DE2332940A1 - Hochdichter mullitsinter und verfahren zu seiner herstellung - Google Patents

Hochdichter mullitsinter und verfahren zu seiner herstellung

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DE2332940A1
DE2332940A1 DE19732332940 DE2332940A DE2332940A1 DE 2332940 A1 DE2332940 A1 DE 2332940A1 DE 19732332940 DE19732332940 DE 19732332940 DE 2332940 A DE2332940 A DE 2332940A DE 2332940 A1 DE2332940 A1 DE 2332940A1
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mullite
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Septimiu Dipl Ing Chebutiu
Silviu Dipl Ing Cindea
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Stefan Dr Ing Mircea
Vasile Dipl Ing Naumescu
Leonid Dipl Ing Sorocopud
Rodica Maria Dipl Ing Szabo
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Description

Hochdichter Mullitsinter und Verfahren zu seiner Herstellung __
Die Erfindung bezieht sich auf ein System superdichten Mullits, das als Magerungsmittel "bei der Herstellung feuerfester I&illit- oder hochtonerdereicher Steine verwendet wird, sowie ein Verfahren zu seiner Herstellung.
Gegenwärtig verwendet man bei der Herstellung von Hullit- oder von hochtonerderebhen Steinen geglühte weisse Tonerde, ELektrokorund, Zyanit, Diaspor oder andere tonerdereiche Stoffe sowie Spezialschamotte aus feuerfesten gereinigten Tonen und geglühter Tonerde oder gebrannten Bauxit.
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- 2 - j
Die herkömmlichen Magerungsmittel, hergestellt aus geglühten tonerdereichen Bohmaterialien (Bauxit^ Zyanit) sind im allgemeinen nur beschränkt verfügbar und sehr teuer. Ein größter Teil dieser natürlichen Rohmaterialien weist einen hohen Verunreinigungsgrad auf, welcher zur Senkung der qualitativen j Eigenschaften des Endproduktes wesentlich beiträgt« ,
Die aus feuerfestem Ton und geglühter Tonerde oder sonstigen tonerdereichen
Materialien erhaltene Schamotte, insbesondere jene aus Drehrohröfen, weist j
einen großen Absorbtionsgrad auf, und zwar mit sehr großen Schwankungen. D r
. i
große Gehalt an Hußmitteln welchen dieser feuerfeste Ton aufweist, gestattet!
ι keinen hohen Brand. Diese ELußmittel, insbesondere die Alkalien, fördern den :
Auftritt großer Mengen flüssiger Phase, unterbinden die Mullitbildungsreaktion und fördern die selbständige Kristallisation der Tonerde zu Korund.
Die so erhaltene Schamotte ist ungenügend gebrannt und hat einen kleinen Mullitgehalt, obwohl zu ihrer Herstellung reine und teure Rohmaterialien (geglühte Tonerde) verwendet wurde.
Es ist ein Verfahren zur Herstellung eines feuerfesten, dichten Aluminiuinsilikatsinters aus Kaloisit bekannt geworden, welcher trocken gemahlen wird, und zwar bis zu einem bestimmten Rückstand auf dem I0000 Maschen/cm Sieb, anschließend wird er mit Wasser oder einer Phosphorsäurelösung oder Aluminiumpho sphat angefeucht et.
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Die Paste mit einer Feuchtigkeit von 2o - 24 % wird durch eine Vakuumstrangpcesse geführt, auf bestimmte Größen geschnitten und in einem Drehrohrofen bei 155° - 16oo C gebrannt.
Der Sinter hat einen Gehalt von 4o - 45 % -AlpCL· und ein Absorbtionsvermögen :
von max. 5 %· J
j Der hochdichte Hullit-Sinter dieser Erfindung beseitigt die Nachteile der ■ bekannten tonerdereichen Magerungsmittel dadurch, daß er einen Gehalt von j. 6o - 85 ia -Al2 0Z aufweist, der zu 85 # als Mallit auftritt, wobei sein Absorptionsvermögen bei 1 - 3 Ί° liegt.
Der Sinter dieser Erfindung wird so erhalten, daß ein Gemenge von Haloisit und geglühter Tonerde im optimalen Verhältnis für die Mullitbildung gemeinsam gemahlen wird, und zwar mit einem Zuschlag von o-5 Ί° Mineralisatoren, z. B. Magnesiumoxyd, Rutil, Aluminiumfluor id. Das angefeuchtete Gemenge wird brikettiert und bei I650 C gebrannt.
Nachstehend wird ein Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Verfahrens angeführt:
Haloisit, der bis auf 7 $ Feuchtigkeit getrocknet ist, wird in einer Bohrmühle gea einsam mit gelgühter Tonerde in einem Verhältnis 1:1 und mit einem Zuschlag von 1,5 % MgO als Mineralisator vermählen, und zwar bif zu einem 1550.δ^-βη Bückstand auf dem I0000 Maschtn/cm Sieb. Das erhaltene Gemenge wird mit Wasser angefeuchtet, durch eine Vakuumstrangpresse bei o,5Atm geführt, zu Briketts von 30 σ Jo σ 5o an zerschnitten; diese werden in einem Drehrohrofen bei 1C^o °Γ5 ^elirarjt. Man erhält ein gut gesintertes keramisches Material mit 72 $> Al O, und max. 3 % Absorbtionsvermögen und einem kleinen Staubanteil (max. 5 %)·
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- 4 Die Anwendung dieser Erfindung "bringt vorallem folgende Vorteile:
a) Es wird ein qualitativ hochwertiger Mullitsinter erhalten, der durch einen maximalen Hullitgehalt mit großen nadeiförmigen Kristallen und einer sehr geringen Menge Schmelzphase gekennzeichnet ist|
"b) Die kennzeichnende Aglomerierung während des Brandes im Drehrohrofen wird beseitigt,
c) Das Produkt ist kompakt, hat ein kleines Absorptionsvermögen und zeichnet sich durch eine hohe Homogenität aus..
d) Bs wird eine rationelle und einfache Technologie angewendet.
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Claims (2)

