DE2210371C3 - Vorrichtung zur Abscheidung von epitaktisch gewachsenen Halbleiterschichten auf ein Substrat - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Abscheidung von aufeinanderfolgenden, epitaktisch gewachsenen Schichten kristallinen Halbleitermaterials aus schmclzfliissigen Lösungen auf ein Substrat, das nacheinander während der durch Abkühlung hervorgerufenen Abscheidung mil diesen Lösungen in Berührung ist.

Aus Applied Physics Leiters 17. 1970, S. 109. ist eine Einrichtung zur Herstellung vielschichtiger Halbleiterplatten bekannt. Diese Einrichtung hat mehrere Bäder aus Lösungen, die jeweils eine Substanz zur Bildung einer Schicht enthalten, sowie einen Substrathalter zum aufeinanderfolgenden Eintauchen des Substrats in die Bäder, damit jeweils die Substanzen auf dem Substrat in mehrschichtiger Form aufwachsen können. Da das Substrat bei dem Epitaxialwaehstum jeder Schicht nicht der Atmosphäre ausgesetzt ist, wird eine unerwünschte Verunreinigung der Schichten vermieden, jedoch tritt das Problem auf, daß mit dem Substrat Lösung aus dem einen Bad in das folgende Bad eingeschleppt wird, so daß in diesem eine Verunreinigung erfolgt.

Aus der DT-AS 19 22 892 ist eine Vorrichtung der eingangs geschilderten Art bekannt, tue aus einem horizontal angeordneten, feuerfesten, behci/baren Röhrenofen, einem innerhalb des Ofens parallel zur Ofenlängsiu-hse angeordneten Schiffchen, auf dessen Oberseite wenigstens zwei in einer zur Ofenlängsachse parallelen Richtung ausgerichtete Ausnehmungen für die Lösungen desi-lalbleitermaterials ausgebildet sind, und einem stabförmigen Halter mit dem Substrat an seiner Längsseite besteht, wobei Halter und Schiffchen gegeneinander in axialer Richtung verschiebbar sind, um das Substrat mit den verschiedenen Lösungen in Berührung zu bringen. Diese bekannte Vorrichtung gestatiet zwar eine gegenseitige axiale Verschiebung zwischen Schiff-

ίο chen und Substratträger, jedoch keine Drehung des Trägers. Dadurch ergibt sich der Nachteil, daß die nach jedem Aufwachsen einer Schicht auf dieser verbleibende kleine Lösungsmenge infolge der einfachen axialen Verschiebung in das nachfolgende Bad geschleppt wird.

so daß sich die Zusammensetzungen der Bäder verändern und es sehr schwierig wird, die Dicken der epitaktischen Schichten zu kontrollieren.

Schließlich wurde in der DT-OS 19 46 049 schon vor geschlagen, in einem drehbaren, gefäßförmigen Träger

für das Substrat einen Tiegel für die Schmelze axial verschieblich anzuordnen. Bei dieser Ausführungsform wird in jedem Falle der Substratträger zusammen mit dem Tiegel für die Schmelze gedreht, so daß ein Herausschwenken des Substrats aus der ruhenden Schmelze nicht möglich ist.

Die Erfindung geht aus von einer Vorrichtung zur Abscheidung von aufeinanderfolgenden, epitaktisch gewachsenen Schichten kristallinen Halbleitermaterial aus schnielzflüssigen Lösungen auf ein Substrat, das nacheinander während der durch Abkühlung hervorgerufenen Abscheidung mit diesen Lösungen in Berührung ist. bestehend aus einem horizontal angeordneten, feuerfesten, beheizbaren Röhrenofen, einem innerhalb des Ofens parallel zur Ofenlängsachse angeordneten Schiffchen, auf dessen Oberseite wenigstens zwei in einer zur Ofenlängsachse parallelen Richtung ausgerichtete Ausnehmungen für die Lösungen des ll.;lbleitermaterials ausgebildet sind, und einem stabförmigen Halter mit dem Substrat an seiner Längsseitc, wobei Halter und Schiffchen gegeneinander in axialer Richtung verschiebbar sind, um das Substrat mit den verschiedenen Lösungen in Berührung zu bringen.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die Badverunreinigungen z.u vermeiden, die bei der nachcinander erfolgenden Kontaktierung des Substrates mit verschiedenen Bädern dadurch entsteht, daß das Substrat eine kleine auf ihm verbleibende Lösungsmenge jeweils in das nächste Bad mitschleppt.

Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe bei der vorge nannten Vorrichtung dadurch gelöst, daß der stabförmige Halter um seine Längsachse drehbar gelagert ist Diese Drchlagerung gestattet es, den Halter mit den Substrat nach Erreichen der erwünschten Dicke dei epitaktiseh aufgewachsenen Schicht aus der Lösiinj herauszuschwenken und von dieser vollständig zu tren nen. Durch das Abheben des Substrats von dem Bac kann anhaftende Lösung ablaufen und abtroplcn. s< daß ein Mitschleppen in das nächste Bad und dessei dadurch bedingte Verunreinigung vermieden werdet

ba Die Reinheit der Bäder gestaltet es dann, epitaktisch Schichten genau vorgegebener Dicke abzuscheidei während es bei verunreinigten Bädern schwierig is vorgegebene Schichtdicken einzuhalten.

Die erfindungsgemäße Vorrichtung ist w>rzugswcis

<>< dadurch gekennzeichnet, da 1.1 auf der Oberseite de Schiffchens sich aufwärts erstreckende, die Ausner mungen umfassende Halteplatten mit je einer fluchtet den Bohrung vorgesehen sind, in den Bohrungen de

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Halter mit einem radialen, an seinem Ende das Substrat tragenden Vorsprung gleit- und drehbar gelagert ist und der auf dem Halter zwischen den Platten angeordnete und so die Gleitbewegung des Hauers begrenzende Vorsprung eine ausreichende Länge vorsieht, so daß das Substrat bei Drehung des Halters um maximal 3W mit einer schmelzflüssigen Lösung in Kontakt gebracht und anschließend außer Kontakt bewegt werden kann.

Damit kann eine Anzahl von cpitakiischcn Schichten auf einem Substrat aufwachsen, ohne daß das Substrat der Atmosphäre ausgesetzt wird, und es kann eine unerwünschte Verschmutzung der Substratoberfläche vermieden werden. Da alle Verfahrensstufen nur durch Steuerung des Ofenrohrs erreicht werden, kann die Temperatursteuerung für die Lösung und das Substrat und die Steuerung der Stärke der epitaktischen Schicht IfJL-bi erreicht werden.

Die Erfindung wird im folgenden an Hand schcmaüseher Zeichnungen an Ausführungsbeispielen näher erläutert.

F i g. 1 zeigt einen Längsschnitt durch eine Ausführungsform der crfindungsgemäüen Einrichtung:

F i g. 2A und 4B zeigen Querschnitte nach Linie 4-4' in F i g. 1:

F i g. 3 zeigt eine Ansicht einer anderen Ausführunasform der erfindungsgemäßen Einrichtung:

P i g. 4 zeigt einen Längsschnitt der Einrichtung nach F 1 g. 3 und

F 1 g. 5A und 7B zeigen Querschnitte nach Linie 7 7' in F i g. 4.

