DE2215167A1 - Halbleitersteuervornchtung - Google Patents

Halbleitersteuervornchtung

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DE2215167A1
DE2215167A1 DE19722215167 DE2215167A DE2215167A1 DE 2215167 A1 DE2215167 A1 DE 2215167A1 DE 19722215167 DE19722215167 DE 19722215167 DE 2215167 A DE2215167 A DE 2215167A DE 2215167 A1 DE2215167 A1 DE 2215167A1
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DE
Germany
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sensor
gate
semiconductor
control device
rectifier
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19722215167
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English (en)
Inventor
Akio Ikeda Fujita Takashi Shigematsu Koichi Toyonaka Yamashita, (Japan) P
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Priority claimed from JP2023471A external-priority patent/JPS5114146B1/ja
Priority claimed from JP2023371A external-priority patent/JPS5111780B1/ja
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/70Bipolar devices
    • H01L29/74Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action
    • H01L29/749Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action with turn-on by field effect
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/687Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
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    • H03K17/94Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the way in which the control signals are generated
    • H03K17/96Touch switches
    • H03K17/962Capacitive touch switches

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Description

HOMSEN - I IEDTKE - BüHUNG
TEL. {0811^53 0211 TELEX; 5-24 303 topat Z Z I 5 1 R 7
0212 ·. *- * w ι w #
PATE N T ANWÄLTE
München; Frankfurt/M.:
Dipl.-Chem. Dr. D. Thomsen Qipl. - ing. W. Weinkauff
Dipl.-Ing. H. Tiedtke (FiichshohlTi)
Dipl.-Chem, G. Bühling
Dipl.-Ing. R, Kinne
Diph-Chem. D)r. U. Eggers
80 0 0 München 2 Kaiser-Luäwig-PIatz 6 28. März 1972
Matshushita Electric Industrial Co., Lt'cL. Osaka, Japan .
Halbleitersteuervorrichtung
Die Erfindung bezieht sich auf eine Halbleiter-· steuervorrichtung mit einem kontaktlosen Schalter, der Änderungen der Masse- bzw* Erdkapazität der Steuerelektrode eines mit Peldeffekt gesteuerten Gleichrichters nutzt.
Konventionelle kontaktlose Schalter haben allgemein Änderungen des Basispotentials von Transistoren und Änderungen des Q-Werts bei Schwingungen mit hohen Frequenzen zur Durchführung des Schaltvorganges genutzt., Keiner dieser konventionellen kontaktlosen Schalter war jedoch bei der Steuerung einer großen Energie in einfacher V/eise erfolgreich.^
Kin in einer FIaLb ).e,i'fee:rE5teuorvortji chtunp; benutzter
0:9 Β U/ Q Ö: \ k
Fühler liefert ein kleines elektrisches Ausgangssignal, und so wurden gewöhnlich Einrichtungen zur Verstärkung eines solchen kleinen Ausgangssignals des Fühlers über eine Anzahl von Stufen vorgesehen. Daher hatte die Schaltung einen umfangreichen Aufbau, und die Steuervorrichtung war teuer und hatte große Abmessungen.
Mit der Erfindung wird eine billige und kleine Halbleitervorrichtung mit einem vereinfachten Schaltungsaufbau geschaffen, die einen rr.it Peldeffekt gesteuerten Gleichrichter aufweist und Änderungen der Massekapazität dessen Steuerelektrode zur unmittelbaren Steuerung einer großen Energie nutzt.
Mit der Erfindung wird ferner eine Halbleitersteuervorrichtung geschaffen, bei der ein mit Feldeffekt gesteuerter Gleichrichter mit einem Fühler kombiniert ist, der eine Größe, beispielsweise Temperatur, Druck, Magnetismus, Licht oder Feuchtigkeit, in ein elektrisches Signal umwandelt, so daß durch das kleine Ausgangysignal des Fühlers eine große Energie gesteuert wird.
Die Erfindung wird im folgenden anhand schematischer Zeichnungen an Ausführungsbeispielen näher erläutert:
Fig. 1 zeigt eine Schnittnnsicht eines rnit Feldeffnkt gesteuerten Gleichrichtern, der in einer erfindurii ngemäßen Halbleitersteuervorrichtung verwendet wird;