  1. Patentansprüche
    Hochdiohter Mullitsinter, der insbesondere als Magerungsmittel bei der Herstellung feuerfesten Mullits oder hochtonerdehaltiger Steine hoher Qualität verwendbar ist,
    gekennzeichnet durch einen Gehalt von 60 - 85 # an Al 0,, von dem über 85 $> als Mullit vorliegt und ein Absorptionsvermögen von 1-3
  2. 2. Verfahren zum Herstellen von hochdichtem Mullitsinter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
    daß ein Gemisch au^s Haloisit und geglühter Tonerde im optimalen Verhältnis für die Hullitbildung gemahlen wird ,und zwar mit einem Zuschlag von 0-5 ?6 Hineralisator, z. B. Magnesiumojyd, Rutil, Aluminiumfluorid| und daß das erhaltene Gemenge mit Wasser oder Phosphorsäurelösung angefeuchtet, brikettiert und anschließend bei I650 C gebrannt wird.
    309883/1143
DE19732332940 1972-06-28 1973-06-28 Verfahren zur herstellung einer mullitschamotte Withdrawn DE2332940B2 (de)

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RO7141472A RO56901A2 (de) 1972-06-28 1972-06-28

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DE2332940B2 DE2332940B2 (de) 1978-01-19

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Country Status (3)

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DE (1) DE2332940B2 (de)
FR (1) FR2190760A1 (de)
RO (1) RO56901A2 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4891344A (en) * 1985-12-20 1990-01-02 Fujitsu Limited Low dielectric constant ceramic substrate

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4891344A (en) * 1985-12-20 1990-01-02 Fujitsu Limited Low dielectric constant ceramic substrate

Also Published As

Publication number Publication date
DE2332940B2 (de) 1978-01-19
FR2190760A1 (en) 1974-02-01
RO56901A2 (de) 1974-07-01
FR2190760B1 (de) 1979-01-12

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Legal Events

Date Code Title Description
8230 Patent withdrawn