In F i g. 1. 2a und 2b ist eine vorzugsweise gewählte Ausführungsform der erfindungsgemäßen Einrichtung dargestellt, die ein hitzefestes Ofenrohr 40 besitzt, das aus einem hit/efcsten Material, wie Quarz, besteht. Das Ofenrohr 40 wird durch eine Heizeinrichtung, beispielsueise eine Hei/spule (nicht gezeigt) erhitzt und ist um seine zentrale Achse drehbar angeordnet. In dem Ofenrohr 40 ist ein zylindrisches Schiff 41 angeordnet, das aus Graphit bestehen kann und im Bedarfsfall eine andere Form haben kann. Das Schiff 41 besitzt au seiner Umfaiigswand eine Nut 42, die sich in Längsrichtung zum Schiff 41 erstreckt. In die Nut 42 ist ein Greiforgan 43 eingesetzt, das an dem Ofenrohr 40 befestigt ist. so daß das Schiff 4'. in Umfangsrichtung gegenüber dem Ofenrohr 40 festgelegt ist. jedoch in Längsrichtung gegenüber diesem verschiebbar ist. Das Schiff 41 ist mit einer durch es in Längsrichtung hindurchgehenden Bohrung verschen, die in diesem Fall Rechtcekquerschnitt besitzt. Das Schiff 41 besitzt zwei Bäder 15a und 45/1, die mit der Bohrung 44 in Verbindung stehen und jeweils Lösungen 46;/ und 46ft tragen, die Halblcitersubstan/en in vorgewählten Verhältnissen enthalten. Im Bedarfsfall kann das Schiff 41 beliebig weitere Bäder besitzen. Das Schiff 41 besitzt eine weitere Bohrung 47, die parallel zu der Bohrung 44 verläuft. In die Bohrung 44 ist ein säulenförmiges Halteorgan 48 bündig und verschiebbar eingesetzt, das ein Substrat 50 in einem ausgesparten Abschnitt 51 hält, der den Bädern 45 zugewandt gebildet ist. Das Substrat 50 ist mittels eines Klemmorgans 52 an dem ausgesparten Abschnitt ου befestigt. Ein Anschlagorgan 53 verhindert die Bewegung des ilalteorgans 48 n«ch links (in der Zeichnung). Zur Ermittlung der Temperatur in der Nachbarschaft des Substrats 50 ist ein Thermoelement 54 in die Bohrung 47 des Schiffs 41 eingesetzt. Mit einer Seitenwand ^(>des Schiffs 41 ist eine .Schiebestange 55 zum Verschieben des Schiffs 4! nach links verbunden. Im Betrieb u'irrl (Ins Schiff zuerst derart angeordnet, daß es dem Bad 45a. das die Lösung 46a trägt, zugewandt ist und sich darüber befindet, wie dies in F i g. 1 und 2A gezeigt ist. Das Substrat kann gegen dai äußerste linke Ende des Schiffs 41 angeordnet sein, wenn die Substanzen in der Lösung 46a bei einer relativ niedrigen Temperatur verdampfen. Das Ofenrohr 40 wird dann durch die Heizeinrichtung erhitzt, um die Lösung 46a und das Substrat 50 auf eine vorbestimmte Temperatur vorzuerhitzen. Danach wird das Ofenrohr 40 zusammen mit dem Schiff 41 L-m die zentrale Achse des Ofenrohrs 40 über 180° gedreht, wie dies in F i g. 2B gezeigt ist.

Wie aus F i g. 2B ersichtlich ist, wird das Substrat 50 von der Lösung 46a überschwemmt. Die Temperatur des Ofenrohrs 40 wird verringert, um die Lösung 46a abzukühlen, wodurch die in der Lösung 46a gelösten Substanzen sich abscheiden und auf dem Substrat 50 niederschlagen und in Form einer ersten epitaktischen Schicht wachsen. Erreicht die Stärke der ersten epitaktischen Schicht einen vorbestimmten Wert, wird das Ofenrohr 40 um die zentrale Achse um 180 gedreht, damit das Schiff 41 umgedreht wird, wie dies in F i g. 2A gezeigt ist, wodurch das Substrat 50 von der Lösung 46a getrennt wird. Dann wird das Schiff 41 durch die Schiebestange 55 nach links verschoben, während die Temperatur der Lösung und des Substrats 50 gesteuert wird, bis das Substrat dem die Lösung 466 tragenden Bad 456 zugewandt ist und sich darüber befindet. Das Ofenrohr 40 wird dann um seine zentrale Achse um 180' gedreht, so daß das Schiff 41 gedreht und das Substrat 50 und die erste epitaktische Schicht mit der Lösung 46b überschwemmt werden. Die Temperatur des Ofenrohrs 40 wird dann verringert, damit sich die in der Lösung 466 enthaltenen Substanzen abscheiden und niederschlagen können und auf der ersten epilaktischen Schicht in Form einer zweiten epitaktischen Schicht wachsen können. Nach Vollendung des Wachsens der zweiten epitaktischen Schicht wird das Ofenrohr 40 um seine zentrale Achse um 180 gedreht, um das Substrat 50 von der Lösung 46b zu trennen. Es kann eine gewünschte Anzahl von Bädern vorgesehen sein, und der gleiche Vorgang, wie die oben beschriebenen, kann wiederholt werden, um nacheinander epitaktische Schichten wachsen zu lassen, die in Form einer mehrschichtigen Platte übereinanderlicgen.

Dabei ist /.u bemerken, daß das Schiff 41 im Bedarfsfall derart angeordnet sein kann, daß es an der Innenumfangswand des Ofenrohrs 40 in Dmfangsriehtung dieses Ofenrohrs 40 verschiebbar ist, indem das Greiforgan weggelassen wird.

