DE2165299C3 - Verfahren zur Herstellung einer für Blase ndomänenanwendungsgebiete brauchbaren magnetischen Schicht - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer für Blase ndomänenanwendungsgebiete brauchbaren magnetischen Schicht

Info

Publication number
DE2165299C3
DE2165299C3 DE2165299A DE2165299A DE2165299C3 DE 2165299 C3 DE2165299 C3 DE 2165299C3 DE 2165299 A DE2165299 A DE 2165299A DE 2165299 A DE2165299 A DE 2165299A DE 2165299 C3 DE2165299 C3 DE 2165299C3
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
edge
etched
bubble
magnetic layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE2165299A
Other languages
English (en)
Other versions
DE2165299B2 (de
DE2165299A1 (de
Inventor
Paul Jerome Mission Viejo Besser
David Murray Organge Heinz
Jack Everett Anaheim Mee
George Richard Anaheim Pulliam
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Boeing North American Inc
Original Assignee
North American Rockwell Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by North American Rockwell Corp filed Critical North American Rockwell Corp
Publication of DE2165299A1 publication Critical patent/DE2165299A1/de
Publication of DE2165299B2 publication Critical patent/DE2165299B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2165299C3 publication Critical patent/DE2165299C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C19/00Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
    • G11C19/02Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
    • G11C19/08Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
    • G11C19/0808Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure using magnetic domain propagation
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C19/00Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
    • G11C19/02Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
    • G11C19/08Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
    • G11C19/0808Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure using magnetic domain propagation
    • G11C19/0833Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure using magnetic domain propagation using magnetic domain interaction
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F10/00Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Thin Magnetic Films (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer für Blasendomänenanwendungsgebiete brauchbaren magnetischen Schicht.
Magnetische Blasendomänen in einer Schicht aus magnetischem Material, wie z. B. Yttriumorthoferrit, sind bekannt und werden in der USA.-Patentschrift 3460116 beschrieben. Magnetische Blasendomänen in zusammengesetzten Strukturen mit einer dünnen Schicht aus einem einkristallinen Eisengranat und einer Oxidunterlage werden in der deutschen Patentanmeldung P 2063211.5 beschrieben. Das Bewegen von Blasendomänen in Kanälen oder Streifen aus diesen magnetischen Schichten wird in der deutschen Patentanmeldung P 21 34 148.0 beschrieben. Auf diese Anmeldungen wird hier Bezug genommen.
Schichten, die für eine Blasendomänenanwendung geeignet sind, werden in bequemer Weise nach dem chemischen Dampfabscheidungsverfahren hergestellt, das in der deutschen Patentanmeldung P 20 28 082.4, angemeldet am 8. Juni 1970, beschrieben ist.
Es ist davon auszugehen, daß die Eigenschaften der magnetischen Schicht und die Größe des angelegten magnetischen Steuerfelds derart sind, daß beständige Blasendomänen existieren. Wenn Schichten dieses Typs gebildet werden, ist im allgemeinen der Rand bzw. die Kante der Schieb; eine empfindliche Stelle für die Bildung unerwünschter Kristallflächen, fehlorientierter Abscheidungen, dickerer Abscheidungen und anderer Merkmale, die zur Domänenkernbildung und als Domänenfestlegungspunkte dienen. Wenn die Schichten am Rand dicker sind, neigen die Blasendomänen dazu, zu dem Schichtrand hinzuziehen oder an dem Schichtrand zu verbleiben.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein verbessertes Verfahren zur Herstellung einer für Blasen- domänenanwendungsgebiete brauchbaren magnetischen Schicht zur Verfügung zu stellen.
Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung dadurch
299
gelöst, daß der ursprüngliche Rand der Schicht entfernt und ein glatter, gut ausgeprägter Schichtrand gebildet wird, von dem durch Anlegen eines Magnetfelds gebildete Blasendomänen abgestoßen werden.
Durch die Erfindung wird erreicht, daß in der magnetischen Schicht entstehende Blasendomänen nicht zum Schichtrand hingezogen werden oder an dem Schichtrand verbleiben.
Nach einer Ausgestaltung der Erfindung wird der ursprüngliche Rand der Schicht durch Ätzen entfernt.
Nach einer bevorzugten Verfahrensweise kann die magnetische Schicht chemisch geätzt werden.
Es hat sich dabei als vorteilhaft erwiesen, daß die Schicht mit Phosphorsäure geätzt wird.
Nach einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung kann die Schicht durch Ionenbombardement geätzt weiden.
Nach noch einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung kann der ursprüngliche Rand der Schicht durch Bearbeiten mit Laserstrahlen entfernt werden.
Die Merkmale und Vorteile der Erfindung werden in der nachfolgenden ausführlichen Beschreibung und den Zeichnungen näher erläutert. Die Zeichnungen geben bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung wieder. Es zeigt
Fig. 1 eine Querschnittansicht eines bestimmten Teils einer zusammengesetzten Struktur aus magnetischer Schicht und Unterlage mit darin enthaltenen Blasendomänen,
Fig. 2 eine Querschnittansicht eines geätzten Exemplars der in der Fig. 1 dargestellten Struktur,
