DE2325723B2 - Verfahren zur bildung einer kupfersulfidschicht auf einer kadmiumsulfidschicht bei der herstellung einer sperrschicht-photozelle - Google Patents

Verfahren zur bildung einer kupfersulfidschicht auf einer kadmiumsulfidschicht bei der herstellung einer sperrschicht-photozelle

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DE2325723B2 DE19732325723 DE2325723A DE2325723B2 DE 2325723 B2 DE2325723 B2 DE 2325723B2 DE 19732325723 DE19732325723 DE 19732325723 DE 2325723 A DE2325723 A DE 2325723A DE 2325723 B2 DE2325723 B2 DE 2325723B2
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Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Bildung einer Kupfersulfidschicht auf einer Kadmiumsulfidschicht bei der Herstellung einer iperrschicht-Photozelle, bei dem die Kadmiumsulfidschicht in eine kupferionenhaltige Lösung eingetaucht wird.
Derartige Sperrschicht-Photozellen sind bereits bekannt, siehe insbesondere die von der Division Recherche Elect ronique de Ia Clevite Corporation am 30 Dezember 1966 herausgegebene Veröffentlichung mit dem Titel: »Study of thin film large area photovoltaic Solar energy converter«; dieser Artikel stammt von F. A.Shirland,J. R-Hietanen und W.K-Dower und wurde für die National Aeronautics und Space Administration verfaßt
In der FR-PS 1562 163 sind technologische Verfahren beschrieben, um in optimaler Weise die Übergänge bzw. Sperrschichten zwischen den die einzelnen Schichten aer Photozelle bildenden unterschiedlichen chemischen Milieus zu verwirklichen; bei den einzelnen Schichten handelt es sich um eine Silberschicht als erste Elektrode der Photozelle, eine Zinkschicht, die den Kontaktwiderstand zwischen der Silberelektroue und der CdS Schicht vermindert, die CdS- und die G12S-Schicht die die aktiven Schichten der Photozelfe sind, eine zweite Elektrode in Form eines die empfindliche Oberfläche der PhotozeHe netzartig überziehenden Gitters und eine Schutzschicht, die die empfindliche Oberfläche der PhotozeHe gegen äußere Angriffe bzw. Einflüsse schützt
Bei dem in der FR-PS 1562163 beschriebenen Verfahren der eingangs genannten Ar%wird die CuSS-Schicht durch Umbildung der Oberfläche der in die kupferionerihaStige Lösung eingetauchten CdS-Schicht erhalten. Zur Bildung der O^S-Schicht wird die CdS-Schicht drei Sekunden lang bei «JiTC in eine Lösung eingetaucht die je Liter 80 gr. Cu CI enthält Bei diesem bekannten Verfahren findet feine beträchtliche verküpieföiig asr CiöS-Sebiehi statt Durch diese Veriuipierung wir4 die energetische Ausbeute bzw» der energetische Wirkungsgrad der Sperrschtcht-PKotozel-Ie herabgesetzt
Der Erfindung Jiegi die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren 2U schaffen, mit dem die Büdung der eisschicht ohne Verkupferung der Oberfläche dieser Schicht erfolgt
Zur Lösung dieser Aufgebe ist das erfindungsgemaße Verfahren dadurch gekennzeichnet, daß die Kadmiumsulfidschicht und die sich bildende Kupfersulfidschicht, solange sie in die kupferionenhaltige Lösung eingetaucht sind, relativ zu einer aus reinem Kupfer beste-ίο henden, in dieselbe Lösung eingetauchten Elektrode auf einem konstanten Potential gehalten werden, das mindestens so hoch wie das Potential der Kupferelektrode ist
Es ist dabei vorteilhaft wenn die kupferionenhaltige iS Lösung auf έίηβη Liter Wasser 25 g CuI, 500 gr Kl und eine kleine Menge Bromhydrazin enthält
. -.Die Erfindung wird im folgenden anhand der Zeichnung näher beschrieben. Es zeigen:
Fig.! in schematischer Darstellung eine Vcrriehtung zur Durchführung des Verfahrens,
F i g. 2 in schematischer Darstellung eine Vorrich tung zur Durchführung des Verfahrens in abgewaidei ter Form, und
F i g. 3 eine Diagrammkurve, welche die Yeränderungen des zwischen der Kadmiumsulfidschicht, deren Potential nicht fixiert ist und einer aus reinem Kupfer bestehenden Elektrode gemessenen Potentials reprä sentiert, wobei die Kadmiumsulfidschicht und die reine Kupferelektrode in ein und dieselbe kupferionenhaltige
y> Lösung eingetaucht sind.
Gemäß F i g. 1 ist die Kadmiumsulfidschicht 1 einer Sperrschicht-Photozelle, die gerade hergestellt wird, in eine kupferionenhaltige Lösung 2 eingetaucht tn die gleiche Lösung 2 ist außerdem eine au* reinem Kupfer
bestehende Elektrode 3 eingehängt Der Anschluß 4 der Elektrode \ ist direkt über den überbrückenden DrahtS ar Ίβη Abschluß6 der Kadmiumsulfidschicht 1 angeschlossea Da > Potential der Kad/ tu· Sulfidschicht muß demzufolge während der gesamt η Zeit des Eintauchens in die Lösung gleich dem Potential der aus reinem Kupfer bestehenden Elektrode bleiben.
Bei Fehlen der durch den Draht 5 hergestellten Verbindung verändert sich das Potermal de- Kudmiumsulfidschicht 1 zeitabhängig gemäß der η hg.1 dargestellten Kurve 7, während das Bezugspotential Null das Potential einer aus reinem Kupfer bestehenden Elektrode ist die in die gleiche lösung eingetaucht ist. Die Kurve 7 zeigt daß das Potential der Kadmiumaulfidschicht bezogen auf '.as NuIIp >tenti I der aus reir^m
Kupfer bestehenden Elektrode, negativ ist.
Bei Anwendung des erfindungsgt mäßen Verfahre;» wird das Potential der iCadmiuinbüinJ- hichi, bezogen auf das Potential der aus reinem Kupfer bestehenden Elektrode, gezwungen, während des Eintauchens in die
SS Lösung 2 konstant und gleich einem Wert zu bleiben, der entweder. KuI! oder positiv ist Die in F i g. 1 dargestellte Anordnung entspricht dem Fall einer auf Hüll gehaltenenen Spannung, während die in F i g. 2 dargestellte Anordnung dem Fall einer positiv gehaltenen
Spannung entspricht Bei der Anordnung gemäß F ϊ g. 2 entsprechen die einzelnen Elemente den Elementen gemäß Fig. 1. Der Anschluß6 der Kadmiumsulfidschicht { ist an den Pluspol 7 einer Spaniiungsbatterie 8 angeschlossen, deren Minuspol 9 mit dem Anschluß 4 der aus reinem Kupfer bedienenden gJektrsds 3 5s Verbindung steht
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (2)

