DE2231203A1

DE2231203A1 - Schaltungsanordnung fuer logische schaltkreise mit feldeffekttransistoren

Info

Publication number: DE2231203A1
Application number: DE19722231203
Authority: DE
Inventors: Michael A Waters
Original assignee: Microsystems International Ltd
Current assignee: Microsystems International Ltd
Priority date: 1971-06-29
Filing date: 1972-06-26
Publication date: 1973-01-25
Also published as: FR2144361A5; GB1341334A; GB1388629A

Description

Dipl.-Ing.

Dipl.-Ing.
Rolf Churner. Augeburg, den 26. Juni I972

Patentanwälte Augsburg 31 · Postfach 242

Rehlingenstraße 8 Postscheckkonto: München Nr. 745 39

6095/10/Ch/gn

Microsystems International Limited 800 Dorchester Blvd.
Montreal 101, Quebec, Kanada

Schaltungsanordnung für logische Schaltkreise mit Feldeffekttransistoren.

Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung für logische Schaltkreise mit Feldeffekttransistoren, wobei in einer Inverterschaltung ein bipolares Bauteil mit einem Feldeffektbauteil in komplementärer Weise zusammenwirkt.

MOS-Feldeffekt-Transistoren und bipolare HaIbleiterbauteile, wie sie in integrierten logischen Schaltungen verwendet werden« arbeiten bei verschiedenen Potentialen, entsprechend verschiedenen logischen Werten. Beispielsweise liegt der Schaltschwellwert für einen Feldeffekt-Transistor mit einem P-Kanal im Bereich von -1,5 bis -2,5 Volt und bei einem Transistor mit einem N-Kanal zwischen

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+0,4 und +1,0 Volt. Der Schwellwert bipolarer Bauteile ist näherungsweise gleich demjenigen des Bauteils mit dem N-Kanal. Hierdurch entstehen beträchtliche Schwierigkeiten, insbesondere, wenn ein P-kanaliges MOS-Bauteil zusammen mit einem bipolaren Bauteil verwendet wird. Üblicherweise ist der Speise-Spannungsanschluß für die Eingangsarbeits-Elektrode des MOS-Systems verbunden mit der Kollektorspannung des bipolaren Systems. Hierdurch ist es jedoch lediglich möglich, die ungünstigen Verhältnisse zwischen den beiden benötigten Speisespannungen zu beseitigen, jedoch ist damit nicht der Fehler beseitigt, daß der vom bipolaren System angesteuerte MOS-Transistor ständig eingeschaltet sein kann auch bei der vom bipolaren System abgeleiteten unteren Schaltspannung, wobei dieser Zustand auftritt, wenn die Schaltung, d.h. das bipolare System unter einer hohen Last stehen. Hierdurch können Schaltfehler erzeugt werden.

Bei der Verwendung von MOS-Bauteilen mit einem N-Kanal treten diese Polaritätsschwierig— keiten nicht auf, jedoch schaltet ein derartiges Bauteil bei +0,4 Volt oder weniger, wobei diese Spannung dem logischen Wert "i" des bipolaren Systems entspricht, jedoch sind weitere 400 Millivolt Rauschspannung zu berücksichtigen, die zu einer fehlerhaften Arbeitsweise des Systems führen.

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Bei einer Schaltungsanordnung für logische Schaltkreise mit Feldeffekttransistoren, wobei in einer Inverterschaltung ein bipolares Bauteil mit einem Feldeffektbauteil zusammenwirkt, wobei ein Feldeffekttransistor und ein Widerstand in Serie an eine Spannungsquelle angeschlossen sind, die einen ersten und einen zweiten Anschluß mit einem ersten und einem zweiten Potential aufweist,, wobei das dem Transistor entgegengesetzte Ende des Widerstandes am ersten Anschluß und die Eingangsarbeits-Elektrode des Transistors am zweiten Anschluß der Speisespannungsquelle angeschlossen sind und die Steuerelektrode des Transistors

an ein Eingangssignal anlegbar ist, welches ζwien
sehen zwei Spannung'' sich verändert, wobei das erste Potential eine solche Amplitude aufweist, daß der Transistor voll eingeschaltet wird und das zweite Potential eine Höhe aufweist, bei welcher die Leitfähigkeit des Transistors wesentlich geringer ist als beim Anlegen der ersten Spannung und wobei die andere Arbeitselektrode des Transistors zum Abgriff einer Ausgangsspannung vorgesehen ist, wird erfindungsgemäß vorgeschlagen, daß zwischen der Eingangsarbeitselektrode und der Steuerelektrode des Transistors eine Rückkopplungsstrecke vorgesehen ist, durch welche die effektive Einschaltspannung des Transistors angehoben wird auf einen Wert, bei welchem die Leitfähigkeit des Transistors beim Anlegen der zweiten Eingangsspannung an die Steuerelektrode im wesentlichen Null ist.