209842/0 ö U
Fig. 2 zeigt eine graphische Darstellung der Spannungs-Strom-Kennlinie des Gleichrichters nach Fig. Ij
Fig. 3 zeigt ein Schaltbild einer Ausführungsform
der erfindungsgemäßen Vorrichtung bei Verwendung als kontaktloser Schalter;
Fig. 4 zeigt ein Schaltbild einer anderen Ausführungsform der erfindungsgemäßen Vorrichtung; und
Fig. 5 zeigt eine graphische Darstellung der Spannungs-Strom-Kennlinie der Vorrichtung nach Fig. 4.
Fig. 1 zeigt eine Form eines mit Feldeffekt gesteuerten Gleichrichters, der vorzugsweise bei dor erfindungsgemäßen Vorrichtung verwendet wird. Dieser mit Feirieffekt gesteuerte Gleichrichter besitzt einen pnpn-Aufbau, und seine Strom-Spannungskennlinie kann durch ein über eine Isolierschicht angelegtes elektrisches Feld gesteuert vrerden. Gemäß Darstellung in Fig. 1 besitzt der mit Feldeffekt gesteuerte Gleichrichter einen Halbleiterkörper 1 mit n-Leitfähigkeit, p-leitfähige Bereiche 2 und 3, die in dem n-leitfähigen Halbleiterkörper 1 in Abstand voneinander gebildet sind, einen in dem p-leitfähigen Bereich 3 gebildeten n-leitfähigen Bereich 4, eine elektrische Isolierschicht 5, eine Anode 6 in Berührung mit dem p-leitfähigen Bereich 2, eine Kathode 7 in Berührung mit dem n-leitfähigen bereich M, ein zweites Tor b in Berührung mit dem n-leitfähigen Bereich 1, und ein erstes Tor 9, das auf der Isolierschicht 5
209842/08U
über dem n-leitfü':i^en bereich 1 derart angeordnet ist, daß es einen Teil 6er p-leitfähigen Bereiche 2 und 3 überlappt.
Fig. 2 '.eigt die Strom-Spannungskennlinie zwischen den Elektroden 6 und 7. Ist die Anode 6 gegenüber der Kathode 7 positiv, liegt <':ie Durchlaßrichtung vor, und der Gleichrichter zeigt eine Kennlinie mit negativem Widerstand. In Fig. 2 sind die Schaltspannung und die Sperrdurchbruchspannung mit V^q bzw. Vß bezeichnet.
Fig. 3 zeigt eine Ausführungsforir der erfindungsgeraäßen Vorrichtung, bei der der mit Feldeffekt gesteuerte Gleichrichter, der eine solche Kennlinie besitzt, als kontaktloser Schalter benutzt wird.
In Fig. 3 ist der mit Feldeffekt gesteuerte Gleichrichter durch die Eezugaziffer 10 bezeichnet. Liegt an der Anode 6 über einen Lastwiderstand RT eine positive Spannung an und ist das Tor offen gehalten, liegt kein Leitzustand zwischen der Anode 6 und der Kathode 7 des mit Feldeffekt gesteuerten Gleichrichters 10 vor. Nähert sich ein menschlicher Körper bei oinen solchen Zustand des gesteuerten Gleichrichters dem Tor 9, findet, eine Änderung der fassekapazitSt (Erdkapazität) des Tora 9 statt, was zum Leiten des gesteuerten Gleichrichters 10 führt. V.'ird das Tor 9 von Hand berührt, findet ein Schalten in gleicher V.'eise statt. Damit der Betrieb durch unerwünschtes Hauschen nicht wesentlich beeinflußt wird, kann ein Widerstand zwischen das Tor 9 und die Anode 6, das Tor H
209842/08 1 4
oder die Kathode 7 eingesetzt sein.
Es wurde zwar ein isoliertes Tor, das eine Isolierschicht verwendet, als Beispiel beschrieben; statt dessen kann jedoch auch ein Feldeffekttor in Form eines pn-überganges oder eines Metall-Halbleiterüberganges verwendet werden. Zur Erreichung des gleichen Effekts kann anstelle des pnpn-Aufbaus auch jeder andere Aufbau, einschließlich eines npnp-Aufbaus, eines pnpnp-Aufbaus und eines npnpn-Aufbaus, verwendet werden. Der Halbleiter kann Si, Ge, GaAs, CdH, GaP5 GaAsP oder dergl. sein, und die Aussendung von Licht kann gleichzeitig auftreten, insbesondere, wenn der Halbleiter GaAs, GaP, GaAsP oder dergl, ist.
In einer in Fig. 4 gezeigten anderen Ausführungsform der erfindungsgemäßen Vorrichtung ist der mit Feldeffekt gesteuerte Gleichrichter mit dem in Fig. 1 gezeigten Aufbau mit einem Fühler kombiniert, um eine große Energie durch das kleine Ausgangssignal des Fühlers unmittelbar zu steuern. Diese Ausführungsfonn ist darin vorteilhaft, daß die Schaltung einen einfachen Aufbau besitzt und die Steuervorrichtung billig ist und kleine Abmessungen hat.
