DE2339949C3 - Gerät zum Auftragen einer dünnen Schicht auf einer Unterlage mittels von einer Ionenquelle erzeugten Molekülionen - Google Patents

Gerät zum Auftragen einer dünnen Schicht auf einer Unterlage mittels von einer Ionenquelle erzeugten Molekülionen

Info

Publication number
DE2339949C3
DE2339949C3 DE2339949A DE2339949A DE2339949C3 DE 2339949 C3 DE2339949 C3 DE 2339949C3 DE 2339949 A DE2339949 A DE 2339949A DE 2339949 A DE2339949 A DE 2339949A DE 2339949 C3 DE2339949 C3 DE 2339949C3
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
electrodes
molecular
molecular ions
field emission
acceleration
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE2339949A
Other languages
English (en)
Other versions
DE2339949B2 (de
DE2339949A1 (de
Inventor
Randolph Ernest Hacienda Heights Calif. Brown jun.
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
PRECISION THIN FILM CORP LOS ANGELES CALIF US
Original Assignee
PRECISION THIN FILM CORP LOS ANGELES CALIF US
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by PRECISION THIN FILM CORP LOS ANGELES CALIF US filed Critical PRECISION THIN FILM CORP LOS ANGELES CALIF US
Publication of DE2339949A1 publication Critical patent/DE2339949A1/de
Publication of DE2339949B2 publication Critical patent/DE2339949B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2339949C3 publication Critical patent/DE2339949C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/48Ion implantation
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05DPROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/60Deposition of organic layers from vapour phase
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05DPROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D7/00Processes, other than flocking, specially adapted for applying liquids or other fluent materials to particular surfaces or for applying particular liquids or other fluent materials
    • B05D7/02Processes, other than flocking, specially adapted for applying liquids or other fluent materials to particular surfaces or for applying particular liquids or other fluent materials to macromolecular substances, e.g. rubber
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05DPROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D7/00Processes, other than flocking, specially adapted for applying liquids or other fluent materials to particular surfaces or for applying particular liquids or other fluent materials
    • B05D7/24Processes, other than flocking, specially adapted for applying liquids or other fluent materials to particular surfaces or for applying particular liquids or other fluent materials for applying particular liquids or other fluent materials
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29DPRODUCING PARTICULAR ARTICLES FROM PLASTICS OR FROM SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE
    • B29D11/00Producing optical elements, e.g. lenses or prisms
    • B29D11/0073Optical laminates
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29DPRODUCING PARTICULAR ARTICLES FROM PLASTICS OR FROM SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE
    • B29D11/00Producing optical elements, e.g. lenses or prisms
    • B29D11/00865Applying coatings; tinting; colouring
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/32Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
    • GPHYSICS
    • G21NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21KTECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K5/00Irradiation devices
    • G21K5/04Irradiation devices with beam-forming means
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J27/00Ion beam tubes
    • H01J27/02Ion sources; Ion guns
    • H01J27/26Ion sources; Ion guns using surface ionisation, e.g. field effect ion sources, thermionic ion sources

