DE2204272B2 - Einrichtung zum programmieren eines binaeren halbfestwertspeichers - Google Patents

Description

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Die Erfindung betrifft eine Einrichtung zum Programmieren eines binären matrixförmigen Halbfestwertspeichers, dessen Speicherzellen durch Spannungsimpulse aktivierbar und durch Lichteinwirkung löschbar sind.

Eine bekannte Einrichtung zum Programmieren der obengenannten Halbfestwertspeicher ist in der Zeitschrift »Elektronik-Entwicklung«, Dezember 1971, Seiten 14 und 15 beschrieben. Sie besitzt für die Aktivierung der Speicherzellen für jede Zelle eine X- und eine V-Leitung.

Durch selektives aufeinanderfolgendes Ansteuern der X- und y-Leitungen werden die Speicherzellen entsprechend dem zu programmierenden Arbeitsprogramm auf logisch »Null« gebracht, d. h. aktiviert oder im nicht aktivierten Zustand, der loggen »L« entspricht, belassen.

Da bei der bekannten Einrichtung die Speicherzellen entsprechend dem Arbeitsprogramm jeweils einzeln nacheinander nach dem -Y-K-Koordinaten-System angesteuert werden müssen, ist eine komplizierte elektronische Einrichtung erforderlich. Gleichgültig, ob diese Einrichtung hand- oder lochstreifengesteuert ist, in jedem Fall ist der Programmiervorgang aufwendig und ^₀ zeitraubend.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Einrichtung zum schnelleren Programmieren des angegebenen Halbfestwertspeichers anzugeben.

Die Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß elektrische Brücken in den X- und V-Leitungen vorgesehen sind, über die zuerst alle Speicherzellen des Speichers gleichzeitig aktiviert werden, und daß anschließend der Speicher von einer Lichtquelle über mindestens eine Blende, die den Lichtzutritt zu den nicht zu markierenden Speicherzellen gleichzeitig ermöglicht, um! eine Optik bestrahlt wird, derart, daß das eewünschte Programm im Speicher verbleibt.

Es wird erwähnt daß aus der DT-AS 12 93 853 ein photographisches Aufzeichnungsverfahren zur Herstel lung von Positiven bekannt ist bei dem ein lichtempfindlicher Aufzeichnungsträger mit einer Halbleiteroberfläche zuerst gleichmäßig durch Überfluten mit aktivierenden Strahlen angeregt wird. Danach werden einzelne Flächenteile selektiv mit entaktivierenden Strahlen entaktiviert und anschließend erfolgt die Entwicklung. Bei diesem Verfahren ist eine Beeinflussung der halbleitenden Schicht durch elektrische Signale nicht voi gesehen und nicht möglich. Außerdem handelt es sich um einen nichtreversiblen Vorgang.

Bei der neuen Einrichtung entfällt das zeifrauberde und aufwendige selektive Ansteuern der einzelnen Speicherzellen nach ihren X- und V-Koorditiaier: Es wird das bekannte aufeinanderfolgende selektive Programmieren durch ein gleichzeitiges selektives Löschen ersetzt.

Die Verwendung eines oder mehrerer gesonderter Datenträger als Blende, z. B. herkömmliche Lochkarten bzw. Lochstreifen bei der Einrichtung ermöglicht eine weitere Vereinfachung gegenüber der bekannten lochstreifengesteuerten Programmiereinrichtung, da der Datenträger beim Löschen unmittelbar, d. h ohne mechanisch-elektronische Umsetzung verwendet wird.

Als Blenden eignen sich neben den bekannten Lochkarten und Lochstreifen beispielsweise auch transparente Datenträger, auf denen das Programm ein· oder mehrfarbig aufgedruckt ist. Ganz allgemein kommen strahlungsdurchlässige Platten mit dem Programm entsprechenden strahlungsundurchlässigcn Abdeckungen in Frage.

Die erfindungsgemäße Einrichtung eignet sich beson ders vorteilhaft zum Programmieren eines an sich bekannten elektronisch nach X- und K-Koordinaten programmierbaren Halbfestwertspeichers mit durch Bestrahlung mit UV-Licht löschbarem Speicherinhalt. Der Datenträger, z. B. in Form der Lochkarte, der in diesem Fall das Programm für das selektive Löschen, d. h. also das negative Arbeitsprogramm enthält, kann dabei direkt zur Steuerung des Strahlengangs des UV-Lichts eingesetzt werden. An Stelle des UV-Lichts ist die Verwendung von Strahlen anderer Wellenlänge denkbar.

Zur Durchführung des selektiven Löschens ist lediglich eine Einrichtung erforderlich, welche die Löschimpulse je nach Größe des Datenträgers durch Streuen bzw. Bündeln auf das Format des Halbfestwertspeichers, gezielt auf die einzelnen Positionen der Speicherzellen, überträgt. Hierzu können bei Verwendung des obengenannten bekannten Halbfestwertspeichers beim selektiven Löschen die UV-Strahlen mittels einer Optik aus die UV-Strahlen leitenden, nicht absorbierenden Werkstoffen übertragen werden. Als einfache Übertragungseinrichtung kann eine Optik aus einem ein- oder mehrstückigen, bevorzugt als massives Teil ausgebildeten Quarzkörper oder eine entsprechende Faseroptik verwendet werden, welche die Umsetzung der UV-Strahlen vom Datenträgerformat auf das Format des Festwertspeichers besorgt. Die genannte Optik kann auch bei Anwendung anderer Strahlen als UV-Licht zum Löschen des Festwertspeichers Verwendung finden. Möglich ist auch die Anwendung eines

freien optischen Projektionsverfahrens für den Strah lengang, z. B. aus UV-Licht, mit dem Datenträger als auf dem Halbfestwertspeicher abzubildendes Objekt.