Gemäß Darstellung in Fig. H ist eine Last 12 mit einer Wechselspannungsquelle 11 über den gesteuerten Gleichrichter 10 mit isoliertem Tor in Reihe geschaltet, und ein Fühler 13 ist mit einem Widerstand l'l in Serie geschaltet«, Der Schaltungsknoten zwischen dem Fühler 13 und dem Widerstand Ik
209842/OeU
·"* O *■
ist mit dem Tor 9 des gesteuerten Gleichrichters IO verbunden.
Ist nun der Widerstand des Fühlers 13 hoch, liegt eine positive Spannung an dem Tor 9 in Durchlaßrichtung, und die Schaltspannung ist hoch, wie dies mit V00 in Fig. 5 ge-
Ot.
zeigt ist. Wird die angelegte Spannung auf einen Wert V0 1 eingestellt, der nahe an der Schaltspannung V0n liegt, befindet
OU
sich die Lastschaltung im Sperrzusta id. Ist der Widerstand des Fühlers 13 und damit die an dem Tor Hegende Spannung verringert, dann ist die Schaltspannung nu ι niedriger als V0', und die Lastschaltung ist eingeschaltet. Der gesteuerte Oleichrichter 10 mit isoliertem Tor kann selbs'; mit einer kleinen Ausgangsspannung des Fühlers 13 zuverlässig getriggert werden, wenn die unter dem Tor 9 liegende Is >lierschicht 5 ausreichend dünn ausgebildet ist. Durch das kleine Ausgangssignal des Fühlers 13 kann eine große Energie ge ;teuert werden, da der gesteuerte Gleichrichter 10 mit großer Energie zufriedenstellend arbeiten kann, Es ist zu bemerken, daß der durch den Fühler 13 ermittelte Wert auf eine veränderliche Einstellung gebracht werden kann, wenn der Widerstand I2I ein veränderlicher Widerstand ist. Ferner kann der Fühler 13 und der Widerstand I^ nach Fig, 1J in umgekehrter Reihenfolge angeordnet werden. In diesem Fall ist die Art der Steuerung gegenüber der im vorhergehenden beschriebenen Steuerungsart umgekehrt. Der Fühler 13 kann bei Ermittlung von Temperaturen ein Thermistor sein, bei Ermittlung von Drucken ein Metall- oder Halbleitermesstreifen, bei Ermittlung von Magnetismus ein Hall-Element oder ein Element mit magnetischem Widerstand, bei Ermittlung von Licht ein
209842/08U
photoleitendes Element oder eine Solarbatterie (Lichtzelle), oder bei Ermittlung von Feuchtigkeit ein GxydfiliDhygroiiietep* Anstelle der Wechselspannungsenergiesufuhr kann natürlich eine Gleiehspannungsenergiezufuhr verwendet wa
Es wurde zwar ein isolier-tes Tor3 das eine Isolierschicht verwendet, als Beispiel beschrieben; statt dessen kann jedoch auch ein pn-übergang oder ein RatalI=HaIbleiterÜbergang verwendet werden. Ferner kann zum Erreichen der gleichen Wirkung anstelle des pnpn-Aufbaus jeder andeie Aufbau, einschließlich eines npnp-Aufbaus, eines pnpnp-Aufbaus und eines npnpn-Aufbaus, verwendet werden. Der Halbleiter kann Si, Ge, CdS5 GaAs1 GaP, GaAsP oder dergl. sein und die Aussendung von Licht kann gleichzeitig auftreten, insbesondere vienn der Halbleiter GaAs, GaP, GaAsP oder dergl, ist.
Aus den vorherrehenrlen Ausführung/an ergibt sichs daß mit der Erfindung ein kontaktloser Schalter geschaffen wird, der Änderungen der Massekapazität der Steuerelektrode eines mit Feldeffekt gesteuerten Gleichrichters nutzt, um eine große Energie einfach zu schalton, wenn das Tor lediglich von Hand berührt wird oder sich ein menschlicher Körper dein Tor nähert. In einer anderen Ausführungsform der erfindungsgemäßen HaIbleitersteuervorrichtung ist ein Fühler mit dem Torkreis.des kontaktlosen Schalters verbunden, um eine große Energie durch das kleine Ausgangssignal des Fühlers zu steuern, Somit kann diese Vorrichtung als Temperaturüberwaeher, auf Licht ansprechender Schalt-er, Magnetismusüberwacher, Feuehtigkeitsüberwaeher oder Drueküberwacher benutzt werden,
209842/081A
Mit der Erfindung wird somit ein kontaktloser Schalter geschaffen, der Änderungen der Massekapazität der Steuerelektrode eines mit Feldeffekt gesteuerten Gleichrichters zur Steuerung einer großen Energie nutzt. Ferner ist dieser kontaktlose Schalter mit einem Fühler kombiniert, um einen Temperaturüberwacher, einen lichtempfindlichen Schalter, einen Magnetismusüberwacher, einen Feuchtigkeitsüberwacher oder einen Drucküberwacher zu bilden.
209842/08U