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Mit der vorliegenden Erfindung sollen die Nachteile bezüglich der Schaltspannungen beseitigt werden, wobei als weitere Aufgabe der Erfindung zu verzeichnen ist, daß zusätzliche Schaltungsmaßnahmen ohne zusätzliche Arbeitsschritte bei der Herstellung des integrierten MOS-Systems vorgenommen werden sollen.

Im bevorzugten Ausführungsbeispiel besteht die Rückkopplungsstrecke aus einem zweiten Feldeffekt-Transistor, dessen beide Arbeitselektroden und dessen Steuerelektrode verbunden sind mit der Eingangsarbeits-, der Steuer-Elektrode und der anderen Arbeitselektrode des ersten Transistors. Dieser zweite Transistor leitet, wenn der erste Transistor sich im geringen Leitfähigkeitszustand befindet, wobei das Potential an der Steuerelektrode des ersten Transistors nicht ausreichend ist, um diesen ersten Transistor im leitenden Zustand zu halten.

Die Erfindung wird nachfolgend anhand von Ausführungsbeispielen näher beschrieben. Es zeigen:

Die Fig. 1 ein Schaltbild eines an ein bipolares System angeschlossenen MOS-Schaltkreises.

Die Fig. 2 ein erstes Ausführungsbeispiel der Erfindung.

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Die Fig. 3 ein Schaltbild eines zweiten Ausführungsbeispiels und

die Fig. k die Draufsicht auf ein integriertes System einer Schaltung gemäß Fig. 3·

Die Fig. 1 zeigt einen üblichen Schaltkreis für die Verwendung in logischen Systemen mit einem (nicht dargestellten) bipolaren und einem MOS-Teilsystem, das einen P-Kanal aufweist und vom bipolaren System gesteuert wird. Das Eingangssignal liegt an der Steuerelektrode des Transistors T₄. Dieses Eingangssignal hat entweder den logischen Zustand "O" oder "1". Dem logischen Zustand "0" entspricht eine höhere Einschaltspannung_t während der logische Zustand "1" einer niedrigeren Ausschaltspannung für T. entspricht. Die eine Eingangsarbeitselektrode (source) des Transistors T ist mit einer Speisespannung V_o_ verbunden, während die andere Arbeitselektrode von T. über den Punkt A mit einem Widerstand R verbunden ist, der seinerseits an das Bezugsmassepotential angeschlossen ist. Vom Punkt A wird die Ausgangsspannung abgegriffen. Wenn vorausgesetzt wird, daß die Steuerelektrode des Transistors T₁ am logischen Wert "O" liegt, dann ist der Transistor T leitend. Da T. und R bezüglich der logischen Ein- und Ausgangswerte einen Inverter bilden, liegt das Rjtential an Punkt A an dem logischen Wert "I¹¹. Schaltet das Eingangssignal auf den logischen Wert "1",

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wird T. ausgeschaltet und die Ladung der Steuerelektrode des Transistors wird über den Punkt A abgeführt und dort als Ausgangsstrom abgegriffen. Wie schon zuvor ausgeführt, liegt die Spannung V_c an der gleichen Spannung wie der Kollektor des bipolaren Systems, von welchem der Eingang von T. abgeleitet wird. Die Kollektorspeisespannung beträgt hierbei 5»O+O,25 Volt. Für konventionelle MOS-Schaltkreise mit einem P-Kanal würde normalerweise die Spannung V am Massebezugspotential liegen, während das gegenüberliegende Ende des Widerstandes R an einer Spannung zwischen -5>0 bis-10,0 Volt anliegt, abhängig von den Eigenschaften des Bauteils. Da die Eingangsarbeitselektrode von T₁ jedoch 5 Volt höher liegt als das gegenüberliegende Ende des Widerstandes R, wodurch die gewünschte Arbeitsweise dieses Inverters sichergestellt ist, ergibt sich, daß das Steuerpotential für T. ebenfalls um 5 Volt angehoben wird. Hierdurch werden die normalerweise benötigten negativen Schaltspannungen auf positive Werte angehoben, die eine ähnliche Amplitude aufweisen als diejenige des bipolaren Systems. Die entsprechenden¹ Werte der Potentiale zwischen einem bipolaren und einem konventionellen MOS-System sind nachfolgend gezeigt:

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Bipolar	TTL	6	\	-λ -o 4	MOS Logik
(Volt)					(Volt)
5					-0
4		4	γ		-ι
3					-2
2	o,				-3
1				-4
0		-5

Da die Schaltspannung für den MOS-Bauteil zwischen -1,5 und -2,5 Volt liegt, ist der Unterschied zwischen den logischen Potentialen (Spitze zu Spitze) von -0,4 Volt und -4,6 Volt ausreichend groß, um ein sicheres Schalten des Transistors zu gewährleisten. Schwierigkeiten treten jedoch auf, wenn vom bipolaren Bauteil ein großer Strom gezogen wird. In diesem Fall steigt die Ausgangsspannung des bipolaren Schaltbauteils nicht bis auf +4,6 Volt an und die Erfahrung hat gezeigt, daß unter ungünstigen Betriebsbedingungen lediglich eine Spannung von +2,4 Volt erreicht w;ird. Hierbei handelt es sich dann um die Spannung, die am MOS-Transistor T. anliegt. Aus der obigen Tabelle ergibt sich, daß hierbei der logische Spannungswert des MOS-Bauteils -2,6 Volt beträgt. Unter diesen ungünstigen Betriebsbedingungen liegen also die entsprechende MOS-Eingangsspannung für T zwischen -4,6 Volt und -2,6 Volt. Beide Spannungen sind negativer als die normalen Schaltpotentiale des MOS-

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Transistors zwischen -1,5 und -2_t5 Volt, was bedeutet, daß der Transistor T. bei beiden bipolaren logischen Werten "O" und "1" eingeschaltet ist. Diese fehlerhafte Arbeitsweise des Systems ist bedingt durch den verminderten Spannungshub, da der Transistor T. ausgeschaltet werden muß, wenn an ihm der logische Eingangswert "1" liegt, damit das System einwandfrei funktionieren kann. Weitere Faktoren komplizierten die Situation, wie beispielsweise Rauschspannungen (typischerweise in der Größenordnung von 400 Millivolt) und typische Änderungen der Speisespannung, die, wie zuvor erwähnt in der Größenordnung von + 0,25 Volt liegen.

Wegen dieser Verhältnisse bei ungünstigen Betriebszuständen ist es natürlich wünschenswert, die Einschaltspannung des Transistors T₁ auf einen Wert anzuheben, der negativer als das normale Schaltpotential für diesen Tranaistor ist. Vorzugsweise sollte die Einschaltspannung auf einen Mittelwert angehoben werden, der zwischen den Spannungen -4,6 und -2,6 Volt bei schlechten Betriebsbedingungen liegt. Nimmt man näherungsweise -3,5 Volt als guten Mittelwert, wird das Anheben der Einschaltspannung erreicht durch Ausnützen der Tatsache, daß, während T bei der normalen Einschaltspannung von -4,6 Volt leitend ist, ein höherer Potentialunterschied zwischen der Steuerelektrode und der Eingangsarbeits-Elektrode vorhanden ist, gegenüber dem

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Einschaltzustand bei einer Eingangsspannung von -2,6 Volt. Zur Ausnützung dieser Tatsache wird eine positive Rückkopplung vorgesehen, wie sie in Fig. 2 gezeigt ist. Diese Rückkopplung besteht aus einem zweiten MOS-Transistor T₀, dessen Eingangsarbeits-Elektrode angeschlossen ist an ν_ς_ und dessen Ausgangsarbeits-Elektrode an der Steuerelektrode von T liegt. Die Steuerelektrode von T₀ ist mit dem Punkt A verbunden. Wenn vorausgesetzt wird, daß der Eingang von T. an -4,6 Volt liegt (logischer Wert "0"), wird T₁ voll eingeschaltet. Da die Steuerelektrode von T₀ an der Spannung des Punktes A liegt, liegt daher für diese Steuerelektrode kein Triggerpotential vor, so daß T₀ nicht leitend ist. Auf diese Weise stellt T₀ eine Stromkreisunterbrechung zwischen der Eingangs-Arbeitselektrode und der Steuerelektrode von T₁ dar und beeinflußt deshalb in diesem Betriebszustand nicht die dazwischen herrschende Potentialdifferenz.