F i g. 3 eine Querschnittansicht eines zweiten geätzten Exemplars der in der Fig. 1 dargestellten Struktur und
Fig. 4 eine Querschnittansicht eines dritten geätzten Exemplars der in der Fig. 1 dargestellten Struktur.
Wie in der Fi g. 1 veranschaulicht ist, wird auf einer einkristallinen Unterlage 10 eine dünne Schicht aus magnetischem Blasendomänenmaterial 12 ausgebildet.
Die Unterlage 10 ist ein einkristalliner Granat mit einer Zusammensetzung J1Q5O12, worin der J-Bestandteil wenigstens ein Element der aus Cer, Praseodym, Neodym, Promethium, Samarium, Europium, Gadolinium, Terbium, Dysprosium, Holmium, Erbium, Thulium, Ytterbium, Lutetium, Lanthan, Yttrium, Calcium und Wismut bestehenden Gruppe ist und der Q-Bestandteil wenigstens ein Element der aus Indium, Gallium, Scandium, Titan, Vanadin, Chrom, Mangan, Rhodium, Zirkonium, Hafnium, Niob, Tantal, Aluminium, Phosphor, Arsen und Antimon bestehenden Gruppe ist.
Beispiele für Unterlagematerialien sind Y04^Gd2 ,,Ga5O12. Dy1165Gd215Ga5O12 und
Sm3Ga5O12.
Die Schicht aus dem Blasendomänenmaterial ist eine einkristalline Granatschicht mit einer Zusammensetzung J3Q5O12, worin der J-Bestandteil der Schichtzusammensetzung wenigstens ein Element der aus Cer, Praseodym, Neodym, Promethium, Samarium, Europium, Gadolinium, Terbium, Dysprosium, Holmium, Erbium, Thulium. Ytterbium, Lutetium, Lanthan und Yttrium bestehenden Gruppe enthält und der Q-Bestandteil der Schichtzusammensetzung der aus Eisen, Eisen und Aluminium, Eisen und Gallium, Eisen und Indium, Eisen und Scandium, Eisen und Titan, Eisen und Vanadin, Eisen und Chrom und
Eisen und Mangan bestehenden Gruppe entnommen ..«st.
Bevorzugte Schichtmaterialien sind Eisengranate wie z. B. Y3Ga14Fe38O12 und Tb3Fe5O1,.
Die zusammengesetzte Struktur aus Eisengranatschicht und Unterlage weist eine Schicht mit einer bestimmten Magnetostriktionskonstanten und eine bestimmte Differenz zwischen den Gitterkonstanten der Schicht und der Unterlage auf. Dieses Erfordernis wird im einzelnen in drei schwebenden deutschen Pa- »° tentanmeldungen (Aktenzeichen P 2165 296.0, P 21 65 297.1 und P 2165298.2) erörtert, auf die hier Bezug genommen wird.
Der Schichtteil 12, der in der Fi g. 1 dargestellt ist, enthält Blasendomänen 14, die in im wesentlichen 1S gleichmäßigen Abständen voneinander und von dem Rand der ursprünglich aufgewachsenen Schicht vorhanden sind. Diese Blasendomänen sind durch Anlegen eines geeigneten Magnetfeldes gebildet worden. Entlang der Kante 11 dar ursprünglich aufgewachse- *o nen Schicht stellen die Domänen Schlangenkurven dar und werden an der Kante festgehalten. Diese Blasendomänen haben im allgemeinen, wie z. B. in substituierten Eisengranaten, eine Größe von etwa 0,00064 cm und sind in einem Abstand voneinander a5 angeordnet, der etwa das Dreifache des Blasendomänendurchmessers ausmacht.
Obwohl Granate die bevorzugten Materhlien für die Unterlage und die Schicht sind, können andere Oxidmaterialien für die Unterlage benutzt werden, 3<> und zwar insbesondere wenn die Schicht aus einem Orthoferritmaterial besteht.
Die in der Fig. 1 dargestellte zusammengesetzte Struktur aus Schicht und Unterlage wird dann einer Ätzung unter Anwendung photolithographische Ätztechniken der in der Halbleiterindustrie im allgemeinen benutzten Art unter Verwendung eines Ätzmittels, z. B. Phosphorsäure, unterworfen, wobei die in der Fig. 2 dargestellten Kanten 24 und 26 gebildet werden. Zum Beispiel wird der Schichtteil 22 mit einer dünnen Schicht aus Siliciumdioxid zwischen den Kanten 24 und 26 abgedeckt. Phosphorsäure greift den Schichtteil 22 zwischen den Kanten 24 und 26 nicht an, während die Schichtteile 12 (nicht dargestellt) auf der nicht abgedeckten Seite der Ränder 24 und 26 durch die Säure gelöst werden.
Wie in der Fig. 2 dargestellt ist, befinden sich die Blasendomänen 28 in dem inneren Schichtteil 22. Die Blasendomänen 28 werden von den Rändern 24 und 26 abgestoßen. Die in Schlangenkurvenform vorliegenden Domänen 23 bleiben an den Gitterfehlordnungen entlang des ungeätzten Randes 21 hängen, doch sind weder in Schlangenkurven vorliegende Domänen noch Blasendomänen an den geätzten Rändern 24 und 26 vorhanden. Dje Gitterfehlordnungen entlang des ungeätzten Randes 21 dienen als potentielle Stellen für unerwünschte Kernbildung oder Blasendomänenerzeugung.
In der Fi g. 3 ist die Schicht so geätzt, daß ein relativ schmaler Schichtstreifen 32 auf der Unterlage 30 mit Rändern 34 und 36 ausgebildet worden ist. Eine einzige Linie aus Elasendomänen 38 ist in Abständen in der Mitte des Streifens 32 und entfernt von den Rändern 34 und 36 angeordnet.
In der Fig. 4 hat die Schicht die Form einer Scheibe. Die Schicht ist unter Ausbildung einer Scheibe 42 auf der Unterlage 40 geätzt worden. Blasendomänen 44 sind in der Mitte der Scheibe 42 und entfernt von dem Scheibenrand 46 angeordnet. Wie in den Fig. 2,3 und 4 gezeigt ist, neigen die Blasendomänen in den geätzten Schichten dazu, in einem Abstand entfernt von dem geätzten Rand der Schicht aufzutreten. Dieser Zwischenraum, d. h. der Abstand von dem äußeren Schichtrand, führt zu einer Struktur, die als solche für viele besondere Anwendungen von Geräten, in denen Blasendomänen eine Rolle spielen, geeignet sind.
Obwohl mehrere bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung beschrieben worden sind, ist davon auszugehen, daß gemäß der Erfindung zahlreiche andere Gebilde oder Domänenkonstellationen durch Ätzen erhalten werden können.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims (5)

