DE2165298C3 - Verfahren zur Herstellung eines magnetischen Materials für Blasendomänenbauelemente - Google Patents

Verfahren zur Herstellung eines magnetischen Materials für Blasendomänenbauelemente

Info

Publication number
DE2165298C3
DE2165298C3 DE2165298A DE2165298DA DE2165298C3 DE 2165298 C3 DE2165298 C3 DE 2165298C3 DE 2165298 A DE2165298 A DE 2165298A DE 2165298D A DE2165298D A DE 2165298DA DE 2165298 C3 DE2165298 C3 DE 2165298C3
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
film
garnet
constant
iron
iron garnet
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE2165298A
Other languages
English (en)
Other versions
DE2165298B2 (de
Inventor
Paul Jerome Mission Viejo Besser
Perry Eugene Santa Ana Elkins
David Murray Orange Heinz
Jack Everett Anaheim Mee
George Richard Anaheim Pulliam
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Boeing North American Inc
Original Assignee
North American Rockwell Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by North American Rockwell Corp filed Critical North American Rockwell Corp
Publication of DE2165298B2 publication Critical patent/DE2165298B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2165298C3 publication Critical patent/DE2165298C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F10/00Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F10/00Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
    • H01F10/08Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
    • H01F10/10Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
    • H01F10/18Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being compounds
    • H01F10/20Ferrites
    • H01F10/24Garnets
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F41/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
    • H01F41/14Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
    • H01F41/20Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates by evaporation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F41/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
    • H01F41/14Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
    • H01F41/24Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates from liquids
    • H01F41/28Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates from liquids by liquid phase epitaxy