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ophthalmology & Optometry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Coating Of Shaped Articles Made Of Macromolecular Substances (AREA)
  • Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft ein Gerät nach dem Gattungsbegriff des Patentanspruches I.
Bekannt ist ein Verfahren und ein Gerät zur Oberflächenbehandlung (US-PS 27 02 863) einer Unterlage, nämlich der Oberfläche von Linsen und anderen optischen Bauteilen, bei dem von einer Plasma-lonenquelle u, a, Molekülionen emittiert werden, die beschleunigt und in Richtung auf die Unterlage gelenkt werden, ϊ so daß sie in der Unterlage eine gewisse gewünschte Durchdringungstiefe erreichen und eine Veränderung der Eigenschaften der Oberflächenschicht der Unterlage bewirken. Es ist auch eine Ionenquelle zur Erzeugung eines
n> monoenergetischen, fokussierten Ionenstrahl bekannt (DE-OS 19 55137), bei der ein Beschleunigungsfeld vorgesehen ist, mit welchem Ionen aus einem von einem Elektronenstrahl verdampften, elektrisch leitenden Material herausgezogen werden.
> Das Aufbringen von Materialien auf Unterlagen, so z. B. auf Linsen und dergleichen, erlangt zunehmende Bedeutung, da es beispielsweise möglich ist, verhältnismäßig weiche Unterlagen, so Kunststofflinsen, mit Überzügen aus harten Materialien zu versehen.
Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, die Ionenquelle eines Gerätes der eingangs genannten Art so weiterzubilden, daß die emittierten Molekularteilchen ionisiert bzw. die emittierten Molekülionen weiter ionisiert werden, so daß sie in vorbestimmter Weise beschleunigt und so geleitet werden können, daß eine optimale Beschichtung der Unterlage, insbesondere von
Kunststofflinsen oder anderen optischen Bauteilen aus Kunststoff erreicht werden kann. Die Lösung dieser Aufgabe besteht bei einem Gerät
so der eingangs genannten Art aus den Merkmalen des Kennzeichnungsteils des Patentanspruches 1.
Mit Hilfe der Beschleunigungs- und Feldemissionsvorrichtung können die mit Hilfe des Elektronenstrahls erzeugten Molekularteilchen und Molekülionen nach ihrer Emission negativ bzw. weiter negativ ionisiert werden, derart, daß die entstehenden Molekülionen auf einer bestimmten Bewegungsbahn unter Beschleunigung in Richtung auf die zu beschichtende Unterlage auftreffen. Als zur Erzeugung von Molekülionen geeignete Präparate können pastenartige Mischungen bekannter Mineralien verwendet werden, die bei Beschichtung optischer Elemente wegen ihrer Eigenschaften der Härte, Elastizität, Wärmebeständigkeit und wegen ihrer optischen Klarheit vorgegeben sind
Gemäß einer vorteilhaften Ausgestaltung weisen die zur negativen Ionisierung der emittierten Molekularteilchen dienenden Elektroden der Beschleunigungs- und Feldemissionsvorrichtung eine Vielzahl von geschärften oder zugespitzten Teilen auf, wobei die Elektroden der
so Beschleunigungs· und Feldemissionsvorrichtung ringförmig sein können.
Gemäß einer weiteren Ausgestaltung können Einrichtungen zur Erzeugung magnetischer Felder zum Trennen unerwünschter Molekülionen und Molekular teilchen von dem zur Beschichtung genutzten Molekül ionenstrahl vorgesehen sein. Damit kann eine qualitative Aufteilung der emittierten Molekülionen und eine qualitative Steuerung der Unterlagenbeschichtung vorgenommen werden. Dabei kann es gemäß einer
% vorteilhaften Ausgestaltung zweckmäßig sein, daß eine Mikfowellenbestfahlufigsvorrichtung oder ein radioaktives Präparat zur Ableitung der während der Beschichtung auf der Unterlage aufgebrachten Oberflächenladung vorgesehen sein.
Weitere Ausgestaltungen sind in den weiteren Unteransprüchen gekennzeichnet.
Ein besonderer Vorteil des Gerätes besteht in seiner Verwendung bei der Entwicklung und Weiterbehand-
lung billiger BriHenlinsen, weiche im Spritzgußverfahren hergestellt werden. Derartige Linsen können in dem Gerät mit geeigneten hochfesten Materialien beschichtet werden. Auch ist es möglich, Teile schichtartig aufzubauen; so können Kunststoffolien vorbestimmter ϊ Dicke mit dünneren Lagen oder Filmen beschichtet werden, derart, daß die Massenherstellung derartiger Schichtkörper bei durchlaufender Trägerfolie möglich ist-
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfol- in gend anhand der Zeichnung erläutert.
Fig. 1 ist eine teilweise geschnittene Perspektivansicht des Gerätes mit der Ionenquelle und der zu beschichtenden Unterlage ohne Darstellung des diese umhüllenden Vakuumgehäuses;
Fig.2 ist eine Perspektivansicht einer Beschleunigungs- und Feldemissionsvorrichtung eines Ausführungsbeispiels der Erfindung;
F i g. 3 ist eine Draufsicht auf eine Beschleunigungsund Feldemissionsvorrichtung eines weiteren Ausführungsbeispiels;
F i g. 4 ist eine Schnittansicht von Linie 4-4 ;n F i g. 3;
Fig.5A ist eine Teilschnittansicht einer Beschleunigungs- und Feldemissionsvorrichtung eines weiteren Ausführungsbeispiels;
Fig.5B ist eine Teilschnittansicht einer Beschleunigungs- und Feldemissionsvorrichtung eines weiteren Ausführungsbeispiels;
Fig.6 ist eine vergrößerte Draufsicht auf eine mit Hilfe des Gerätes beschichtete Unterlage unter Darstellung ihrer unterschiedlichen Eigenschaften nach Beschichtung;
F i g. 7 ist eine Schnittansicht eines weiteren Gerätes;
F i g. 8 ist eine Schnittansicht des unteren Bereiches eines weiteren Gerätes mit einer Vorrichtung zur Richtungsbeeinflussung unterschiedlicher Molekülionen.
In F i g. 1 ist ein Gerät 15 zum Auftragen einer dünnen Schicht auf eine Unterlage dargestellt, welches innerhalb eines (nicht dargestellten) Vakuumgehäuses an- w geordnet ist Das Gerät 15 ist mit senkrechten Tragstangen 30 versehen, die an einem Ring 32 auf der Oberseite eines Podestes 20 angebracht sind. Innerhalb des Ringes 32 befindet sich eine Vorrichtung 34 zur Erzeugung eines Elektronenstrahls; diese Vorrichtung ist in Fig. t nur teilweise im Schnitt gezeigt Sie kann durch in Rohren 36 gefördertes Kühlmittel gekühlt werden. In der Mitte weist die Vorrichtung 34 einen Zielbereich 38 auf, in welchem sich ein zu ionisierendes Material 40 befindet Eki Heizfaden (nicht gezeigt) ist in einer Kammer 42 angeordnet; desgleichen sind geeignete Magnetspulen zur Erzeugung von Magnetfeldern im Bereich der Kammer 42 vorgesehen. Verschiedene Leitungen 44 sind vorgesehen, um Strom an den Heizfaden und &n die Magnetspulen zu leiten. Bei Betrieb der Vorrichtung 34 werden Elektronen dutch den Heizfaden emittiert und unter dem Einfluß des erzeugten elektromagnetischen Feldes auf das zu ionisierende Material 40 gerichtet Auf diese Weise werden Molekularteilchen emittiert. Ein schwenkbarer Verschluß 46, welcher von außerhalb des (nicht dargestellten) Vakuumgehäuses betätigbar ist, dient dazu, um entweder die Wolke der emittierten Molekülionen abzusperren oder, wenn der ausgeschwenkt ist, um die Molekülionen in Richtung einer κ nachfolgend beschriebenen Beschleunigungs- und Feldemissionsvorrichtung 4P zu leiten.
