DE2364156C2

DE2364156C2 - Verstärkender Doppelgegentaktmodulator

Info

Publication number: DE2364156C2
Application number: DE19732364156
Authority: DE
Inventors: Wilhelm Dipl.-Ing. 8000 Muenchen Volejnik
Original assignee: Siemens AG
Current assignee: Siemens AG
Priority date: 1973-12-21
Filing date: 1973-12-21
Publication date: 1975-11-13
Also published as: DE2364156B1; IT1027911B

Description

Die Erfindung betrifft einen verstärkenden Doppelgegentaktmodulator, bei dem die Kollektoren von vier Transistoren des gleichen Leitfähigkeitstyps paarweise miteinander verbunden und an einen Anschluß des Modulatorausganges geführt sind, die Basisanschlüsse zweier, kollektorseitig an verschiedenen Anschlüssen des Modulatorausganges liegender Transistoren miteinander verbunden und mit einander gegenphasigen Trägerspannungen beaufschlagbar sind und bei dem jeweils zwei Transistoren, deren Kollektoren an verschiedenen Anschlüssen des Modulatorausganges und deren Basisanschlüsse an verschiedenen Basisverbindungen liegen, emitterseitig miteinander verbunden sind, wobei an die Emitterverbindung jeweils der Kollektor eines von zwei wei-

jgjgn Transistoren angeschlossen ist, wobei die KoI- der Trägerrest des verstärkenden Doppelgegentaktlektoren der beiden weiteren Transistoren einander modulators dadurch noch weiter verringern, daß die tegenphasige Signalströme an die Emitter abgeben Trägerspannung eine Rechteckspannung mit einer und wobei wenigstens bei einem der beiden weiteren derart klein bemessenen Amplitude ist, daß die Tran-Transistoren der Emitter mit der Basis und die Basis 5 sistoren gerade noch sicher geschaltet werden, mit dem Kollektor eines zusätzlichen Transistors Auf diese Weise ergibt sich gegenüber vergleichverbunden ist, dessen Kollektor über einen Lastrveig baren vorbekannten Doppelgegentaktmodulatoren mit der Versorgungsspannung verbunden ist mit nachgeschalteten Modulationsfiltern ein wesent-

Ein derartiger verstärkender Doppelgegentakt- lieh verringerter Aufwand für die Filterschaltungen, modulator ist bereits aus der deutschen Auslegeschrift io In Weiterbildung der Erfindung wird der verstär-1949405 bekannt Bsi dem bekannten Doppeigegen- kende Modulator derart ausgebildet, daß bei dem taktmodulator wird das modulierende Signal einer Differenzverstärker, bei dem von zwei emitterseitig Phasenumkehrschaltung zugeführt, bei der mit Hilfe miteinander und über einen gemeinsamen Stromeines zusätzlichen, an einen gemeinsamen Emitter- zweig an einen Anschluß der Versorgungsspannungswiderstand der beiden in der Phasenumkehrschal- 15 quelle geführten Transistoren der eine mit seinem hing enthaltenen Transistoren angeschlossenen Tran- Kollektor unmittelbar und der andere über einen sistor gewährleistet wird, daß die einander gegen- Widerstand an Versorgungsspannung liegt, der kolohasigen Ausgangsströme weitgehend miteinander lektorseitig unmittelbar an Versorgungsspannung übereinstimmen. Dabei ist einer der Transistoren der liegende Transistor basisseitig mit dem Eingang verphasenumkehrschaltung mit einem weiteren Transi- *o bunden ist und der kollektorseitig mit dem Widerstor beschältet, der eine Gegenkopplung vom Signal- stand beschaltete Transistor der zusätzlich vorstrom auf die Eingangssignalspannung bewirkt. Auf gesehene Transistor ist.

diese Weise wird die Klirrdämpfung bei gleicher Der eine Transistor und der zusätzliche Transistor

Grundgeräuschleistung wesentlich verbessert sind so miteinander verbunden, daß sich eine Rück-

