DE2246979A1 - Thyristor - Google Patents

Thyristor

Info

Publication number
DE2246979A1
DE2246979A1 DE19722246979 DE2246979A DE2246979A1 DE 2246979 A1 DE2246979 A1 DE 2246979A1 DE 19722246979 DE19722246979 DE 19722246979 DE 2246979 A DE2246979 A DE 2246979A DE 2246979 A1 DE2246979 A1 DE 2246979A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
junction
ignition electrode
thyristor
ignition
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19722246979
Other languages
English (en)
Other versions
DE2246979C3 (de
DE2246979B2 (de
Inventor
Alfred Porst
Peter Dipl-Phys Voss
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority claimed from DE19722246979 external-priority patent/DE2246979C3/de
Priority to DE19722246979 priority Critical patent/DE2246979C3/de
Priority to NL7310720A priority patent/NL7310720A/xx
Priority to IT2901073A priority patent/IT993265B/it
Priority to GB4417873A priority patent/GB1448150A/en
Priority to JP10681273A priority patent/JPS4971877A/ja
Priority to FR7334106A priority patent/FR2200627B1/fr
Priority to SE7313032A priority patent/SE389226B/xx
Publication of DE2246979A1 publication Critical patent/DE2246979A1/de
Publication of DE2246979B2 publication Critical patent/DE2246979B2/de
Publication of DE2246979C3 publication Critical patent/DE2246979C3/de
Application granted granted Critical
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/08Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
    • H01L29/083Anode or cathode regions of thyristors or gated bipolar-mode devices
    • H01L29/0839Cathode regions of thyristors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/423Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/42308Gate electrodes for thyristors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/70Bipolar devices
    • H01L29/74Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action
    • H01L29/7428Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action having an amplifying gate structure, e.g. cascade (Darlington) configuration