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Her-,teilen eines magnetischen Materials für Blasendomänenbauelemente, bei dem ein Eisengranat-Hlm mit positiver Magnetostriktionskonstante epitaktisch auf Le andere Granat-Unterlage aufwachsen ge-
MägneUsche B.asendomänen in einer Schicht aus magnetischem Material, wie z. B. Yttriumortho- * führt überraschen- ^^ und Kodierungen in
m ^ vermjeden werden.
Nach dem Verfahren der Erfindung wird die Hera5 stellung des magnetischen Materials für Blasendomänenbauelemente durch geeignete Einstellung der mechanischen Spannung in dem Film bewirkt.
Nach einem Beispiel für eine bevorzugte Ausfuhrungsform der Erfindung wird durch Aufdampfen so ein Film aus Terbiumeisengranat, TbaFe5OI2, mit der geeigneten Orientierung und mit einer positiven Magnetostriktionskonstanten auf einer Unterlage aus Samariumgalliumgranat Sm3GaA2, abfs~"d Die G««eAo«,jantt des Rhr« bett.g 12.441 A und ist um 0,005 A grober ais ae
Unterlage die 2'436 ^ betraf, Erfindung sind aus
lieh, in der eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung erläutert wird. Verfahren der
Stoffen
Unterlage nach dem Stand der Technik wies der Film 45 Anisotropie d ^8
eine Krakelierung bzw. Haarrißbildung auf, so daß wird die( KnstaUstruk ur de M^J j
diese Materialien für bestimmte Anwendungsarten Einknstallplattchen mit P°«»vct μ'8 unter_
von Vorrichlungen, bei denen Blasendomänen eine konstanten (T100. T111 "U) ei"er ^ t jktf dazu Rolle spielen, ungeeignet waren. Es wurde beob- liegen, ne.gt d,e entsprechend^ ^ag^ostnktion d«u
£ Magnetostr,-
Fürns und der Unterlage angegeben Auch findet sich dort kein Hinweis, daß der abgeschiedene Fiim eine positive Magnetostriktionskonstante haben soll.
in Applied Physics Letters, Vol. 17, Nr. 3 (1. August 1970), S. 131 bis 134. werden Erwägungen über die Bedeutung von Magnetostriktionskonstante und Gitterabstand für die Verwendbarkeit von Eisengranaten de^E ndimg
?.^, der positiven Magnetoor* ι Fall von
^J^^^^^^ {[„} sein.
Tb?he5Ül2vu pin Material würde die Orientierung Bei,Einem Yb3Fe5Oia-Matenal wurde d.e Orientierung
{100} sein.
Die Magnetostriktionskonstanten bei Raumtemperatur von bestimmten Eisengranaten werden in der nachfolgenden Tabelle angegeben.
Eisengranat
Sm3Fe5O12
Eu3Fe5O12
Gd1Fe5O12
Tb3Fe5O12
Dy5Fe5O12.
Ho11Fe5O12
Er3Fe5O12 .
Tm1Fe5O12
YbnHe5O18.
Y3Fe5O12
Y3(Ja0^4F
Lu; Fe5O12
«M.aeO,».
Magnet ostrik'.ionskonstanie
τι« (· 1O0) I τιη (■ 10.)
+ 21
+ 21
- 3,3
-12,5
- 3,4
+ 2,0
+ 1,4
+ 1,4
- 1,4
- 1,4
- 1.4
- 8,5
+ 1,8
- 3,1
+ 12
- 5,9
- 4.0
- 4,9
- 5,2
- 4,5
- 2,4
- IJ
- 2,4
Die Werte für die Magnetostriktionskonstanten des Eisengranatmaterials sowie auch dessen Magnetisierung können durch Abscheiden eines Films geändert werden, der ein Gemisch von zwei oder mehreren reinen Eisengranaten und/oder solchen, in denen die Eisenionen durch andere Kationen substituiert sind, enthält.
Es ist davon auszugehen, daß, gleich ob ein Gemisch und/oder eine Substitution vorliegt oder nicht, die Bedingung für die Blasendomänenbildung in dem EU.engranatmaterial, ΗΑΙ4π Ms > 1, worin Ha das uniaxiale Anisotropiefeld und 4 π M, die Magnetisierung ist, erfüllt sein muß.
Bei magnetischen Strukturen aus Oxidfilm und Unterlage, die durch chemisches Abscheiden aus der Dampfphase gebildet worden sind, ist die vorherrschende Quelle für die uniaxiale Anisotropie der mügnetostriktive Effekt, der von der in dem Film vorliegenden Spannung herrührt. Diese Spannung ist auf den Unterschied zwischen den Gitterkonstanten und den Wärmeausdehnungskoeffizienten des Films und der Unterlage zurückzuführen und kann in der Form von Dehnung oder Kompression vorliegen.
Wie in der Zeichnung veranschaulicht ist, wird ein dünner Film aus magnetischem Blasondomänenmaterial, und zwar der Film 12, auf einer Oxidunterlagc 10 chemisch aus der Dampfphase abgeschieden. Der Film 12 kann auch nach Zersläubungstechniken oder nach einem epitaxialen Abscheidungsverfahren aus flüssiger Phase abgeschieden werden.
Die Unterlage 10 ist ein monokristalliner Granat mit einer Zusammensetzung J3Q5O12, worin der J-Bestandteil wenigstens ein Element der aus Cer, Praseodym, Neodym, Promethium, Samarium, Europium, Gadolinium, Terbium, Dysprosium, Holmium, Erbium, Thulium, Ytterbium, Lutetium. Lanthan, Yttrium, Calcium und Wismut bestehenden Gruppe ist und der Q-Bestandteil wenigstens ein Element der aus Indium, Gallium, Scandium, Titan, Vanadin, Chrom, Mangan, Rhodium, Zirkonium, Hafnium, Niob, Tantal, Aluminium, Phosphor, Arsen und Antimon bestehenden Gruppe ist.
