DE2412629A1 - Kapazitaets-variations-diode - Google Patents

Kapazitaets-variations-diode

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DE2412629A1 DE2412629A DE2412629A DE2412629A1 DE 2412629 A1 DE2412629 A1 DE 2412629A1 DE 2412629 A DE2412629 A DE 2412629A DE 2412629 A DE2412629 A DE 2412629A DE 2412629 A1 DE2412629 A1 DE 2412629A1
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Description

betreffend
Kapazitäts-Variations-Diode.
Die Erfindung bezieht sich auf Kapazitäts-Variations-Dioden, also solche Dioden, bei denen in der Anwendung die kapazitiven Eigenschaften wichtiger als die gleichrichtenden Eigenschaften sind. Die Erfindung bezieht sich ferner auf Schaltungsanordnungen für solche Dioden.
Gemäss der Erfindung ist eine Kapazitäts-Variations-Diode mit einem Substrat aus Halbleitermaterial eines bestimmten Leitfähigkeitstyps mit einer auf das Substrat aufgebrachten Schicht aus Material des entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps, die mit dem Substrat einen Gleichrichterübergang bildet, und mit zwei elektrischen Anschlüssen, die einen Ohm'sehen bzw. einen elektrischen Kontakt zu dem Substrat bzw. zu der Schicht herstellen, vorgesehen, die sich dadurch auszeichnet, dass die Schicht aus glasartigem amorphem Material besteht.
Der Begriff glasartiges amorphes Material für die aktive Schicht der Diode soll in Zusammenhang dieser Anmeldung solche Materialien bezeichnen, die typischerweise nur eine Nahordnung besitzen. Dabei soll der Begriff nicht nur Gläser umfassen, sondern auch alle anderen "amorphen" Materialien,
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die irgendeine nennenswerte Nahordnung besitzen. Jedoch sollen ausdrücklich sowohl kristallisierte Substanzen, z.B. Silicium und Siliciumdioxid, und echt amorphe Materialien ohne nennenswerte Ordnung ausgeschlossen sein .
Gläser, welche eine bestimmte Klasse glasartiger, amorpher Materialien umfassen, sind typischerweise abgeschreckte Flüssigkeiten mit einer Viskosität über 10 P bei Umgebungstemperatur. Sie sind im allgemeinen durch folgende Eigenschaften charakterisiert: 1. Die Existenz einer einzigen Phase, 2. allmähliches Erweichen und anschliessendes Schmelzen mit zunehmender Temperatur anstatt eines scharfen Schmelzpunktes, 3· muschelartiger Bruch und 4. das Fehlen von Beugungsmaxiina bei der kristallinen Röntgen— beugung.
Bei der erfindungsgemässen Diode ist die dünne Schicht aus glasartigem amorphem Material entweder n- oder p-leitend, während das die Schicht tragende halbleitende Substrat die jeweils andere Leitfähigkeit, also eine p- bzw. eine n-Lsitfähigkeit besitzt. Vorzugsweise ist die glasartige Schicht ionenundurchlässig, damit die Diode ein stabiles Verhalten in einem weiten Betriebsbereich zeigt. Die Kapazität der erfindungsgemässen Diode ist licht- und spannungsabhängig, woraus sich eine Vielzahl verschiedener Anwendungsmöglichkeiten und neuer Schaltungsanordnungen für die neue Diode ergeben.
Im folgenden ist die Erfindung mit ihren Vorteilen an Hand schematischer dargestellter Ausführungsbeispiele näher erläutert.
In den Zeichnungen zeigen:
Fig. 1 einen vereinfachten Querschnitt durch eine erfindungsgemässe Kapazitäts-Variations-Diode mit einem kristallinen Halbleiter und einer glasartigen Schicht;
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Fig. 2 eine graphische Darstellung der Kapazitäts-Spannungs-Kennlinie einer typischen Diode nach der Erfindimg ;
Fig. 3 ein Schaltbild einer zum Abstimmen geeigneten Schaltungsanordnung mit einer Kapazitäts-Variations-Diode nach der Erfindung;
Fig. 4 ein Schaltbild einer anderen Schaltungsanordnung zum Abstimmen nach der Erfindung;
Fig. 5 ein Schaltbild einer dritten Schaltungsanordnung zum Abstimmen nach der Erfindung.