Description

SIEMENS AKTIENGESELISCHAPT München 2, den 25.SER1972
Berlin und München Y/ittelsbacherplatz 2
72/1164
Thyristor
Die vorliegende Erfindung betrifft einen Thyristor, mit einem Halbleiterkörper- mit mindestens drei pn-Übergängen, mit einer Basiszone, auf der eine Zündelektrode angeordnet ist, mit einem Hauptemitter und einem zwischen Zündelektrode und Hauptemitter liegenden Hilfsemitter, bei dem der zwischen Zündelektrode und Hilfsemitter liegende pn-übergang an die Oberfläche des Halbleiterkörpers tritt.
Solche Thyristoren sind bekannt. Der Hilfsemitter bildet mit den übrigen Zonen des Halbleiterkörper einen Hilfsthyristor, während der Hauptemitter zum Hauptthyristor gehört. Der Hilfsemitter bewirkt eine Verstärkung des eingespeisten Zündstromes, so daß der Hauptemitter auch mit einem niedrigen eingespeisten Zündstrom schnell und sicher auf einer relativ großen Pläche gezündet wird. Ein großflächiges oder zumindest linienförmiges Zünden des Hauptthyristors ist wichtig, da beim Zünden kleiner, mehr oder weniger punktförmiger Bereiche der Thyristor an diesen Stellen wegen zu hoher spezifischer Belastung zerstört werden kann.
Dies wird jedoch nur dann erreicht, wenn der Hilfsthyristor vor dem Hauptthyristor zündet. Dies ist jedoch nicht immer der Pail, da die Zündverzugszeit des Hauptthyristors kleiner sein kann als die des Hilfsthyristors. unter der Zündverzugszeit versteht man definitionsgemäß die Zeit vom Einspeisen eines Zündstromes bis zum Absinken der an der Hauptstrecke des Thyristors liegenden Spannung auf 90 $> ihres ursprünglichen Wertes. Zündet jedoch der Hauptthyristor vor dem Hilfsthyristor,
40981 A/0690 VPA 9/110/2086 Hab/Dx . - 2 -
ORIGINAL INSPECTE§
so steht dem Hauptthyristor zum Zünden nicht ein nur durch den äußeren lastkreis begrenzter Laststrom des Hilfsthyristors zur Verfügung, sondern neben dem eingespeisten Zündstrom nur ein vergleichsweise geringer Laststrom, der bereits vor dem Zünden durch die Hauptstrecke des Hilfsthyristors fließt. Der Hauptthyristor zündet daher nur in einem kleinflächigen Teil, der den ganzen Laststrom aufnehmen muß und daher durch Überhitzung zerstört wird. Der Thyristor ist damit nicht mehr brauchbar.
Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe besteht darin, einen Thyristor der eingangs erwähnten Gattung so weiterzubilden, daß die Zündverzugszeit des Hauptthyristors immer größer ist als die des Hilfsthyristors. Dabei wird von der Erkenntnis ausgegangen, daß die Zündverzugszeit eines Thyristors mit steigender Zündstromdichte abnimmt.
Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß der pn-übergang und/oder die Zündelektrode mindestens drei, aber höchstens sechs, zusammen jedoch nicht mehr als neun Bereiche aufweist, deren Abstand vom pn-übergang beziehungsweise der Zündelektrode geringer als der Abstand aller übrigen Randbereiche der Zündelektrode vom pn-übergang sind, daß diese Bereiche klein gegen die Länge des pn-Überganges beziehungsweise gegen den Umfang der Zündelektrode sind und daß diese Bereiche wenigstens angenähert gleichmäßig am Umfang der Zündelektrode beziehungsweise des pn-Überganges verteilt sind.
Der pn-übergang kann kreisförmig ausgebildet sein, und die Zündelektrode kann die Form eines η-Ecks haben, wobei η zwischen 3 und 6 liegt. Es kann jedoch auch die Zündelektrode kreisförmig ausgebildet sein und der pn-übergang die Form eines η-Ecks haben, wobei η zwischen 3 und 6 liegt. Es ist auch möglich, sowohl die Zündelektrode als auch den. pn-übergang die Form eines η-Ecks jsu geben. Zweckmäßig ist es, die Ecken gleichmäßig über den Umfang des pn-Überganges bezie-
VPA 9/110/2086 4098U/0690 -3-
hungsweise den Umfang der Zündelektrode zu verteilen. Der pn-übergang kann auch kreisförmig oder als η-Eck ausgebildet sein, und die Zündelektrode kann n-Vorsprünge haben, wobei η zwischen 3 und 6 liegt. Umgekehrt kann auch die Zündelektrode kreisförmig oder als η-Eck ausgebildet sein, und der pn-übergang kann n-Vorsprünge haben, wobei η zwischen 3 und 6 liegt. Es können aber auch Zündelektrode und der pn-übergang einander gegenüberliegende Vorsprünge aufweisen.
