DE2304159A1 - Ionen-mikroanalysator - Google Patents
Ionen-mikroanalysatorInfo
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Description
Ionen-Mikroanalysator
(Priorität: 28. Januar 1972, Japan, ITr. 9866/72)
(Priorität: 28. Januar 1972, Japan, ITr. 9866/72)
Die Erfindung "betrifft einen Ionen-Mikroanalysator zur
Mässenanalyse von Sekundärionen, die durch. Bestrahlung einer Probe durch, einen Ionenstrahl erzeugt werden.
Ionen-Mikroanalysatoren können z.B. zur Analyse einer
dünnen Oberflächenschicht einer Probe und zur Messung der Konzentrationsverteilung
in Richtung der Tiefe einer Probe verwendet werden. Dabei ist der zuletzt genannte Verwendungszweck besonders
wichtig, insbesondere zur Analyse von Eisen- und Stahlmaterialien, von Halbleitermaterialien, von Oberflächen-Behandlungsmaterialien,
von Isolationsmaterialien, Oberflächenverschmutzungen, organischen Materialien usw. Zur Messung der Konzentrationsverteilung in Richtung der Tiefe einer Probe werden Ionen-Mikroanalysatoren
bisher nicht angewendet. Hierbei treten insbesondere folgende Probleme auf: Messung einer Konzentrationsverteilung in
Richtung der Tiefe einer Probe in einem Bereich von einem Oberflächenteil
der Probe bis in eine verhältnismäßig tiefe Schicht von einigen Mikron bis einigen Hundert Mikron. Bei der Messung der
Konzentrationsverteilung in Richtung der Tiefe der Probe wird eine
Genauigkeit verlangt, die"geringer ist als einige Zehn A.
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Diese Probleme sind für zukünftige Untersuchungen von Oberflächen oder dünnen Oberflächenschichten einer Probe wichtig. Ihre
Lösung durch die Analyse des Ionen-Mikroanalysators spielt eine
wichtige Rolle in den oben erwähnten Gebieten im Zusammenhang mit der hohen Empfindlichkeit.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen
Ionen-Mikroanalysator zu schaffen, der eine wesentlich erhöhte Analysegenauigkeit
in Richtung der Tiefe einer Probe aufweist.
Der erfindungsgemäße Ionen-Analysator ist so aufgebaut, daß
die Intensität wenigstens einer Elektronenlinse zur Fokussierung eines Ionenstrahls veränderlich ist, um hierdurch den Punkt durchmesser
des lonenstrahls zu verändern, durch den die Probe bestrahlt
wird.
Anhand des in der beigefügten Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiels
wird die Erfindung im folgenden näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1a Diagramme zur Erläuterung der Beziehung zwischen der Dichte-113:1
verteilung eines Primärionenstrahls und dem Ätzprofil einer durch den Ionenstrahl bestrahlten Probe;
Fig. 2a Diagramme zur Erläuterung des der Erfindung zugrundeliegen-
und 2b den Prinzips;
Fig. 3a die schematische Ansicht zur Erläuterung eines Verfahrens
Fig. 3a die schematische Ansicht zur Erläuterung eines Verfahrens
zur Bildung von Ionenstrahlen wie in Fig. 2a; Fig. 3b ein Diagramm mit der Darstellung von Spannungen V1 und
Vp, die einer Kondensatorlinse zugeführt werden, um Ionenstrahlen
mit Intensitäten und Strahldurchmessern gemäß Fig. 2a zu erzeugen;
Fig. 4 die schematische Ansicht eines Ausführungsbeispiels der Erfindung; und
Fig. 4 die schematische Ansicht eines Ausführungsbeispiels der Erfindung; und
Fig. 5 in einem Diagramm die Meßergebnisse bei der Messung der Konzentrationsverteilung
von Bor (B) in einer Siliziumprobe (Si) in Richtung der Tiefe der Probe.
