DE2402720A1 - Isolierverfahren fuer elektrische schaltungs-leitungszuege - Google Patents

Isolierverfahren fuer elektrische schaltungs-leitungszuege

Info

Publication number
DE2402720A1
DE2402720A1 DE2402720A DE2402720A DE2402720A1 DE 2402720 A1 DE2402720 A1 DE 2402720A1 DE 2402720 A DE2402720 A DE 2402720A DE 2402720 A DE2402720 A DE 2402720A DE 2402720 A1 DE2402720 A1 DE 2402720A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
film
anodically
insulating film
run
isolation method
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE2402720A
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Osamu Asai
Moriaki Fuyama
Masanobu Hanazono
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Publication of DE2402720A1 publication Critical patent/DE2402720A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/01—Manufacture or treatment
    • H10W70/05—Manufacture or treatment of insulating or insulated package substrates, or of interposers, or of redistribution layers
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
    • G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4685—Manufacturing of cross-over conductors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
    • H10W70/67—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their insulating layers or insulating parts
    • H10W70/69—Insulating materials thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
    • H10W70/67—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their insulating layers or insulating parts
    • H10W70/69—Insulating materials thereof
    • H10W70/698—Semiconductor materials that are electrically insulating, e.g. undoped silicon

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Weting (AREA)
DE2402720A 1973-01-22 1974-01-21 Isolierverfahren fuer elektrische schaltungs-leitungszuege Pending DE2402720A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP48008605A JPS49100970A (enExample) 1973-01-22 1973-01-22

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE2402720A1 true DE2402720A1 (de) 1974-08-22

Family

ID=11697580

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2402720A Pending DE2402720A1 (de) 1973-01-22 1974-01-21 Isolierverfahren fuer elektrische schaltungs-leitungszuege

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JPS49100970A (enExample)
DE (1) DE2402720A1 (enExample)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3407784A1 (de) * 1984-03-02 1985-09-12 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim Duennschichthybridschaltung
DE10343279A1 (de) * 2003-09-18 2005-04-21 Eupec Gmbh & Co Kg Elektrisches Leitungssystem

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51126079A (en) * 1975-04-25 1976-11-02 Hitachi Ltd Growth method of many layer wiring

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS529857B2 (enExample) * 1972-07-28 1977-03-18

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3407784A1 (de) * 1984-03-02 1985-09-12 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim Duennschichthybridschaltung
DE10343279A1 (de) * 2003-09-18 2005-04-21 Eupec Gmbh & Co Kg Elektrisches Leitungssystem
DE10343279B4 (de) * 2003-09-18 2007-02-15 Thomas Passe Elektrisches Leitungssystem

Also Published As

Publication number Publication date
JPS49100970A (enExample) 1974-09-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2448535C2 (de) Verfahren zum Niederschlagen dünner leitfähiger Filme auf einem anorganischen Substrat
DE2709986C2 (de) Verfahren zum Herstellen einer koplanaren Schichtstruktur
DE1930669C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer integrierten Halbleiterschaltung
DE3340563C2 (de) Schichtkondensator und Verfahren zur Herstellung desselben
DE2052424C3 (de) Verfahren zum Herstellen elektrischer Leitungsverbindungen
DE3851392T2 (de) Halbleiteranordnung mit einer Leiterschicht.
DE2036139A1 (de) Dunnfümmetallisierungsverfahren fur Mikroschaltungen
DE2439300C2 (de) "Verfahren zum Abätzen eines vorbestimmten Teils einer Siliziumoxidschicht"
DE2709933C2 (de) Verfahren zur Herstellung von leitenden Verbindungen zwischen übereinander angeordneten Metallisierungsschichten
DE2401333A1 (de) Verfahren zur herstellung von isolierfilmen auf verbindungsschichten
DE2313106C2 (de) Verfahren zum Herstellen eines mindestens einlagigen elektrischen Verbindungssystems
DE2723944A1 (de) Anordnung aus einer strukturierten schicht und einem muster festgelegter dicke und verfahren zu ihrer herstellung
EP0002669A1 (de) Verfahren zum Entfernen von Material von einem Substrat durch selektive Trockemätzung und Anwendung dieses Verfahrens bei der Herstellung von Leitungsmustern
EP0012220A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Schottky-Kontakts mit selbstjustierter Schutzringzone
DE2432719B2 (de) Verfahren zum erzeugen von feinen strukturen aus aufdampfbaren materialien auf einer unterlage und anwendung des verfahrens
DE19717363C2 (de) Herstellverfahren für eine Platinmetall-Struktur mittels eines Lift-off-Prozesses und Verwendung des Herstellverfahrens
DE1917995B2 (de) Verfahren zur bildung eines isolierfilmes und danach hergestelltes halbleiterelement
DE3689971T2 (de) Herstellung einer halbleiteranordnung.
DE1910736B2 (de) Verfahren zum herstellen von gegeneinander elektrisch isolierten, aus aluminium bestehenden leiterbahnen und anwendung des verfahrens
DE2402720A1 (de) Isolierverfahren fuer elektrische schaltungs-leitungszuege
DE2252832C2 (de) Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE1639061B1 (de) Verteilte rc schaltung in duennschichtausfuehrung
DE3034980A1 (de) Verfahren zur herstellung von verbundkoerpern
EP0218039A1 (de) Verfahren zur Übertragung feinster Fotolackstrukturen
DE2804602A1 (de) Verfahren zur bildung einer elektrisch isolierenden schicht auf einem substrat mit einem metallmuster fuer eine integrierte schaltung