Der Thyristor nach der Erfindung hat den Vorteil, daß auch bei ungenauer Justierung der Zündelektrode relativ zum pn-übergang mindestens ein Bereich übrigbleibt, der gegenüber allen anderen Bereichen den geringsten Abstand zwischen Zündelektrode und pn-übergang aufweist.
Die Erfindung wird an Hand einiger Ausführungsbeispiele in Verbindung mit den Figuren 1 bis 8 näher erläutert.· Es zeigen: Fig. 1 den Querschnitt durch einen Halbleiterkörper eines bekannten Thyristors,
Fig. 2 die Aufsicht auf diesen Halbleiterkörper, Fig. 3 bis 8 die Aufsicht auf 6 verschiedene Ausführungsbeispiele gemäß der Erfindung. Hierbei sind Teile mit gleicher Funktion wie in den Figuren 1 und 2 mit gleichen Bezugszeichen versehen.
In Fig. 1 ist der Halbleiterkörper eines Thyristors mit innerer Zündverstärkung gezeigt. Er weist eine erste Emitterzone 1, eine erste Basiszone 2, eine zweite Basiszone 3 und eine zweite Emitterzone 4 auf. Auf der ersten Emitterzone 1 ist eine Emitterelektrode 5 und auf der zweiten Emitterzone 4 eine Emitterelektrode 6 angeordnet. Mit der.ersten Basiszone 2 ist eine Zündelektrode 9 verbunden. Zwischen der Zündelektrode 9 und der ersten Emitterzone 1 liegt eine v/eitere Emitterzone 7, der Hilfsemitter. Der Hilfsemitter ist mit einer Hilfsemitterelektrode 8 versehen. Zwischen der Zündelektrode 9 und der
VPA 9/110/2086 4098.14/0690 -4-
Hilfsemitterelektrode 8 tritt der zwischen dem Hilfsemitter und der ersten Basiszone 2 liegende pn-übergang an die Oberfläche des Halbleiterkörpers. Dieser ρη-Übergang ist mit 10 bezeichnet. Die Emitterzone 1, die Hilfsemitterzone 1, die Emitterelektrode 5 und die Hilfsemitterelektrode 8 sind ringförmig ausgeführt. Die Zündelektrode 9 hat Kreisform. Dies ist in der Aufsicht nach Pig. 2 veranschaulicht. Die Elektroden sind in dieser und den folgenden Figuren der besseren Übersicht halber schraffiert.
Ein in die Zündelektrode 9 eingespeister Zündstrom nimmt seinen Weg zunächst in den Hilfsemitter 7 und löst dort eine Injektion von Ladungsträgern in die erste Basiszone 2 aus. Diese Injektion verursacht einen Strom von der Elektrode 6 zum Hilfsemitter 7. Dieser Strom fließt dann zur Hilfsemitterelektrode 8 und über das mit der ersten Basiszone 2 verbundene Stück dieser Elektrode zum Emitter 1. Dieser Strom wird um den in die Zündelektrode 9 eingespeisten Strom verstärkt. Beim Thyristor nach Fig. 2 liegen alle Randbereiche der Zündelektrode 9 gleich weit vom pn-übergang 10 entfernt. Es gibt daher keine Bereiche am pn-übergang, die gegenüber anderen Bereichen bevorzugt sind. Der Zündstrom wird daher nahezu gleichmäßig über die Fläche verteilt zum Hilfsemitter 7 fließen und einen über die Fläche des Hilfsthyristors nahezu gleichmäßig verteilten Strom von der Anode her zur Folge haben. Die Stromdichte im Hilfsthyristor ist daher klein und seine Ztindverzugszeit groß. Ist die Zündverzugszeit des aus den Zonen 1, 2, 3 und 4 gebildeten Hauptthyristors kleiner als die Zündverzugszeit des aus den Zonen 7, 2, 3 und 4 gebildeten Hilfsthyristors, so zündet der Hauptthyristor zuerst. Bei geringen herstellungs- oder materialbedingten Unsymmetrien des Hauptthyristors zündet dieser dann ungleichmäßig, zum Beispiel punktförmig, wie ein konventioneller Thyristor. Es muß daher dafür gesorgt werden, daß die Zündverzugszeit des Hi1Ifsthyristors kleiner ist als die des Hauptthyristors. Dazu muß die
VPA 9/110/2086 4098U/0690 ■ - 5 -
Zündstromdichte des Hilfsthyristors größer als die des Hauptthyristors gemacht werden. Dies läßt sich, wie nachstehend erläutert, durch eine geeignete Geometrie der Zündelektrode 9 und/oder des pn-überganges 10 erreichen.
