DE2361810A1

DE2361810A1 - Signalumwandlungsschaltung

Info

Publication number: DE2361810A1
Application number: DE2361810A
Authority: DE
Inventors: Shigeo Matsumoto; Yukio Tsuda; Takaharu Tsuyuki
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1972-12-12
Filing date: 1973-12-12
Publication date: 1974-06-27
Also published as: GB1420169A; DE2361810C3; US3886458A; DE2361810B2

Description

Dipl.-Ing. H. MITSCHERLICH Ο —8 MÖNCHEN

r\· ι ι ι«" piiMcruuAKiKi SteinsdorfstraSe 10

Dipl.-ln«. K. GUNSCHMANN V (0811) «29 66 84

Dr. rer. nat. W. KORBER ^V ''

Dipl.-lng. J. SCHMIDT-EVERS

PATENTANWÄLTE 12.12.-1973

SOUY CORPORATION

7-35 Kitashinagawa, 6-chome

Shinagawa-ko

Tokio, Japan

Pat ent anmeldung Signalumwandlungssohaltung

Die Erfindung bezieht sich allgemein auf eine Signalumwandlungsschaltung und betrifft insbesondere eine integrierte Signalumwandlungsschaltung, die auf einem einzigen Plättchen aus einem Halbleitermaterial ausgebildet ist.

Bei bestimmten elektronischen Geräten«* 2»B= bei Fernsehempfängern, werden zahlreiche Schaltkreise, s«Bo Zwischenfrequenzverstärkerj Leuchtdichte-Verstärker, Chrominanzverstärker, mit Tonfrequenzen arbeitende Schaltungen und dergleichen^ bereits als integrierte Schaltungen auf einem einzigen Plättchen bzw. einer Unterlage aus einem Halbmaterial ausgebildet, und zwar jeweils allein oder zusammen mit anderen Schaltkreisen. Bei 'Signalumwandlungsschaltungen mit einem. Mischkreis und einem Empfängeroszillator, wie sie gewöhnlich bei einem Kanalwähler vorhanden sind, wurden bis jetzt bezüglich der Herstellung solcher Schaltungen als integrierte Schaltkreise nur geringe oder überhaupt keine Fortschritte erzielt.

Einer der Hauptgründe hierfür besteht darin, daß su einer Umwandlungsschaltung gewöhnlich mehrere Kondensatoren und Induktivitäten gehören, die sich nur unter Schwierigkeiten als Bestandteile integrierter Sehaltkreise

409826/07&Ϊ

herstellen lassen. Außerdem ergeben sich, sehr hohe Signal-r Verluste bei der Verwendung eines Injektions- oder Kopplungskondensators zwischen dem Empfängeroszillator und dem Mischkreis, und die Arbeitsweise des Empfängeroszillators wird durch, den Kondensator beeinträchtigt, wenn der Kondensator zusammen mit anderen Schaltkreisen auf dem gleichen Halbleiterplättchen ausgebildet ist.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Signalumwandlungsschaltung zu schaffen, die als integrierter Schaltkreis auf einem einzigen Plättchen aus einem Halbleiter-Trägermaterial ausgebildet ist, die auf der Unterlage zusammen mit einem Injektions- oder Kopplungskondensator angeordnet ist, der ein Signal eines Empfänger-Oszillators einem Mischkreis zuführt, bei der die auf den Insektions- oder Kopplungskondensator zurückzuführenden Signalverluste auf ein Minimum verringert sind, und bei der die Arbeitsweise des Empfängeroszillators durch das Vorhandensein des Kopplungskondensators nicht auf unerwünschte Weise beeinflußt oder beeinträchtigt wird.