Aktive Modulatoren für Frequenzmultiplex-Sy- «5 kopplungsschleife ergibt, durch die das nichtlineare sterne sind im allgemeinen so gestaltet, daß die den Verhalten der Emitter-Basis-Kennlinie des einen Modulator steuernde Trägerspannung imldealfaU am Transistors zu den Ausgangsklemmen hm weitgehend Modulator-Ausgang nicht auftritt. Durch unvermeid- unterdrückt wird. Für die im allgemeinen üblichen liehe Unsymmetrien im Modulator, insbesondere bei Innenwiderstände der den Differenzverstärker speiden Arbeitsströmen und Transistorkapazitäten, tritt 30 senden Quelle ergeben sich Verhaltnisse unter denen iedoch am Modulator-Ausgang in der Praxis eine für die Schaltungsanordnung keine Schwingneigung Träeer-Restspannung auf, die im nachfolgenden Mo- besteht. Unter besonderen Bedingungen, insbesondulationsfilter auf zulässige Werte unterdrückt wird. dere bei geerdetem Eingang des Diff^e«nzverstarke« Ein hoher Trägerrest bedeutet somit einen erhöhten kann es jedoch vorkommen, daß in einem löschen FUterSwand 35 Frequenzgebiet, Phasendrehung und Schleifenverstar-

Aufgabe der Erfindung ist es daher, einen ver- kung eine Schwingung ermöglichen, stärkenden Doppelgegentaktmodulator der vor- In weiterer Ausgestaltung der Erfindung laßt sich

stehend näher bezeichneten Art derart auszubilden, der für den eingangsseitigen Abschluß zulassige Bedaß sich ein gegenüber vergleichbaren vorbekannten reich dadurch weiter großem daß die Basis des Modulatorschaltungen geringerer Trägerrest am Mo- 4° einen Transistors jeweils über einen Kondensator an ^,,latnriiiieoanff erribt Bezugspotential gefuhrt ist

GeS §« Erfindung wird der verstärkende Dop- Dabei kann es sich als zweckmäßig erweisen, die

pelgeTentakSiodulator lur Lösung dieser Aufgabe Kapazität des Kondensators derart zu bemessen daß ^Pd S ausgebildet, daß jeder der weiteren Transisto- ihr Blmdwiderstand "* EgujB^be™^ch. JL?™ ren mit dem zusätzlichen Transistor in der angegebe- 45 einem Zehntel bis,zurHälfte der

gnalspannung zuzuführen, so daß die Signalspannung 5° ten Doppelgegentaktmoauiators unu an nanu uvo m zwischen den Basisanschlüssen von zwei Transistoren F i g. 2 gezeigten Ausführungsbeispieles näher eranliegt, die in verschiedenen Differenzverstärkern ent- läutert.

halten sind. F i g. 1 zeigt einen Doppelgegentakimodulator, be:

Durch diese Maßnahmen ergibt sich in vorteil- dem in bekannter Weise vier trägergesteuerte Tranhafter Weise ein verstärkender Doppelgegentskt- 55 sistoren 1 bis 4 mit den Emittern paarweise zu modulator, bei dem die hohe Klirrdämpfung der in sammengeführt sind und die Emitterverbindungen ar . der Zuführung des zu modulierenden Signals gelege- die Kollektoren von zwei signalgesteuerten Transi nen Schaltungsteile eine gegenüber bekannten Schal- stören angeschlossen sind, deren Emitter an ein Be tungen wesentliche Verminderung der Arbeitsströme ^.ugspotential — U_B geführt sind. Zusätzlich ist be erlaubt, die allein durch die geforderte Aussteuer- 60 den signalgesteuerten Transistoren 5 und 6 in di grenze bestimmt wird. Damit geht bei gegebener Un- Verbindung des Emitters mit Bezugspotential — V symmetrie der Schaltung die Differenz" der beiden jeweils eine Quelle eingeprägten Gleichstromes ein Arbeitsströme auf einen besonders kleinen Wert und gefügt. Die beiden Quellen liefern die Arbeitsström mit ihr der dieser Differenz proportionale Träger- /lund/2.

restanteil. Der Trägerrest des aktiven Modulators 65 Bei dem in Fig. 2 gezeigten Doppelgegentakt

wird daher auf einen besonders kleinen Wert ge- modulator sind die Kollektoren der vier Transistc

bracht. ren 1 bis 4, die den gleichen Leitfähigkeitstyp au!

