DE2313114A1 - Vorrichtung fuer fluessigphasenepitaxie - Google Patents

Vorrichtung fuer fluessigphasenepitaxie

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DE2313114A1
DE2313114A1 DE19732313114 DE2313114A DE2313114A1 DE 2313114 A1 DE2313114 A1 DE 2313114A1 DE 19732313114 DE19732313114 DE 19732313114 DE 2313114 A DE2313114 A DE 2313114A DE 2313114 A1 DE2313114 A1 DE 2313114A1
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DE
Germany
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substrate holder
crucible
substrate
recess
recesses
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DE19732313114
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Guenter Dipl Phys Frank
Manfred Peterek
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Philips Intellectual Property and Standards GmbH
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Philips Patentverwaltung GmbH
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    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
    • C30B19/06—Reaction chambers; Boats for supporting the melt; Substrate holders
    • C30B19/063—Sliding boat system
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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    • C30B19/06—Reaction chambers; Boats for supporting the melt; Substrate holders
    • C30B19/064—Rotating sliding boat system
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
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    • H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
    • H01J9/12—Manufacture of electrodes or electrode systems of photo-emissive cathodes; of secondary-emission electrodes

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Description

  • Bezugszeichenliste
  • 1, 11 Tiegel 2 Tiegelhalter 5, 33 Substrathalter 4, 44 Ausnehmung für Substrate 5, 55 beweglicher Kern 6 Nut 7 Ausnehmung 8 ovale Kammer 9 Bohrung 10 Bohrung Stempel 13 Schraube 14 15 zentrale Bohrung 16 ) Bohrung 17 ) 18 ) Zapfen 19 > 20 Gewindebohrung 21 Stellschraube 22 Kontermutter 23 Spannring L e e r se i t e

Claims (12)

  1. Tabentansprüche: 1. Vorrichtung zur Herstellung epitalçtisch auf ein Substrat aufzuwachsender Schichten, bei der ein Tiegel für eine oder mehrere Schmelzen des aufzuwachsenden Materials über einem Substrathalter mit Ausnehmungen für wenigstens ein Substrat verschiebbar so angeordnet ist, daß Schmelze und Substrat miteinander in Kontakt gebracht werden können, dadurch gekennzeichnet, daß die Tiefe der Ausnehmungen (4 oder 44) für die Substrate im Substrathalter (3 oder 33) veränderbar ist.
  2. 2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausnehmungen (4 oder 44) für die Substrate im Substrathalter (3 oder 33) einen verstellbaren Boden haben.
  3. 3. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Substrathalter (3) die Form eines rechteckigen Barrens hat mit wenigstens einer Ausnehmung (4) für ein Substrat, deren Boden durch einen beweglichen Kern (5) gebildet wird, dessen Höhe im Vergleich zur Höhe des Substrathalters um mindestens die maximale Dicke des in die Ausnehmung (4) einzulegenden Substrates geringer ist (Fig. 3).
  4. 4. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der in der Ausnehmung (4) bewegliche Kern (5) von einer Seite her mittels eines Stempels (12) gehalten wird, der durch eine zentrale Bohrung (10) durch den Substrathalter (3) geführt und von dessen Außenseite her mittels einer Schraube (13) gegen den Kern (5) gepreßt ist (Fig. 2).
  5. 5. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Tiegel (1) die Form eines U-Profiles hat, dessen waagerechte Wand von ihrer Oberseite bis zu ihrer Unterseite reichende, bodenlose Kammern (8) zur Aufnahme von Schmelzen hat, sowie eine Ausnehmung (7) an der dem Substrathalter abgekehrten Seite, in die ein Paßstück zur Übertragung einer Hin-oder Herbewegung einsetzbar ist (Fig. 1).
  6. 6. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Tiegel (1j und der Substrathalter (3) von einer Anordnung gehalten werde die aus dem Material des Tiegels besteht und aus einem zylinderförmigen Teil (2) und diesen zylinderförmigen Weil (2) fest umspannenden Ringen (23) aufgebaut ist, wobei der zylinderförmige Teil entlang seiner Längsachse an seiner Außenseite eine rechteckige Nut (6) aufweist, in die der Tiegel (1) mitsamt dem unter dem Tiegel (1) angeordneten Substrathalter (3) einsetzbar ist und wobei der zylinderförmige Teil (2) unterhalb der Nut (6) entlang seiner Längsachse eine Bohrung (9) zur Aufnahme eines Thermoelementes aufweist (Fig. 1).
  7. 7. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichiiet, daß der Tiegel (11) die Form einer runden Platte hat, die mit mehreren, jeweils durchgehenden Bohrungen versehen ist: einer zentralen Bohrung (15) als Führungsbohrung; mehreren, die zentrale Bohrung (15) umgebende Bohrungen (14) zur Aufnahme von Schmelzen; einer Bohrung (16) zur Beschickung des unter dem Tiegel (11) angeordneten Substrathalters~(33) und zwei nicht durchgehenden, auf dem Durchmesser der Platte an deren, dem Substrathalter (33) abgekehrten Seite liegenden Bohrungen(17) zur Aufnahme von Thermoelementen (Fig. 4).
  8. 8. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Substrathalter (33) die Form einer runden Platte hat mit einem zentralen Zapfen (19) an der Oberseite der Platte zur Halterung des Tiegels (11) und einem zentralen Zapfen (18) an der Unterseite der Platte zur Ubertragung einer Drehbewegung auf den Substrathalter (33) und mit wenigstens einer Ausnehmung (44) für Substrate, die einen verstellbaren Boden in Form eines beweglichen Kernes (55) hat, dessen Höhe im Vergleich zur Tiefe der Ausnehmung (44) um mindestens die maximale Dicke des in die Ausnehmung (44) einzulegenden Substrates geringer ist (Fig. 6).
  9. 9. Vorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß der den Boden der Ausnehmung (44) bildende bewegliche Kern (55) von der Unterseite des Mubstrathalters (33) her mittels einer Stellschraube (21) mit Kontermutter (22) justierbar und gehaltert ist (Fig. 6).
  10. 10. Vorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Tiegel (11) mit Hilfe von in den Bohrungen (17) angeordneten Körpern gegen ein Mitdrehen des Tiegels (11) bei einer Drehbewegung des Substrathalters (33) gesichert ist.
  11. 11. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß alle Teile aus Graphit oder Bornitrid bestehen.
  12. 12. Vorrichtung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß alle aus Graphit bestehenden Teile mit einer Schicht aus Pyrographit bedeckt sind.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4096024A (en) * 1975-06-11 1978-06-20 Commissariat A L'energie Atomique Method for controlling the solidification of a liquid-solid system and a device for the application of the method
FR2557154A1 (fr) * 1983-12-22 1985-06-28 Rondot Michel Creuset pour epitaxie en phase liquide, a jeu reglable entre substrat et cloisons interbains

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US4096024A (en) * 1975-06-11 1978-06-20 Commissariat A L'energie Atomique Method for controlling the solidification of a liquid-solid system and a device for the application of the method
US4197273A (en) * 1975-06-11 1980-04-08 Commissariat A L'energie Atomique Apparatus for controlling the directional solidification of a liquid-solid system
FR2557154A1 (fr) * 1983-12-22 1985-06-28 Rondot Michel Creuset pour epitaxie en phase liquide, a jeu reglable entre substrat et cloisons interbains

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