Ein Tragrahmen 50 für die zu beschichtende Unterlage ist mittels Isolatoren 52 am oberen Ende eier Tragstangen 30 befestigt. An diesem Tragrahmen 50 können verschiedene Unterlagen, so zum Beispiel Kunststofflinsen, für das Auftragen einer dünnen Schicht befestigt werden, Ein Kollektorschirm 54 ist oberhalb des Tragrahmens 50 angebracht Die am Kollektorschirm 54 angelegte Spannung kann durch (nicht gezeigte) Verbindungen mit der Innenseite des Vakuumgehäuses bestimmt werdea
Die Beschleunigungs- und Feldemissionsvorrichtung 48 ist an den Tragstangen 30 durch Drähte 60 und Isolatoren 62 aufgehängt Die Einzelheiten dieser Vorrichtung sind deutlich in Fig.2 gezeigt Sie besteht aus mehreren flachen Ringen, deren Innen- und Außendurchmesser von unten nach oben zunehmen. Der erste, dritte und fünfte Ring 66 wirken als Schutzringe und dienen im wesentlichen dazu, das Feld der dazwischen befindlichen Elektroden 68 zur Feldemission zu isolieren, wenngleich sie auch als Beschleunigungsekiktroden wirken können. Eine Beschleunigungselektrode 70 stellt den obeuien Ring innerhalb der Beschleunigungs- und Feldemissioasvorrichtung 48 dar. Es sind also insgesamt sechs Ringe in der Vorrichtung gezeigt, obwohl auch eine größere oder geringere Anzahl vorgesehen sein können. Benachbarte Elektroden sind gegenseitig durch Isolatoren 72 getrennt Die zur Feldemission dienenden Elektroden 68 sind mit einer Vielzahl von Nadeln 74 versehen, welche zugespitzt sind. Die Nadeln sind im wesentlichen in gleichen Abständen am Umfang der Elektroden 68 angeordnet und können beispielsweise angelötet sein. Die Spitzen der Nadeln 74 weisen dabei radial nach innen. Sie emittieren unter einem Einfluß eines elektrischen Feldes Elektronen, durch welche die emittierten Molekularteilchen weiter negativ ionisiert werden. Durch die Beschleunigungsvorrichtung werden die Molekularteilchen gleichzeitig in Richtung des Kollektorschirms 54 beschleunigt Die Leitungen zum Anlegen der Spannungen an den verschiedenen Bauteilen des in F i g. 1 dargestellten Gerätes verlaufen durch Isolatoren 80, die sich durch den Ring 32 erstrecken. Eine Leitung 82 ist mit dem Tragrahmen 50 für die zu beschichtende Unterlage verbunden, während eine Leitung 84 mit einem unteren Draht 60 verbunden ist, um die Spannung der Beschleunigungselektrode 70 zu steuern. Weitere Leitungen 86 verlaufen jeweils zu einem der Ringe 66, während die Spannung an den Elektroden 68 über Leitungen 88 angelegt wird.
Es können radioaktive Präparate 90 verwendet werden, um eine Oberflächenladung auf den zu beschichtenden Unterlagen mittels radioaktiver Bestrahlung abzubauen. Derartige radioaktive Präparate können auch in geeigneter Weise an anderen Positionen 'tint, halb des das Gerät aufnehmenden Vakuumgehäuses angeordnet sein, um in wirkungsvoller Weise die zu beschichtenden Unterlagen zu entladen.
Die Fig.3 und 4 geben in Draufsicht bzw. Teilschnittansicht eine Beschleunigungs- und Feldemissionsvorrichtung eines weiteren Ausführungsbeispiels wieder, weiche anstelle der in Fig.! und 2 gezeigten verwendet werden kann. Die Beschleunigungs- und Feldemissionsvorrichtung 48a nach F i g. 3 und 4 umfaßt mehrere ringförmige Elektroden 101, die durcii Isolatoren 103 elektrisch gegenseitig isoliert sind. Die Isolatoren 103 dien?n auch zur Isolierung gegenüber die Elektroden verbindenden Lamellen 102, deren Innenkanten als Schneiden ausgebildet sind. Die Lamellen 102 dienen dazu, entlang ihrer scharfen Schneiden unter
dem Einfluß eines elektrischen Feldes Elektronen zu emittieren. Geeignete Verbindungen (nicht gezeigt) können vorgesehen sein, um die Spannungen an den Lamellen 102 und an den ringförmigen Elektroden 101 zu steuern.
Die Fig.5A gibt Ringe wieder, von welchen die zur Feldemission dienenden Elektroden 104 eine angeschärfte innere Schneide aufweisen. Die übrigen Elektroden 106 sind vollständig abgerundet und elektropoliert.
F i g. 5B zeigt eine Anordnung, welche der in F i g. 2 dargestellten ähnlich ist, mit der Abweichung, daß auf die Nadeln 74 verzichtet wurde. Die zur Feldemission vorgesehenen ringförmigen Elektroden 68a sind mit einer scharfen, inneren Schneide versehen. Die übrigen Elektroden 69 sind beispielsweise durch Elektropolieren geglättet.
In Fig.6 ist eine Unterlage 110 in Form einer Linse
vitii gestein, WCiCiiC in uCiTi VOruCaCiiriCuCncn sjCTSi beschichtet worden ist. Die Linse ist auf ihrer linken Hälfte 112 und auf den kleinen Kreisen 114 mit einem Film beschichtet worden, welcher im wesentlichen aus Mineralstoffen besteht, welche wegen ihrer Eigenschaften der Härte, Elastizität. Wärmebeständigkeit und optischen Klarheit ausgewählt worden sind.
Mit Ausnahme der kleinen Kreise 114 ist die rechte Hälfte 116 der Linse unbeschichtet. Dies wurde dadurch erzielt, daß zunächst die rechte Hälfte mit einer gelochten Folie abgedeckt wurde, bevor der Film aufgetragen wurde. Die Linse wurde dann in einem Versuch mit verschiedenen Abriebstoffen abgerieben. Die beschichtete Hälfte 112 und die Kreise 114 blieben durch diese Abriebstoffe unbeeinträchtigl. so daß die Linse in diesen Bereichen klar und durchsichtig verblieb. Über den übrigen Teilen der rechten Hälfte 116 wurde die Linse jedoch erheblich verkratzt, wie es die in F i g. 6 dargestellte Punktierung wiedergibt.
