DE2262376C3 - Schaltung zur Leistungsentnahme aus einer stromführenden Leitung - Google Patents

Schaltung zur Leistungsentnahme aus einer stromführenden Leitung

Info

Publication number
DE2262376C3
DE2262376C3 DE19722262376 DE2262376A DE2262376C3 DE 2262376 C3 DE2262376 C3 DE 2262376C3 DE 19722262376 DE19722262376 DE 19722262376 DE 2262376 A DE2262376 A DE 2262376A DE 2262376 C3 DE2262376 C3 DE 2262376C3
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
circuit
transistor
transistors
diode
input terminals
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE19722262376
Other languages
English (en)
Other versions
DE2262376B2 (de
DE2262376A1 (de
Inventor
Ioan Hugh Tadworth Surrey Williams (Grossbritannien)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Thorn Ericsson Telecommunications Mfg Ltd
Original Assignee
Thorn Ericsson Telecommunications Mfg Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Thorn Ericsson Telecommunications Mfg Ltd filed Critical Thorn Ericsson Telecommunications Mfg Ltd
Publication of DE2262376A1 publication Critical patent/DE2262376A1/de
Publication of DE2262376B2 publication Critical patent/DE2262376B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2262376C3 publication Critical patent/DE2262376C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04MTELEPHONIC COMMUNICATION
    • H04M19/00Current supply arrangements for telephone systems
    • H04M19/08Current supply arrangements for telephone systems with current supply sources at the substations