In Fig. 1 ist eine Kapazitäts-Variations-Diode nach der Erfindung mit einer aktiven Schicht aus einem glasartigen amorphen Material dargestellt. Die Diode umfasst eine erste aktive Schicht 10 eines bestimmten Leitfähigkeitstyps, die z.B. ein Substrat aus kristallinem Halbleitermaterial ist, das entweder n- oder p-leitend dotiert ist. Für das Substrat v/ird ein spezifischer elektrischer Widerstand von mehr als 0,5 Ohm-cm vorgezogen. Auf der ersten aktiven Schicht bzw. dem Substrat 10 ist eine dünne, durchgehende zweite aktive Schicht 11 aus einem glasartigen amorphen Material angeordnet, das vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp ist, also p- bzw. η-leitend ist. Die Schicht 11 bildet mit dem Substrat 10 einen Gleichrichterübergang. Zwei Elektroden 12 und 13 stehen in Kontakt mit dem Substrat 10 bzw. der glasartigen Schicht 11 und dienen zum Anschluss der Diode in einer Nutzschaltung 14, in v/elcher die variable Kapazität der Diode zwischen den Elektroden 12 und 13 eine Rolle spielt. Die Nutzschaltung kann entweder als integrierte Schaltung ausgebildet oder aus separaten Bauelementen aufgebaut sein. Eine einstellbare Spannungsquelle 15, z.B. die Kombination einer Spannungsquelle und eines Spannungsteilers ist elektrisch an die Elektroden 12 und 13 angeschlossen. Die glasartige Schicht ist entweder so ausreichend dünn, dass die Schicht die zweckmässige Leitfähigkeit besitzt,oder ist zur Erzielung einer solchen Leitfähigkeit in der weiter unten beschriebenen Weise besonders behandelt. Im ersten Fall hängt die maximale Dicke in gewissem Ausmass
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vom Typ des glasartigen Materials und der jeweiligen Anwendung ab. Die Schicht sollte üblicherweise so ausreichend dünn sein, dass die gleichrichtenden Eigenschaften gegenüber den tfiderstandseigenschaften des glasartigen Materials dominieren. Venn, ein isolierendes Glas verwendet wird, sollte die Schicht aus Glas typischerweise dünner als 1,5 vorzugsweise dünner als 1,0 /um sein. Wenn Glas mit einem spezifischen elektrischen Grundwiderstand im halbleitenden Bereich benutzt wird, kann die Schicht dicker sein. Im Falle der besonderen Behandlung' der glasartigen Schicht zur Erzielung eines geeigneten Leitfähigkeitswertes wird auf der Oberfläche des glasartigen Materials eine Fremdionenquelle, z.B. eine Metallschicht, angeordnet und die glasartige Schicht auf eine Temperatur unterhalb ihres Schmelzpunktes erhitzt, wobei die Verunreinigungs- oder Fremdionen in die glasartige Schicht eindiffundieren.
Vorzugsweise besteht die glasartige Schicht aus einem glasartigen Material, das gegenüber Ionen üblichen Umgebungsmaterials wie z.B. Natrium undurchlässig ist, so dass die Diode in einem weiten Arbeitsbereich ein stabiles Verhalten zeigt. Zu diesem Zweck kann eine Glasschicht als ionenundurchlässig bezeichnet werden, wenn ein Kondensator mit der Schicht als Dielektrikum keine nennenswerte Verschiebung der für Raumtemperatur gültigen Kapazitäts-Spannungs-Kennlinie zeigt, nachdem er auf die vermutliche Betriebstemperatur in Anwesenheit solcher Materialien erhitzt und für eine Dauer von 100 Stunden an eine Vorspannung in Höhe der vermutlichen Betriebsspannung gelegt wurde.
Im allgemeinen sind glasartige Materialien, die überwiegend aus Komponenten, welche ionenundurchlässige kristalline Phasen bilden, ebenfalls ionenundurchlässig. Z.B. ist es im Falle von Gläsern bekannt, dass bestimmte Zusammensetzungen, wie z.B. PbSiO^, Pb^Al2SiO21, ZnB2SiO., nach
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Abkühlung aus der Schmelze unter Gleichgewichtsbedingungen kristalline Phasen bilden, welche ionenundurchlässig sind. Gläser, die überwiegend aus einer oder mehrerer dieser Zusammensetzungen bestehen, sind für die üblichen Anwendungen ionenundurchlässig, im allgemeinen sind Gläser mit mehr als 40 Kol% dieser Phasen relativ gute Sperren gegenüber einer lonenverunreinigung und Gläser mit 70 MoIJO und mehr sind ausgezeichnete Sperren.