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Wird ein aufgeladener Strahl durch ein geeignetes Linsensystem
auf eine Probe fokussiert, so entspricht die Stromdichteverteilung
des Strahls am Brennpunkt der sogenannten Gauß1sehen Verteilung
(Fig. 1a), wobei die Dichte im mittleren Teil hoch und im
äußeren Teil niedrig ist. Wird ein Ionenstrahl mit einer solchen Verteilung auf eine Probe gerichtet, so erhält sie ein Ätzprofil
gemäß Fig. 1b, das den Strahldichten entspricht. Werden die von der
Probe emittiertenSekundärionen mittels eines Massenanalysators
analysiert, so werden gleichzeitig die Sekundärionen von gegenüber dem Punkt G im mittleren Teil unterschiedlichen Tiefen, beispielsweise
aus den Bereichen d und d1 am Umfang gemessen. Daher ist die Meßgenauigkeit der Konzentrationsverteilung
in Richtung der Tiefe, d. h. die Auflösung in Richtung der Tiefe, gering. Auch wenn die Probe mittels eines verhältnismäßig gleichförmigen
Ionenstrahls bestrahlt wird, ist die Genauigkeit durch die Einflüsse des TJmfangsteils des Strahls nicht hoch. Diese Schwierigkeit
tritt bei der Analyse dünner Filme und dünner Schichten im
Oberflächenbereich einer Probe stark hervor.
Wie erwähnt, soll dieser Nachteil durch die vorliegende Erfindung beseitigt werden. Erfindungsgemäß wird der Punktdurchmesser
eines Ionenstrahls auf einer Probe mit der Zeit verändert. Zunächst wird die Oberfläche der Probe durch einen Ionenstrahl mit
hohem Strom und großem Punkt bestrahlt, so daß eine große Fläche mittels Ionen geätzt wird. Darauf wird der Strahl schmäler gemacht,
wobei der mittlere Teil des geätzten Bereichs durch den schmäleren Strahl bestrahlt wird. Die vom bestrahlten Teil emittierten Sekundärionen
werden analysiert. Diese Arbeitsweise wird wiederholt, wodurch die Konzentrationsverteilung in Richtung der Tiefe sehr genau
gemssen werden kann.
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Pig, 2a und 2b zeigen den hierbei auftretenden Zustand. In
Fig. 2a sind die Intensitätsverteilungen 1 und 2 eines Strahls für den Fall dargestellt, daß" die Intensität einer elektrostatischen
Linse 5 (Fig· 3a) gemäß Fig. 3b verändert wird.
Fig. 3a zeigt ein Linsensystem, mittels dessen ein Ionenstrahl
von einer Ionenquelle 3 mittels der Kondenserlinse 5- und einer Objektivlinse 7 auf eine Probe 8 emittiert wird. Fig. 3b zeigt
die an die Kondenserlinse 5 anzulegenden Spannungen. Werden die Rechteckspannungen V, und V« an die Kondeneerlinse 5 angelegt, so
wird der Ionenstrahl entsprechend den ausgezogenen und gestrichelten Linien der Fig. 3a entsprechend den jeweils angelegten Spannungen
fokussiert. Mit den so fokussierten Ionenstrahlen wird die Probe geätzt. In diesem Fall entsprechen die Intensitätsverteilungen der
Strahlen auf der Probe den Kurven 1 und 2 (Fig. 2a). Werden die Rechteckspannungen
an die Kondeneerlinse angelegt, so bildet sich auf der Probe das in Fig. 2b gezeigte Ätzprofil. Zu einer festen Zeit nach
Beginn der Bestrahlung durch den Ionenstrahl erhält das Ätzprofil die in Fig. 2b mit 1* und 2' bezeichnete Form. Haeh einer weiteren Zeit
ist die Form 1" und 2" erreicht. Der Wert Ad/d in Fig. 2b kann durch
Änderung des Zeitverhältnisses t,/tp der Reehteekspannungen der Fig.
3b willkürlich verändert werden.
Auf diese Weise werden die analysierten Ausgänge der von den Ätzprofilen der Probe entsprechend den Spannungen V^ und V2 emittierten
Sekundärionen vom Massenanalysator abgegeben. Werden in diesem
Fall die Ausgangssignale des Massenanalysators synchron zu den Intensitätsänderungen
der Kondenserlinse oder mit den Rechteekspannungen aufgenommen, so können nur Ausgangssignale bei Linsenspannungen
V^ oder V2 erzeugt werden. Es ist daher möglich, nur die Teile 1·,
1" und 2f, 2" (Fig. 2b) zu analysieren. So kann erfindungsgemäß die
Analysegenauigkeit in Richtung der Tiefe durch Änderung des Zeitverhältnisses t1/t2 (Fig. 3b) beliebig gewählt werden.