Wenn der Eingang T. auf den logischen Wert "1" schaltet und hierbei ungünstige Betriebsbedingungen vorliegen, liegt eine Eingangsspannung von -2,6 Volt vor, wie schon zuvor erwähnt wurde. Der Transistor T, wird eingeschaltet, jedoch weit weniger stark ausgesteuert als bei den vorherigen Betriebsbedingungen. Der aus dem Widerstand R und dem Transistor T- bestehende Inverter ist so ausgelegt, daß das Potential an A eine Spannung aufweist, die ausreichend ist, um den

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Transistor T₀ einzuschalten. Diese Spannung ist näherungsweise -2,0 Volt. Hierdurch wird T₀ leitend und T₁ voll abgeschaltet.

In Fig. 3 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung gezeigt, bei welchem der Widerstand R ersetzt wurde durch den Transistor T und bei welcher die zeitgetriggerten Transistoren Tjl und T_ in den Eingangs- bzw. Ausgangsleitungen vorgesehen sind. Mit einer Speisespannung und Schwellwertspannungen gleich denjenigen der Schaltung nach Fig. 2 beträgt die Steuerspannung V_GG für den Transistor T -0,9 Volt und ^₁ und φ sind Zeitsteuersignale zum Triggern von T. und T_. Nachfolgend sei vorausgesetzt, daß an T. φ₁ anliegt, um diesen Transistor T. leitend zu halten. T erhält nunmehr eine Eingangsspannung von -k,6 Volt (logische Größe "0") und wird daher voll eingeschaltet. Wie bereits im Zusammenhang mit der Fig. 2 erklärt, ist hierbei vom Punkt A kein Ausgang zu verzeichnen, so daß der Transistor T„ praktisch keine Wirkung auf die Arbeitsweise der Schaltung hat. Bei der Schaltung bilden die Transistoren T. und T den Inverter. Sobald A₁ auf 0 Volt schaltet und <f> ansteigt, wird T. ausgeschaltet und isoliert die Steuerelektrode von T₁ vom Eingangssignal. T₀ wirkt als positive Rückkopplungsschleife, wie bereits im Zusammenhang mit Fig. 2 beschrieben und von Punkt A kann ein Ausgang abgegriffen werden. Da ein Signal4> - vorliegt, schaltet der Transistor T_ ein und der Ausgang von A wird zur nächsten logischen

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Stufe geleitet.

Der Fig. k ist eine Schaltung nach Fig. 3 in integrierter Bauweise zu entnehmen. In Fig.4 sind die gepunkteten Bereiche metallisiert, die Bereiche, die gestrichelt von links nach rechts ansteigend gezeichnet sind, stellen P-diffundierte Bereiche dar, die entgegengesetzt gestrichelten Bereiche stellen Polysilicium dar, während die gekreuzten Bereiche die Steuerelektrodenbereiche sind. Die Schaltung weist P-Kanäle auf. Der Eingang liegt an der Metallschicht 15» der in Verbindung steht mit einer Arbeitselektrode (drain) D. des Transistors T.. Die Eingangsarbeitselektrode («oürce) St dieses Transistors steht in Verbindung mit der Metallschicht 16, die ihrerseits verbunden ist mit einer Arbeitselektrode D. des * Transistors T₀. Die Metallschicht 16 ist weiterhin verbunden mit der Steuerelektrode G des Transistors T₁. Die Steuerelektrode G. des Transistors T. ist verbunden mit der Metallschicht 17t an welcher das Zeitsteuersignal Ψ₁ angelegt wird. Die Steuerelektrode des Transistors T₀ ist verbunden mit der Arbeitselektrode D. des Transistors T-, während die Eingangsarbeitselektrode S₁ an die Speisespannung V angeschlossen ist. Die Eingangsarbeitselektrode S₁ ist weiterhin verbunden mit der Eingangsarbeitselektrode S₀ des Transistors T . Die Arbeitselektrode D ist verbunden mit der Arbeitselektrode D des Transistors T , dessen Eingangsarbeitselektrode S_ in Verbindung steht mit der nächsten logischen Stufe

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des Gesamtsystems. Die Steuerelektrode G_ des Transistors T_ ist verbunden mit einem Generator für das Zeitsteuersignal φ ₂* Weiterhin ist S₁ verbunden mit der Eingangsarbeitselektrode S- des Transistors T^. Dessen andere Arbeitselektrode D ist verbunden mit der Speisespannung V„_n und die Steuerelektrode G„ ist angeschlossen an die Speisespannung V . Auf diese Weise ergibt sich, daß der die positive Rückkopplung bewirkende Transistor T₀ günstig in einen konventionellen Schaltkreis eingebaut ist, der von den Transistoren T und T bis T_ gebildet wird, ohne daß zusätzliche Fabrikationsschritte erforderlich wären als diejenigen, die sowieso für die Herstellung der Schaltung erforderlich sind. Zusätzliche Kosten werden daher vermieden.

