elektrooptischen Bleizirkonattitanat- Keramik gespeicherten Information Expired DE2416684C3 (de)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000042901A1 (de) 1999-01-22 2000-07-27 Haag-Streit Ag Ophthalmologisches gerät mit einem beleuchtungs- und/oder strahlenbehandlungsstrahl, dessen flächige intensitätsverteilung einstellbar ist, sowie anordnung mit diesem gerät zur augenbehandlung

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS531546A (en) * 1976-06-28 1978-01-09 Nippon Denso Co Ltd Display for car
JPS5886857U (ja) * 1981-12-09 1983-06-13 瀬戸内金網商工株式会社 金網柵
US5051950A (en) * 1989-07-31 1991-09-24 Radiant Technologies Read/write optical memory
US5179533A (en) * 1989-07-31 1993-01-12 Radiant Technologies Read/write optical memory
JPH06334140A (ja) * 1992-12-16 1994-12-02 Ricoh Co Ltd 強誘電体材料および該材料を用いた半導体メモリ、光記録媒体ならびに微小変位制御素子

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1099431B (de) * 1956-12-04 1961-02-09 Philips Nv Verfahren zur Herstellung von keramischen Koerpern fuer elektromechanische Umwandlungselemente
DE2030302A1 (de) * 1969-06-23 1971-02-04 Western Electric Company Ine , New York, NY (V St A ) Optischer Verschluß aus polykristalliner ferroelektnscher Feinkronkeramik
DE2061447A1 (de) * 1969-12-17 1971-06-24 Atomic Energy Commission Ferroelektrische Keramik

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3710352A (en) * 1970-03-13 1973-01-09 Micro Bit Corp High speed-large storage capability electron beam accessed memory method and apparatus
US3871745A (en) * 1972-03-27 1975-03-18 Nippon Telegraph & Telephone Visual information storage and display device

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1099431B (de) * 1956-12-04 1961-02-09 Philips Nv Verfahren zur Herstellung von keramischen Koerpern fuer elektromechanische Umwandlungselemente
DE2030302A1 (de) * 1969-06-23 1971-02-04 Western Electric Company Ine , New York, NY (V St A ) Optischer Verschluß aus polykristalliner ferroelektnscher Feinkronkeramik
DE2061447A1 (de) * 1969-12-17 1971-06-24 Atomic Energy Commission Ferroelektrische Keramik

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
ETZ-B, Bd. 24, 1972, H. 20, S. 524-525 *
In Betracht gezogene ältere Anmeldung: DE-OS 23 38 810 *
Proceedings of the IEEE, Vol. 57, No. 5, Mai 1969, S. 751-768 *
The Bell System Technical Journal, July-August 1970, S. 053-967 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000042901A1 (de) 1999-01-22 2000-07-27 Haag-Streit Ag Ophthalmologisches gerät mit einem beleuchtungs- und/oder strahlenbehandlungsstrahl, dessen flächige intensitätsverteilung einstellbar ist, sowie anordnung mit diesem gerät zur augenbehandlung

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Publication number Publication date
JPS5315628B2 (de) 1978-05-26
JPS49127538A (de) 1974-12-06
US3973247A (en) 1976-08-03
DE2416684B2 (de) 1977-11-10
NL7404781A (de) 1974-10-08
NL172010C (nl) 1983-06-16
NL172010B (nl) 1983-01-17
DE2416684C3 (de) 1985-05-15

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