Ein abgewandeltes Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung ist in F i g. 7 veranschaulicht. Das in F i g. 7 dargestellte Gerät 150 weist viele Grundbauteile auf. welche denjenigen des in F i g. 1 gezeigten Gerätes entsprechen. Während die emittierten Molekularteilchen negativ ionisiert werden, wie dies unter Bezugnahme auf die in F i g. 1 dargestellte Einrichtung beschrieben wurde, wird die Bahn der Molekülionen anschließend in einer gekrümmten Bahn geleitet und in vorbestimmter Weise auf die zu beschichtende Unterlage aufgebracht Der Zweck dieser Strahlteilung besteht darin, eine Trennung der Molekularteilchen und Molekülionen sowie von Molekülionen verschiedener Ladung und Me'.se zu erzielen, derart, daß eine nachteilige Wirkung auf der zu beschichtenden Unterlage vermieden wird. Es ist festgestellt worden, daß das Auftreffen verhältnismäßig großer Teilchen auf den zu beschichtenden Unterlagen dazu führen kann, daß Vertiefungen in dem aufgetragenen Film hervorgerufen werden. Dadurch ergibt sich ein Bruch des Films und eine Einbettung der größeren Teilchen innerhalb des Films; es besteht an diesen Positionen eine Neigung zur Absorption von Feuchtigkeit, was zu einem Abheben des Films im Bereich der Vertiefungen führen kann. In extremen Fällen können die größeren Molekülionen unerwünschte Oberflächenunregelmäßigkeiten hervorrufen.
In Fig.7 ist ein Zylinder 164 gezeigt welcher Magnetspuien 165 enthält Diese dienen dazu, ein senkrecht ausgerichtetes magnetisches Feld zu erzeugen. Der Zylinder 164 ist durch Drähte 160 und Isolatoren 162 an den Tragstangen 30 aufgehängt. Oberhalb des Zylinders 164 befindet sich eine zweite magnetische Einrichtung 166 zur Erzeugung eines magnetischen Feldes, welches waagerecht ausgerichtet ist. Die Einrichtung 166 kann einzelne Magnete 168 umfassen, die die Form von Dauermagneten haben. Die Magnete 168 können auch die Polstücke von elektromagnetischen Magnetspulen sein. In einer Ausführungsform kann die Einrichtung 166 als im wesentlichen flache Platte ausgebildet sein, die an der Wand des Gehäuses 18a angebracht ist. Oberhalb der Vorrichtung zur Erzeugung der Magnetfelder ist eine Anordnung zum Aufhängen der zu beschichtenden Unterlagen vorgesehen. Diese Einrichtung ist als ein Zylinder 170 gezeigt, der einen hervorstehenden oberen Rand aufweist. Dieser ist auf einem Ring 172 mittels Kugellager 174 gelagert, derart, daß sich der Zylinder 170 drehen läßt. Ein Motor 176 ist mit einer
nipiatvprnlJA 1 7tt
» »m 7vlin/|Ar 170 anarpift
und dazu dient, diesen innerhalb des Gehäuses 18a in Drehung zu versetzen. Zu beschichtende Unterlagen 180 in Form von Linsen sind in Halterungen 184 schwenkbar angebracht. Die Halterungen 184 und die sie tragenden Gestelle 182 sind so angeordnet, daß die Linsen gegenüber dem Zylinder 170 so gedreht werden können, daß eine Beschichtung an beiden Linsenflächen möglich ist. Wie in F i g. 7 dargestellt ist. besteht dieser Schwenk'.nechanismus aus einem Block 186 mit einem Stab 188, an welchem ein Umschalthebel 190 an den unteren Enden der Gestelle 182 angreift Wenn also jedes der Gestelle 182 am Stab !88 vorbeiläuft, dann wird der Umschalihebel 190 gedreht derart, daß die Linsen gedreht werden und bei weiterer Drehung des Zylinders 170 ihre andere Seite beschichtet werden kann. Mit Hilfe des in F i g. 7 dargestellten Gerätes wird erreicht, daß Teilchen, die größer als erwünscht sind, und diejenigen Molekularteilchen, die in unzureichender Weise ionisiert wurden, von denjenigen Molekularteilchen getrennt werden, welche die richtige Größe und ausreichende Ionisierung aufweisen, derart daß die erwünschte Beschichtung der Linsen 80 vollzogen werden kann.
Alternativ zu dem in F i g. 7 dargestellten Gerät kann auch die Lage der zu beschichtenden Unterlagen festgelegt werden, indem der Zylinder 170 unbeweglich gehalten wird, während das magnetische Feld der Einrichtung 166 gedreht wird, derart, daß der Molekülionenstrahl über den Bereich der zu beschichtenden Unterlagen hinwegstreicht In diesem Fall kann die Einrichtung 166 selbst einen zylindrischen Ring aufweisen, wobei die einzelnen Magnete 168 wahl, eise durch Elektromagnetfelder magnetisiert werden, um ein waagerechtes magnetisches Feld zu entwickeln, das sich in gesteuerter Weise in einer Ebene dreht, die rechtwinklig zur Längsachse des Gerätes ISO verläuft Wenn es erwünscht ist, kann die die Gestelle 182 umfassende Einrichtung auch elektrostatisch aufgeladen werden, so daß die Gestelle zusätzlich als Kollektor dienen, um die Moleküiionen anzuziehen.
In F i g. 8 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel eines Gerätes 200 dargestellt, welches in seinem Aufbau mit dem Gerät nach Fi g. 1 übereinstimmende Tefle besitzt Oberhalb der Bauteile 34, 46 und 48 ist eine Leitvorrichtung 202 vorgesehen, die an Tragstangen 204 mit Hilfe von Drähten 206 und Isolatoren 208 aufgehängt ist Wie in Fig.8 dargestellt st, weist die ' Leitvorrichtung 202 mehrere Ringmagnete 210 auf, die in einem äußeren Gehäuse 212 angeordnet sind Die
jeweiligen Ringmagnete 210 sind aufeinanderfolgend entlang der beabsichtigten Bewegungsstrecke der emittierten Molekülionen angeordnet und so ausgerichtet, daß die Molekülionen mittels eines elektromagnetischen Feldes aus dem Bereich der Beschleunigungs- und s Feldemissionsvorrichtung nach oben und seitlich ausgerichtet geleitet werden. Das Gehäuse 212 ist so angecH'Jriet, daß jede geradlinige Bewegung, ausgehend von der Beschleunigungs- und Feldemissionsvorrichtung 48 zu den oberhalb angeordneten, zu beschichten- ι ο den Unterlagen verhindert wird. Bei diesev Anordnung kann der obere Teil des Gerätes dem oberen Teil des in Fig. I dargestellten Gerätes entsprechen. Es folgen diejenigen Molekularteilchen und Molekülionen, die nicht die angemessene Geschwindigkeit und das ι > angemessene Verhältnis von Ladung zu Masse haben, nicht der gleichen Bewegungsbahn wie diejenigen Molekiilionen, welche optimale Beschaffenheit hinsichtlich Lauuiig uiiu Ma^e ucsii/.eii, und treffen auf die Prallwand des Gehäuses 212 auf, d.h., daß diese Teilchen aus dem Strom der emittierten Molekülionen entfernt werden, der in Richtung auf die zu beschichtenden Unterlagen gerichtet ist. Wenngleich Fig.8 die Leitvorrichtung 202 mit einer Vielzahl von Ringmagneten 210 zeigt, sei darauf hingewiesen, daß diese Vorrichtung auch anstelle der Ringmagnete 210 eine einzige Magnetspule besitzen kann. Andererseits können mehrere Dauermagneten, die in geeigneter Weise in einer Reihe von Ringen befestigt sind, anstelle der Ringmagneten 210 verwendet werden. Eine derartige Anordnung hat den Vorteil, daß das gewiinschle, teilchenablenkende Feld ohne Anwendung elektrischen Stroms eingesetzt werden kann.
Wie im Falle des Ausführungsbeispiels nach Fig. I können bei allen beschriebenen Geräten radioaktive Präparate verwendet werden, um den Aufbau einer Oberflächenladung zu verhindern. Desgleichen können hierzu Mikrowellenbestrahlungsvorrichtungen verwendet werden.
Hierzu 3 Blatt Zeichnungen