Die Erfindung wurde beschrieben bei einer Schaltung mit einem bipolaren Bauteil und einem MOS-Transistor mit einem P-Kanal* Bei Verwendung eines MOS-Bauteils mit einem N-Kanal liegt jedoch ν_ςς am Bezuggmassepotential und die Speisespannung für die Ausgangsarbeitselektrode von T liegt zwischen +5»O und +10 Volt. Bei Verwendung anderer Feldeffekthalbleiter, beispielsweise mit metallischer Steuerelektrode, können andere positive Speisespannungen entsprechend dem Betriebsverhalten erforderlich sein, wobei diese Spannungen unter +5»0 Volt liegen können.

- 13 Ansprüche

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Claims

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ANSPRÜCHE

/ 1./ Schaltungsanordnung für logische Schaltkreise mit Feldeffekttransistoren, wobei in einer Inverterschaltung ein bipolares Bauteil mit einem Feldeffektbauteil zusammenwirkt, wobei ein Feldeffekttransistor und ein Widerstand in Serie an eine Spannungsquelle angeschlossen sind, die einen ersten und einen zweiten Anschluß mit einem ersten und einem zweiten Potential aufweist, wobei das dem Transistor entgegengesetzte Ende des Widerstands am ersten Anschluß und die Eingangsarbeits-Elektrode des Transistors am zweiten Anschluß der Speisespannungsquelle angeschlossen sind und die Steuerelektrode des Transistors an ein Eingangssignal anlegbar ist, welches zwischen zwei Spannungen sich verändert·, wobei das erste Potential eine solche Amplitude aufweist, daß der Transistor voll eingeschaltet wird und das zweite Potential eine Höhe aufweist, bei welcher die Leitfähigkeit des Transistors wesentlich geringer ist als beim Anlegen der ersten Spannung und wobei die andere Arbeitselektrode des Transistors zum Abgriff einer Ausgangsspannung vorgesehen ist, " dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der Eingangsarbeitselektrode und der Steuerelektrode des Transistors eine Rückkopplungsstrecke vorgesehen ist, durch welche die effektive Einschaltspannung des Transistors angehoben wird auf einen Wert,

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bei welchem die Leitfähigkeit des Transistors beim Anlegen der zweiten Eingangsspannung an die Steuerelektrode im wesentlichen Null ist.

Schaltung nach Anspruch I₁ dadurch gekennzeichnet, daß die Riickkopplungsstrecke einen zweiten Feldeffekt-Transistor T umfaßt, dessen beide Arbeitselektroden und dessen Steuerelektrode verbunden sind mit der Eingangsarbeits-Elek'trode der Steuerelektrode und der anderen Arbeitselektrode des ersten Transistors T. und der zweite Transistor T während des Zustandes geringer Leitfähigkeit des ersten Transistors T. leitend ist und das Potential an der Steuerelektrode des ersten Transistors nicht ausreichend ist, das Leitendwerden des ersten Transistors zu bewirken.

3. Schaltung nach Anspruch 1 mit einem dritten Feldeffekttransistor anstelle des Widerstandes, der in Serie mit dem ersten Transistor zwischen einer Spannungsquelle mit einem ersten und zweiten Anschluß mit einem ersten und einem zweiten Potential geschaltet ist, wobei die Ausgangs-Arbeitselektrode des dritten Transistors T_ mit dem ersten Anschluß der Speisespannungsquelle und die Eingangsarbeits-Elektrode des ersten Transistors T.