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Pig. 4 zeigt ein Ausführungsbeispiel des Mikroanalysators, der im wesentlichen aus einem Primär-Ionenstrahlungssystem und einem
Massenanalysator mit doppelter Fokussierung besteht. Das primär ionenemittierende System besteht hauptsächlich aus einer Ionenkanone
26, einer Kondenserlinse 5, einer Blende oder Öffnung 6,
einer Objektivlinse 7, einer Ablenkelektrode 9 und einer Schirmelektrode 25. Der von der Ionenkanone 26 emittierte Ionenstrahl
Wird mittels der Kondenserlinse 5 und&er Objjektivlinse 7 auf eine:
Probe 8 fokussiert. Die Fokussierung kann durch Änderung des elektrischen Potentials einer Zwischenelektrode 5' oder 71 der elektrostatischen
Linse 5 bzw. 7 eingestellt werden. Insbesondere wird die Intensität des Strahls durch die Kondenserlinse 5 geändert. Die Bestimmung
der zu analysierenden-Stelle auf der Probe erfolgt durch Bewegung der Probe oder durch Bewegung des Strahls durch die Ablenk
elektrode 9.
Der Punktdurchmesser des Elektronenstrahls auf der Probe
kann auf einen beliebigen Wert zwischen 1 /u und mehreren Hundert /
geändert werden, und zwar durch entsprechende Kombination der Kondenser- und Objektivlinse.
Der Massenanalysator besteht aus einer Sekundärionen-Fangelektrode
10, einer elektrostatischen linse 11 zur Korrektur des Bahnverlaufs des Sekundärionenstrahls, einem Schlitz 13, einer
ein elektrisches Feld erzeugenden Einrichtung 14, einem Schlitz 15,
einer ein magnetisches Feld erzeugenden Einrichtung 16 mit einer
nicht gezeigten Erregerspule, einem Schlitz 17, einem Schlitz 19,
einem Elektronenvervielfacher 20, einem Verstärker 22, einem Aufzeichnungsgerät 23, einem Schalter 24 und Ablenkelektroden 12 und
18, die der Durchführung der vorliegenden Erfindung dienen.
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Die von der Probe emittierten Sekundärionen werden durch die Einrichtung 14 zur Erzeugung des elektrischen Feldes einer Energieselektion
unterworfen. Darauf werden sie in die Einrichtung 16 zur
Erzeugung des magnetischen Feldes geführt und darin analysiert. Das
analysierte Ausgangssignal wird durch den Elektronenvervielfacher "
20 gemessen. Darauf wird das- Meßsignal durch den Verstärker 22 verstärkt
und durch das Aufzeichnungsgerät 23 aufgezeichnet.
Die Spannungsquelle 31 besteht aus einem Abschnitt zur Erzeugung
einer Linsenspannung S. und einem Abschnitt zur Erzeugung
einer Rechteckspannung S2, die mit der Linsenspannung synchronisiert
ist oder eine Punktion derselben darstellt.
Die Intensität der Primärionen und der Durchmesser des Strahlpunktes
Werden stufenförmig geändert. Synchron zu den stufenförmigen Änderungen wird das Potential der Ablenkelektrode 12 zwischen der
Probe 8 und der Einrichtung 14 zur Erzeugung des elektrischer Feldes
in Form von Rechteckwellen verändert. Somit werden die Sekundärionen zu bestimmten Zeiten und in bestimmten Zeit int ervallen gemessen. Beim
vorliegenden Ausführungsbeispiel wird die Rechteckspannung S1 mit
den Amplituden V.. und V2 der Kondenserlinse 5 zugeführt. Der Ablenkelektrode
12 oder 18 wird die Rechteckspannung S2 mit der Amplitude
V, synchron mit der Spannung S^ zwischen den Zeiten t^ bis t2 zugeführt,
wodurch der Ein- oder Ausgang des Massenanalysators ein- oder ausgeschaltet wird. D.as heißt, nur wenn die Linsenspannung gleich
V.. ist (t - t.., t2 - t,, ,...), werden dem Massenanalysator Sekundärionen
zugeführt oder das analysierte Ausgangssignal wird hiervon · abgeleitet bzw. erzeugt. Während der Zeiten t^ - t2, t, - t., ....,
während deren die Spannung V2 anliegt, werden keine Sekundärionen
eingeleitet oder das analysierte Ausgangssignal wird nicht weitergegeben.
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Ähnlich zur obigen Betriebsweise kann der Kondenserlinse 5 die Stufenspannung S^ zugeführt werden. Das Signal S2 wird der Probe
8 und der Schirmelektrode 25 zugeführt. Somit wird das analysierte
Ausgangssignal des Massenanalysators nur während der Perioden tQ t»,
tp —. t~, *... erzeugt.
Wie bei der zuerst erläuterten Betriebsweise kann die Empfindlichkeit
des Meßsystems synchron· zum Signal S, ein- und ausgeschaltet werden. Das Meßsystem besteht aus dem Elektronenvervielfacher
20, dem Verstärker 22 und dem Aufzeichnungsgerät 23. Beispielsweise kann die Verstärkung des Verstärkers J>2 geändert werden.