  1. Patentansprüche:
    1, Verfahren zur Bildung einer Kupfersulfidlchicht auf einer Kadmiumsulfidschicht bei der Herstellung einer Sperrscbicht-photozelle, bei dem die Kadmiumsulfidschicht in eine kupferionenhaltige .Lösung eingetaucht wird, d ad ü'cft ,gekennzeichnet ι daß die Kadmiumsulfidschicht und die lieh bildende Kupfersulfjdschicht, solange sie in die kupfeoonenhaltige lösung ,eingetauscht sind, relativ zu einejr aus reinem Kupfer bestellende?*, in dieselbe Lösung eingetaw|f»ten Elekiftxie au/ einem konstanten Potential, gehalten werdsn, das minde stens so hoch wie das Potenttal der Kupferelektrod( ist
  2. 2. Verfahren nach Ansprach 1, dadurch gekennzeichnet, daß die kupfericnenhaltige Lösung auf einen Liter Wasser 25 g CuI, 500 gr KI sowie als Reduktionsmittel Bromhydrazin enthält
DE19732325723 1972-06-06 1973-05-21 Verfahren zur Bildung einer Kupfersulfidschicht auf einer Kadmiumsulfidschicht bei der Herstellung einer Sperrschicht-Photo zelle Expired DE2325723C3 (de)

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DE2325723C3 DE2325723C3 (de) 1977-03-03

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DE2325723A1 (de) 1973-12-20
FR2188303A1 (de) 1974-01-18
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NL166158B (nl) 1981-01-15
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US3884779A (en) 1975-05-20

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