Gemäß einem Merkmal der Erfindung wird der Injektions- oder Kopplungskondensator, durch den die Signale des Empfangsoszillators dem Eingang eines Mischkreises zugeführt werden, der auch die hochfrequenten Signale empfängt, durch den Hauptkondensator gebildet, welcher zwischen zwei Klemmen eines Kondensatorelements liegt, das auf der Unterlage aus Halbleitermaterial ausgebildet ist, auf der sich vorzugsweise auch mindestens Teile des Mischkreises und des Empfangsoszillators befinden, und die Verbindungen zwischen diesem Kondensatorelement einerseits und dem Mischkreis sowie dem Empfängeroszillator andererseits sind so angeordnet, daß sich ein Streukondensator, der zwischen einer der Klemmen des Kondensatorelements und der Unterlage aus einem Halbleitermaterial befindet, auf der dem Mischkreis zugewandten Seite des Injektionsoder Kopplungskondensators angeordnet ist, so daß die Arbeitsweise des Empfängeroszillators durch diesen Streu-

409826/0781

kondensator nicht beeinträchtigt wird, und daß sich der Wirkungsgrad des Mischkreises zum Zuführen des Signals erhöht.

Die Erfindung und vorteilhafte Einzelheiten der Erfindung werden im folgenden anhand schematischer Zeichnungen an Ausführungsbeispielen näher erläutert. Es zeigt:

Fig. 1 ein Schaltbild, aus dem die Hauptteile einer Ausführungsform einer Signalumwandlungsschaltung ersichtlich sind;

Fig. 2 einen Schnitt durch eine Ausführungsform eines Kondensatorelements für die Signalumwandlungsschaltung nach Fig. 1;'

Fig. 3 einen Schnitt durch eine weitere Ausführungsform eines Kondensatorelements für die Signalumwandlungsschaltung nach Fig. 1;

Fig. 4- schematisch eine den Kondensatorelementen nach Fig. 2 und 3 äquivalente Schaltung;

Fig. 5 ein vollständigeres Schaltbild einer Ausführungsform einer Signalumwandlungsschaltung;

Fig. 6 einen Schnitt durch eine Ausführungsform eines integrierten Schaltkreises, der einen Bestandteil der Schaltung nach Fig. 5 bildet, und bei dem das Kondensatorelement nach Fig. 2 verwendet ist; und

Fig. 7 einen integrierten Schaltkreis ähnlich demjenigen nach Fig. 6, bei dem jedoch das Kondensatorelement nach Fig. 3 verwendet ist.

Gemäß Fig. 1 umfaßt der dargestellte Signaleingangsteil eines Empfängers eine Antenne 1, an die ein Hochfrequenzverstärker 2 angeschlossen ist, dessen Ausgang mit der Primärwicklung eines Transformators 3 verbunden ist, während die Sekundärwicklung dieses Transformators über einen Satz von Kondensatoren C1 bis C3 an einen

409826/0781

Eingang 4a eines Mischkreises 4 angeschlossen ist. Die Sekundärwicklung des Transformators 3 und der Satz von Kondensatoren C1 bis C3 bilden zusammen einen Resonanzkreis 5 zum Zuführen eines gewählten empfangenen Signals zum Eingang 4a des Mischkreises 4.

Ein Ausgang 6a eines Empfangsoszillators 6 ist an den Eingang 4a des Mischkreises 4 über ein Kondensatorelement Co angeschlossen, das einen Ingektions- oder Kopplungskondensator C1 und einen Streukondensator CB aufweist. Der Streukondensator CB bildet auf eine noch zu erläuternde Weise einen Bestandteil des Kondensatorelements Co.

Das Kondensatorelement Co und mindestens bestimmte Teile des Mischkreises 4 und des Empfängeroszillators 6 sind auf einem Halbleiterplättchen in Form einer insgesamt mit 10 bezeichneten integrierten Schaltung ausgebildet, zu der gemäß Pig. 1 eine äußere Klemme 11 zum Zuführen hochfrequenter Signale gehört, ferner eine äußere Klemme zum Entnehmen der Ausgangssignale des Mischkreises 4, sowie äußere Klemmen 13 und 14 zum Anschließen von Schaltungselementen, welche die Frequenz des Empfangsoszillators 6 bestimmen.

Gemäß Fig. 1 besteht der Mischkreis 4 im wesentlichen aus zwei Transistoren Q1 und Q2, die eine Kaskadenschaltung bilden, wobei ein Kondensator C4 vorhanden ist, so daß der Transistor Q2 als "Verstärker mit geerdeter Basis arbeitet.

