DE2159036A1 - Belichtungsmesser mit Photodiode - Google Patents
Belichtungsmesser mit PhotodiodeInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Anordnung zur Steuerung der Belichtung mit Hilfe einer Photodiode.
Es ist bekannt, bei Belichtungsmessern Photodioden zu verwenden,
und zwar wird ein variabler Widerstand in Reihe mit der Photodiode
geschaltet und in Abhängigkeit von mindestens einer der folgenden Belichtungsfaktoren eingestellt: Filmempfindlichkeit, Blendenöffnung
des Kameraobjektivs oder Belichtungszeit oder Verschlußgeschwindigkeit, und zwar erfolgt die Einstellung bezüglich des Widerstandswertes.
In Fig. 1 ist die Schaltungsanordnung eines solchen bekannten Belichtungsmessers dargestellt. Der Spannungsabfall Λ
am variablen Widerstand 2, der vom Photostrom der Photodiode .1
herrührt und gleichzeitig Schaltspannung des Feldeffekttransistors ist, wird dadurch konstant gehalten, daß der Widerstandswert des
variablen Widerstandes 2 entsprechend verändert wird, um die optimale Belichtung zu erhalten. Der von der Photodiode 1 erhaltene
Strom ist jedoch sehr klein und in der Größenordnung von zehn
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Pico-Ampere bis einige hundert Nano-Ampere und ändert sich
in einem breiten Bereich. Um ein genügend kräftiges Ausgangssignal
zu erhalten und eine hohe Selektivität zu erzielen, muß daher der Widerstandswert des variablen Widerstandes 2 sich
in einem breiten Widerstandsbereich ändern können, und zwar von einigen zehn Kilo Ohm bis hunderte von Meg Ohm. Außerdem
muß der Widerstands wert des variblen Widerstandes 2 sich
expotentiell ändern, und es ist äußerst schwierig, solche variablen Widerstände mit einem hohen Maß an Genauigkeit herzustellen.
Außerdem sind solche variablen Widerstände im allgemeinen instabil gegenüber Schwankungen der Temperatur und der Feuchtigkeit.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Belichtungsmesser der eingangs angegebenen Art so auszubilden, daß der Widerstandswert
des variablen Widerstandes, welcher gemäß den Belichtungsfaktoren eingestellt wird, verhältnismäßig niedrig ist und sich in
einem relativ schmalen Bereich ändert.
Die gestellte Aufgabe wird dadurch gelöst, daß die Spannung bei
209825/07AS
offener Schaltung der Photodiode an die Steuerelektrode eines
Feldeffekttransistors angelegt wird und daß ein variabler Widerstand zwischen dem Quellenanschluß des Feldeffekttransistors
und dem negativen Anschluß der Betriebsspannungsquelle liegt und mit mindestens einem der Belichtungsfaktoren - d. h. der
Filmempfindlichkeit, der Blendenöffnung des Kameraobjektives und der Belichtungszeit oder Verschlußgeschwindigkeit - in solcher *
Beziehung steht, daß er seinen Widerstands wert in Abhängigkeit von mindestens einem der Belichtungsfaktoren ändert.
Gemäß Erfindung wird ein verbesserter Belichtungsmesser mit einer Photodiode geschaffen, bei welcher eine Änderung im Widerstandswert
gegen den Belichtungswert EV konstant ist. Der variable Widerstand ist ferner einfach in der Herstellung und stabil gegen
Temperatur- und Feuchtigke its Schwankungen. λ
Die bisher beschriebenen Merkmale sind die wichtigsten; es kommen freilich noch zusätzliche Merkmale hinzu, welche
nachfolgend beschrieben werden und Gegenstand von Ansprüchen sind. Der Fachmann kann die Konzeption, auf welche sich die
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Offenbarung gründet, als Basis zum Entwurf weiterer Strukturen
benutzen, um die verschiedenen Zweck der Erfindung auszuführen. Die Ansprüche sollen solche äquivalenten Konstruktionen mitumfassen.
In der nachfolgenden Beschreibung sind einige Ausführungsbeispiele
der Erfindung näher erläutert. Dabei zeigt:
Fig. 1 eine Schaltungsanordnung eines bekannten Belichtungsmessers;
Fig. 2 eine Schaltungsanordnung eines Belichtungsmessers gemäß Erfindung;
Fig. 3 ein Diagramm zur Erläuterung der Wirkungsweise des Belichtungsmessers nach Fig. 2, und
Fig. 4, 5, 6 und 7 zeigen jeweils Schaltungen bzw. Impulsdiagramme
von Variationen gemäß Erfindung.
In Fig. 2 ist eine erste Ausführungsform der Erfindung dargestellt.
Eine Schalt- oder Steuerelektrode 5a eines n-Kanal-Feldeffekt-
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transistors 5 ist mit der Anode einer Silicium-Photodiode
4 verbunden und eine Saugelektrode 5b des Transistors ist mit der positiven Klemme einer Batterie 7 über ein Amperemeter
verbunden. Eine Quellenelektrode 5c des Transistors 5 ist über eine in Vorwärtsrichtung vorgespannte Siliciumdiode und einen
variablen Widerstand 9 mit der Kathode der Silicium-Photodiode 4 und mit der negativen Quelle der Batterie 7 verbunden.