In weiterer Ausgestaltung der Erfindung läßt sich weisen, paarweise miteinander verbunden, wobei di

5 6

Kollektoren der Transistoren 1 und 3 an den An- der zugehörigen signalgesteuerten Schaltung 401 bzw

Schluß α und die Kollektoren der Transistoren 2 402 gelegt.

und 4 an den Anschluß / des Modulatorausgangs ge- Die Schaltungen 401 und 402 sind jeweils übei

führt sind. einen der Widerstände 55 und 65 an einen der An-

An die Anschlüsse α und / kann ein symmetri- 5 Schlüsse m und / geführt, an die eine symmetrische

trischer Ausgangsübertrager angeschlossen werden, Eingangssignalspannung gelegt werden kann,

dessen Primärwicklung mit einer Mittelanzapfung Die Schaltungen 401 und 402 gewährleisten, daß

versehen ist, so daß die Differenz der Modulator- die mit Hilfe der Transistoren 10 in die vier Transi-

ausgangsströme gebildet wird. An die Modulator- stören 1 bis 4 eingeprägten Arbeitsströme besonders

ausgangsklemmen α und / sind die Transistoren 18 io klein gewählt werden können. Die gezeigten Schal-

und 22 mit ihrer Basis angeschlossen. Die Kollekte- tungen 401 und 402 können für den Fall, daß an den

ren und Emitter der Transistoren 18 und 22 sind an Doppelgegentaktmodulator nicht ganz so große For-

die Anschlüsse b bis e geführt. Mit Hilfe dieser bei- derungen gestellt werden, in vereinfachter Form so

den Transistoren läßt sich eine Ausgangsdifferenz- abgewandelt werden, daß bei dem Differenzverstär-

schaltung aufbauen oder eine zusätzliche Verstärkung 15 ker, bei dem von zwei emitterseitig miteinander und

erzielen. über einen, insbesondere durch einen Widerstand ge-

Die Transistoren 1 bis 4 werden jeweils an der bildeten Stromzweig an einen Anschluß der Versor-Basis mit einer rechteckförmigen Trägerspannung gungsspannungsquelle geführten Transistoren der beaufschlagt. Die Trägereingangsklemmen k und / eine mit seinem Kollektor unmittelbar und der andere sind über die Widerstände 53 und 54 an die Basis- 20 über einen Widerstand an Versorgungsspannung liegt, anschlüsse der Transistoren 14 und 15 geführt, die der kollektorseitig unmittelbar an Versorgungsspanals Differenzverstärker geschaltet sind und an den nung liegende Transistor basisseitig mit dem Modu-Kollektoren einander gegenphasige reenteckförmige latoreingang verbunden ist und der kollektorseitig Trägerspannungen abgeben. Mit HUfe des Transi- mit dem Widerstand beschaltete Transistor der zustors 16, dessen Emitter über den Widerstand 57 an as sätzlich vorgesehene Transistor ist. die Spannung — U_B und dessen Basis an eine mit Die in F i g. 2 gezeigten Schaltungen 401 und 402 Hilfe der beiden als Dioden geschalteten Transisto- sind dagegen so ausgebildet, daß bei dem Differenzren 27 und 28 stabilisierte Gleichspannung geführt verstärker in die Emitterverbindung der beiden Tranist, wird in die Emitterverbindung der Transistoren sistoren 11 und 12 mit Hufe des im gemeinsamen 14 und 15 ein Gleichstrom eingeprägt. Die Kollek- 30 Stromzweig liegenden Transistors 29 ein Gleichstrom toren der Transistoren 14 und 15 sind über je einen eingeprägt wird und daß die Kollektoren der Tran-Widerstand 51 bzw. 52 und die gemeinsam nachge- sistoren 11 und 12 des Differenzverstärkers an eine schaltete Emitter-Kollektor-Strecke des Transistors Schaltung zur AufteUung des eingeprägten Gleich-13 an die Spannung + U_B geführt, wobei die Basis Stromes in zwei gleich große Teilströme angeschlosdes Transistors 13 mit einer Gleichspannung beauf- 35 sen sind.

