DE2348309A1 - Hochbelastbare diode mit einem halbleiterkoerper - Google Patents

Hochbelastbare diode mit einem halbleiterkoerper

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DE2348309A1
DE2348309A1 DE19732348309 DE2348309A DE2348309A1 DE 2348309 A1 DE2348309 A1 DE 2348309A1 DE 19732348309 DE19732348309 DE 19732348309 DE 2348309 A DE2348309 A DE 2348309A DE 2348309 A1 DE2348309 A1 DE 2348309A1
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DE
Germany
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diode
star
heat sink
power semiconductor
aluminium
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Pending
Application number
DE19732348309
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English (en)
Inventor
Dietrich Goy
Franz Ressel
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Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Original Assignee
Licentia Patent Verwaltungs GmbH
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Publication date
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    • H01L23/40—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs
    • H01L23/4093—Snap-on arrangements, e.g. clips
    • H—ELECTRICITY
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    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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Description

2348303
Licentia Patent-Verwaltungs-GmbH
6 Frankfurt/Main, Theodor-Stern-Kai 1
Heilbronn, den 13„ Sept. 1973 PT-Ma/sr - HN 73/l8
Hochbelastbare Diode mit einem Halbleiterkörper
Die Erfindung betr-ifft eine hochbelastbare Diode mit einem Halbleiterkörper, der in ein zylinderförmiges, aus einer Isolierstoffmasse bestehendes Gehäuse eingebettet ist und mit zwei aus dem Gehäuse an den einander gegenüberliegenden Enden herausgeführten Zuleitungen.
Dioden werden heute vorwiegend in Plastikgehäuse eingegossen. Dabei wird gefordert, daß das Bauelement möglichst klein ist und trotzdem möglichst hoch belastet werden kann. Die im Halbleiterkörper entstehende Wärme muß daher rasch abgeführt werden.
Eine Wärmeableitung über die Anschlußdrähte ist nur sehr schwer möglich, da die Wärmeabführung hierbei wesentlich von der Art des Schaltungseinbaus abhängt.
509815/0578
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Diode anzugeben, die eine gute und reproduzierbare Wärmeableitung aufweist. Zur Lösung dieser Aufgabe wird bei einer Diode der eingangs beschriebenen Art erfindungsgemäß vorgeschlagen, dciß das Gehäuse von e<.nem sternförmig ausgebildeten, gut wärmeleitenden Metallkörper umgeben ist.
Ein solcher sternförmiger Kühlkörper wird über das Kunststoffgehäuse der Diode gezogen und ermöglicht durch die verbesserte Wärmeabstrahlung seiner Oberfläche eine Erhöhung der Verlustleistung um den Faktor 2.
Der wesentliche Vorteil dieser Dioden besteht darin, daß der Kühlkörper von der Halbleiteranordnung völlig isoliert ist. Außerdem können auf diese Weise zwei Diodentypen mit unterschiedlicher Verlustleistung].aus einer Serie hergeste3.lt werden.
Die Dioden mit kleinerer Verlustleistung bleiben dann ohne Kühlstern, während die Dioden mit höherer Verlustleistung mit dem Kühlstern versehen werden.
Die erfindungsgemäße Anordnung wird im folgenden anhand einer Figur noch näher erläutert.
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In der Figur 1 ist der zylinderförmige Diodenkörper 1 mit den Zuleitungen 2 und 3 dargestellt. Auf den Zylinderkörper ist der sternförmige Kühlkörper -ß aufgezogen» Dieser Kühlstern hat an «ich die Form eines 6-zackigen Sterns. Doch wurde das Material zwischen zwei Sternzacken k und 5 nicht ausgearbeitet, so daß der Kühlkörper an dieser Stelle eine Auflagefläche 6 erhält, mit der er beispielsweise auf eine Kühlfläche eines weiteren wärmeabführenden Teils aufgeschraubt werden kann. Zwei Sternzacken 7 und 8 sind durch einen Schlitz 9 getrennt, der bis in den xylinderf öruiigen Innenhohlrauin des Kühlsterns 13 reicht. Durch diesen Schlitz kann der Stern beim Aufziehen auf den Gehäusekörper leicht aufgebogen werden, so daß der Stern untor einer gewissen Federspannung steht und den Gehäusekörper dei Diode fest umschließt. Der Kühlstern hat etwa die gleiche Breite wie der zylinderförmige Gehäusekörper. Er besteht aus einem gut wärmeleitenden Material, wie beispielsweise Aluminium oder Zinkdruclvglas·
Einer der Sternzacken 10 ist mit einem Schlitz 11 versehen, der in der Bohrung 12 mündet. Durch diese Bohrung kann die eine der beiden Zuleitungen 2 oder 3 so hindurchgeführt werden, daß sie im Abstand parallel zu der anderen Zuleitungen verläuft (2,3)· Eine derartige Anordnung ist besonders dann erwünscht,
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wenn die Diode in eine Schaltungsplatte eingesetzt werden muß.
Durch die Befestigung der Kühlfläche 6 an einem weiteren Kühlkörper kann die Verlustleistung noch zusatzlich gesteigert werden.
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Claims (6)

  1. Patentansprüche
    1l)!Hochbelastbare Diode mit einem Halbleiterkörper, der in ein zylxnderförmiges, aus einer Isolierstoffmasse bestehendes Gehäuse eingebettet ist und mit zwei aus dem Gehäuse an den einander gegenüberliegenden Enden herausgeführten Zuleitungen, dadurch gekennzeichnet, daß das Gehäuse von einem sternförmig ausgebildeten, gut wärmeleitenden Metallkörper umgeben ist.
  2. 2) Diode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zwei Sternxaclien durch einen Schlitz getrennt sind.
  3. 3) Diode nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Gebiet zwischen zwei Sternzacken zur Erzeugung einer Auflagefläche für den Kühlkörper nicht ausgearbeitet ist.
  4. h) Diode nach einem der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Kühlstern etwa die gleiche Breite wie der zylxnderförmige Gehäusekörper aufweist.
  5. 5) Dioc'e nach einem der vorangegangenen Ansprüche, dadurch
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    gekennzeichnet, daß der Kühlkörper aus Aluminium oder aus Zinkdruckguss besteht.
  6. 6) Diode nach einem der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß eine Zuleitung durch eine Bohrung im Kühlstern so■hindurchgeführt ist, daß sie im Abstand parallel zu der anderen Zuleitung verläuft.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2928710A1 (de) * 1978-07-18 1980-02-07 Mitsubishi Electric Corp Strombegrenzungsapparat
DE2847129A1 (de) * 1978-10-30 1980-05-14 Bbc Brown Boveri & Cie Stabfoermiges, elektrisches bauelement
DE102019134161A1 (de) * 2019-12-12 2021-06-17 Metabowerke Gmbh Elektronikmodul für ein Elektrowerkzeug

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