Claims (1)

  1. Patentansprüche;
    1, Gerät zum Aufbringen einer dünnen Schicht auf einer Unterlage mit einer Ionenquelle zur Erzeugung von Molekülionen, die eine Vorrichtung zum Erzeugen eines Elektronenstrahls, der auf das zu ionisierende Material gerichtet ist, so daß Molekularteflcben und Molekülionen emittiert werden, und Beschleunigungselektroden zur Beschleunigung der erzeugten MoJekülionen in Richtung der Unterlage aufweist, und mit einem das Gerät umschließenden Hochvakuumgehäuse, dadurch gekennzeichnet, daß eine Beschleunigungs- und Feldemissionsvorrichtung (48, 48a) vorgesehen ist, die Elektronen emittiert, durch die die emittierten Molekularteilchen negativ ionisiert bzw. die emittierten Molekülionen weiter negativ ionisiert werden.
    Z Gerät nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß dje Beschleunigungs- und Feldemissionsvorrichtung (<Ä 48aj Elektroden (68,68a, 102,104) mit einer Vielzahl von geschärften oder zugespitzten Teilen aufweist
    3. Gerät nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektroden (68, 68a, 104) der Beschleunigungs- und Feldemissionsvorrichtung (48) ringförmig sind.
    4. Gerät nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß auf den ringförmigen Elektroden (68) nach innen gerichtete Nadeln (74) mit feinen Spitzen angeordnet sind (Fig. 2).
    5. Gerät nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die ringförmigen Elektroden (68a, 104) an ihren Innenseiten Schneiden aufweisen (F i g. 5A und 5B).
    6. Gerät nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die ringförmigen Elektroden (68, 68a, 104) der Beschleunigungs- und Feldemissionsvorrichtung im Abstand voneinander entlang der Bewegungsrichtung der erzeugten Molekülionen aufgereiht sind (Fig.2,5Aund5B).
    7. Gerät nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektroden der Beschleunigungs- und Feldemissionsvorrichtung Lamellen (102) sind, die parallel zur Richtung der erzeugten Molekülionen angeordnet sind und an den Kanten Schneiden aufweisen (F i g. 3 und 4).
    8. Gerät nach einem der Anspräche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß eine Mikrowellenbestrahlungsvorrichtung oder ein radioaktives Präparat (90) zur Ableitung der während der Beschichtung auf der Unterlage (110,180) aufgebrachten Oberflächenladung vorgesehen ist.
    9. Gerät nach einem der Ansprüche I bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß Einrichtungen (164, 165« 166, 202) zur Erzeugung magnetischer Felder zum Trennen unerwünschter Molekülionen und Molekularteilchen von dem zur Beschichtung genutzten Molekülionenstrahl vorgesehen sind (Fig.7und8).
DE2339949A 1972-08-14 1973-08-07 Gerät zum Auftragen einer dünnen Schicht auf einer Unterlage mittels von einer Ionenquelle erzeugten Molekülionen Expired DE2339949C3 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US280489A US3913520A (en) 1972-08-14 1972-08-14 High vacuum deposition apparatus