Beispiele für Unterlagtmaterialien sind gemischter YUrium-Gadoliniiimgalliumgranat, Gadoliniumgalliumgranat, durch Aluminium substituierter Gadoliniumgalliumgranat, Terbiumgalliumgranat, Samariumgalliumgranat und Dysprosiumgalliumgranat.
Der Film ist ein einkristalliner Granatfilm mit einer Zusammensetzung J3Q5O12, worin der J-Bestandteil wenigstens ein Element der aus Cer, Praseodym, Neodym, Promethium, Samarium, Europium, Gadolinium, Terbium, Erbium, Thulium, Ytterbium uml Lanthan bestehenden Gruppe enthält und der Q-Bestandteil der aus Eisen, Eisen und Aluminium, Eisen und Gallium, Eisen und Indium, Eisen und Scandium, Eisen und Titan, Eisen und Vanadin, Eisen und Chrom und Eisen und Mangan bestehenden Gruppe entnommen ist.
Ein bevorzugtes Unterlagematerial ist Samariumgalliumgranat, wenn das Filmmaterial Terbiumeisengranat ist.
Die bevorzugte Differenz zwischen den Gitter-
konstanten liegt in der Größenordnung von 0,005 Ä. Wenn die Differenz der Gitterkonstanten etwa 0,035 A oder größer ist, ist die Kompressionskraft so groß, daß sich die Kompression selbst aufhebt und der Film einer Dehnung unterliegt, was auf eine mangelnde
ao Übereinstimmung der Wärmeausdehnung zurückzuführen ist. Wenn die Gitterkonstante des Films kleiner als die Gitterkonstante der Unterlage ist, befindet sich der Film in Dehnung und sind in ihm keine Blasendomänen vorhanden, weil die Senkrechte
as zu der Ebene des Films die schwere Magnetisierungsachse ist und die Domänenmagnelisierungen in der Ebene liegen.
Wie oben erörtert ist, ist die Differenz zwischen den Wärmeausdehnungskoeffizienten von dem Film und der Unterlage für die gesamte in dem Film vorhandene Spannung verantwortlich. Die durch die Wärmeausdehnung bedingte Spannung liegt innerhalb annehmbarer Grenzen, solange der Wärmeausdehnungskoeffizient der Unterlage sich von dem Wärrneausdehnungskoeffizienten des Films nicht um einen Betrag von mehr als 1 ■ 10"/ C zwischen 25 und 1200'3C unterscheidet. Ein bestimmter nicht übereinstimmender Betrag zwischen den Gitterkonstanten (bei Raumtemperatur) des Films und der Unterlage und/oder den Kennwerten für die Wärmeausdehnung ist zur Bildung der Spannung erforderlich, die die uniaxiale Anisotropie erzeugt, welche für die Blasendomänenbildung notwendig ist. Wenn Film und Unterlage hinsichtlich sowohl der Gitterkonstanten als auch
der Wärmeausdehnung zu sehr übereinstimmen, wird die geeignete Spannung, die zur Blasendomänenbildung erforderlich ist, nicht erreicht.
Beispiel 1
Ein {111 }-Film aus Terbiumeisengranat, Tb3Fe5O12, mit einer Gitterkonstanten von 12,441 A wurde auf einem Samariumgalliumgranat, Sm3Ga5O12, chemisch aus der Dampfphase abgeschieden. Die Gitterkonstante des Samariumgalliumgranats betrug 12,436 Ä
und war um einen Betrag von 0,005 A kleiner als die Gitterkonstante des Films. Die erhaltene Struktur wies einen krakelierungsfreien Film auf, der Blasendomänen enthielt.
Beispiele 2 bis 4
Die Beispiele 1 bis 4 werden in der nachfolgenden Tabelle angegeben. In dem Beispiel 2 wurde ein {lll}-Terbiumeisengranatfilm gemäß der Erfindung auf einem Gadoliniumgalliumgranat abgeschieden, wobei die Gitterkonstante des Films um einen Betrag von 0,065 A größer war als die Gitterkonstante (bei Raumtemperatur) der Unterlage. Die Kompressionskraft, die auf die große Fehlübereinstimmung der
Gitter zurückzuführen ist, wurde bei der Abscheidungstemperatur aufgehoben, und der Film befand sich in einem Dehnungszustand,was auf dermangelnden Übereinstimmung der Wärmeausdehnung zwischen dem Film und der Unterlage beruhte. Diese Struktur hatte keine Blasendomänen in dem Film und wies außerdem auf der Filmoberfläche eine Haarrißbildung oder Krakelierung auf. In dem Beispiel 3 befand sich der Film wiederum in einem Dehnungszustand, was zu Domänen führte, deren Magnetisierung in der Filmebene liegt. Das Beispiel 4 ;;eigt einen Film im Kompressionszustand, aber mit einer negativen Magnetostriktion, und wiederum sind keine Blasendomänen in dem Film enthalten, sondern nur Domänen vorhanden, deren Magnetisierung in der Ebene liegt.
Tabelle
Film Gitter- Unterlage Gitter- Gitter BIa- Do
Krake-
liering
Spannung
kon konstante") konstante domä~ nen auf Film
Bei stante») A der
Unter
lage —
nc η in der ober
spiel A 12,436 Gitter Ebene fläche
Nr. 12,441 12,376 konstante
Material") 12,441 Material11) Ga5O1212,452 des Kompression
Tb3Fe5O12X) 12,441 Sm3Ga5O12 12,347 Films") ja nein keine Dehnung
Tb3Fe5O12") 12,357 Gd3Ga5O12 A nein ja ja Dehnung
1 Tb3Fe5O12") Nd017Sm1J13 -0,005 nein ja keine Kompression
2 Y3GaFe318O12
1.2
Tb3Ga5O12 -0,065 nein ja keine
3 +0,011
4 -0,010
a) {ill }-Orientierung.
b) Positive Magnetostriktionskonstante.
c) Negative Magnetostriktionskonstante.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (2)