schlagt wird, die an dem aus den Widerständen 63, Die Schaltung zur Aufteilung des in dem Diffe-

64, 66 und den Transistoren 27 und 28 bestehenden renzverstärker eingeprägten Gleichstromes enthält

Spannungsteiler, und zwar am Verbindungspunkt der die drei Transistoren 7, 8 und 9. Die Transistoren 7

Widerstände 63 und 64, abgegriffen wird. und 8 sind jeweils mit ihrem Emitter über einen von

Die Basisanschlüsse der Transistoren 1 und 4 sind 40 zwei gleich groß bemessenen Widerständen 45 und

gemeinsam an den Kollektor des Transistors 14, die 46 mit Versorgungsspannung + U₈ verbunden und

Basisanschlüsse der Transistoren 2 und 3 gemeinsam basisseitig unmittelbar und kollektorseitig über die

an den Kollektor des Transistors 15 angeschlossen. Emitter-Basis-Strecke des Transistors 9 verbunden.

Die Emitterverbindung der Transistoren 1 und 2 Der Transistor 9 liegt mit seiner Basis am Kollektor

ist an den KoUektor des in der signalgesteuerten 45 des Transistors 11 und mit seinem Kollektor am

Schaltung 401 enthaltenen Transistors 10 angeschlos- Kollektor des Transistors 12.

sen. Die Emitterverbindung der Transistoren 3 und 4 Die Schaltung aus den Transistoren 7, 8, 9 und 10

liegt am Kollektor des in der weiteren signalgesteuer- und den gleich groß bemessenen Widerständen 45

ten Schaltung 402 enthaltenen Transistors 10. und 46 gewährleistet, daß der Strom, der dem KoI-

Die signalgesteuerten Schaltungen 401 und 402 50 lektor des Transistors 8 zufließt, insbesondere auch sind in gleicher Weise aufgebaut Einander ent- dann einen Kollektorstrom in gleicher Höhe im sprechende Schaltmittel sind daher mit gleichen Be- Transistor 9 zur Folge hat, wenn sich die Eingangszugszeichen versehen. spannung und/oder die Versorgungsspanmmg ändert.

Die Transistoren 21 und 25, deren Basisanschlüsse Damit ergibt sich eine Aufteilung des Quellengleich-

miteinander verbunden und an den Anschluß η bzw. 55 stromes zu gleichen Teilen in die beiden Transistoren

über den als Diode geschalteten Transistor 17 und 11 und 12 und somit eine besonders weitgehende

den Widerstand 58 an die Spannung — U_B geführt Kompensation der Verzerrungen gerader Ordnung

sind, sind mit ihrem Emitter jeweils über einen und von ungeraden Harmonischen Ein weiterer Vor-

Widerstand 60 bzw. 61 an die Spannung -U_B ge- teü ist die besonders geringe Gleichspanmingsdiffe-

führt und liefern an ihrem Kollektor jeweüs einen 60 renz zwischen der Basis des Transistors 11 und dem

eingeprägten Gleichstrom, der jeweils dem Emitter Emitter des Transistors 10

eines der beiden Transistoren 10 zugeführt wird. Auf diese Weise wird der mit Hilfe des Transistors

Die Transistoren 26 und 29 sind jeweils mit ihrer 26 bzw. 29 und unter Mitwirkung des Transistors 10

Basis an die mit Hufe der Transistoren 27 und 28 jeweUs in den Differenzverstärker eingeprägte Gleich-

stabilisierte Gleichspannung geführt, mit ihrem Emit- 65 strom in besonders vorteilhafter Weise auf die beiter über je einen Widerstand 59 bzw. 62 an die Span- den Kollektorkreise der Transistoren 11 und 12 aufnung — U_B gelegt und mit ihrem Kollektor jeweils geteUt

an die Emitterverbiüdung der Transistoren 11 und 12 Dabei ist der Arbeitswiderstand des Transistors

12 als dynamisch hochohmige Stromquelle aus- Kollektorkreis des Transistors 12 möglichst groß begebildet, messen.

