DE2302139A1 - Speicheranordnung unter anwendung magnetischer zylindrischer einzelwanddomaenen - Google Patents

Speicheranordnung unter anwendung magnetischer zylindrischer einzelwanddomaenen

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DE2302139A1
DE2302139A1 DE19732302139 DE2302139A DE2302139A1 DE 2302139 A1 DE2302139 A1 DE 2302139A1 DE 19732302139 DE19732302139 DE 19732302139 DE 2302139 A DE2302139 A DE 2302139A DE 2302139 A1 DE2302139 A1 DE 2302139A1
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DE19732302139
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German (de)
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George Stanley Almasi
Stanley Everett Schuster
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Original Assignee
International Business Machines Corp
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    • G11C29/70Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
    • G11C29/86Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring in serial access memories, e.g. shift registers, CCDs, bubble memories
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
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    • G11C19/00Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
    • G11C19/02Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5816264B2 (ja) * 1974-12-09 1983-03-30 株式会社日立製作所 ジキバブルメモリソウチ
JPS51118341A (en) * 1975-04-11 1976-10-18 Hitachi Ltd Shift register type memory
JPS51138344A (en) * 1975-05-26 1976-11-29 Hitachi Ltd Memory device
US4070651A (en) * 1975-07-10 1978-01-24 Texas Instruments Incorporated Magnetic domain minor loop redundancy system
JPS5318926A (en) * 1976-08-06 1978-02-21 Hitachi Ltd Auxiliary loop switching circuit for magnetic bubble memory unit

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1181577A (fr) * 1956-08-23 1959-06-17 Bayer Ag Appareil mélangeur
DE1249926B (de) * 1961-08-08 1967-09-14 Radio Corporation of America New York, NY (V St A) Einrichtung zum Umadressieren fehlerhafter Speicherstellen eines beliebig zuganglichen Hauptspeichers in einer Datenverarbeitungsanlage
GB1010008A (en) * 1962-04-30 1965-11-17 Inv S Finance Corp A pressure regulator for injection of a plastic material
US3331058A (en) * 1964-12-24 1967-07-11 Fairchild Camera Instr Co Error free memory
NL149927B (nl) * 1968-02-19 1976-06-15 Philips Nv Woordgeorganiseerd geheugen.

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IT978273B (it) 1974-09-20
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FR2182840B1 (it) 1976-05-14
GB1371597A (en) 1974-10-23
JPS4923546A (it) 1974-03-02

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