Besonders bevorzugt v/erden isolierende ionenundurchlässige Gläser, die mit den üblichen kristallinen Halbleitervorrichtungen thermisch kompatibel sind, d.h. isolierende Gläser, deren Temperatur-Dehnungskoeffizient mit dem eines typischen Halbleitersubstrates übereinstimmt und deren Erweichungstemperaturen unterhalb der Beschädigungstemperaturen für typische Halbleitervorrichtungen mit Diffusionsübergang liegen« Solche Gläser können z.B. unter den Blei-Bohr-Aluminium-Silikaten, den Zink-Bor-Silikaten und den Zink-Bor-Aluininiuin-Silikaten gefunden v/erden. Spezielle Beispiele bevorzugter Glaszusammensetzungen sind in den Tabellen I und II angegeben. Für eine Ablagerung durch Sedimentation sind die Oxid-Komponenten der bevorzugten Glaszusammensetzung in Tabelle I aufgeführt. Unter jeder bevorzugten Prozentangabe ist ein Bereich annehmbarer Prozentv/erte aufgeführt:
Tabelle I Mol#
SiO2 6,6
(3-12)		 MolJ-o
ZnO 55,2
(45-65)		 Mol#
PbO 2,7
(0-6)		 MoljS
B2O3 34,5
(25-40)		 MoIJi
Al2O3 1,0
(0-3)
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/6
Hierbei kann ZnO bis zu einer Höhe von 10 MoIJi durch Calciumoxid, Bariumoxid oder Strontiumoxid oder eine Mischung davon ersetzt werden.
Eine alternative und zufriedenstellende Zusammensetzung eines Glases für Ablagerung durch Sedimentation ist in Tabelle II angegeben:
Tabelle II Mol%
SiO2 60
(55-65)		 MolJÖ
PbO 35
(30-40)		 IfW Ii /0
2 3 5
(0-7)
Hierbei kann SiO2 durch B2O,,, V2O5, P2O1- oder eine Mischung davon und PbO durch ZnO jeweils bis zu einer Höhe von 20 Mol£) substituiert v/erden.
Diese Gläser können nach den üblichen, allgemein bekannten Verfahren hergestellt werden. Die Herstellung eines Glases für Sedimentation ist z.B. im US-Patent 3 212 921 beschrieben.
Es wurde entdeckt, dass eine Anzahl glasartiger Materialien, die überwiegend aus polymerischen, kettenbildenaen Stoffen mit halbleitenden Elementen als ihren Schlüssel-Kationen hergestellt sind, z.B. Silikate und Borate, durch Schmelzdotierung mit einer geeigneten Verunreinigung zu n- oder p-leitenden Halbleitern gemacht werden können. Speziell können diese Gläser dadurch η-leitend oder p-leitend gemacht v/erden, dass man der Schmelze Verunreinigungen bzw. Fremdstoffe zusetzt, die in analoger Weise wie bei der Dotierung kristalliner Halbleiter als Donator oder Akzeptor wirken. Insbesondere sind die der Schmelze hinzugefügten Frendstcffe Elemente oder Verbindungen von Elementen, die
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ein Donator- oder Akzeptor-Dotierungsmittel für die Schlüssel-Kationen der polymerischen Struktur darstellen. Beispielsweise ist Silicium das Schlüssel-Kation in einem Silikatglas. Hier wird der Glasschmelze zur Erzielung einer p-Leitfähigkeit BpO7 zugesetzt, während zur Erzielung einer η-Leitfähigkeit P2O5 oder V2O^ zugesetzt wird. Bor ist das Schlüssel-Kation in einem Borglas; hier wird durch BeO p-Leitfähigkeit und durch SiO2 η-Leitfähigkeit erzeugt.