Die Basisanschlüsse der Transistoren 12 liegen an Der Transistor 10 ist in Emitter-Grundschaltung den Anschlüssen p, q. Zwischen diesen Anschlüssen geschaltet. Dabei ist der Kollektor des Transistors kann entsprechend F i g. 1 ein Widerstand angelegt 5 10 über seinen Kollektorkreis bzw. über die Emitterwerden, der die Modulationsverstärkung bestimmt. Kollektor-Strecken der Transistoren 1 und 2 bzw. 3 Mit Hilfe eines in Serie zu diesem Widerstand ge- und 4 und eine darauffolgende, in der Figur nicht schalteten Kondensators läßt sich eine gleichstrom- näher dargestellte Ausgangsschaltung an den posimäßige Entkopplung des äußeren Stromzweiges von tiven Pol + U_B und der Emitter über seinen Emitterder Modulatorschaltung erreichen. io kreis an den negativen Pol — U_B der Vörsorgungs-

Dem Transistor 10 ist ein die Transistoren 11 und Spannungsquelle angeschlossen.

12 enthaltender Differenzverstärker vorgeschaltet. Der in F i g. 2 gezeigte Doppelgegentaktmodulator

Dabei ist die Basis des Transistors 10 unmittelbar enthält in den signalgesteuerten Schaltungen 401 und

mit dem Kollektor des Transistors 12 und der Emit- 402 jeweils einen Differenzvorverstärker und bietet

ter des Transistors 10 unmittelbar mit der Basis des 15 dadurch in vorteilhafter Weise einen um den Fak-

Transistors 12 verbunden. tor ß_u vergrößerten Eingangswiderstand, wobei ß_n

Zwischen dem Emitter des Transistors 12 und dem die Stromverstärkung des Transistors 11 in Emitternegativen Pol — U_B der Versorgungsspannungsquelle schaltung ist. Die Basis-Emitter-Dioden der Transiliegt eine Stromquelle eingeprägten Gleichstromes. stören 12 und 11 sind wechselstrommäßig gegenein-Der weitere Transistor 11 des Differenzverstärkers ist ao ander geschaltet, so daß sich bei gleichen Strömen mit seinem Emitter unmittelbar an den Emitter des in den Transistoren 12 und 11 eine Kompensation Transistors 12 geführt und wird an seiner Basis mit der Verzerrungen gerader Ordnung ergibt,
dem modulierenden Signal beaufschlagt. Die Spannung U_e ₁₀ folgt der Eingangsspannung

Bei dem Differenzverstärker ist zwischen die Emit- U_{b n} auch gleichspannungsmäßig, und zwar ohne terverbindung der beiden Transistoren 11 und 12 25 Schwelle. Um eine große Emitterspannung V_eti des und dem negativen Anschluß — U_B der Versorgungs- Transistors 12 bei großem Widerstand R_res zu erspannungsquelle eine Gleichspannungsquelle einge- möglichen, kann als Arbeitswiderstand des Transifügt, die einen Gleichstrom in die Emitterverbindung stors 12 zweckmäßigerweise eine Stromquelle geeinprägt. Die Kollektoren der Transistoren 11 und schaltet werden, die dynamisch hochohmig ist; in 12 sind an eine Schaltung zur Aufteilung des ein- 30 den Emitter des Transistors 12 fließt dann nur mehl geprägten Gleichstromes in zwei gleich große Gleich- der Basiswechselstrom des Transistors 10.
ströme angeschlossen. Mit den getroffenen Maßnahmen wird somit die

Die Transistoren 11 und 12 wirken jeweils wie Verzerrung der Ausgangsspannung wesentlich redu-

folgt zusammen: ziert.