Der Empfängeroszillator 6 ist auf bekannte Weise als Colpitts-Oszillator ausgebildet, bei dem ein Kondensator C5 zwischen der Basis und dem Emitter eines Haupttransistors Q3 liegt, bei dem ein Kondensator 06 zwischen dem Emitter und dem Kollektor des Transistors Q3 angeschlossen ist, und bei dem ein LC-Kreis in Form einer Reihenschaltung vorhanden ist, zu der gemäß Fig. 1 ein verstellbarer

409828/0781

Kondensator C7 und eine verstellbare Induktivität Li gehören, wobei dieser LC-Kreis an Klemmen 13 und 14 zwischen der Basis und dem Kollektor des transistors QJ angeschlossen ist» Die Gesamtimpedanz des LC-Kreises ist induktiv, und die Frequenz des Empfängeroszillators 6 wird dadurch eingeregelt, daß man entweder den Kondensator C7 oder die Induktivität LT verstellt, um die Gesamtin— duktivität zu ändern»

In Fig. 1 sind nur die grundsätzliches Schaltungselemente des Mischkreises 4 und des Empfängeroszillators 6 in Form von Wechselspannungs-Äquivalentschaltungen dargestellt ι die weiteren Einzelheiten der Schaltungsteile 4 und 6 werden weiter unten anhand von Figo $ erläutert.

Beim Betrieb der Schaltung nach Fig. 1 werden die der Antenne 1 entnommenen Eingangssignale durch· den Hochfrequenzverstärker 2 selektiv verstärkt und dann dem. Eingang 4a des Mischkreises 4 über den !Transformator 3 und den Satz von Kondensatoren CI bis CJ zugeführt _t während das Örtlich erzeugte schwingende Signal des Empfängeroszillators 6 dem Misehkreis 4- über d@n Injektionskondensator CI des Kondensatorelements Co und die Eingangsklemme 4a zugeführt wird«

Die Frequenzen der hochfrequenten Signale und der Signale des Empfängeroszillators werden im Verhältnis zueinander mit Hilfe eines nicht dargestellten Kanalwählers so gewählt, daß die Frequenz; der Ausgangs signale, die an der Klemme 12 des Mischkreises 4 erscheinen, konstant" gehalten wird und mit einer sogenannten Zwischenfrequenz üb ere inst immt«

Die Erfindung befaßt sich in erster Linie mit dem Aufbau des KondensatOrelements Co und der Art und Weise, in der es als Bestandteil eines integrierten Schaltkreises zwischen dem EmpfaögerOszillatoj* 6 und dem Mischkreis 4 aöfeschlössen ist*

400826/0181

Um das Verständnis der Erfindung zu erleichtern» werden nachstehend anhand von Fig. 2 und 3 verschiedene Ausführungsformen von Kondensatoren beschrieben, die auf einer Halbleiterunterlage bzw. einem Halbleiterplättchen ausgebildet sind.

Pig, 2 zeigt in einem großen Maßstab unter übertriebener Darstellung der JDickenmaße einen Schnitt durch ein Eondensatorelement Co vom Metall-Oxid~Silizium~Typ bzw. vom sogenannten MOS-Typ. Zu dem Kondensatorelement Co gehört eine Unterlage 21 aus einem Halbleitermaterial vom P-Iyp, bei der eine Halbleiterzone 22 vom N-Typ in eine Fläche 21a hineindiffundiert worden ist. In der Zone 22 vom Η-Typ ist eine in hohem Maße gedopte Zone 23 vom U⁺-TyP ausgebildet, und eine Elektrode 24 steht in ohmschein Kontakt mit der Zone 23 vom N⁺-Typ. Auf der fläche 21a der Unterlage 21 ist eine Isolierschicht 25 ausgebildet, und auf der Fläoiie 25a der Isolierschicht befindet sich eine weitere Elektrode 26, welche sich vollständig über einem Teil der Zone 23 vom M⁺-Typ befindet. Von den Elektroden 24- und 26 gehen zwei Leitungen 27 und 28 aus, die zu zwei Klemmen 29 und 30 führen. Bei dem so aufgebauten Schaltkreis befindet sich ein Hauptkondensator C1 zwischen den Elektroden 24 und 26 bzw. zwischen den Klemmen 29 und 30» und ein Streukondensator CB ist im wesentlichen zwischen der Elektrode 24 und der Halbleiterunterlage 21 vorhanden.