Die Erfindung wird nun an Hand Jer Zeichnungen beispielsweise näher erläutert Es zeigt

F i g. 1 das Aktivieren sämtlicher Speicherzellen;

F i g. 2 das selektive Löschen bestimmter Speicherzellen;

F i g. 3 eine Optik aus einem massiven Quarzkörper im Querschnitt;

F i g. 4 eine Faseroptik.

In Fig. 1 ist ein Halbfestwertspeicher 1 mit den X- und V-Anschlüssen gezeigt Mittels der Kontaktschiene 2 werden sämtliche X-Anschlüsse gleichzeitig angesteuert, während über die Kontaktschiene 3 sämtliche V-Anschlüsse gleichzeitig einen Spannungsimpuls erhalten.

Hierdurch ist es auf einfache Weise möglich, sämtliche Speicherzellen g/eichermaßen auf den Zustand logisch »Null« zu bringen.

Fig. 2 zeigt in einem in etwa wirklichkeitsgetreuen Maßstab eine Lochkarte 4 und den Halbfestwertspeicher 1 in der Seitenansicht. Der Abstand /wischen der Lochkarte und dem Halbfestwertspeicher wird überbrückt mittels eines als Strahlenleitkörper dienenden Quarzkörpers 5. Die Lochkarte 4 wird von oben her mittels Ultraviolett (UV)-Licht aus der Lichtquelle 6 bestrahlt. Entsprechend der Lochung in der Lochkarte 4 werden die UV-Strahlen auf bestimmten W::gen zu ganz bestimmten, den Speicherzellen entsprechenden Punkten auf dem Halbfestwertspeicher gelenkt — ein solcher möglicher Strahlengang ist gestrichelt eingezeichnet —, wodurch die getroffene Speicherzelle z. B. bei 7. gelöscht, d.h. auf den Zustand logisch »L« gebracht wird.

F i g. 3 zeigt den Aufbau des Quarzkörpers 5, nämlich einen Schnitt Il gemäß Fig. 2 durch den Quarzkörper. De^r massive Quarzkörper 5 enthält einzelne optisch S voneinander getrennte Lichtkanäle 8a, Sb usw., so daß sich an diesem vereinfachten Beispiel ein Raster mit insgesamt 18 Speicherzellen ergibt. Die Lichtkanäle können z. B. einzelne konisch Lulaufende Stäbe sein, deren Wände eine strahlungsdurchlässige Schicht

ίο aufweisen. Durch Zusammenfügen dieser Stäbe entsteht der Quarzkörper 5. Jeder Lichtkanal grenzt mit einem Ende an eine Informationszelle der Lochkarte 4 und mit dem anderen Ende an eine Speicherzelle des Halbfestwertspeichers 7 an. Der in F i g. 2 gestrichelt gezeichnete Strahlengang benutzt beispielsweise den Lichtkanal 8cgemäß Fig. 3.

F i g. 4 zeigt in schematischer Darstellung die Übertragung der Impulse von der Lochkarte 4 auf den Halbfestwertspeicher 1 mittels einer Faseroptik aus den als Strahlenleiter dienenden Fasern 9j, 9b usw. Die Fasern sind mit einem Ende jeweils an eine dem Format der Lochkurie 4 angepaßte Rasterplatte 10 und mit dem anderen Ende an eine dem Format des Halbfestwertspeichers 7 angepaßte Rasterplatte 11 angeschlossen.

Die Kaster der Platten 10 und 11 entsprechen der Anordnung der Informationszellen auf der Lochkarte bzw. auf dem Halbfestwertspeicher.

Die Fasern 9a, 9b usw. münden mit ihren Enden in entsprechende Bohrungen in den Rasterplatten 10 bzw.

U. Bei Verwendung der Faseroptik ergibt sich der zusätzliche Vorteil, daß die von der Lochkarte kommenden Lichtimpulse durch entsprechendes Verbiegen der Fasern auch umgelenkt, also nicht nur auf geradem Weg übertragen werden können.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (6)

Patentansprüche:

1. Einrichtung zum Programmieren eines binären matrixförmigen Halbfestwertspeichers, dessen Speicherzellen durch Spannungsimpulse aktivierbar und durch Lichteinwirkung löschbar sind, dadurch gekennzeichnet, daß elektrische Brücken (2, 3) in den X- und V-Leitungen vorgesehen sind, über die zuerst alle Speicherzellen des Speichers (1) gleichzeitig aktiviert werden, und daß anschließend der Speicher von einer Lichtquelle (6) über mindestens eine Blende (4), die den Lichtzutritt zu den nicht zu markierenden Speicherzellen (7) gleichzeitig ermöglicht, und eine optik (5, 9) bestrahlt wird, derart, daß das gewünschte Programm im Speicher verbleibt

2. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Lichtquelle (6) ultraviolettes Licht abstrahlt.

3. Einrichtung nach Anspruch 1 oder 2. dadurch gekennzeichnet, daß die Blende (4) eine handelsübliche Lochkarte ist.

4. Einrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Optik (5, 9) die Größe der Blende an die Größe des Speichers anpaßt.

5. Einrichtung nach Anspruch 4. dadurch gekennzeichnet, daß die Optik aus einem ein- oder mehrstückigen Quarzkörper (5) besteht.

6. Einrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Optik eine Faseroptik (9) ist.