Aus den vorhergehenden Ausführungen ergibt sich folgendes: Wird das Schiff 41 verschoben, damit das Substrat 50 der folgenden Lösung zugewandt sein kann und sich darüber befinden kann, sind das Substrat 50 und der ausgesparte Abschnitt 51 umgekehrt, wodurch die beim epitaktischen Wachsen mit dem Substrat 50 in Berührung stehende Lösung vollständig von dem Substrat 50 abgetropft wird, wodurch die ungewünschte Vormischung zwischen den einander benachbarten Lösungen vermieden werden kann.

In F i g. :>, 4 und 5 ist ein Hauptabschnitt einer weiteren Ausführungsform der erfindungsgemäßen Einrichtung gezeigt, die ein Schiff 41 mit zwei Bädern 45a und 456 aufweist, die jeweils eine Lösung tragen, die I IaIbleiterMibstiinz.cn enthält. Aneinander gegenüberliegen den Schullerabschnitten des Schiffs 41 ist ein Paar Buchsenorigane 60 und 60' angeordnet, die in ihrem zentralen Abschnitt jeweils eine Bohrung h.iben. Lm Säiilcnhalteorgan 48 ist auf diesen Buchsennrganen 60

und 60' gelagert. Das Halteorgan 48 besitzt eine Ausladung 51 mit einem äußeren linde /um Tragen eines Substrats 50, auf dem eine Mehrschichtplatte wachsen soll. Die Ausladung 51 sollte eine derartige Höhe haben, daß ihr Endabschniti durch das Bad 45;) oder 45b lauft, wenn das Halteorgan 48 einmal um sich selbst gedreht wird.

Die obige Anordnung ist in einem hit/.efesten Ofenrohr 40 angeordnet, wie dies in Γ i g. 4 gezeigt ist.

Beim Betrieb wird das Halteorgan 48 zuerst so angeordnet, daß das Substrat 50 von der Lösung 45;/ getrennt ist. wie dies in F i g. 5A gezeigt ist. Das Ofenrohr 40 wird dann durch die Heizeinrichtung erhitzt, so daß die Lösung 46;f und das Substrat 50 auf eine vorbestimmte Temperatur vorerhitzt wird. Danach wird das Halteorgan 48 derart gedreht, daß das Substrat 50 in die Lösung 46a eintaucht, wie dies in Fig. 5B gezeigt ist. Die Temperatur des Ofenrohrs 40 wird verringert, um die Lösung 46a abzukühlen, wodurch die in der Lösung 46.1 gelösten Substanzen sich abscheiden und niederschlagen und auf dem Substrat in Form einer epiluklischen Schicht wachsen. Erreicht die Stärke der epitaktischen Schicht einen vorbestimmten Wert, wird das Halteorgan 48 gedreht, um das Substrat in seine Anfangslage zu bringen. Dann wird das Halteorgan 48 in der Bohrung der Buchsenorgane 60 und 60' verschoben, bis das Substrat 50 sich über der folgenden Lösung 46b befindet, während die Temperaturen der Lösung 466 und des Substrats 50 gesteuert werden. Das Haiteorgan 48 wird wieder um seine zentrale Achse gedreht, um das Substrat 50 und die vorher gewachsene epilaküsche Schicht in die Lösung 466 einzutauchen. Die Temperatur der Lösung 46 wird dann verringert, damit die in der Lösung 46b enthaltenen Substanzen sich abscheiden und niederschlagen und auf der zuvor gewachsenen epitaktischen Schicht wachsen. Nach Vollendung des Wachsens der folgenden epitaktischen Schicht wird das Halteorgan 48 derart gedreht, daß es das Substrat 50 von der Lösung 46b trennt. Es kann natürlich eine beliebige Anzahl an Bädern vorgesehen sein und der gleiche Vorgang wie die im vorhergehenden beschriebenen Vorgänge wiederholt werden, um aufeinanderfolgend eine beliebige Anzahl von epitaktischen Schichten zu wachsen, die in mehrschichtiger Form übereinanderliegen.

