DE2363062A1 - Verfahren zur steuerung der grenzschichthoehe von schottky-grenzschichtkontakten - Google Patents
Verfahren zur steuerung der grenzschichthoehe von schottky-grenzschichtkontaktenInfo
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US31839372A | 1972-12-26 | 1972-12-26 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2363062A1 true DE2363062A1 (de) | 1974-07-04 |
Family
ID=23237996
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE2363062A Pending DE2363062A1 (de) | 1972-12-26 | 1973-12-19 | Verfahren zur steuerung der grenzschichthoehe von schottky-grenzschichtkontakten |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS4998178A (enExample) |
| DE (1) | DE2363062A1 (enExample) |
| FR (1) | FR2211755A1 (enExample) |
| IT (1) | IT1002231B (enExample) |
| NL (1) | NL7317157A (enExample) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0342311Y2 (enExample) * | 1985-05-23 | 1991-09-04 |
-
1973
- 1973-12-10 IT IT32078/73A patent/IT1002231B/it active
- 1973-12-14 NL NL7317157A patent/NL7317157A/xx unknown
- 1973-12-19 DE DE2363062A patent/DE2363062A1/de active Pending
- 1973-12-24 JP JP48143686A patent/JPS4998178A/ja active Pending
- 1973-12-26 FR FR7346208A patent/FR2211755A1/fr active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| NL7317157A (enExample) | 1974-06-28 |
| JPS4998178A (enExample) | 1974-09-17 |
| IT1002231B (it) | 1976-05-20 |
| FR2211755B3 (enExample) | 1976-10-22 |
| FR2211755A1 (en) | 1974-07-19 |
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