Description

Die Erfindung betrifft eine Schaltung zur Leistungsentnahme aus einer stromführenden Leitung, insbesondere Fernsprechleitung, über eine Brückenschaltung von Halbleiterbauelementen für den Betrieb eines äußeren Kreises.
Bei Fernsprechleitungen kann sich die Notwendigkeit ergeben, eine verhältnismäßig niedrige Leistung in Form eines Gleichstroms aus einer Leitung entnehmen zu müssen, in der ein Strom mit hoher Gleichstromkomponente fließt, deren Richtung nicht bekannt ist.
Eine übliche Schaltung für eine derartige Leistungsentnahme ist in F i g. 1 der Zeichnungen dargestellt; danach ist eine aus vier Dioden 10 bestehende Brückenschaltung vorgesehen, deren Last 12 an den Ausgangspunkten der Briickenschaltung liegt. Der Spannungsabfall an einer Diode beträgt normalerweise 0,7 Volt. Wenn an der Last ebenfalls 0,7 V Spannungsabfall vorliegt, so bedeutet das, daß in der Leitung ein Spannungsabfall von 2,1 V erfolgt, wobei die Ausgangs-Gleichspannung nur 0,7 V beträgt.
Die Erfindung hat sich die Aufgabe gestellt, eine Schaltung zur Leistungsentnahme aus einer stromführenden Leitung zu schaffen, bei der der Spannungsabfall zwischen den Eingangsklemmen der Schaltung wesentlich geringer ist
Die Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß jeder an die Eingangsklemmen geschaltete Brückenzweig einen Transistor und eine Diode aufweist, und die Dioden in ihrer Durchlaßrichtung einander entgegengesetzt geschaltet sind und die Verbindungspunkte der Transistoren mit den Dioden jedes Brückenzweiges zusammengeschaltet einen Schaltungsausgang gleichbleibender Polarität darstellen, und daß Schaltungsbauelemente mit den Steuerelektroden der Transistoren verbunden sind, damit jeder Transistor leitend wird, wenn die mit ihm im gleichen Strompfad liegende Diode in Durchlaßrichtung geschaltet ist
Auf diese Weise liefert der erste Schaltungsausgang immer die eine Polarität und die eine der beiden Eingangsklemmen bildet zugleich den anderen Schaltungsausgang. Es ist daher verhältnismäßig einfach, eine normale Gleichstromversorgung für den Betrieb eines äußeren Kreises herzustellen.
In einer vorteilhaften Ausgestaltung sind die Transistoren als Flächentransistoren ausgebildet, und es
ίο werden die Schaltungsbauelemente aus jeweils einem Widerstand zwischen den jeweiligen Eingangsklemmen und der Steuerelektrode desjenigen Flächentransistors bestehen, der mit der anderen Eingangsklemme verbunden ist
Nachstehend wird die Erfindung im einzelnen unter Bezugnahme auf ein Ausführungsbeispiel und anhand der F i g. 2 und 3 beschrieben, die folgendes darstellen:
F i g. 2 ein Schaltbild einer den Erfindungsgedanken anwendenden Schaltung zur Leistungsentnahme;
Fig.3 ein Schaltbild eines Oszillators, der mit der Schaltung nach F i g. 2 gespeist werden kann.
Nach Fig.2 sind zwei Eingangsklemmen 20, 22 in eine Fernsprechleitung geschaltet Parallel zu den Eingangsklemmen ist ein erster Transistor 24 als Flächentransistor in Reihe mit einer ersten Diode 26 und ein zweiter Transistor 28 als Flächentransistor in Reihe mit einer zweiten Diode 30 gelegt Die erste Diode 26 und der zweite Transistor 28 liegen an der Eingangsklemme 20, und die zweite Diode 30 und der erste Transistor 24 liegen an der Eingangsklemme 22. Die beiden Dioden 26 und 30 sind in ihrer Durchlaßrichtung entgegengesetzt geschaltet, wenn man eine Stromrichtung von Eingangsklemme 20 nach Eingangsklemme 22 zugrundelegt.
Der Verbindungspunkt des ersten Transistors 24 mit der ersten Diode 26 ist zusammen mit dem Verbindungspunkt des zweiten Transistors 28 und der zweiten Diode 30 an einen ersten Schaltungsausgang 32 geführt. Bei einer Schaltung mit den angegebenen Polaritäten wird der Schaltungsausgang 32 ein negativer Schaltungsausgang.
Die beiden Eingangsklemmen 20,22 stehen außerdem in Verbindung mit den zweiten Schaltungsausgängen 34, 36. Je nach der Richtung des Stromflusses zwischen den
4r> beiden Eingangsklemmen 20 und 22 wird einer der zweiten Schaltungsausgänge 34 oder 36 einen positiven Schaltungsausgang bilden.
Ein Schaltungsbauelement 38 liegt air Widerstand zwischen der Basis- oder Steuerelektrode des ersten Transistors 24 und der Eingangsklemme 20, und ein Widerstand 40 ist in entsprechender Weise zwischen die Basis des zweiten Transistors 28 und die Eingangsklemme 22 geschaltet.
Im Betrieb wird die erste Diode 26, bei einer Stromrichtung von der Eingangsklemme 20 zur Klemme 22, in Vorwärtsrichtung beaufschlagt, und das Schaltungsbauelement 38 bringt den ersten Transistor 24 in leitenden Zustand. Daher fließt der Strom von der Eingangsklemme 20 durch die erste Diode 26 und den ersten Transistor 24 zur Eingangsklemme 22. Dabei wird aber die zweite Diode 30 in Sperrichtung beaufschlagt, und das Schaltungsbauelement 40 schaltet den zweiten Transistor 28 in Sperrstellung. Daher fließt kein Strom durch den zweiten Transistor 28 oder die zweite Diode 30.
Die Spannung zwischen den Schaltungsausgängen 32 und 34 ist daher gleich dem Spannungsabfall an der ersten Diode 26, d. h. üblicherweise 0,7 V. Die Spannung
zwischen den Schaltungsausgängen 32 und 36 entspricht der Spannung, die an dem leitenden Transistor 24 abfällt, d. h. üblicherweise 0,05 V. Daher kann zwischen den Schaltungsausgängen 32 und 34 eine Ausgangsspannung von OJ V abgenommen werden. Der Spannungsabfall zwischen den Eingangsklemmen 20 und 22 beträgt aber nur 0,75 V.
Wenn demgegenüber der Strom in entgegengesetzter Richtung fließt, ergibt sich eine Spannung von 0,7 V zwischen den Schaltungsausgängen 32 und 36. In beide η Fällen ist de/ Schaltungsausgang 32 negativ beaufschlagt
Der Oszillator nach F i g. 3 kann über eine Schaltung nach F i g. 2 gespeist werden, wenn man zwei weitere Transistoren 52 und 54 benutzt Die Emitter der
Transistoren 52 bzw. 54 werden an die Scheltungsausgänge 34 bzw. 36 geschaltet und die Kollektoren über die Wicklung 56 eines Transformators 58 an Schaltungsausgang 32. Die Basen der Transistoren sind zusammengeführt und werden über einen Widerstand 60 mit einer weiteren Wicklung 62 des Transformators 58 verbunden. Eine weitere Wicklung 64 liefert eine Ausgangsgröße des Oszillators 50.
Im Betrieb wird einer der beiden Transistoren 52 und 54 in Sperrichtung zwischen Emitter und Kollektor geschaltet und ist daher stromdurchlässig. Der andere dieser Transistoren wird in Vorwärtsrichtung betrieben, und es fließt ein Strom im Basis-Kollektorkreis. Der Oszillator wird somit von dem jeweils zugeordneten Schaltungsausgang 34 oder 36 gespeist.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (1)