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mit dem zweiten Anschluß der Speisespannungsquelle verbunden sind und wobei die andere Arbeitselektrode des ersten und die Eingangsarbeits-Elektrode des dritten Transistors miteinander verbunden sind, wobei die Steuerelektrode des dritten Transistors an eine Steuerspannungsquelle angeschlossen ist, dadurch gekennzeichnet, daß ein zweiter Feldeffekt-Transistor T„ als Rückkopplungsglied beim ersten Transistor T. vorgesehen ist, in dem die Eingangsarbeitselektrode, die Steuerelektrode und die andere Arbeitselektrode des zweiten Transistors verbunden sind mit der Eingangsarbeits-Elektrode, der anderen Arbeiteelektrode und der Steuerelektrode des ersten Transistors, ein vierter Feldeffekt-Transistor T. mit seiner Eingangs-Arbeitselektrode angeschlossen ist an die Steuerelektrode des ersten Transistors T. und mit seiner anderen Arbeitselek— trode an einer Eingangsspeisespannungsquelle liegt und die Steuerelektrode dieses vierten Transistors verbunden ist mit einer Quelle für ein erstes Trigger-Signal und ein fünfter Feldeffekt-Transistor T_ mit seiner Ausgangsarbeitselektrode angeschlossen ist an die entsprechende Arbeitselektrode des ersten Transistors, mit seiner Eingangsarbeitselektrode als Abgriff einer Ausgangsspannung dient und dessen Steuerelektrode an eine Steuerquelle für ein zweites Trigger-Signal liegt, wobei die Eingangsspannung zwischen einem ersten und einem zweiten Spannungswert sich

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verändert und der erste Spannungswert eine Amplitude aufweist, die ein volles Einschalten des ersten Transistors bewirkt und die zweite Spannung mit ihrer Amplitude eine Leitfähigkeit des ersten Transistors hervorruft, die wesentlich geringer ist als die Leitfähigkeit beim ersten Spannungswert, wobei der zweite Transistor T_g lediglich während des Zustandes geringer Leitfähigkeit des ersten Transistors leitet und hierdurch das Potential an der Steuerelektrode des ersten Transistors nicht ausreichend ist, die Leitfähigkeit des ersten Transistors zu bewirken.

k. Schaltung nach Anspruch 3, gekennzeichnet durch einen ersten und dritten Feldeffekt-Transistor (T₁, T), welche in Serie zwischen einer Spannungsquelle mit einem ersten und einen zweiten Anschluß mit einem ersten und zweiten Potential geschaltet sind, und das erste Potential Massebezugspotential und das zweite Potential hierzu positiv ist, wobei die Aasgangsarbeitselektrode des dritten Transistors T am Massepotential und die Eingangsart-aitsslektrode des ersten Transistors T₁ ans zweiten Anschluß der Speisespannungsquelle liegen und wobei die andere Arbeitselektrode des ersten und die Eingangsarbeits-Elektrode des dritten Transistors miteinander verbunden sind, wobei die Steuerelektrode des dritten Transistors an eine Steuerspannungsquelle angeschlossen ist und ein

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zweiter Feldeffekt-Transistor T als Rück-

2 kopplungsglied beim ersten Transistor T^

vorgesehen ist, in dem die Eingangsarbeits-Elektrode, die Steuerelektrode und die andere Arbeitselektrode des zweiten Transistors verbunden sind mit der Eingangsarbeit s->Elektrode, der anderen Arbeitselektrode und der Steuerelektrode des ersten Transistors, ein vierter Feldeffekt-Transistor T. mit seiner Eingangsarbeitselektrode angeschlossen ist an die Steuerelektrode des ersten Transistors T und mit seiner anderen Arbeitselektrode an einer Eingangsspeisespannungsquelle liegt und die Steuerelektrode -dieses vierten Transistors verbunden ist mit einer Quelle für ein erstes Trigger-Signal und ein fünfter Feldeffekt-Transistor T_ mit seiner Ausgangsarbeitselektrode angeschlossen ist an die entsprechende Arbeitselektrode des ersten Transistors, mit seiner Eingangsarbeitselektrode als Abgriff einer Ausgangsspannung dient und dessen Steuerelektrode an eine Steuerquelle für ein zweites Trigger-Signal liegt, wobei die Eingangsspannung zwischen einem ersten und einem zweiten positiven Spannungswert in bezug auf das Massepotential und negativ bezüglich des zweiten Potentials sich verändert, wobei der erste Spannungswert ausreichend negativ bezüglich des zweiten Potentials ist, um ein .Einschalten des ersten Transistors zu bewirken und die zweite Spannung mit ihrer Amplitude eine Leitfähigkeit des ersten Transistors hervorruft, die wesentlich geringer ist als die Leitfähigkeit beim ex~sten Spam-

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nungswert, wobei der zweite Transistor T„ lediglich während des Zustande geringer Leitfähigkeit des ersten Transistors leitet und hierdurch das Potential an der Steuerelektrode des ersten Transistors nicht ausreichend ist, die Leitfähigkeit des ersten Transistors zu bewirken.

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