2 Patentansprüche:
1. Verfahren zur Herstellung einer für Blasendomänenanwendungsgebiete brauchbaren rna- gnetischen Schicht, dadurch gekennzeichnet, daß der ursprüngliche Rand der Schicht entfernt und ein glatter, gut ausgeprägter Schichtrand gebildet wird, von dem durch Anlegen eines Magnetfeldes gebildete Blasendomänen abgestoßen werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der ursprüngliche Rand der Schicht durch Ätzen entfernt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch ge- 1S kennzeichnet, daß die Schiebt mit Phosphorsäure geätzt wird.
4. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht durch Ionenbombardement geätzt wird. ao
5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der ursprüngliche Rand der Schicht durch Bearbeiten mit Laserstrahlen entfernt wird.
DE2165299A 1970-12-28 1971-12-23 Verfahren zur Herstellung einer für Blase ndomänenanwendungsgebiete brauchbaren magnetischen Schicht Expired DE2165299C3 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10174170A 1970-12-28 1970-12-28

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2165299A1 DE2165299A1 (de) 1972-07-13
DE2165299B2 DE2165299B2 (de) 1974-11-14
DE2165299C3 true DE2165299C3 (de) 1975-08-07

Family

ID=22286161

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2165299A Expired DE2165299C3 (de) 1970-12-28 1971-12-23 Verfahren zur Herstellung einer für Blase ndomänenanwendungsgebiete brauchbaren magnetischen Schicht

