DE2247067B2

DE2247067B2 - Verwendung einer Poliersuspension zum schleierfreien Polieren von HaIbleitefoberflächen

Info

Publication number: DE2247067B2
Application number: DE2247067A
Authority: DE
Inventors: Helmut Dipl.-Chem. Dr. 8263 Burghausen Deckert; Wolfgang Dipl.-Phys. 8261 Oed Heinke; Herbert Dipl.-Chem. Dr. Jacob; Helmut Kirschner
Original assignee: Wacker Siltronic AG
Current assignee: Siltronic AG
Priority date: 1972-09-26
Filing date: 1972-09-26
Publication date: 1978-11-30
Also published as: US3874129A; FR2200772A5; DE2247067A1; JPS539910B2; GB1418088A; JPS4976470A; DE2247067C3

Claims

Patentanspruch:

Verwendung einer Poiiersuspension aus Quarz, Kieselsäure, SiBcaten und/ider Fhiorsiiicaten nnH Wasser, der 1 bis 10 VoL-% eines einwertigen Alkohols mit 3 bis 5 Kohlenstoffatomen und 0>01 bis QJ5 Gew.-% Polyvinylalkohol zugesetzt sind, in der zweiten Stufe icines zweistufigen Verfahrens zum schleierfreien Pofieren you Halbleiteroberflächen.

Allgemein bekanntem Stand der Technik entspricht es, Halbleiteroberflächen mit Quarz, Kieselsäuren, Silikaten und FhiorsiKkaten enthaltenden Poliermitteln, die gegebenenfalls noch alkalische Zusätze zum chemischen Polieren enthalten, zu behandeln, um so zu möglichst glatten Oberflächen zu gelangen. Diese sind für Halbleiterkörper notwendig, wenn sie als Ausgangsmaterialien für die Herstellung von elektronischen Bauelementen, beispielsweise integrierten Schaltkreisen, eingesetzt werden sollen.

Trotzdem lassen sich durch mechanische Bearbeitung des Kristalls hervorgerufene Störungen des Kristallaufbaus im Bereich der Halbleiteroberflächen nicht vermeiden und bewirken eine Beeinträchtigung der Ausbeute an elektronischen Bauelementen. Festgestellt werden diese Störungen mit Hilfe eines Prüfverfahrens, bei dem die Scheibenoberflächen in einem abgedunkelten Raum unter einem scharf gebündelten starken Lichtstrahl betrachtet werden. Störungen der Kristalloberfläche, aber auch Sdhmutzteilchen und Rückstände von vorangegangenen Waschprozessen lassen sich dabei durch auftretendes Streulicht rascher und besser erkennen als bei Betrachtung unter einem Mikroskop.

Auch bei den bisher bekannten Polierverfahren

wurden zwar diese Störungen beseitigt, doch zeigten die wurden zwar diese Störungen beseitigt, doch die Oberflächen den Auftreffpunkt des gebündelten Lichtes immer noch als milchige Fläche, weil sie — wenn auch mit bloßem Auge nicht sichtbar — tatsächlich immer noch eine so große und für die Herstellung elektronischer Bauteile untragbare Rauhigkeit besitzen, daß das gebändelte Scheinwerferlicht zerstreut wird bzw. die Oberfläche der Bauteile aussieht, als ob sie mit einem »Schleier« überzogen wäre.

Aufgabe vorliegender Erfindung ist es somit, ein Polierverfahren aufzuzeigen, das zu ausreichend glatten bzw. schleierfreien Oberflächen der bearbeiteten Halbleiterelemente führt

Gelöst ist diese Aufgabe durch Verwendung einer Quarz, Kieselsäure, Silicate und/oder Fluorsilicate und Wasser enthaltenden Poliersuspension, der 1 bis 10 VoL-% eines einwertigen Alkohols mit 3 bis 5 Kohlenstoffatomen und 0,01 bis 0,5 Gew-% Polyvinylalkohol zugesetzt sind, in der zweiten Stufe eines zweistufigen Verfahrens zum schleierfreien Polieren von Halbleiteroberflächen.

Es hat sich gezeigt, daß durch die Zusätze in der zweiten Polierstufe die Rauhheit der bearbeiteten Oberflächen so weit herabgesetzt werden kann, daß die Halbleiteroberflächen keine Streuung des Scheinwerferlichtes mehr bewirken. Die Oberflächen sind damit ausreichend (optisch) glatt bzw. schleierfrei und die Ausbeute an elektronischen Bauelementen, die aus solchermaßen poliertem Halbleitermaterial hergestellt werden, wird nicht mehr durch mangelhafte Oberflächenqualität verringert

Die Anwendung zwei- oder mehrstufiger Polierverfahren zum Herstellen extrem glatter Metalloberflächen ist zwar beispielsweise aus der Zeitschrift »Feinwerktechnik«, Nr. 75, 1971, Heft 1, Seiten 11 bis 15, bereits bekannt, jedoch nicht in Verbindung mit dem erfindungsgemäß verwendeten Poliermittel.