Da die Emitterspannung U_en, die Spannung U_bl2 35 Weil wegen der oben beschriebenen Stromvertei- und die Kollektorspannung Ü_cli des Transistors 12 hmgsschaltung die Kollektorströme /_C8 und i_Ce dei etwa gleich groß sind, ist der Koileklorslrom i_c ₁₂ des Transistoren 8 und 9 gleich groß sind und der Wech-Transistors 12 etwa gleich dem Quotienten aus der selstrom im Transistor 12 gegenphasig zu dem irr Spannung l/_flä und dem Widerstand R_res, wobei Transistor 11 ist, ist der Basiswechselstrom im Tran- R_res der Widerstandswert der Parallelschaltung aus 40 sistor 10 doppelt so hoch wie der Kollektorwechsel· dem Widerstand im Kollektorkreis des Transistors 12 strom im Transistor 11. Daraus folgt der Eingangsund dem Eingangswiderstand R_El0 des Transistors widerstand der Schaltungsanordnung zu 2ß_lt -ß_lo-R 10 ist. Dieser Eingangswiderstand R_El0 ist etwa wobei ß_n die Stromverstärkung des Transistors U gleich dem Produkt aus der Stromverstärkung /J₁₀ des in Emitterschaltung, ß_l0 die Stromverstärkung de; Transistors 10 in Emitterschaltung und dem Wert R 45 Transistors 10 in Emitterschaltung und R der Wer des Widerstandes im Emitterkreis des Transistors 10. des Widerstandes im Emitterkreis des Transistors IC

_ . . sind.

fcs gut somit _Die schaltungen 401 bzw. 402 liefern jeweils einer

Ven "<\ Ausgangswechselstrom, der wegen der hohen Gegen-

'«2 ~ Vt 50 kopplung der nichtlinearen Kennlinie des Transistor

j ^res 10 praktisch verzerrungsfrei der Eingangssignalspan

R äs ß · .R (4) ^nung P^roP^ortional ist

^E ' Im Hinblick auf die vorgesehenen Gleichstrom

Da der Emitterstrom i_el2 des Transistors 12 etwa kupplungen ist der Doppelgegentaktmodulator leich

gleich dem Kollektorstrom' i_cl2 des Transistors 12 55 integrierbar. Der Eingangswiderstand der Schaltung

ist, ergibt sich der dynamische Eingangswiderstand Z_E 401 bzw. 402 ist besonders hochohmig. Bei der be

der Schaltungsanordnung am Emitter des Transistors vorzugten Anwendung in Schaltungen der Träger

12 zu frequenztechnik wirkt sich die erzielbare hohe Klirr

dämpfung, die guten Klirreigenschaften und der be

7 = ^"la ^ _^£ü~ R (5) ^6o sonders geringe Trägerrest besonders vorteilhaft aus

^ε j ~ j_e ^res' Die Schaltungsanordnung enthält ferner den Kon

^m " densator 13, der die Basis des Transistors 10 mi

Im Interesse einer starken Gegenkopplung und Erde bzw. Bezugspotential +U_B verbindet. Diese

damit Verzerrungsminderung werden im Transistor Kondensator 13 dient dazu, auch bei besonderen Be

12 der Gleichstrom möglichst groß und der Kollek- 65 triebsbedingungen eine Schwingneigung der Schal

torwechselstrom /_cl2 des Transistors 12 möglichst tungsanordnung zu vermeiden.

klein gewählt. Zu diesem Zweck wird der Wider- Zur Erläuterung der Wirkung des Kondensators 1;

stand R_res und damit der Wert des Widerstandes im sei zunächst angenommen, daß bei der Schaltungs

ίο

anordnung nach F i g. 2 die kritische Schleife an der eingehalten wird und die Schaltung bei geschlossener

Verbindung der Basis des Transistors 12 mit dem Schleife schwingt.