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2339949A1 DE2339949A1 (de) 1974-02-28
DE2339949B2 DE2339949B2 (de) 1981-07-09
DE2339949C3 true DE2339949C3 (de) 1982-03-11

Family

ID=23073294

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2339949A Expired DE2339949C3 (de) 1972-08-14 1973-08-07 Gerät zum Auftragen einer dünnen Schicht auf einer Unterlage mittels von einer Ionenquelle erzeugten Molekülionen

Country Status (9)

Country Link
US (2) US3913520A (de)
JP (1) JPS5328068B2 (de)
CA (1) CA1000651A (de)
CH (1) CH568400A5 (de)
DE (1) DE2339949C3 (de)
FR (1) FR2196244B1 (de)
GB (1) GB1430180A (de)
HK (1) HK2477A (de)
IT (1) IT992872B (de)

Families Citing this family (73)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5114340A (en) * 1974-07-26 1976-02-04 Risho Kogyo Kk Hanshakyoantenano seizohoho
US4048462A (en) * 1975-01-17 1977-09-13 Airco, Inc. Compact rotary evaporation source
DE2740129A1 (de) * 1976-09-18 1978-03-23 Claude John Lancelot Hunt Verfahren und vorrichtung zur metallbedampfung
JPS581186B2 (ja) * 1977-12-13 1983-01-10 双葉電子工業株式会社 イオンプレ−テイング装置
DE2810736A1 (de) * 1978-03-13 1979-09-27 Max Planck Gesellschaft Feldemissionskathode sowie herstellungsverfahren und verwendung hierfuer
US4293189A (en) * 1978-03-31 1981-10-06 Solid Corporation Light reflecting device
CH635526A5 (de) * 1978-06-26 1983-04-15 Ciba Geigy Ag Verfahren zum beschichten von eisen und stahl.
US4384911A (en) * 1978-07-31 1983-05-24 Precision Thin Film Corporation Method for depositing hard film on a substrate
US4310614A (en) * 1979-03-19 1982-01-12 Xerox Corporation Method and apparatus for pretreating and depositing thin films on substrates
US4269137A (en) * 1979-03-19 1981-05-26 Xerox Corporation Pretreatment of substrates prior to thin film deposition
US4331526A (en) * 1979-09-24 1982-05-25 Coulter Systems Corporation Continuous sputtering apparatus and method
US4278528A (en) * 1979-10-09 1981-07-14 Coulter Systems Corporation Rectilinear sputtering apparatus and method
BG32652A1 (en) * 1980-03-13 1982-09-15 Kolev Method for surface laying of metals on synthetic, natural and artificial polymers
US4362611A (en) * 1981-07-27 1982-12-07 International Business Machines Corporation Quadrupole R.F. sputtering system having an anode/cathode shield and a floating target shield
JPS6037188B2 (ja) * 1981-08-27 1985-08-24 三菱マテリアル株式会社 スパツタリング装置
US4420386A (en) * 1983-04-22 1983-12-13 White Engineering Corporation Method for pure ion plating using magnetic fields
KR890002747B1 (ko) * 1983-11-07 1989-07-26 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 이온 빔에 의한 성막방법 및 그 장치
US4514437A (en) * 1984-05-02 1985-04-30 Energy Conversion Devices, Inc. Apparatus for plasma assisted evaporation of thin films and corresponding method of deposition
US4764394A (en) * 1987-01-20 1988-08-16 Wisconsin Alumni Research Foundation Method and apparatus for plasma source ion implantation
US4815962A (en) * 1987-12-11 1989-03-28 Polaroid Corporation Process for coating synthetic optical substrates
US4826365A (en) * 1988-01-20 1989-05-02 White Engineering Corporation Material-working tools and method for lubricating
FR2631832B1 (fr) * 1988-05-24 1994-05-27 Unirec Procede pour reduire le coefficient de frottement et l'usure entre une piece metallique et une piece a base d'un polymere ou copolymere organique et son application a des protheses articulaires
US4916356A (en) * 1988-09-26 1990-04-10 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force High emissivity cold cathode ultrastructure
CA2065581C (en) 1991-04-22 2002-03-12 Andal Corp. Plasma enhancement apparatus and method for physical vapor deposition
FR2681472B1 (fr) 1991-09-18 1993-10-29 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication de films minces de materiau semiconducteur.
US5683757A (en) * 1995-08-25 1997-11-04 Iskanderova; Zelina A. Surface modification of polymers and carbon-based materials by ion implantation and oxidative conversion
FR2748851B1 (fr) * 1996-05-15 1998-08-07 Commissariat Energie Atomique Procede de realisation d'une couche mince de materiau semiconducteur
US6033974A (en) 1997-05-12 2000-03-07 Silicon Genesis Corporation Method for controlled cleaving process
US6159824A (en) 1997-05-12 2000-12-12 Silicon Genesis Corporation Silicon-on-silicon wafer bonding process using a thin film blister-separation method
US20070122997A1 (en) 1998-02-19 2007-05-31 Silicon Genesis Corporation Controlled process and resulting device
US6291313B1 (en) 1997-05-12 2001-09-18 Silicon Genesis Corporation Method and device for controlled cleaving process
US6027988A (en) * 1997-05-28 2000-02-22 The Regents Of The University Of California Method of separating films from bulk substrates by plasma immersion ion implantation
US6548382B1 (en) * 1997-07-18 2003-04-15 Silicon Genesis Corporation Gettering technique for wafers made using a controlled cleaving process