Wie bei der zuerst beschriebenen Betriebsweise können auch das elektrische PeId der Einrichtung 14 oder das magnetische PeId
der Einrichtung 16 verändert werden. Hierdurch werden Ionen beliebiger
Masse daran gehindert, durch den Schlitz 19 hindurchzutreten.
Der Massenanalysator braucht nur die Einrichtung zur Erzeugung
des magnetischen Feldes zu enthalten, die Einrichtung zur Erzeugung des elektrischen Peldes kann weggelassen werden. Die
elektrostatischen Linsen können durch eine einzige linse ersetzt, werden. Ebenso können eine oder mehrere magnetische Linsen verwendet
werden. Perner kann auch die Rechteckspannung S^ der Objektivlinse
7 oder der Kondenserlinse 5 und der Objektivlinse 7 zugeführt werden.
Die Rechteckspannung S.. braucht nicht stets periodisch verändert zu werden, es ist lediglich eine zeitliche Änderung notwendig.
Pig. 5 zeigt ein Beispiel der nach einem der vorstehend beschriebenen
Verfahren erzielten Ergebnisse. Die verwendete Probe Si bestand aus einem durch epitaktisches Wachstum erzeugten Siliziumplättchen.
Sie enthielt in einer Oberflächenschicht von 0,5 /u eine Konzentrationsverteilung von Bor (B) in zwei Größenordnungen.
In Pig. 5 stellt die Kurve (i) die theoretisch berechnete Konzen-,
trationsverteilung von B dar. Die Kurve (ii) zeigt die auf bekannte
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Weise erhaltenen Meßergebnisse. Die Kurve (iii) zeigt die Meßergebnisse
bei Anwendung der vorliegenden Erfindung. Wie sich aus Pig. 5 ergibt, unterscheiden die sich auf bekannte Weise erzielten
Daten beträchtlich von den theoretischen Werten. Die Konzentrationsverteilung ist in Richtung der Tiefe stark vergrößert. Das bedeutet,
daß die I onenstrom-Dicht evert eilung des Primärionenstrahls nicht'
gleichförmig ist, so daß sich eine schlechte Auflösung in Richtung
der Tiefe ergibt. Demgegenüber entsprechen die erfindungsgemäß gemessenen Meßwerte (Kurve (iii)) sfehr gut den theoretischen Werten
und stellen genau die Konzentrationsverteilmng von B in Richtung der
Tiefe dar.
Statt die Ausgangs signale des Massenanalysators synchron
zur Intensitätsänderung der Kondenserlinse auszuführen, können im Weg des Sekundärionenstrahls von neuem elektrische und magnetische
Felder gebildet und deren Intensitäten geäaaäert werden.
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Claims (12)
1. J Ionen-Mikroanalysator mit einer Ionenquelle, mit wenigstens
einer Ionenlinse zur Fokussierung des Ionenstrahls auf eine Probe,
• mit einer ersten Aböenkeinrichtung zur Ablenkung des Ionenstrahls,
mit einem Massenanalysators zur Analyse der von der Probe durch das Auf treffen der Ionen emittierten Sekundärionen, und mit einer
Meßeinrichtung zur .Messung der Ausgangssignale des Massenanalysators,
gekennzeichnet durch eine erste Einrichtung (31, S.) zur Veränderung der Intensität der Elektronenlinse
(5).
2. lonen-Mikroanalysator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die erste Einrichtung (31) eine Spannungsquelle für ein erstes pulsierendes Signal (S^) zur Zufuhr eines
ersten pulsierenden Signals zur Ionenlinse (5) enthält.
3. Ionen-Mikroanalysator nach Anspruch 2, gekennzeichnet
durch eine zweite Einrichtung (31» Sg) zur Änderung
der Sekundärionen synchron zur Intensitätsänderung der Ionenlinse (5),
4. Ionen-Mikroanalysator nach Anspruch 2, gekennzeichnet
durch eine dritte Einrichtung (14, 16) zur periodischen
Änderung der Intensität des Kassenahalysators synchron zur Intensität
sänderung der Ionenlinse (5).
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5. Ionen-Mikröanalysätor nach Anspruch 2,. gekennzeichnet
durch eine vierte Einrichtung (18) zur Änderung des Aus-
. gangssignals des Massenanalysators synchron zur Intensitätsänderung
der Ionenlinse (5).