Vorzugsweise werden die Frendstoffe so ausgewählt, dass sie ungefähr die gleiche Grosse wie die Schlüssel-Kationen haben, so dass sie einen beträchtlichen Anteil der Schlüssel-Kationen in der Glas-Struktur ersetzen können. In einem solchen Fall können die Fremdstoff-Ionen bis zu 20 Mol$o und mehr der Schlüssel-Kationen ersetzen, ohne dass die Struktur des Glases signifikant geändert wird. Bin bevorzugtes Glas vom p-Typ zur Verwendung mit einem η-dotierten Silicium ist ein Blei-Silikat-Glas mit den Oxid-Komponenten PbO und SiO2 im Mol-Verhältnis von 1 : 1 und mit einem Anteil von B2O^ bis zu 20 Mol?-o. Ein bevorzugtes Glas vom η-Typ zur Verwendung mit einem p-dotierten Silicium enthält PbO und SiOp im Verhältnis 1:1 und wurde mit V2Oc oder P2O5 in einem Anteil bis zu 20 Mol$6 verschmolzen.
Die Diode nach Fig. 1 kann zweckmässigerweise in der Weise hergestellt v/erden, dass man eine dünne Schicht'aus Glas in der bekannten V/eise durch Sedimentation auf dem kristallisierten Substrat niederschlägt. Anschliessend können dann die Elektroden beispielsweise durch Vakuumverdampfung oder Zerstäubung aufgebracht werden.
Bei einem speziellen Beispiel einer solchen Diode wurde ein Flecken oder Punkt des zuvor erwähnten 1 : 1-Glases vom p-Typ mit einem Durchmesser von ungefähr 1 mm und einer Dicke von ungefähr 0,3 /um auf die Oberfläche eines n-dotierten Siliciumplättchens aufgebracht. Anschliessend
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wurde, und zwar in einer Dicke von einigen Tausend Angström durch Vakuumverdampfung auf das Glas aufgebracht und dann ein üblicher Ohm'scher Kontakt zu dem Silicium hergestellt. Die sich ergebende Struktur wirkte als Diode mit den in Fig. 2 wiedergegebenen Kapazitäts-Spannungs-Kennlinien. Die Kurve 1 der Fig. 2 stellt die Kapapzitäts-Spannungs-Kennlinie für den Fall, dass keine Lichteinstrahlung vorhanden ist, dar. Aus der Kurve lässt sich entnehmen, dass eine zunehmende Vergrösserung der Rückwärts-Vorspannung die Kapazität der Diode kleiner werden lässt. Typische Kapazitätswerte liegen im Bereich zwischen 300 pF für eine Spannung von 0 Volt und weniger als 5 pF für eine Spannung zwischen 10 und 30 Volt. Das Abstimmverhältnis liegt im linearen Abschnitt der Kurve in der Grössenordnung von 30. Der aussergewöhnlich niedrige Leckstrom der erfindungsgemässen Dioden, der kleiner als 1 nA ist, bedeutet, dass die Dioden zur Herstellung von Abstimmschaltungen oder Tunern mit einer für kommerzielle Anwendungen ausreichenden Güte Q hergestellt v/erden können.
Die Kurve 2 stellt die Kapazitäts-Spannungs-Kennlinie der Diode dar, wenn diese Licht von massiger Intensität ausgesetzt ist. Aus einem Vergleich zwischen der Kurve und der Kurve 1 lässt sich ersehen, dass durch Lichteinstrahlung die Kapazität der Diode für jeden Wert der Rückwärt s-Vorspannung erhöht wird. Wenn Licht hoher Intensität benutzt wird, für das eine Kennlinie nicht gezeigt ist, gibt die Diode eine praktisch konstante, von der Spannung unabhängige Kapazität an.
Fig. 3 zeigt eine neue Schaltungsanordnung nach der Erfindung. Im wesentlichen umfasst die Schaltungsanordnung, die beispielsweise als Tuner verwendet werden kann, einen LC-Oszillator, bei dem die Kapazität ganz oder teilweise durch eine Kapazitäts-Variations-Diode nach der Erfindung gebildet wird. Im einzelnen umfasst die Schaltungsanordnung einen LC-Oszillator mit einer Induktivität 20 und einer
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Kapazitäts-Variations-Diode 21 der zuvor erläuterten Ausbildung. Der Oszillator kann ausserdem eine weitere Kapazität 22 besitzen, durch die eine bestimmte Basisfrequenz des Oszillators festgelegt wird.