Durch Verwendung der Einrichtung nach F i g. 1, 2A und 2B wurden verschiedene Verfahren zur Bildung einer mehrschichtigen Platte durchgeführt, die in den folgender, Beispielen beschrieben sind:

B e i s ρ i e 1 I ^S°

Als Substrat 50 wurde eine kristalline n-GaAs-Platte \erwendet. Die Lösung 46a enthielt eine bestimmte Menge an Gallium als Lösungsmittel und Galliumarsenid in einer solchen Menge, daß sich eine gewünschte Menge an Galliumarsenid durch Verringerung der Temperatur der Lösung abscheidet. Die Lösung 46a enihielt ferner Aluminium in einer Menge von 0.1 5 Gewichtsprozent des Lösungsmittels Gallium und eine kleine Menge Silicium als Säörstoff. Die Lösung 46b enihielt Gallium als Lösungsmittel und Galliumarsenid in einer derartigen Menge, daß sich eine gewünschte Menge an Galliumarsenid durch Verringerung der Temperatur dür Lösung 466 abscheidet. Die Lösung 4hb enthielt IVrner Aluminium in einer Menge von 0.3 Gewichtsprozent des Lösungsmittels Gallium und eine kleine Menge an Silicium ;ils Störstoff. Vor Finiaui-lu'ii lic- Substrats 50 in die l.osunn 4f-..i wurde das .Sun strat und die Lösung 46a auf etwa HbO C" vorerhit/t. Das Ofenrohr 40 wurde dann gedreht, um das Substrat 50 mit der Lösung 46a in Berührung zu bringen, und die Lösung 46,i und das Substrat 50 wurden zuerst mil einer Geschwindigkeit von 15 C'/min abgekühlt uiul dann mit einer anderen Geschwindigkeit. 11a111hi.l1 2"C7min abgekühlt, um dadurch eine erste epiuikiixchc Schicht aus GaAIAs-Kristall mit Si-Störstoff /11 wachsen. Die erste epitaktische Schicht hatte daher wegen der Eigenschaft des Siliciumslörstoffs einen p-leitliihigen Bereich und einen anderen Bereich mit n-Leitfahigkeit. Nach Vollendung des im vorhergehenden beschriebenen Wachsens der ersten epitaküschen Schicht wurde das Ofenrohr 40 gedreht, um das Substrat 50 von der Lösung 46a zu trennen, und in Richtung der zentralen Achse des Ofenrohrs 40 verschoben, damit das Substrat 50 der Lösung 46/? zugewandt wurde und sich über dieser befand. Das gleiche Verfahren wie für die erste epitaktische Schicht wurde wiederholt, um eine zweite epitaktische Schicht auf der ersten epitakii sehen Schicht aus GaAIAs-Kristall herzustellen. Die zweite epitaktische Schicht hatte ebenfalls p-leitfähigc und n-leitfähige Bereiche. Die erste epitaktische Schicht aus GaAIAs-Kristall enthielt AIAs-Komponente in 20% des Molcnbruchs, und die /weite epitaktische Schicht aus GaAlAs enthielt die AIAs-Komponente m 50% des Molenbruchs. Weiterhin hatte die zweite cpilaktische Schicht ein breiteres verbotenes Band als die erste epitaktische Schicht, so daLi Lichtstrahlen, die in dem verbotenen Band in der ersten cpitaktischer. Schicht erzeugt werden, weitestgehend abgcsti\ihl; werden, ohne in der zweiten Schicht absorbiert zu werden, wenn die Mehrschichtplatte als Lcuchtelement verwendet wird.

Beispiel Il

Als Substrat 50 wurde eine Platte aus n-leitfähigem GaP-Kristali mit einer großen Menge an Gitterfehlern verwendet. Die Lösung 46a enthielt cm Lösungsmittel aus Gallium und gelöstes Galliumphosphid in einer solchen Menge, daß sich eine gewünschte Menge an Galliumphosphid durch Verringerung der Temperatur der Lösung 46a abscheidet. Die Lösung 46a enthielt ferner Tellur mit 0,01 Moiprozent des Lösungsmittels als .Störstoff. Die Lösung 46b enthielt ein Lösungsmittel \on Galliumphosphid, gelöstes Gallium in der gleichen Menge wie die Lösung 46;< und Zink mit 002 Molprozent des Lösungsmittels als Störstoff.

Die im vorhergehenden beschriebene Einrichtung arbeitete in gleicher Weise mit der Ausnahme, daß die Lösung und das Substrat auf etwa 1000 C" vorerhit/t und mit einer Geschwindigkeit von ! Γ C/rnin abgekühlt wurden. Als Ergebnis wurde eine Platte erhalten. die eine erste epitaktische Schicht aus n-GaP und eine zweite epitaktische Schicht aus p-GaP enthält. Zwischen der ersten und der zweiten Schicht wurde ein pn-Übergang gebildet. Der pn-Übergang strahlt bei 1 rregung durch eine elektrische Energie grüne oder gelbe Lichtstrahlen aus.