Pig. 3 zeigt eine weitere Ausführungsform eines Kondensatorelements Co auf einer Unterlage 31 aus einem Halbleitermaterial vom P—Typ, in deren Fläche 31a eine Zone 32 vom N-Typ hineindiffundiert worden ist. In der Zone 32 vom M-Typ ist eine Zone 33 vom P-Typ ausgebildet, und die Zone 33 vom B-Üyp ist ihrerseits mit einer weiteren Zone 34 vom N-Typ versehen. Es sind drei Elektroden 35» 36 und 37 vorhanden, die in ohmschem Eontakt mit den zugehörigen Zonen 3>2_t 33 und 34 stehen, und die Fläche 31a der Unterlage 31 ist mit einer Isolierschicht 38 bedeckt.

409828/0781

_ Ό —

Mit den Elektroden 35j 36 und 37 sind drei Leitungen 39x|_? 39o ^un(3- ^O verbunden₉ wobei die Leitungen 59^ ^nd 39p zu einer gemeinsamen Leitung 39 vrna. über diese zu einer Klemme 41 führen, während die Leitung 40 an eine Klemme 42 angeschlossen istο Bei dem integrierten Schaltkreis nach I¹Ig₀ 3 ist ein Hauptkondensatpr C1 zwischen den Klemmen und 42 vorhandens wenn der PH-Übergang zwischen der Zone 33 vom P-Typ und der Zone 34 vom N-T;yp in der Gegenrichtung vorgespannt ist, und ein derartiger Kondensator wird gewöhnlich als "PN-Übergangs-Kondensator" bezeichnet? ferner ist ein Streukondensator CB im wesentlichen zwischen der Klemme 41 und der Unterlage 31 vorhanden»

Figo 4 zeigt eine Äquivalentschaltung für das Kondensatorelement vom MOS-Typ nach Figo 2 bei Betrachtung desselben von den Klemmen 29 und 30 aus bzw₀ für das Kondensatorelement vom PET-Übergangs-Typ nach Figo 3 bei Betrachtung desselben von den Klemmen 41 und 42 aus» Sowohl bei dem Kondensatorelement vom MOS-Typ als auch- bei demjenigen vom PN-Übergangs-Typ ist im wesentlichen ein Streukondensator CB zwischen der einen Klemme 29 bzw. 41 des Hauptkondensators 01 und der Unterlage vorhanden₉ der geerdet werden muß» Zu der Äquivalentschaltung gehört ein mit dem Streukondensator- CB parallelgeschalteter Widerstand E, der jedoch so groß ist, daß man ihn vernachlässigen kann. Die Klemme 29 bzw=, 41 kann von der anderen Klemme 30 bzw. 42 je nach dem Aufbau des Kondensators nach Fig. 2 bzw. Figo 3 unterschieden werden_o Tatsächlich ist der Kapazitätswert des Streukondensators CB relativ hoch, d.ho er kann z.B. in der Größenordnung von 3 bis 5 Picofarad liegen, wenn der Kondensator C1 eine Kapazität in der Größenordnung von 3 Picofarad hat.

Gemäß Fig. 1 wird der Kondensator C1 des Kondensatorelements Co als Ing.ektionskondensator benutzt, um den Empfängeroszillator 6 mit dem Mischkreis 4 zu koppeln, und gemäß der Erfindung ist das Kondensatorelement Co an die Schaltkreise 4 und 6 so angeschlossen, daß die

409826/0 781

Klemme 29 bzw. 41 mit dem Eingang 4a des Mischkreises 4 und die andere Klemme 30 bzw. 42 mit der Ausgangsklemme 6a des Empfängeroszillators 6 verbunden ist, so daß sich der Streukondensator CB auf der Mischkreisseite des Injektionskondensators und nicht etwa auf dessen Oszillatorseite befindet.