  1. Patentansprüche:
    ί. Schaltung zur Leistungsentnahme aus einer stromführenden Leitung, insbesondere Fernsprechleitung, über eine Brückenschaltung von Halbleiterbauelementen, dadurch gekennzeichnet, daß jeder an die Eingangsklemmen (20, 22) geschaltete Brückenzweig einen Transistor (24, 28) und eine Diode (26,30) aufweist, und die Dioden (26, 30) in ihrer Durchlaßrichtung einander entgegengesetzt geschaltet sind und die Verbindungspunkte der Transistoren (24, 28) mit den Dioden (26,30) jedes Brückenzweiges zusammengeschaltet einen Schaltungsausgang (32) gleichbleibender Polarität darstellen, und daß Schaltungsbauelemente (38,40) mit den Steuerelektroden der Transistoren (24, 28) verbunden sind, damit jeder Transistor leitend wird, wenn die mit ihm im gleichen Strompfad liegende Diode in Durchlaßrichtung geschaltet wird.
    Z Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Transistoren (24, 28) als Flächentransistoren ausgebildet sind
    3. Schaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltungsbauelemente (38,40) aus jeweils einem Widerstand zwischen den jeweiligen Eingangsklemmen (20, 22) und der Steuerelektrode desjenigen Flächentransistors bestehen, der mit der anderen Eingangsklemme verbunden ist
DE19722262376 1971-12-22 1972-12-20 Schaltung zur Leistungsentnahme aus einer stromführenden Leitung Expired DE2262376C3 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB5966571A GB1404570A (en) 1971-12-22 1971-12-22 Circuit for extracting power from a current-carrying line

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2262376A1 DE2262376A1 (de) 1973-06-28
DE2262376B2 DE2262376B2 (de) 1978-07-06
DE2262376C3 true DE2262376C3 (de) 1979-03-15

Family

ID=10484182

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19722262376 Expired DE2262376C3 (de) 1971-12-22 1972-12-20 Schaltung zur Leistungsentnahme aus einer stromführenden Leitung

Country Status (6)

Country Link
BE (1) BE793286A (de)
DE (1) DE2262376C3 (de)
GB (1) GB1404570A (de)
IT (1) IT972818B (de)
NL (1) NL7217612A (de)
SE (1) SE385069B (de)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IT1211072B (it) * 1981-06-30 1989-09-29 Ates Componenti Elettron Circuito raddrizzatore a ponte di transistori per uso telefonico.
IT1212518B (it) * 1982-01-29 1989-11-22 Ates Componenti Elettron Circuito raddrizzatore a ponte di transistori, con protezione controle sovracorrenti, per uso telefonico.
US7001594B1 (en) 2000-10-10 2006-02-21 The Procter & Gamble Company Scalp cosmetic compositions and corresponding methods of application to provide scalp moisturization and skin active benefits

Also Published As

Publication number Publication date
DE2262376B2 (de) 1978-07-06
NL7217612A (de) 1973-06-26
SE385069B (sv) 1976-05-31
DE2262376A1 (de) 1973-06-28
GB1404570A (en) 1975-09-03
IT972818B (it) 1974-05-31
BE793286A (fr) 1973-04-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2731383A1 (de) Bistabiles element, und mit einem derartigen bistabilen element versehener schaltkreis
EP0762651A2 (de) Treiberschaltung für eine Leuchtdiode
DE2611863A1 (de) Pegelumsetzer fuer binaersignale
DE19642522C1 (de) Wechselrichter
DE1762972A1 (de) Steuerbare Spannungs-Stromquelle
DE2306994C3 (de) Gegentakt-Treiberschaltung
DE1101826B (de) Einrichtung zur Zaehlung oder Steuerung von Vorgaengen
DE2506196C2 (de) Gleichstrom-Schaltvorrichtung zur Erhöhung des Spitzenstromes
DE2262376C3 (de) Schaltung zur Leistungsentnahme aus einer stromführenden Leitung
DE2723973C3 (de) Schaltungsanordnung zur Erhöhung der Schaltgeschwindigkeit einer integrierten Schaltung
EP0048490B1 (de) Schaltungsanordnung zum Umsetzen eines binären Eingangssignals in ein Telegrafiersignal
DE2647958C3 (de) Schaltungsanordnung für einen fremdgesteuerten· Wechselrichter
DE1194900B (de) Schwellenwertschaltglied
DE2556840A1 (de) Schaltungsanordnung
DE3615023C2 (de)
DE1119986B (de) UEberwachungseinrichtung fuer elektronische Anlagen
DE2739559C3 (de) Schaltung zur Erzeugung einer Vorzugslage
DE2002578A1 (de) Multistabile Schaltung
DE2058753C3 (de) Bistabile, die Stromrichtung in einem Verbraucher umschaltende Kippschaltung
DE2553213C2 (de) Elektronischer Schalter
DE2202282B2 (de) Elektronische Schaltungsanordnung zum Umschalten der Polarität von zwei Ausgangsanschlussen
DE2608117C2 (de) Diodenschalter
DE2536287A1 (de) Elektronische kurzschlussicherung
DE1273579B (de) Elektronischer Schalter aus zwei mit ihren Schaltstrecken gegensinnig in Reihe geschalteten, steuerbaren Halbleitern
DE2043737C3 (de) Aus zwei komplementären Transistoren aufgebauter bistabiler Komparator mit Hysteresisverhalten

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
EI Miscellaneous see part 3
EHJ Ceased/non-payment of the annual fee