In der Anordnung nach Fig. 3 ist die Zündelektrode 9 viereckig geformt. Der pn-übergang 10 hat Kreisform. Es ist ersichtlich, daß die vier Ecken der Zündelektrode 9 einen Abstand vom pn-übergang 10 haben, der geringer ist als jeder andere Randbereich dei" Zündelektrode 9. Der von der Elektrode 9 ausgehende Zündstrom konzentriert sich daher bevorzugt auf die den vier Ecken der Zündelektrode 9 gegenüberliegenden Bereiche 12 des pn-Überganges 10. An diesen, durch dicke schwarze Punkte markierten bevorzugten Bereichen 12 ist die Stromdichte hoch, so daß die Zündverzugszeit des Hilfsthyristofs gering ist. Der während der Zündverzugszeit des Hilfsthyristors über die Hauptstrecke des Hilfsthyristors in den Bereichen 12 fließende Strom fließt im wesentlichen gleichmäßig verteilt zum Emitter 1. Die Stromdichte ist daher relativ klein, und zwar so klein, daß trotz des zusätzlichen von der Zündelektrode 9 eingespeisten Zündstromes der Hauptthyristor erst nach dem Hilfsthyristor zünden kann. Mit dem Zünden des Hilfsthyristors wird bei hohem Laststromansteigen der Zündstrom des Hauptthyristors drastisch erhöht. Nach dem Zünden des Hauptthyristors erlischt der Hilfsthyristor durch Stromübernahme auf den Hauptthyristor sehr schnell, so daß eine Beschädigung des Hilfsthyristors in den Bereichen 12 trotz punktförmiger Zündung vermieden wird.
In 3?ig. 4 ist die Zündelektrode 9 kreisförmig und der pn-übergang 10 viereckig ausgebildet. Der pn-übergang 10 weist wieder vier bevorzugte Bereiche 13 auf, die der Zündelektrode 9 näherliegen als jeder andere Bereich auf dem pn-übergang. Der Hilfsthyristor wird daher zunächst in diesen Bereichen zuerst zünden. Die Zündstromdichte des Hauptthyristors bleibt auch in diesem FaIl so klein, daß der Hilfsthyristor vor dem Hauptthyristor zündet.
4098U/0690
VPA 9/110/2086 - 6 -
In Pig. 5 ist die Zündelektrode 9 und der pn-übergang 10 viereckig ausgebildet. Die bevorzugten Bereiche sind mit 14 bezeichnet. In Pig. 5 ist der pn-übergang kreisförmig ausgebildet, während die Zündelektrode 9 mit vier Vorsprüngen 15 versehen ist. Die bevorzugten Bereiche des pn-Überganges 10, in denen zuerst die Zündung des Hilfsthyristors einsetzt, sind mit 16 bezeichnet. In der Anordnung nach Pig. 7 ist der ρη-"Übergang 10 rat V'orsprüngen 17 versehen, während die Zündelektrode 9 kreisförmig ausgebildet ist. Die bevorzugten Bereiche tragen hier die Bezugsziffer 17. Bei der Anordnung nach Pig. weist der pn-übergang 10 Vorsprünge 19 und die Zündelektrode Vorsprünge 18 auf. Die Vorsprünge 18 und 19 liegen hier einander gegenüber.
Durch Ungenauigkeiten bei der Justierung der Zündelektrode 9 kann es vorkommen, daß diese nicht genau mittig, sondern .etwas exzentrisch zum pn-übergang 10 zu liegen kommt. Hierbei rückt aber mindestens eine der Ecken beziehungsweise Vorsprünge zum pn-übergang 10 hin, beziehungsweise die Elektrode nähert sich immer mindestens einer der Vorsprünge des pn-Überganges 10, das heißt, auch im Fall einer ungenauen Justierung der Zündelektrode 9 bei der Herstellung des Thyristors bleibt mindestens einer der bevorzugten Bereiche erhalten. Damit ist sichergestellt» daß die Zündstromdichte des Hilfsthyristors auch in diesem Pail größer ist als die Zündstromdichte des Hauptthyristors.
In den Pig. 3 bis 8 wurden nur Ausführungsbeispiele gezeigt, bei denen die Elektrode Vierecke oder Vorspränge und der pnübergang vier Vorsprünge hatte. Es genügt jedoch, wenn die Elektrode drei Ecken oder Vorsprünge beziehungsweise der pn-übergang drei Vorsprünge aufweist. Die Zündelektroden 9 und der pn-übergang 10 können auch mehr Vorsprünge beziehungsweise
VPA 9/110/2086 - 7 -
4098U/0690
Ecken ale vier aufweisen, eine höhere Anzahl als sechs Ecken bezi.ehungs?/eise Vorsprünge ist jedoch nicht sinnvoll, v/eil sich dann die Form der Zündelektrode 9 "beziehungsweise des pn-Überganges 10 wieder zu stark der Kreisform nähert, bei der unter Umständen kein Bereich des pn-Überganges 10 mehr vor einem anderen bevorzugt ist. Pur den Pail, daß sowohl die Zündelektrode als auch der pn-übergang mit Ecken beziehungsweise Vorsprüngen versehen sind, empfiehlt es sich, die Gesamtzahl der Ecken beziehungsweise Vorsprünge nicht größer als 9 zu wählen.
8 Patentansprüche
8 Figuren
VPA 9/110/2086 - 8 -
409814/0690