Country Status (7)

Country Link
US (1) US3753814A (de)
JP (1) JPS518774B1 (de)
CA (1) CA961155A (de)
DE (1) DE2165299C3 (de)
FR (1) FR2121043A5 (de)
GB (1) GB1367125A (de)
NL (1) NL7114340A (de)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3824568A (en) * 1972-11-24 1974-07-16 Bell Telephone Labor Inc Single wall domain propagation arrangement
US3930244A (en) * 1974-08-05 1975-12-30 Ibm Bubble domain lattice buffer arrangement
US3953842A (en) * 1974-10-25 1976-04-27 International Business Machines Corporation Bubble lattice initialization
US4098917A (en) * 1976-09-08 1978-07-04 Texas Instruments Incorporated Method of providing a patterned metal layer on a substrate employing metal mask and ion milling
US4060448A (en) * 1977-01-28 1977-11-29 Allied Chemical Corporation Yttrium iron garnet disks on gadolinium gallium substrates for microwave applications
JPS57190471U (de) * 1981-05-29 1982-12-02

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL190814A (de) * 1957-08-07 1900-01-01
US3429740A (en) * 1965-09-24 1969-02-25 North American Rockwell Growing garnet on non-garnet single crystal
US3647538A (en) * 1968-02-05 1972-03-07 Bell Telephone Labor Inc Magnetic element using isolated domains in rare earth orthoferrites
US3540019A (en) * 1968-03-04 1970-11-10 Bell Telephone Labor Inc Single wall domain device

Also Published As

Publication number Publication date
FR2121043A5 (de) 1972-08-18
NL7114340A (de) 1972-06-30
JPS518774B1 (de) 1976-03-19
DE2165299B2 (de) 1974-11-14
CA961155A (en) 1975-01-14
US3753814A (en) 1973-08-21
GB1367125A (en) 1974-09-18
DE2165299A1 (de) 1972-07-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2165299C3 (de) Verfahren zur Herstellung einer für Blase ndomänenanwendungsgebiete brauchbaren magnetischen Schicht
DE2260043B2 (de) Magnetischer Plattenspeicher und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2110489C3 (de) Verfahren zur Herstellung von anisotropen Metalloxid Magneten
DE3443049C2 (de)
DE3032708A1 (de) Verfahren zur herstellung eines duennschicht-magnetfeld-sensors
DE2931825C3 (de) Magnetblasen-Speichervorrichtung
DE2134148B2 (de) Verfahren und magnetisches System zur Lenkung des Flusses von Zylinderdomänen
DE2125816A1 (de) Magnetkopf
DE2803040A1 (de) Verfahren zur herstellung von elektronischen mikrowellenvorrichtungen
DE2800411A1 (de) Magnetisches blasendomaenenmaterial und magnetische blasendomaenenanordnung
DE2156515B2 (de) Verfahren zum Herstellen eines magne tischen Mehrschichtenmaterials für BIa sendomanenbauelemente
DE2123887A1 (de) Maske zum Belichten strahlungsempfindlicher Schichten
DE2333812C3 (de) Magnetkopf in Dünnschichttechnik und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2458079C2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Magnetkopfes in Dünnschichttechik
DE3416991C1 (de) AEtzloesung und Verfahren zum AEtzen von ferrimagnetischen Granatverbindungen
DE2264967C2 (de) Magnetisches Blasendomänensystem
DE2165296C3 (de) Verfahren zum Herstellen eines magnetischen Materials für Blasendomänenbauelemente
DE2159980C3 (de)
DE2165298C3 (de) Verfahren zur Herstellung eines magnetischen Materials für Blasendomänenbauelemente
DE2052710A1 (de) Magnetkreis mit geringem Widerstand
DE2010987C3 (de) Verfahren zum &#34;Herstellen von Dunnschicht-Magnetköpfen mit magnetischer Anisotropie
DE2165297B2 (de) Verfahren zur Herstellung eines magnetischen Materials fur Blasendo manen bauelemente
DE2156514C3 (de) Magnetische Blasendomäneneinrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE2431419C3 (de) Harte Blasendomänen unterdrückende, magnetische Doppelschichtanordnung
DE2211358C3 (de) Magnetdomänenfortbewegungselnrichtung

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
E77 Valid patent as to the heymanns-index 1977
8339 Ceased/non-payment of the annual fee