DE2338647A1 - Leiterplatte mit zwei leiteraussenlagen - Google Patents

Description

SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT Minchen, den 3 O. JUL1197 3 Berlin und München Witteisbacherplatz 2

73/2064

Leiterplatte mit zwei Leiteraußenlagen

Die Erfindung bezieht sich'auf eine Leiterplatte mit zwei Leiteraußenlagen, bei der die eine Außenlage ein Kontaktfleckenraster zur beliebigen Kontaktierung mit Bauelementen bildet.

Werden Schaltungen mit geätzten Leiterplatten in einem hohen Frequenzbereich z.B. zwischen 100 bis 500 IOz aufgebaut, so können zufriedenstellende Ergebnisse nur dann.erzielt werden, wenn unter anderem die Masseanschlüsse der Bauelemente so kurz wie möglich ausgeführt werden. Der Grund dafür liegt darin, daß die Anschlußinduktivität der Bauelemente zum Bezugspotential auf ein Minimum herabgesetzt werden muß. Nicht erwünschte Kopplungen und somit Schwingneigungen der Schaltungsanordnung werden weitgehend verhindert.

Bei großen Serien von Leiterplatten können die individuell geätzten Leiterplatten so aufgebaut und hergestellt v/erden, daß die oben angeführten Bedingungen erfüllt sind. Bei kleineren Serien jedoch und bei Musterschaltungen wäre der Aufwand für die Herstellung individuell geätzter Leiterplatten zu groß.-

Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe besteht darin, eine Leiterplatte anzugeben, die universell angewendet werden kann und gute Hochfrequenzeigenschaften hat. Diese Aufgabe wird bei einer Leiterplatte mit zwei Leiteraußenlagen, bei der die eine Außenlage eine Kontaktfleckenraster zur be-

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liebigen Kontaktierung mit Bauelementen bildet, dadurch gelöst, daß als zweite Außenlage eine homogene Potentialfläche vorgesehen ist, daß alle Kontaktflecken der einen Außenlage über durchkontaktierte Bohrungen mit der Potentialfläche galvanisch verbunden sind, und daß zur Isolierung von Kontaktflecken von der Potentialfläche die Durchkontaktierung unterbrochen wird.

Gute Hochfrequenzeigenschaften werden dadurch erreicht, daß über die gesamte Leiterplatte eine Potentialfläche, z.B. die Masseebene verteilt ist. Diese stellt so einen Pfad sehr niedriger Induktivität dar und ermöglicht einen optimalen Potentialbezug. Durch die möglichst breite Verteilung wird ebenfalls der Eigenwiderstand der Massezuführung herabgesetzt und somit Störspannungen, hervorgerufen durch Masseströme, auf ein Minimum geführt.

Bei der Kontaktierung von Bauelementen mit,den Kontaktflecken des Kontaktfleckenrasters werden die Verbindungen zwischen den Kontaktflecken und der Potentialfläche gegebenenfalls gelöst. Trotzdem bleibt die im Grundzustand der Leiterplatte maximal verteilte Potentialfläche nach Isolierung sämtlicher Kontaktflecken, die für den Aufbau einer Schaltung nötig sind, optimal erhalten.

Anhand von Figuren wird die Erfindung weiter erläutert.

Fig. 1 zeigt einen Schnitt durch eine Leiterplatte. Die Leiterplatte LP besteht aus Isoliermaterial SL, das auf beiden Seiten mit Leiteraußenlagen versehen ist. Die eine Leiteraußenlage bildet ein Kontaktfleckenraster KF, die andere Leiteraußenlage die Potentialfläche PE. Die Potentialfläche ist mit dem Kontaktflecken KF durch Durchkontaktierungen DK verbunden. In diesem Grundzustand führt jeder Kontaktfleck KF dasselbe Potential wie die darüberliegende homogene Potentialfläche. Auf diese Weise ist zunächst eine

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maximale Verteilung der Potentialfläche gewährleistet.

Bei der Kontaktierung mit Bauelementen werden je nach Bedarf bestimmte Kontaktflecken elektrisch von der Potentialfläche isoliert. Dies kann z.B. dadurch geschehen, daß mittels eines passenden Bohrers das Bohrloch von der Seite der Potentialfläche her hinreichend angesenkt wird. Fig. 2 zeigt einen derartigen Fall. Die Durchkontaktierung zwischen der Potentialfläche PE und den Kontaktflecken KF ist an einer Stelle dadurch unterbrochen worden, daß das entsprechende Bohrloch AS auf der Seite der Potentialfläche angesenkt worden ist.

Ein solcher freigelegter Kontaktfleck kann dazu dienen, an dieser Stelle einen Bauelementeanschluß einzulöten. Durch den verbleibenden Rest der Durchkontaktierung wird dem Kontaktflecken eine gute Stabilität verliehen, wodurch freitragende Bauelemente nach dem Einlöten mechanisch hinreichend fixiert werden. Fig. 3 zeigt ein Beispiel, wie ein Bauelement eingelötet werden kann. Ein Bauelementeanschluß BA wird durch die angesenkte Bohrung hindurchgesteckt und mit dem Kontaktflecken verlötet. Die Lötstelle ist mit TS bezeichnet.

Die eigentliche Schaltungsverdrahtung kann einerseits mit aufgelöteten Blankdrähten erfolgen, die über freigelegte Kontaktflecken verlaufen, andererseits ist auch eine Punktzu-Punkt-Verdrahtung mit isolierten Einzeldrähten möglich. Werden Blankdrähte verwendet, dann können beidseitig parallel zum aufgelöteten Blankdraht liegende, unbenutzte Kontaktflecken - diese führen Massepotential - eine günstige Umgebung für Übertragungsleitungen hoher Geschwindigkeit schaffen.

Man kann sich auch in der Umgebung von Signalanschlüssen einen oder mehrere Kontaktflecken mit Massepotential erhalten.

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An diese Kontaktflecken können dann Abschirmungen oder Schirmarten angelötet werden.

2 Patentansprüche

3 Figuren

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Claims (2)

Patentansprüche

1.)Leiterplatte mit zwei Leiteraußenlagen, bei der die eine «—^ Außenlage ein Kontaktfleckenraster zur beliebigen Kontaktierung mit Bauelementen bildet, dadurch gekennzeichnet,' daß als zweite Außenlage eine homogene Potentialfläche (PE) vorgesehen ist, daß alle Kontaktflecken (KF) der einen Außenlage über durchkontaktierte Bohrungen (DK) mit der Potentialfläche galvanisch verbunden sind und daß zur Isolierung von Kontaktflecken von der Potentialfläche die Durchkontaktierung unterbrochen wird.

2. Leiterplatte nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zur Isolierung der Kontaktflecken von der Potentialfläche das durchkontaktierte Bohrloch von der Seite der Potentfläche her angesenkt wird.

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