DE2215167A1 - Halbleitersteuervornchtung - Google Patents

Halbleitersteuervornchtung

Info

Publication number
DE2215167A1
DE2215167A1 DE19722215167 DE2215167A DE2215167A1 DE 2215167 A1 DE2215167 A1 DE 2215167A1 DE 19722215167 DE19722215167 DE 19722215167 DE 2215167 A DE2215167 A DE 2215167A DE 2215167 A1 DE2215167 A1 DE 2215167A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
sensor
gate
semiconductor
control device
rectifier
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19722215167
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Akio Ikeda Fujita Takashi Shigematsu Koichi Toyonaka Yamashita, (Japan) P
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP46020233A external-priority patent/JPS5111780B1/ja
Priority claimed from JP46020234A external-priority patent/JPS5114146B1/ja
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Publication of DE2215167A1 publication Critical patent/DE2215167A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D18/00—Thyristors
    • H10D18/40—Thyristors with turn-on by field effect 
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/94—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the way in which the control signals are generated
    • H03K17/96—Touch switches
    • H03K17/962—Capacitive touch switches

Landscapes

  • Control Of Resistance Heating (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
DE19722215167 1971-04-01 1972-03-28 Halbleitersteuervornchtung Pending DE2215167A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP46020233A JPS5111780B1 (enExample) 1971-04-01 1971-04-01
JP46020234A JPS5114146B1 (enExample) 1971-04-01 1971-04-01

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE2215167A1 true DE2215167A1 (de) 1972-10-12

Family

ID=26357140

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19722215167 Pending DE2215167A1 (de) 1971-04-01 1972-03-28 Halbleitersteuervornchtung

Country Status (6)

Country Link
AU (1) AU450782B2 (enExample)
CA (1) CA975087A (enExample)
DE (1) DE2215167A1 (enExample)
FR (1) FR2132285B1 (enExample)
GB (1) GB1386660A (enExample)
NL (1) NL7204334A (enExample)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2411551A1 (de) * 1974-03-11 1975-09-18 Standard Elektrik Lorenz Ag Elektronische netzschaltanordnung fuer rundfunk- und fernsehgeraete
US4630084A (en) * 1981-02-02 1986-12-16 Siemens Aktiengesellschaft Vertical mis-field effect transistor with low forward resistance

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2411551A1 (de) * 1974-03-11 1975-09-18 Standard Elektrik Lorenz Ag Elektronische netzschaltanordnung fuer rundfunk- und fernsehgeraete
US4630084A (en) * 1981-02-02 1986-12-16 Siemens Aktiengesellschaft Vertical mis-field effect transistor with low forward resistance

Also Published As

Publication number Publication date
CA975087A (en) 1975-09-23
GB1386660A (en) 1975-03-12
AU450782B2 (en) 1974-07-18
AU4069672A (en) 1973-10-11
FR2132285A1 (enExample) 1972-11-17
FR2132285B1 (enExample) 1975-02-21
NL7204334A (enExample) 1972-10-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2326751C3 (de) Halbleiterbauelement zum Speichern und Verfahren zum Betrieb
DE2409472C3 (de) Elektrisch löschbares Halbleiterspeicherelement mit einem Doppelgate-Isolierschicht-FET
DE3032610C2 (enExample)
DE2235801A1 (de) Monolithischer festwertspeicher und verfahren zur herstellung
DE2653724A1 (de) Halbleiter-schaltelement mit irreversiblem verhalten und halbleiterspeicher unter verwendung des halbleiter-schaltelements
DE69715109T2 (de) TRIAC-Anordnung, deren Gatterreferenzspannung an gemeinsame Elektrode auf Rückseite gelegt wird
DE69117897T2 (de) Programmierbare Schutzschaltung und deren monolitische Ausführung
DE2341899C3 (de) Integrierte Halbleiterschaltung und Verfahren zu ihrem Betrieb
DE1514431A1 (de) Halbleiteranordnung mit pn-UEbergang zur Verwendung als spannungsabhaengige Kapazitaet
DE1961125B2 (de) Speicherschaltung
DE68911809T2 (de) Integrierbare, aktive Diode.
DE2504088A1 (de) Ladungsgekoppelte anordnung
DE1514017A1 (de) Halbleiteranordnung
DE1574651C3 (de) Monolithisch integrierte Flip-Flop-Speicherzelle
DE68916697T2 (de) Gate-gesteuerte Zweirichtungshalbleiterschaltungseinrichtung.
DE1166340B (de) Halbleiteranordnung aus mit Aktivatoren dotiertem kristallinem Material und mit zweiohmschen Kontaktelektroden
DE2215167A1 (de) Halbleitersteuervornchtung
DE69324952T2 (de) Wechselspannungsschalter
DE1764241A1 (de) Monolithische elektrische Schaltung
DE69426319T2 (de) Thyristor mit Hilfsemitterelektrode mit erhohtem Haltestrom
DE2800336A1 (de) Integrierte logische schaltung
DE2953403C2 (de) Hochleistungs-Schalter unter Verwendung eines torgesteuerten Diodenschalters
AT264587B (de) Halbleiteranordnung
DE1919406B2 (de) Feldeffekttransistor und seine Verwendung in einer Schaltungsanordnung für einen Miller-Integrator
DE1107710B (de) Schaltanordnung mit einer Vierschicht-halbleiteranordnung

Legal Events

Date Code Title Description
OHW Rejection