Die Kapazitäts-VaMations-Diode 21 ist mit einer Steuervorrichtung gekoppelt, die eine einstellbare Spannungsquelle 23 zurBeaufschlagung der Diode 21 mit einer einstellbaren Rückv/ärts-Vorspannung und eine Lichtquelle 24 einstellbarer Intensität umfasst. Die Lichtquelle 24 umfasst beispielsweise eine Photodiode 25, die elektrisch an eine einstellbare Stromquelle 26 angeschlossen ist. Die einstellbare Spannungsquelle 30 ist mit der Diode 21 über elektrische Leitungen verbunden, während die einstellbare Lichtquelle 24 mit der Diode 21 optisch gekoppelt ist, indem sie so angeordnet ist, dass die Lichtstrahlung von der Photodiode 25 auf den Gleichrichterübergang der Diode 21 auftrifft. Die optische Kopplung kann dadurch erleichtert v/erden, dass eine der beiden Elektroden der Dj_ode 21 aus transparentem Material, z.B. aus SnO?, hergestellt wird und dass ein transparentes glasartiges amorphes Material verwendet wird. Die einstellbare Spannungsquelle und die einstellbare Lichtquelle können entweder schrittweise, beispielsweise durch die Verwendung einer Spannungsquelle und eines Spannungsteilers, oder kontinuierlich, beispielsweise durch Verwendung eines Potentiometers, einstellbar ausgebildet sein.
Bei Verwendung der Schaltungsanordnung als Tuner ist eine Vielfrequenz-Signalquelle 27, z.B. die Kombination einer Empfangsantenne und eines geeigneten Verstärkers, elektrisch an den Oszillator angekoppelt und beaufschlagt diesen mit einem Viel- oder Mehrfachfrequenz-Signal. Das Signal kann beispielsweise parallel an die Induktivität 20 über die Klemmen A und B angelegt werden. Die Kapazität der Kapazitäts-Variations-Diode 21 wird dann durch Einstellung der Spannungsquelle 23 und der Lichtquelle 24 auf einen Viert
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eingestellt, welcher eine bestimmte Resonanzfrequenz des Oszillators entsprechend der gewünschten Komponente des Vielfrequenz-Signals bestimmt. Das Ausgangssignal des Tuners kann in jeder gewünschten Weise in in den dazu bekannten zahlreichen Schaltungen weiterverarbeitet werden.
Bei Verwendung der Schaltungsanordnung als Tuner ist es häufig empfehlenswert, eine der beiden Steuereinrichtungen schrittweise als Kanalwähler und die jeweils andere Steuereinrichtung kontinuierlich zur Feinabstimmung einzustellen. Entweder kann die einstellbare Spannungsquelle 23 oder die einstellbare Lichtquelle 24 als Kanalwähler die jeweils andere Steuereinrichtung als Feinabstimraglied verwendet werden. Alternativ können sowohl die einstellbare Spannungsquelle als auch die einstellbare Lichtquelle jeweils schrittweise zur Erzielung einer diskreten Mehr-Kanal-Abstimmung einstellbar sein. Bei einer weiteren Alternative kann die Lichtquelle 24 fehlen, wobei dann die Schaltungsanordnung allein durch Einstellung der Spannungsquelle 23 zur Veränderung der Kapazität der Diode 21 abgestimmt wird.
Ebenso ist es möglich, die Kapazitäts-Variatbns-Diode allein mit einer veränderlichen Lichtquelle zu benutzen. Fig. 4 zeigt das Schaltbild einer entsprechenden alternativen Schaltungsanordnung. Die Schaltung nach Fig. 4 stimmt im wesentlichen mit der Schaltung nach Fig. 3 überein, mit der Ausnahme, dass die einstellbare Spannungsquelle 23 nach Fig. 3 durch eine Festspannungsquelle 30 zur Beaufschlagung der Diode 21 mit einer Rückwärts-Vorspannung ersetzt ist. Die Schaltungsanordnung nach Fig. 4 lässt sich als lichtbetätigter Tuner bezeichnen. Durch Veränderung der Intensität des Lichtes von der Lichtquelle 24 wird die Frequenz des Oszillators geändert. Es kann eine in diskreten Schritten einstellbare Lichtquelle verwendet werden, wobei von Intensitätsschritt zu Intensitätsschritt eine empirische
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— 1 ·", —
II
Eichung durchgeführt wird, damit eine Kanal-Umschaltung durch Änderung des Lichtes allein möglich ist. Die Spannungsquelle 30 kann auch auf eine Spannung von O Volt eingestellt sein oder in der Schaltungsanordnung ganz fehlen, so dass die Kapazität der Diode nur von der jeweiligen Intensität des Lichtes abhängt.