Dadurch, daß das Kondensatorelement Co in der erfindungsgemäßen Weise geschaltet ist, werden die folgenden Vorteile erzielt:

1. Der Wirkungsgrad, mit dem die Signale aus dem Empfängeroszillator 6 in den Mischkreis 4 überführt werden, läßt sich auf einem hohen ?i/ert halten, da der Streukondensator CB nicht auf der Oszillatorseite des Injektionskondensators C1 erscheint; wenn dies der Fall wäre, würde ein großer Teil der Signale des Empfängeroszillators über einen Nebenschluß abgeleitet;

2. Die Frequenzregelung des Empfängeroszillators 6 mit Hilfe des verstellbaren Kondensators C7 oder der verstellbaren Induktivität L1 wird durch den Streukondensator CB erheblich weniger beeinflußt oder beeinträchtigt, als es der Fall sein würde, wenn der Streukondensator CB auf der Oszillatorseite erscheinen würde und mit dem Kondensator G7 und der Induktivität L1 parallelgeschaltet wäre;

3· Der Streukondensator CB unterstützt den Eesonanzkreis 5> da dieser Kondensator mit additiver Wirkung, mit dem Kondensator C3 parallelgeschaltet ist, so daß der Kondensator CJ einen niedrigeren Kapazitätswert erhalten kann.

Fig. 5> wo Schaltungselemente, die anhand von Fig. beschriebenen Schaltungselementen entsprechen, jeweils mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet sind, zeigt ein praktisches Beispiel für eine Schaltung nach Fig. 1, bei welcher der Mischkreis 4 mehrere Vorspannwiderstände H1,

409826/0781

E2, R3, R4- und R5 für die eine Kaskadenschaltung bildenden Transistoren Q1 und Q2 aufweist, und bei der eine Gleichspannungsquelle E an eine äußere Klemme 16 des integrierten Schaltkreises 10 angeschlossen ist. Bei dem Mischkreis 4- nach Fig. 5 ist der PN-Übergang zwischen der Basis und dem Emitter eines weiteren Transistors Q4 in der Gegenrichtung vorgespannt, und er bildet den Kondensator 04 nach Fig. 1 zum Verbinden der Basis des Transistors Q2 mit dem Emitter des Transistors Q1. Eine äußere Klemme 15 des integrierten Schaltkreises 10 ist an den Emitter des Transistors Q1 angeschlossen, und ein Kondensator C8 liegt zwischen der Klemme 15 und Masse, so daß der Emitter des Transistors Q1 für Wechselstrom geerdet ist. Die Basis des Transistors Q2 ist für Wechselstrom ebenfalls geerdet, und zwar durch einen Kondensator, der durch den Transistor Q4 und den Kondensator C8 gebildet wird.

Gemäß Fig. 5 gehört zu dem Empfängeroszillator 6 der anhand von Fig. 1 beschriebene Haupttransistor Q3 und außerdem ein Transistor Q5, bei dem der PN-Übergang zwischen der Basis und dem Emitter in der Gegenrichtung vorgespannt ist, um den Kondensator 05 nach Fig. 1 zu bilden, der zwischen der Basis und dem Emitter des Transistors Q3 liegt. Der Kondensator 06, bei dem es sich z.B. um einen Kondensator vom MOS-Typ handelt, liegt zwischen dem Emitter des Transistors Q3 und Masse, wie es auch in Fig. 1 gezeigt ist.

Zu dem Empfängeroszillator 6 nach Fig. 5 gehört ferner ein Transistor Q6, der eine mit einem konstanten Strom ' arbeitende Vorspannschaltung für den Transistor Q3 bildet* Weiterhin sind bei der Schaltung nach Fig. 5 Widerstände R6, E7, R8, R9 und R10 sowie Dioden D1 und D2 als Vorspannelemente für die Transistoren Q3» Q5= und Q6 vorhanden.