Claims (8)

  1. Patentansprüche
    Thyristor mit einem Halbleiterkörper mit mindestens drei pn-Übergängen, mit einer Basiszone, auf der eine Zündelektrode angeordnet ist, mit einem Hauptemitter und einem zwischen Zündelektrode und Hauptemitter liegenden Hilfsemitter, bei dem der zwischen Zündelektrode und Hilfsemitter liegende pn-übergang an die Oberfläche des Halbleiterkörpers tritt, dadurch gekennzeichnet, daß der pn-übergang (10) und/oder die Zündelektrode (9). mindestens drei, aber höchstens sechs, zusammen jedoch nicht mehr als neun Bereiche aufweist, deren Abstand vom pn-übergang beziehungsweise der Zündelektrode geringer als der Abstand aller übrigen Randbereiche der Zündelektrode vom pn-übergang sind, daß diese Bereiche klein gegen die Länge des pn-Überganges beziehungsweise gegen dem Umfang der Zündelektrode sind und daß diese Bereiche wenigstens angenähert gleichmäßig am Umfang der Zündelektrode beziehungsweise des pn-Überganges verteilt sind.
  2. 2. Thyristor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß der pn-übergang kreisförmig ausgebildet ist und daß die Zündelektrode die JPorm eines n-Ecks hat, wobei η zwischen 3 und 6 liegt.
  3. 3. Thyristor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die Zündelektrode (9) kreisförmig ausgebildet ist und der pn-übergang (10) die Form eines η-Ecks hat, wobei η zwischen 3 und 6 liegt.
    VPA 9/110/2086 - 9 -
    4098H/0690
  4. 4. Thyristor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die Zündelektrode und der pn-übergang jeweils die Form eines η-Ecks haben. - .
  5. 5. Thyristor nach einem der Ansprüche 2-4» dadurch
    gekennzeichnet, daß die Ecken gleichmäßig
    über den Umfang des pn-Überganges beziehungsweise den Umfang der Zündelektrode verteilt sind.
  6. 6. Thyristor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der pn-übergang kreisförmig oder
    als η-Eck ausgebildet ist und daß die Zündelektrode η Vorsprünge hat, wobei η zwischen 3 und 6 .liegt.
  7. 7. Thyristor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Zündelektrode kreisförmig oder als η-Eck ausgebildet ist und daß der pn-übergang η Vorsprünge hat, wobei η zwischen 3 und 6 liegt.
  8. 8. Thyristor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die Zündelektrode und der pn-übergang einander gegenüberliegende Vorsprünge aufweisen.
    VPA. 9/110/2086
    4098U/Ό 690
DE19722246979 1972-09-25 1972-09-25 Thyristor Expired DE2246979C3 (de)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19722246979 DE2246979C3 (de) 1972-09-25 Thyristor
NL7310720A NL7310720A (de) 1972-09-25 1973-08-02
IT2901073A IT993265B (it) 1972-09-25 1973-09-18 Tiristore con almeno tre giunzioni p n
GB4417873A GB1448150A (en) 1972-09-25 1973-09-20 Thyristors
JP10681273A JPS4971877A (de) 1972-09-25 1973-09-21
FR7334106A FR2200627B1 (de) 1972-09-25 1973-09-24
SE7313032A SE389226B (sv) 1972-09-25 1973-09-25 Tyristor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19722246979 DE2246979C3 (de) 1972-09-25 Thyristor