Patentansprüche:
1. Verfahren zum Herstellen eines magnetischen Materials für Blasendomänenbauelemenle, De. ,lern ein Eisengranat-Film mit posU.ver Magnetottriktionskonstante ep.takUsch auf eine andere Granat-Unterlage aufwachsen gelassen wird dadurch gekennzeichnet, daß fur den Film ein Eisengranat verwendet wird, dessen Gitterkonstante (bei Raumtemperatur) um einen Betrag von weniger als etwa 0,035 Ä größer ist als diejenige der Unterlage.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn-
aneestellt doch geht die dort vermittelte Lehre im wesentlichen dahin, eine Magnetostnktion:>konstante «ehalten und eine Nichtübereinstimmung der Gitter von^Film^uncI UnteAge» "£.
Der Erfindung lieg die Aul^ ^n 'Materia,s
^^^^Xelemente %u^ Verfügung zu fur β™5^"είπ Eisengranat-Film mit positiver s^n n'o7t l rik d t^nskonstante epitaktisch auf eine an-
^^Sna Unterlage abgeschieden wird, bei dem der tiere G™at-Unteriage aog Haarrissen und
blasendomanenna tige mm nc
Krakel*.-ungnst■ ^ ^^ ^^
vT a*R für den Film ein Eisengranat verwendet gelost daß ton r me Raurntemperatur)
^ISms^Se^g^oÄ größer ist als die Gitterkonstante (bei Raum- ist ah d.eje Matena, mit der
TA^A oder , dadurch
gekennzeichnet, daß der Film aus Terb.ume.sengranat und die Unterlage aus Samanumgalhumgranat besteht.
,ο
DE2165298A 1970-12-28 1971-12-23 Verfahren zur Herstellung eines magnetischen Materials für Blasendomänenbauelemente Expired DE2165298C3 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10178570A 1970-12-28 1970-12-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE2165298B2 DE2165298B2 (de) 1974-08-15
DE2165298C3 true DE2165298C3 (de) 1975-04-17