Zu dem LC-Kreis zum Regeln der Frequenz des Empfängeroszillators 6 gehören bei der Schaltung nach Fig. 5

0 9 8 26/0781

ein Kondensator 09 und eine Induktivität L2, die in Keine mit einer weiteren Induktivität L3 geschaltet sind, die z.B. in Abhängigkeit von der Betätigung eines Kanalwählers veränderbar ist, wobei dieser Kreis zwischen der Klemme 13 und Masse liegt. Ferner verläuft eine Reihenschaltung, die sich aus einem Kondensator C10, dem Basis— Kollektor-Übergang eines Transistors Q7 und einem Kondensator C11 zusammensetzt, von dem Knotenpunkt zwischen den Induktivitäten L2 und L3 und Masse. Da der Emitter des Transistors Q7 nicht angeschlossen ist, bildet der PH-Übergang zwischen der Easis und dem Kollektor dieses Transistors einen variablen Kondensator, dessen Kapazität durch die Gleichspannung bestimmt wird, die zwischen der ^asis und dem Kollektor des Transistors Q7 über Entkopplungswiderstände E11 und R12 angelegt wird, und die ihrerseits durch eine Steuerspannung geregelt wird, welche an die Klemmen 17 und 18 von einer nicht dargestellten sogenannten Feinabstimmschaltung aus angelegt wird. Der in Fig. 1 lediglich durch den verstellbaren Kondensator C7 und die verstellbare Induktivität L1 repräsentierte LC-Kreis ist gegenüber Wechselstrom das Äquivalent der entsprechenden Schaltung nach Fig. 5·

Bei der Scgaltung nach Fig. 5 ist das Kondensatorelement Go zwischen der Ausgangsklemme 6a des Empfängeroszillators 6 und der Eingangsklemme 4a des Mischkreises 4-angeschlossen, so daß gemäß der Erfindung der Streukondensator CB auf der Mischkreisseite des Injektions- oder Hauptkondensators CI erscheint.

In Fig. 6, wo der Aufbau und die Schaltung des Kondensatorelements Co zwischen dem Transistor Q1 des Mischkreises 4 und dem Transistor QJ des Empfängeroszillators 6 nach Fig. 5 für den Fall dargestellt ist, daß das Kondensatorelement gemäß Fig. 2 als Kondensator vom MOS-Typ ausgebildet ist, sind die verschiedenen Schaltungselemente jeweils mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet wie die entsprechenden Schaltungselemente in Fig. 2 und 5»

409826/0781

2361 8ΊO

Transistor Q3 des Empfängeroszillators 6 ist in Fig. 6 als EPN-Transistor dargestellt, der auf einer Halbleiterunterlage 21 ausgebildet ist und eine Kollektorzone 50» eine Basis 51 und eine Emitterzone 52 aufweist, mit denen zugehörige Elektroden 53» 54 und 55 in ohmschem Kontakt stehen. Der Transistor Q1 des Mischkreises 4 ist ein KPN-Transistor, der ebenfalls auf der Halbleiterunterlage 21 ausgebildet ist und eine Kollektorzone 5,6» eine Basiszone 57 und eine Emitterzone 58 aufweist, mit denen zugehörige Elektroden 59, 60 und 61 in ohmschem Kontakt stehen. Das Kondensatorelement Co ist in der aus Fig. 2 ersichtlichen Weise ebenfalls auf der Unterlage 21 ausgebildet, und seine Klemme 29 ist mit der Basis 60 des Transistors Q1 über die Eingangsklemme 4a des Mischkreises 4- verbunden, während die andere Klemme 30 des Kondensatorelements an die Basis 54 des Transistors Q3 über die Ausgangsklemme 6a des Empfängeroszillators 6 angeschlossen ist. Aus Fig. 6 ist ersichtlich, daß bei dem dargestellten integrierten Schaltkreis der Streukondensator CB auf der Seite des In^ektions- oder Hauptkondensators C1 liegt, die dem Transistor Q1 des Mischkreises zugewandt ist_s und nicht etwa auf der dem Transistor Q3 des Empfängeroszillators zugewandten Seite.