6. Ionen-Mikroanalysator nach Anspruch 2, gekennzeichnet
durch eine fünfte Einrichtung (8, 10) zur Änderung der Empfindlichkeit
der Meßeinrichtung (20, 22, 23) synchron zur Intensität
sänderung der lonenlinse (5) .
7. Ionen-Mikroanalysator nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet ι daß die lonenlinse (5) drei parallel zueinander
angeordnete Elektroden enthält, deren mittlere mit der ersten Einrichtung (31) verbunden ist.
8. Ionen-Mikroanalysator nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet
, daß die zweite Einrichtung eine zweite Ablenkeinrichtung (12) enthält, die zwischen der Probe (8) und
dem Massenanalysator angeordnet ist und zur Ablenkung der Sekundärionen
dient, und daß die zweite, ein pulsierendes Signal erzeugende Einrichtung zur Zufuhr eines zweiten pulsierenden
• Signale zur zweiten Ablenkeinrichtung ein zum ersten pulsierenden Signal synchrones Signal erzeugt.
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9. Ionen—Mikroanalysator nach Anspruch 4» dadurch gekennzeichnet , daß der Massenanalysator eine Einrichtung
(14) zur Erzeugung eines elektrischen Feldes und eine Einrichtung
(16) zur Erzeugung eines magnetischen Feldes enthält, und daß die dritte Einrichtung eine Einrichtung zur Erzeugung eines zweiten
pulsierenden Signals enthält, das synchron zum ersten pulsierenden Signal der Einrichtung (14) zur Erzeugung des elektrischen
Feldes zugeführt wird.
10. Ionen-Mikroanalysator nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet , daß der Massenanalysator eine Einrichtung
(14) zur Erzeugung eines elektrischen Feldes und eine Einrichtung
(16) zur Erzeugung eines magnetischen Feldes enthält, und daß die dritte Einrichtung eine Einrichtung zur Erzeugung eines zweiten
pulsierenden Signals enthält, das synchron zum ersten pulsieren-: den Signal der Einrichtung (16) zur Erzeugung des magnetischen
Feldes zugeführt wird.
11. Ionen-Mikroanalysator nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet , daß die vierte Einrichtung eine dritte Ablenkeinrichtung
(18) enthält, und daß die Signalquelle zur Erzeugung des zweiten pulsierenden Signale synchron zum ersten
pulsierenden Signal der dritten Ablenkeinrichtung das zweite pulsierende Signal zuführt.
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12. Ionen-Mikroanalysator nach Anspruch 1, dadurch g e k e η η
zeichnet, daß die erste Einrichtung (31) die Intensität
der Elektronenlinse (5) periodisch ändert.
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP47009866A JPS5246514B2 (de) | 1972-01-28 | 1972-01-28 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2304159A1 true DE2304159A1 (de) | 1973-08-23 |
Family
ID=11732047
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2304159A Pending DE2304159A1 (de) | 1972-01-28 | 1973-01-29 | Ionen-mikroanalysator |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3840743A (de) |
JP (1) | JPS5246514B2 (de) |
DE (1) | DE2304159A1 (de) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5015594A (de) * | 1973-06-08 | 1975-02-19 | ||
US3916190A (en) * | 1974-03-01 | 1975-10-28 | Minnesota Mining & Mfg | Depth profile analysis apparatus |
US3937958A (en) * | 1975-03-31 | 1976-02-10 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Charged particle beam apparatus |
JPS5728396Y2 (de) * | 1975-06-24 | 1982-06-21 | ||
JPS5836464B2 (ja) * | 1975-09-12 | 1983-08-09 | 株式会社島津製作所 | シツリヨウブンセキソウチ |
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SE440600B (sv) * | 1979-05-17 | 1985-08-12 | Scanditronix Instr | Anordning for bestralning av en materievolym med en strale av laddade partiklar |
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EP0523033A1 (de) * | 1991-07-10 | 1993-01-13 | IMS Ionen Mikrofabrikations Systeme Gesellschaft m.b.H. | Ionenoptisches Abbildungssystem |
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US10473599B2 (en) * | 2017-12-01 | 2019-11-12 | Bruker Axs Gmbh | X-ray source using electron impact excitation of high velocity liquid metal beam |
-
1972
- 1972-01-28 JP JP47009866A patent/JPS5246514B2/ja not_active Expired
-
1973
- 1973-01-29 DE DE2304159A patent/DE2304159A1/de active Pending
- 1973-01-29 US US00327683A patent/US3840743A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS4879693A (de) | 1973-10-25 |
JPS5246514B2 (de) | 1977-11-25 |
US3840743A (en) | 1974-10-08 |
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