Emitter des Transistors 10 aufgetrennt und an der Um dem abzuhelfen, wird die Kapazität 13 in die

Basis des Transistors 12 eine Wechselspannung M₀ Schaltung eingeführt. Die Spannung an der Kapazi-

angelegt wird und am Lastwiderstand die Span- 5 tat stimmt annähernd mit der Spannung u_L überein,

nung u_L auftritt. Die Schaltung schwingt dann bei ge- da die Emitter-Basis-Spannung des Transistors 10

schlossener Schleife, wenn die Spannungen M₀ und u_L gegen die Spannung u_L praktisch vernachlässigbar ist.

in Phase sind und die Spannung u_L größer als die Wegen der Bedingung

Spannung u₀ ist. Bei geerdeter Basis des Transistors ₄· = ;_ω£._Μ

11 bzw. im kritischen Fall ist der Kollektorstrom ίο cc

^ . «-,., u„ , ,,·,_ wobei /, der Kondensatorstrom ist, ist der Strom i,

des Transistors 12 gleich ^ und praktisch von _gegen ^ _{Spannung U/}_ _{um 90}o _voreilend. _{Da di}«

der Frequenz unabhängig. Dabei ist r_E der differen- Phase der Spannung U_L, wie oben ausgeführt, mit zu-

tielle Widerstand der Emitter-Basis-Kennlinie des nehmender Frequenz immer mehr nacheilt, wird die

Transistors 11 bzw. 12. 15 Phase von i_c gegen die des Kollektorstromes des

Für C gleich 0 ist der Kollektorstrom des Transi- Transistors 12 von voreilend über gleichphasig zu

stors 10 gleich dem Basisstrom i_B des Transistors 12. nacheilend wechseln. Da nun der Basisstrom
Der Emitterstrom des Transistors 10 ist gleich

(1 + ß)-i_B> wobei β die Stromverstärkung in Emit- _;· _ _"jl_ /

terschaltung ist. ao ^B 2r_E ^c

Dies ist gleichzeitig der Laststrom i_L, der durch

den Lastwiderstand fließt. Die zugehörige Span- ist, wird i_B wegen des Formelanteils —/_f mit zunung u_L ist bei tiefer Frequenz (1 + β reell) und bei nehmender Frequenz von nacheilend zu voreilend reellem Wert R_L des Lastwiderstandes in Gegenphase wechseln und somit der Phasendrehung von 1 + β zu M₀. Mit zunehmender Frequenz wird der Fak- as entgegenwirken. Wählt man die Kapazität so groß, tor 1 -I- β komplex mit zunehmendem negativem daß im hinsichtlich der Schwingneigung kritischen Imaginärteil und abnehmendem Realteil. Frequenzgebiet (etwa 0,1 /7-... 0,5 /_r) ihr Wider-Die Spannung u_L erhält somit eine Phasendrehung stand j ω C kleiner als 2r_E wird, dann ist die Schwingin Richtung Nacheilung, die durch einen kapazitiven neigung sicher unterdrückt, da dann die Schleifen-Anteil des Wertes R_L des Lastwiderstandes verstärkt 30 verstärkung im kritischen Bereich kleiner als 1 wird, wird. Dies kann in besonderen Fällen dazu führen, Dabei ist mit /_r die a-Grenzfrequenz der Transistodaß die Spannung u_L um 180° Phase dreht, wobei ren 4 bis 6, insbesondere des Transistors 6, bezeichdie Bedingung, daß die Spannung u_L größer M₀ ist, net.

Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims

Patentansprüche:

1. Verstärkender Doppelgegentaktmodulator, bei dem die Kollektoren von vier Transistoren des gleichen Leitfähigkeitstyps paarweise miteinander verbunden und an einen Anschluß des Modulatorausganges geführt sind, die Basistnschliisse zweier, kollektorseitig an verschiede- nen Anschlüssen des Modulatorausganges liegender Transistoren miteinander verbunden und miteinander gegenphasigen Trägerspannungen beaufschlagbar sind und bei dem jeweils fcwei Transistoren, deren Kollektoren an verschiedenen An- schlössen des Modulatorausganges und deren Basisanschlüsse an verschiedenen Basisverbindungen liegen, emittierseitig miteinander verbunden sind, wobei an die Emitterverbindung jeweils der Kollektor eines von zwei weiteren Transisto- *> ren angeschlossen ist, wobei die Kollektoren der beiden weiteren Transistoren einander gegenphasig Signalströme an die Emitter abgeben und wobei wenigstens bei einem der beiden weiteren Transistoren der Emitter mit der Basis und die »5 Basis mit dem Kollektor eines zusätzlichen Transistors verbunden ist, dessen Kollektor über einen Lastzweig mit der Versorgungsspannung verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, daß jeder der weiteren Transistoren (10) mit einem zusätzlichen Transistor (12) in der angegebenen Art beschaltet ist und daß die zusätzlichen Transistoren (12) Bestandteil von zwei Differenzverstärkern sind.