Beispiel III

Das Schiff 41 hatte in diesem Faii drei Bader. Als Substrat 50 wurde eine Platte aus Galliumarsenid \erwendet. Die erste und dritte Lösung enthielten jeweils ein Lösungsmittel aus Gallium und gelöstes Galliumarsenid in einer derartigen Menge, daß die Losung bei etwa «50"C" gesättigt ist. Die Lösungen enthielten ferner Aluminium mit 0.02 Gewichtsprozent des Lösungs-

mittels und eine Spur an Slörstoff aus Zink und Zinn. Eine zweite Lösung enthielt ein Lösungsmittel Gallium und gelöstes Galliumarsenid in einer derartigen Menge, daß die Lösung bei etwa 850⁰C gesättigt ist. Die zweite Lösung erhielt ferner eine Spur Silicium.

Die im vorhergehenden beschriebene Einrichtung wurde in gleicher Weise wie bei Beispiel Il betrieben. Die resultierende Platte strahlte Laserstrahlen mit einem Spektrum mit einer Spitze bei 1,45 eV aus, wenn die Platte als Fabry-Perot-Halbleiterlaser verwendet wurde.

Beispiel IV

Selbst wenn die Oberfläche des Substrats vergiftet ist oder eine Menge Störstellen oder Verunreinigungen

enthält, wurde eine vorteilhafte Halbleiterplatte mit dem folgenden Verfahren erhalten:

Eine erste Lösung enthielt ein Lösungsmittel und in Lösung die gleiche Substanz wie eine das Substrat bildende Substanz. Die Menge der gelösten Substanz wurde derart gewählt, daß sie die erste Lösung nicht sättigt, wenn diese vorerhitzt wurde. Somit wurde die Substanz in der Oberfläche des Substrats gelöst, bis die Substanz die erste Lösung sättigte, so daß die Oberfläche gereinigt wurde, wenn das Substrat in die Lösung eingetaucht wurde. Danach wurde das gleiche Verfah ren wie in den vorhergehenden Beispielen wiederholt urn eine Anzahl von epitaktisehen Schichten auf der sr gereinigten Oberfläche des Substrats herzustellen.

Hierzu 2 Blatt Zeichnungen 309 684/238

Claims (2)

Kaiemansprüc'ne:

1. Vorrichtung zur Abscheidung von aufeinanderfolgenden, epitaktisch gewachsenen Schichten kristallinen Halbleitermaterials aus schmelzflüssigen Lösungen auf ein Substrat, das nacheinander während der durch Abkühlung hervorgerufenen Abscheidung mil diesen Lösungen in Berührung ist. bestehend aus einem horizontal angeordneten, feuerfesten, beheizbaren Röhrenofen, einem innerhalb des Ofens parallel zur Ofenlängsachse angeordneten Schiffchen, auf dessen Oberseite wenigstens zwei ir einer zur Ofenlängsachse parallelen Richtung ausgerichtete Ausnehmungen für die Lösungen des Haibieitermaterials ausgebildet sind, und einem stabförmigen Halter mit dem Substrat an seiner Längsseitc, wobei Halter und Schiffchen gegeneinander in axialer Richtung verschiebbar sind, um das Substrat mit den verschiedenen Lösungen in Berührung zu bringen, dadurch gekennzeichnet, daß der stabförmige Halter (48) um seine Längsachse drehbar gelagert ist.

2. Vorrichtung nach Anspruch 1. dadurch gekennzeichnet, daß auf der Oberseite des Schiffchens (41) sich aufwärts erstreckende, die Ausnehmungen umfassende Halteplatten (60. 60') mit je einer fluchtenden Bohrung vorgesehen sind, in den Bohrungen der Halter (48) mit einem radialen, an seinem Ende das Substrat (50) tragenden Vorsprung (51) gleit- und drehbar gelagert ist und der auf dem Halter (48) zwischen den Platten (60, 60') angeordnete und so die Gleitbewegung des Halters (48) begrenzende Vorsprung (51) eine ausreichende Länge vorsteht, so daß das Substrat (50) bei Drehung des Halters (48) um maximal 3b0 mit einer schmclzflüssigen Lösung (45,-i. 45/i) in Kontakt gebracht und anschließend außer Kontakt bewegt werden kann.