Fig. 5 zeigt das Schaltbild einer wiederum anderen Ausbildungsform einer Schaltungsanordnung nach der Erfindung, die im wesentlichen mit der in Fig. 3 gezeigten übereinstimmt mit der Ausnahme, dass die einstellbare Lichtquelle 24 durch eine Lichtquelle 40 ersetzt ist, die Licht konstanter Intensität abgibt. Die Intensität des Lichtes von dieser Lichtquelle wird mit Vorteil so gewählt, dass sie entweder die Steilheit der Kapazitäts-Spannungs-Kennlinie der Diode 21 auf einen gewünschten Wert verringert oder zu einer bestimmten, gewünschten Kapazität für einen bestimmten Wert der Rückwärts-Vorspannung führt.
Es gibt zahlreiche weitere Anwendungsbeispiele für die Kapazitäts-Variations-Diode nach der Erfindung. Die neue Diode kann in jeder Schaltungsanordnung verwendet werden, in welcher eine variable Kapazität eivünscht ist, z.B. zur Erzeugung einstellbarer RC-Zeitkonstanten, Filtereigenschaften, Phasenverschiebungen und dgl., wobei die Kapazität durch liinstellung der Intensität des Lichtes und/oder der Höhe der Vorspannung geändert v/erden kann.
/Ansprüche
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Claims (10)

  1. Ansprüche
    Kapazitäts-Variations-Diode mit einem Substrat aus Halbleitermaterial eines bestimmten Leitfähigkeitstyps mit einer auf das Substrat aufgebrachten Schicht aus Material des entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps, die mit dem Substrat einen Gleichrichterübergang bildet, und mit zwei elektrischen Anschlüssen, die einen Ohm'sehen bzw. einen elektrischen Kontakt zu dem Substrat bzw. zu der Schicht herstellen, dadurch gekennzeichnet , dass die Schicht (11) aus glasartigem amorphem Material besteht.
  2. 2. Diode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens einer der beiden Anschlüsse(12; 13) lichtdurchlässig ist.
  3. 3. Diode nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet , dass das Substrat (10) aus einem kristallinen Halbleiter besteht.
  4. 4. Diode nach Anspruch 1, 2 oder 35 dadurch gekennzeichnet , dass das glasartige amorphe Material der Schicht (11) ein ionenundurchlässiges Glas ist.
  5. 5. Schaltungsanordnung mit einer Diode nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet , dass die Anschlüsse (12; 13) der Diode mit einer elektrischen Spannungsquelle (23;30) verbunden sind, welche die Diode mit einer Rückwärts-Vorspannung beaufschlagt.
  6. 6. Schaltungsanordnung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet , dass die Spannung der Spannungsquelle (23) zur Änderung der Kapazität der Diode zwischen den beiden Anschlüssen kontinuierlich und/oder in diskreten Schritten veränderbar ist.
    409839/0782 /2
    ORlGiNAt INSPECTED
  7. 7. Schaltungsanordnung nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet , dass mit der Diode eine Lichtquelle (24; 40) zur Beleuchtung des Gleichrichterübergangs optisch gekoppelt ist.
  8. 8. Schaltungsanordnung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet , dass die Intensität des Lichtes der Lichtquelle (24) zur Änderung der. Kapazität der Diode zwischen den beiden Anschlüssen (12;13) kontinuierlich und/ oder in diskreten Schritten veränderbar ist.
  9. 9. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 5 bis 8, dadurch gekennzeichnet , dass die Diode mindestens ein frequenzbestimmendes Schaltelement eines LC-Oszillators bildet.
  10. 10. Schaltungsanordnung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet , dass der LC-Oszillator Teil einer Abstimmschaltung zur Verarbeitung eines Vielfrequenz-Signals ist.
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