2. Verstärkender Doppeigegentaktmodulator Dach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Trägerspannung eine Rechteckspannung mit einer derart klein bemessenen Amplitude ist, daß die Transistoren gerade noch sicher geschaltet werden.

3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß bei dem Differenzverstärker, bei dem von zwei emitterseitig miteinander und über einen gemeinsamen Stromzweig (26/62 bzw. 29/59) an einen Anschluß (— U₈) der Versorgungsspannungsquelle (+ V_B, - U_B) geführten Transistoren (11,12) der eine (11) mit seinem Kollektor unmittelbar und der andere (12) über einen Widerstand an Versorgungsspannung (+t/_B) liegt, der kollektor- seitig unmittelbar an Versorgungsspannung liegende Transistor (11) basisseitig mit dem Eingang (m) verbunden ist und der kollektorseitig mit dem Widerstand beschaltete Transistor (12) Uv. zusätzlich vorgesehene Transistor ist. SS

4. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß bei dem Differenzverstärker, bei dem von zwei emitterseitig miteinander und über einen insbesondere durch einen Widerstand gebildeten Stromzweig an einen Anschluß der Versorgungsspannungsquelle geführten Transistoren (11, 12) der eine (11) mit seinem Kollektor unmittelbar und der andere (12) über einen Widerstand an Versorgungsspannung liegt, der kollektorseitig unmittelbar an Versorgungsspannung liegende Transistor (11) basisseitig mit dem Modulatoreingang (m) verbunden ist und der kollektorseitig

mit dem Widerstand beschaltete Transistor (12) der zusätzlich vorgesehene Transistor ist.

5 Schaltungsanordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß bei dem Differenzverstärker in die Emitterverbindung zweier Transistoren (11, 12) ein Gleichstrom eingeprägt ist und daß die Kollektoren der Transistoren (11,12) des Differenzverstärkers an eine Schaltung zur Aufteilung des eingeprägten Gleichstromes in zwei gleich große Teilströme angeschlossen sind.

6. Schaltungsanordnung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltung zur Aufteilung des in den Differenzverstärker eingeprägten Gleichstromes drei Transistoren (7, 8, 9) enthält, von denen ein erster (7) und ein zweiter (8) jeweils mit ihrem Emitter über einen von zwei gleich groß bemessenen Widerständen (45, 46) mit Versorgungsspannung (+ U_B) verbunden und basisseitig unmittelbar und kollektorseitig über die Emitter-Basis-Strecke eines dritten Transistors (9) verbunden sind, der mit seiner Basis am Kollektor des einen (11) und mit seinem Kollektor am Kollektor des anderen Transistors (12) des Differenzverstärkers liegt

7. bchaltungsanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Arbeitswiderstand des zusätzlichen Transistors (12) durch eine dynamisch hochohmige Stromquelle gebildet ist.

8. Schaltungsanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Basis des einen Transistors (10) jeweils über einen Kondensator (13) an Bezugspotential (+Vg) geführt ist

9. Schaltungsanordnung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Kapazität des Kondensators derart bemessen ist, daß ihr Blindwiderstand im Frequenzbereich ab etwa einem Zehntel bis zur Hälfte der «-Grenzfrequenz kleiner als das Doppelte des differentiellen Widerstandes der Emitter-Basis-Kennlinie jeweils der Transistoren (4, 5; 11,2) wird.

10. Schaltungsanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Emitter (p, q) der weiteren Transistoren (12) über eine Serienschaltung aus einem Kondensator und einem, insbesondere einstellbaren, Widerstand miteinander verbunden sind.