US7014738B2 (en) * 1997-10-24 2006-03-21 Filplas Vacuum Technology Pte Ltd. Enhanced macroparticle filter and cathode arc source
GB9722645D0 (en) * 1997-10-24 1997-12-24 Univ Nanyang Enhanced macroparticle filter and cathode arc source
FR2773261B1 (fr) * 1997-12-30 2000-01-28 Commissariat Energie Atomique Procede pour le transfert d'un film mince comportant une etape de creation d'inclusions
US6291326B1 (en) 1998-06-23 2001-09-18 Silicon Genesis Corporation Pre-semiconductor process implant and post-process film separation
US6660365B1 (en) 1998-12-21 2003-12-09 Cardinal Cg Company Soil-resistant coating for glass surfaces
US6964731B1 (en) * 1998-12-21 2005-11-15 Cardinal Cg Company Soil-resistant coating for glass surfaces
US6974629B1 (en) 1999-08-06 2005-12-13 Cardinal Cg Company Low-emissivity, soil-resistant coating for glass surfaces
US6263941B1 (en) 1999-08-10 2001-07-24 Silicon Genesis Corporation Nozzle for cleaving substrates
US6221740B1 (en) 1999-08-10 2001-04-24 Silicon Genesis Corporation Substrate cleaving tool and method
US6500732B1 (en) 1999-08-10 2002-12-31 Silicon Genesis Corporation Cleaving process to fabricate multilayered substrates using low implantation doses
AU6905000A (en) * 1999-08-10 2001-03-05 Silicon Genesis Corporation A cleaving process to fabricate multilayered substrates using low implantation doses
US6629508B2 (en) * 1999-12-10 2003-10-07 Epion Corporation Ionizer for gas cluster ion beam formation
FR2823599B1 (fr) 2001-04-13 2004-12-17 Commissariat Energie Atomique Substrat demomtable a tenue mecanique controlee et procede de realisation
US8187377B2 (en) * 2002-10-04 2012-05-29 Silicon Genesis Corporation Non-contact etch annealing of strained layers
FR2848336B1 (fr) 2002-12-09 2005-10-28 Commissariat Energie Atomique Procede de realisation d'une structure contrainte destinee a etre dissociee
FR2856844B1 (fr) 2003-06-24 2006-02-17 Commissariat Energie Atomique Circuit integre sur puce de hautes performances
FR2857953B1 (fr) 2003-07-21 2006-01-13 Commissariat Energie Atomique Structure empilee, et procede pour la fabriquer
JP2005056535A (ja) * 2003-08-07 2005-03-03 Tdk Corp 磁気記録媒体の製造方法及び製造装置
FR2861497B1 (fr) 2003-10-28 2006-02-10 Soitec Silicon On Insulator Procede de transfert catastrophique d'une couche fine apres co-implantation
US7294404B2 (en) 2003-12-22 2007-11-13 Cardinal Cg Company Graded photocatalytic coatings
DE602005003234T2 (de) 2004-07-12 2008-08-28 Cardinal Cg Co., Eden Prairie Wartungsarme beschichtungen
JP2008520525A (ja) * 2004-11-15 2008-06-19 日本板硝子株式会社 配列構造を有するコーティングの蒸着方法および設備
US8092660B2 (en) 2004-12-03 2012-01-10 Cardinal Cg Company Methods and equipment for depositing hydrophilic coatings, and deposition technologies for thin films
US7923114B2 (en) 2004-12-03 2011-04-12 Cardinal Cg Company Hydrophilic coatings, methods for depositing hydrophilic coatings, and improved deposition technology for thin films
FR2889887B1 (fr) 2005-08-16 2007-11-09 Commissariat Energie Atomique Procede de report d'une couche mince sur un support
US20070119375A1 (en) * 2005-11-30 2007-05-31 Darrin Leonhardt Dual large area plasma processing system
WO2007124291A2 (en) * 2006-04-19 2007-11-01 Cardinal Cg Company Opposed functional coatings having comparable single surface reflectances
US20080011599A1 (en) 2006-07-12 2008-01-17 Brabender Dennis M Sputtering apparatus including novel target mounting and/or control
US8993410B2 (en) 2006-09-08 2015-03-31 Silicon Genesis Corporation Substrate cleaving under controlled stress conditions
US8293619B2 (en) 2008-08-28 2012-10-23 Silicon Genesis Corporation Layer transfer of films utilizing controlled propagation
US9362439B2 (en) 2008-05-07 2016-06-07 Silicon Genesis Corporation Layer transfer of films utilizing controlled shear region
US7811900B2 (en) 2006-09-08 2010-10-12 Silicon Genesis Corporation Method and structure for fabricating solar cells using a thick layer transfer process
FR2910179B1 (fr) 2006-12-19 2009-03-13 Commissariat Energie Atomique PROCEDE DE FABRICATION DE COUCHES MINCES DE GaN PAR IMPLANTATION ET RECYCLAGE D'UN SUBSTRAT DE DEPART
EP2261186B1 (de) 2007-09-14 2017-11-22 Cardinal CG Company Pflegeleichte beschichtungstechnologie
FR2925221B1 (fr) 2007-12-17 2010-02-19 Commissariat Energie Atomique Procede de transfert d'une couche mince
US8330126B2 (en) 2008-08-25 2012-12-11 Silicon Genesis Corporation Race track configuration and method for wafering silicon solar substrates
US8329557B2 (en) 2009-05-13 2012-12-11 Silicon Genesis Corporation Techniques for forming thin films by implantation with reduced channeling
FR2947098A1 (fr) 2009-06-18 2010-12-24 Commissariat Energie Atomique Procede de transfert d'une couche mince sur un substrat cible ayant un coefficient de dilatation thermique different de celui de la couche mince
WO2018093985A1 (en) 2016-11-17 2018-05-24 Cardinal Cg Company Static-dissipative coating technology
JP6740299B2 (ja) * 2018-08-24 2020-08-12 ファナック株式会社 加工条件調整装置及び機械学習装置