Claims (2)

  1. 2215T-67
    Patentansprüche
    f l.yiialtrleitersteuervorrichtung* gekennzeichnet durch einen mit Feldeffekt gesteuerten Gleichrichter ClD)r dessen Steuerelektrode (9) normal offen gehalten wird.
  2. 2. Halbleitersteuervorrichtung insbesondere nach
    Anspruch 1, gekennzeichnet durch einen mit Feldeffekt gesteuerten Gleichrichter (10) und eine Serienschaltung aus einem Fühler (13) und einem Widerstand, wobei der Schaltungsknoten zwischen dem Fühler (13) und dem Widerstand mit dem Steuerkreis des gesteuerten Gleichrichters (10) verbunden ist.
    20984 2 / 0 8 H
DE19722215167 1971-04-01 1972-03-28 Halbleitersteuervornchtung Pending DE2215167A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2023471A JPS5114146B1 (de) 1971-04-01 1971-04-01
JP2023371A JPS5111780B1 (de) 1971-04-01 1971-04-01

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE2215167A1 true DE2215167A1 (de) 1972-10-12

Family

ID=26357140

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19722215167 Pending DE2215167A1 (de) 1971-04-01 1972-03-28 Halbleitersteuervornchtung

Country Status (6)

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AU (1) AU450782B2 (de)
CA (1) CA975087A (de)
DE (1) DE2215167A1 (de)
FR (1) FR2132285B1 (de)
GB (1) GB1386660A (de)
NL (1) NL7204334A (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2411551A1 (de) * 1974-03-11 1975-09-18 Standard Elektrik Lorenz Ag Elektronische netzschaltanordnung fuer rundfunk- und fernsehgeraete
US4630084A (en) * 1981-02-02 1986-12-16 Siemens Aktiengesellschaft Vertical mis-field effect transistor with low forward resistance

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2411551A1 (de) * 1974-03-11 1975-09-18 Standard Elektrik Lorenz Ag Elektronische netzschaltanordnung fuer rundfunk- und fernsehgeraete
US4630084A (en) * 1981-02-02 1986-12-16 Siemens Aktiengesellschaft Vertical mis-field effect transistor with low forward resistance

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AU4069672A (en) 1973-10-11
CA975087A (en) 1975-09-23
FR2132285B1 (de) 1975-02-21
GB1386660A (en) 1975-03-12
FR2132285A1 (de) 1972-11-17
AU450782B2 (en) 1974-07-18
NL7204334A (de) 1972-10-03

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