Family

ID=22286400

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2165298A Expired DE2165298C3 (de) 1970-12-28 1971-12-23 Verfahren zur Herstellung eines magnetischen Materials für Blasendomänenbauelemente
DE19712165298 Granted DE2165298A1 (de) 1970-12-28 1971-12-23 Verfahren zur Bildung von Blasendomänen in magnetischen Strukturen aus Film und Unterlage

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19712165298 Granted DE2165298A1 (de) 1970-12-28 1971-12-23 Verfahren zur Bildung von Blasendomänen in magnetischen Strukturen aus Film und Unterlage

Country Status (7)

Country Link
US (1) US3745046A (de)
JP (1) JPS5115594B1 (de)
CA (1) CA953619A (de)
DE (2) DE2165298C3 (de)
FR (1) FR2121044A5 (de)
GB (1) GB1367122A (de)
NL (1) NL7115118A (de)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3946372A (en) * 1974-04-15 1976-03-23 Rockwell International Corporation Characteristic temperature-derived hard bubble suppression
JPS57922U (de) * 1980-05-30 1982-01-06
NL8004201A (nl) 1980-07-22 1982-02-16 Philips Nv Inrichting voor de voortbeweging van magnetische domeinen.
JPS5932289A (ja) * 1982-08-17 1984-02-21 Kyowa Seisakusho:Kk 圧電素子を発信器とした遠隔制御装置
JPS61222109A (ja) * 1985-03-27 1986-10-02 Nippon Sheet Glass Co Ltd 希土類鉄ガ−ネツト膜の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
NL7115118A (de) 1972-06-30
DE2165298A1 (de) 1972-07-06
DE2165298B2 (de) 1974-08-15
GB1367122A (en) 1974-09-18
JPS5115594B1 (de) 1976-05-18
FR2121044A5 (de) 1972-08-18
US3745046A (en) 1973-07-10
CA953619A (en) 1974-08-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2165298C3 (de) Verfahren zur Herstellung eines magnetischen Materials für Blasendomänenbauelemente
DE2745266C2 (de) Granateinkristallschicht für magnetische Blasenbereichsvorrichtungen
DE2637380C2 (de) Magnetblasenvorrichtung
DE3111657C2 (de) Verfahren zur Herstellung von Magnetschichten auf Substraten mit Granatstruktur
DE19811127C2 (de) Piezoelektrische Vorrichtung und Verfahren zum Herstellen derselben
DE2156515C3 (de) Verfahren zum Herstellen eines magnetischen Mehrschichtenmaterials für BIasendomänenbauelemente
DE2165297C3 (de) Verfahren zur Herstellung eines magnetischen Materials für Blasendo mänenbauelemente
DE2800411C2 (de) Magnetische Schichtanordnung zum schnellen Fortbewegen magnetischer Blasendomänen
DE2165296C3 (de) Verfahren zum Herstellen eines magnetischen Materials für Blasendomänenbauelemente
DE2730498C2 (de) Magnetische Blasendomänenanordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE102014105792A1 (de) R-T-B-basierter Permanentmagnet
DE2726744C3 (de) Einkristallines Substrat aus Calcium-Gallium-Granat sowie mit diesem hergestellte magnetische Blasendomänenanordnung
DE112012001248T5 (de) Kristalline Substanz, Substrat und Verfahren zur Herstellung der kristallinen Substanz
DE2063211C3 (de) Schichtkörper mit je einem einkristallinen, magnetischen Film auf wenigstens einer Seite eines elektrisch isolierenden, einkristallinen Substrats
DE1813844A1 (de) Herstellung von Mangan-Wismut
DE2165299B2 (de) Verfahren zur Herstellung einer für Blasendomänenanwendungsgebiete brauchbaren magnetischen Schicht
EP1917668A2 (de) Piezoelektrisches bauelement mit magnetischer schicht
DE2515173A1 (de) Unterdrueckung von harten magnetblasendomaenen aufgrund der charakteristischen temperatur und der kristallorientierung
DE3011037A1 (de) Magnetische blasendomaenenstruktur und magnetische blasendomaenenanordnung
DE2431419C3 (de) Harte Blasendomänen unterdrückende, magnetische Doppelschichtanordnung
DE2264967A1 (de) Magnetdomaenen-fortbewegungssystem
DE1671166B1 (de) Piezoelektrisches keramik-material
DE2062058B2 (de) Schichtkörper und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2216953C3 (de) Verfahren zur Herstellung eines Schichtkörpers mit einer heteroepitaktischen Granatschicht
DE2233734C3 (de) Verfahren und Vorrichtung zum epitaktischen Aufwachsen einer Einkristallschicht auf einem einkristallinen Substrat durch Flüssigphasen-Epitaxie