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB481842A (en) * 1936-06-17 1938-03-18 Bernhard Berghaus Improvements in and relating to the coating of articles by vaporisation of the coating materials
US2608176A (en) * 1948-03-16 1952-08-26 American Can Co Apparatus for electrostatically coating articles
US2702863A (en) * 1949-07-12 1955-02-22 Koch Jorgen Method of treating optical elements
US2640948A (en) * 1950-09-21 1953-06-02 High Voltage Engineering Corp Apparatus for utilizing a beam of high energy electrons in sterilization and in therapy
US2719820A (en) * 1951-01-26 1955-10-04 United States Steel Corp Method for coating steel strip
US2753796A (en) * 1951-02-10 1956-07-10 Harris Seybold Co Ink-repellant applying method for rotary lithographic printing apparatus
US2773472A (en) * 1951-08-14 1956-12-11 Gen Motors Corp Apparatus for electrostatic spray coating
US2890342A (en) * 1954-09-29 1959-06-09 Gen Electric System for charge neutralization
US3371649A (en) * 1960-09-23 1968-03-05 Technical Ind Inc Means for controlled deposition and growth of polycrystalline films in a vacuum
BE620882A (de) * 1961-05-08
US3178601A (en) * 1961-07-18 1965-04-13 Radiation Dynamics Beam tube
US3192892A (en) * 1961-11-24 1965-07-06 Sperry Rand Corp Ion bombardment cleaning and coating apparatus
US3294583A (en) * 1962-06-14 1966-12-27 Sprague Electric Co Process of coating a silicon semiconductor with indium using an ion beam
US3341352A (en) * 1962-12-10 1967-09-12 Kenneth W Ehlers Process for treating metallic surfaces with an ionic beam
US3322374A (en) * 1964-09-30 1967-05-30 Jr James F King Magnetohydrodynamic propulsion apparatus
US3497929A (en) * 1966-05-31 1970-03-03 Stanford Research Inst Method of making a needle-type electron source
US3437734A (en) * 1966-06-21 1969-04-08 Isofilm Intern Apparatus and method for effecting the restructuring of materials
US3547074A (en) * 1967-04-13 1970-12-15 Block Engineering Apparatus for forming microelements
US3517240A (en) * 1968-11-04 1970-06-23 Gen Electric Method and apparatus for forming a focused monoenergetic ion beam
US3583361A (en) * 1969-12-18 1971-06-08 Atomic Energy Commission Ion beam deposition system
US3699027A (en) * 1970-02-02 1972-10-17 Ransburg Electro Coating Corp Deposition method
US3734769A (en) * 1970-08-06 1973-05-22 T Hirschfeld Method of forming microelements
US3912826A (en) * 1972-08-21 1975-10-14 Airco Inc Method of physical vapor deposition
US3908183A (en) * 1973-03-14 1975-09-23 California Linear Circuits Inc Combined ion implantation and kinetic transport deposition process

Also Published As

Publication number Publication date
CA1000651A (en) 1976-11-30
AU5855973A (en) 1975-01-30
FR2196244B1 (de) 1979-01-12
DE2339949B2 (de) 1981-07-09
IT992872B (it) 1975-09-30
JPS5328068B2 (de) 1978-08-11
DE2339949A1 (de) 1974-02-28
JPS4963759A (de) 1974-06-20
HK2477A (en) 1977-01-21
FR2196244A1 (de) 1974-03-15
GB1430180A (en) 1976-03-31
CH568400A5 (de) 1975-10-31
US3913520A (en) 1975-10-21
US4107350A (en) 1978-08-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2339949C3 (de) Gerät zum Auftragen einer dünnen Schicht auf einer Unterlage mittels von einer Ionenquelle erzeugten Molekülionen
EP0489239B1 (de) Anordnung zum Beschichten von Substraten mit Magnetronkathoden
DE3729347C2 (de)
DE19810346C1 (de) Röntgenröhre und deren Verwendung
DE3050343C2 (de) Einrichtung zur Elektronenbestrahlung von Objekten
DE3913463C2 (de)
DE3152736C2 (de) Selbstverzehrende Kathode f}r einen Lichtbogen-Metallverdampfer
DE3814652C2 (de)
DE3414539C2 (de)
DE2520556A1 (de) Verfahren zum selektiven entfernen von material von der oberflaeche eines werkstueckes
DE2335821A1 (de) Teilchenbeschleuniger
DE19939040A1 (de) Magnetronsputtergerät
DE2443084C2 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Bestrahlen eines drahtförmigen oder rohrförmigen Gegenstandes mit Elektronen
EP1997122B1 (de) Vorrichtung und verfahren zur eigenschaftsänderung dreidimensionaler formteile mittels elektronen
DE3416198C2 (de)
DE3707545C2 (de)
DE3923345A1 (de) Ionenimplantationssystem
EP0371252B1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Ätzen von Substraten mit einer magnetfeldunterstützten Niederdruck-Entladung
DE3416196C2 (de)
DE2204467A1 (de) Vorrichtung zum Aufdampfen einer Oberflächenmetallschicht oder eines Metallüberzuges auf eine langgestreckte Unterlage mit Hilfe wenigstens einer Elektronenkanone
DE4109213C1 (en) Arc-source for vacuum coating system - comprises cathode housing with double walled shell, and thin base, target, cooling water supply, drain, etc.
DE4306611B4 (de) Vorrichtung zur Oberflächenbehandlung von Substraten durch Plasmaeinwirkung
DE2403349C3 (de) Vorrichtung zum Bestrahlen von einzelnen Targets
DE2037029C3 (de) Thermische Ionenquelle
DE2301593C3 (de) Wechselvorrichtung für Targets für Kathodenzerstäubung

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
8339 Ceased/non-payment of the annual fee