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2246979A1 true DE2246979A1 (de) 1974-04-04
DE2246979B2 DE2246979B2 (de) 1977-04-14
DE2246979C3 DE2246979C3 (de) 1977-11-24

Family

ID=

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3236609A1 (de) * 1982-10-02 1984-04-05 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Anordnung zur druckkontaktierung einer thyristorhalbleiterscheibe
US4563698A (en) * 1982-08-12 1986-01-07 International Rectifier Corporation SCR Having multiple gates and phosphorus gettering exteriorly of a ring gate
DE3917100A1 (de) * 1989-05-26 1990-11-29 Eupec Gmbh & Co Kg Thyristor

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4563698A (en) * 1982-08-12 1986-01-07 International Rectifier Corporation SCR Having multiple gates and phosphorus gettering exteriorly of a ring gate
DE3236609A1 (de) * 1982-10-02 1984-04-05 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Anordnung zur druckkontaktierung einer thyristorhalbleiterscheibe
DE3917100A1 (de) * 1989-05-26 1990-11-29 Eupec Gmbh & Co Kg Thyristor

Also Published As

Publication number Publication date
NL7310720A (de) 1974-03-27
IT993265B (it) 1975-09-30
SE389226B (sv) 1976-10-25
GB1448150A (en) 1976-09-02
JPS4971877A (de) 1974-07-11
DE2246979B2 (de) 1977-04-14
FR2200627A1 (de) 1974-04-19
FR2200627B1 (de) 1978-08-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1090331B (de) Strombegrenzende Halbleiteranordnung, insbesondere Diode, mit einem Halbleiterkoerper mit einer Folge von wenigstens vier Zonen abwechselnd entgegengesetzten Leitfaehigkeitstyps
DE2944069A1 (de) Halbleiteranordnung
DE3022122C2 (de)
DE3337156C2 (de)
DE2142204A1 (de) Thyristor
DE2238564A1 (de) Thyristor
DE3103785C2 (de)
DE2753882C2 (de) Digitale integrierte Schaltung
DE6608098U (de) Steuerbares halbleiterelement.
DE2246979C3 (de) Thyristor
DE2101279C2 (de) Integrierter, lateraler Transistor
DE2246979A1 (de) Thyristor
DE3005367C2 (de)
DE2746406C2 (de) Thyristor mit innerer Zündverstärkung und hohem dV/dt-Wert
EP0413054B1 (de) Eingangsschutzstruktur für integrierte Schaltungen
DE2635800C2 (de) Monolithisch integrierte Schottky-I↑2↑L-Gatterschaltung
CH552284A (de) Thyristor.
DE3335115A1 (de) Thyristor mit hoher vorspannungsbelastbarkeit
DE2438894A1 (de) Thyristor mit kurzschlussemitter
DE1464979C3 (de) Halbleiterschaltelement
DE2715482A1 (de) Mit licht steuerbarer thyristor
DE1539630C (de) Steuerbare Halbleiteranordnung
EP0032264B1 (de) Thyristor mit kurzgeschlossenem Emitter für kurze Stromflussdauer
DE3837747C2 (de) Halbleiterschalter mit einem Hauptthyristor und einem getrennten, lichtzündbaren Hilfsthyristor
DE3017584C2 (de) Thyristor

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
E77 Valid patent as to the heymanns-index 1977
8320 Willingness to grant licences declared (paragraph 23)
8339 Ceased/non-payment of the annual fee