Aus Fig. 7» wo der Aufbau und der Anschluß des Kondensators Co zwischen dem Transistor Q1 des Mischkreises und dem Transistor Q3 des Empfängeroszillators 6 für den Fall dargestellt ist, daß das Kondensatorelement Co gemäß Fig. 3 als Kondensator vom PN-Übergangs-Typ ausgebildet ist, ist ersichtlich, daß die Transistoren Q1 und Q3 den anhand von Fig. 6 beschriebenen Transistoren ähneln, •weshalb ihre Teile jeweils mit den gleichen Bezugszahlen bezeichnet sind, und daß die Teile des Kondensatorelements Co mit Bezugszahlen bezeichnet sind, die den in Fig. 3 verwendeten entsprechen. Bei dem integrierten Schaltkreis nach Fig. 7 sind die Transistoren Q1 und Q3 des Kondensatorelements Co auf der gleichen Halbleiterunterlage 31

409826/0 781

ausgebildet, und die Klemme 41 dieses Kondensatorelements ist mit der -^asis 60 des Transistors 1 über die Lingangsklemme 4a des kischkreises 4 verbunden, während die andere Klemme 42 des Kondensatorelements Co an die Basis 54 des iransistors Q3 über die Ausgangsklemme 6a des Empfänger-Oszillators 6 angeschlossen ist. In diesem iall wird die Gleichspannung an der Basis 60 des Transistors Q1 niedriger gewählt als diejenige an der -Basis $4 des Transistors C_t3, um den PN-Übergang zwischen den Zonen 33 und 34 des Kondensatorelements Co dadurch in der Gegenrichtung vorzuspannen, daß die Widerstandswerte der Widerstände E1 bis Β10 nach Iig. 5 entsprechend gewählt werden. Bei dem integrierten Schaltkreis nach Fig. 7 befindet sich der Streukondensator CB des Kondensators vom PK-Übergangs-Typ wie zuvor auf der dem Transistor Q1 des Mischkreises zugewandten Seite des Injektions- oder Hauptkondensators CI und nicht etwa auf der dem Empfängeroszillator zugewandten Seite des Transistors Q3·

Ansprüche 409826/0781

Claims

ANSPRÜCHE

Signalumwandlungsschaltung mit einem Mischkreis, der eine Eingangsklemme zum Aufnehmen der umzuwandelnden Eingangssignale und eine Ausgangsklemme zum Abgeben der umgewandelten Signale aufweist, einem Empfängeroszillator und einem Kopplungs- bzw. Injektionskondensator, mittels dessen das Ausgangssignal des Empfängeroszillators auch der Eingangsklemme des Mischkreises zugeführt wird, dadurch gekennzeichnet , daß der Ingektionskondensator (CI) zwischen einer ersten Klemme (29; 41) und einer zweiten Klemme (50; 42) eines Kondensatorelements (Co) angeschlossen ist, das auf einer Unterlage (21; 31) aus einem Halbleitermaterial ausgebildet ist und außerdem einen Streukondensator (CB) zwischen der genannten ersten Klemme (29; 41) und der Unterlage aus dem Halbleitermaterial bildet, daß die erste Klemme-des Kondensatorelements an die Eingangsklemme (4a) des Mischtreises (4) angeschlossen ist, und daß die zweite Klemme des Kondensatorelements mit der Ausgangsklemme (6a) des Empfängeroszillators (6) verbunden ist, so daß der Streukondensator auf der dem Mischkreis zugewandten Seite des Injektionskondensatprs liegt.
2. Signalumwandlungsschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß mindestens ein Teil (Q1) des Mischkreises (4) und mindestens ein Teil (Q3) des Empfängeroszillators (6) zusammen mit dem Kondensatorelement (Co) auf der gleichen Unterlage (21; 31) aus dem Halbleitermaterial ausgebildet sind.
3. Signalumwandlungsschaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet , daß das Kondensatorelement (Co) ein Kondensator vom MOS-Typ ist (Fig. 2 und 6).

409 8 26/07 81
4. ■ SignalumwanäLungaschal tu rip nach Anspruch. 2, dadurch gekennze Lehne t , daß das ^ondensatorelement (Co) ein Kondensator vom HI-öbergangs-T,yp ist (Fig. 3 und 7)
5. SignalumwandLungsschaltung nach einem der Ansprüche bis 4, dadurch gekennzeichne t , daß die uinztiwandelnden Eingangssignale der Eingangsklemme (4a) des iV:ischkreises (4) über einen Resonanzkreis (5) zugeführt werden, der mindestens einen Kondensator (CJ) aufweist, welcher mit dem Streukondensator (CB) des iCondensatorelements (Co) parallelgeschaltet ist.

Der -Ratentanwalt:

409826/0781

,. «AT .

Leerseite