Der Widerstandswert des variablen Widerstandes 9 wird entsprechend
der Filmempfindlichkeit, der Blendenöffnung eines Kameraobjektives und der Belichtungszeit eingestellt.
Der Eingangs wider stand an der Steuerelektrode des Feldeffekttransistors
5 ist genügend groß, so daß die Klemmen oder
Anschlüsse der Silicium-Photodiode 4 als offen gelten können. %
Die Steuerspannung VG des Feldeffekttransistors 5 fällt demnach mit der Spannung V , bei offenem Kreis zusammen
und wird durch folgende Gleichung wiedergegeben:
VG =VD1 = ClogB (1)
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Dabei ist B = Helligkeit eines Objektes und C = ein Proportionalitätsfaktor.
Aus Gliederung (1) ist ersichtlich, daß V bzw. V_ proportional
Ul ta
zum Logarithmus der Helligkeit des Objektes ist. Beinahe der gesamte Saugstrom I fließt durch die Quellenelektrode 5c des
Feldeffekttransistors 5, so daß der Spannungsabfall V am
variablen Widerstand 9 durch folgende Gleichung gegeben ist:
<2>
Dabei ist Rc = der Widerstandswert des variablen Widerstandes 9,
Das Spannungsgefälle V in Vorwärts richtung der Siliciumdiode 8 bleibt beinahe unverändert, so daß die Quellenelektroden-Spannung
V des Feldeffekttransistors 5 in Zusammenhang mit Gleichung (2) gegeben ist durch:
HUL (3)
Aus Gleichung (3) folgt die Spannung zwischen der Steuerelektrode
5a und der Quellenelektrode 5c des Feldeffekttransistors 5 wie folgt:
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VGS - VG - VS ■ VG - VD2
Die Gleichung (4) ist im Diagramm nach Fig. 3 gezeigt, wo die
Spannung zwischen der Steuer- und der Quellenelektrode V_,o
GS
als Abszisse und der Saugstrom I als Ordinate aufgetragen sind.
Die statische Charakteristik des Feldeffekttransistors 5 ist als
Kurve a eingetragen. Λ
Es wird nunmehr angenommen, daß die Spannung V an die
OU
Steuerelektrode angelegt wird, und daß der variable Widerstand
9 einen Widerstandswert von R hat. Es wird dann eine gerade Linie b gezogen, und zwar ausgehend von dem Punkt V - V1^n
GO D2
auf der Abszisse, mit einer Neigung tanO = l/R . Der Strom
ο U
I und die Spannung V am Schnittpunkt P mit der Kurve a
DU OoU O
geben dann den Saugstrom und die Spannung zwischen Steuer- und Quellenelektrode.
Wenn V_ sich auf V__ + Δ V_ ändert, wird die gerade Linie
(j CjU Lx
b verschoben, wie durch die Linie b angedeutet, so daß der
Punkt P zum Punkt P verrutscht. Als Folge ändert sich der
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Saugstrom auf den Wert von I + Δΐη . Wenn der variable
Widerstand 9 so eingestellt wird, daß R*, = R + /\RC, dann
wird die gerade Linie b1 zur geraden Linie b verschoben,
-L Z
Ausgehend von Gleichung |4) stellt sich der Wert R des variablen
Widerstandes 9, welcher den Saugstrom In bei gegebenem V_
bestimmt, wie folgt dar:
V-V-V
R^ = G D2 GSO {5)
R^ = G D2 GSO {5)
DO
«-Vtt, - U ^b;
1DO
Wie aus Gleichung (2) folgt, ändert sich V , wenn sich die
Helligkeit des zu photographierenden Objektes ändert. Deshalb
steht die Kombination aus Filmempfindlichkeit, der Blendenöffnung des Kameraobjektivs und der Belichtungszeit oder
Verschlußgeschwindigkeit, welche zu der optimalen Belichtung für ein Objekt mit gegebener Helligkeit führt, in Beziehung mit
dem Wert R des variablen Widerstandes 9, welcher durch die Gleichung .(5) wiedergegeben wird, wenn die Spannung der Steuerelektrode
für eine gegebene Helligkeit Vq ist.
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Dann kann die optimale Belichtung durch Veränderung der
drei Belichtungsfaktoren erreicht werden, d.h. der Filmempfindlichkeit,
der Blendenöffnung des Kameraobjektivs und der Belichtungszeit oder Verschlußgeschwindigkeit, und zwar in
solcher Weise , daß das Amperemeter 6 den Strom I anzeigt.
Die Steuerelektrodenspannung V_ wird durch eine logarithmische
Funktion der Helligkeit des zu photo graphierenden Objektes wiedergegeben, wie aus Gleichung ((1) folgt, so daß die Änderungsgeschwindigkeit von V für eine Änderung der Helligkeit des zu
photo graphierenden Objektes um 1 EV konstant ist. Aus der
Charakteristik der Photodioden folgt, daß die Änderungs geschwindigkeit
ungefähr 18 Millivolt beträgt.
Wie aus den Gleichungen (5) und (6) folgt, kann der Wert des
variablen Widerstandes 9 linear für eine Änderung des Wertes
von EV geändert werden. Wenn insbesondere I = 0, 2 mA ist, 9 DO
ist die Änderungsgeschwindigkeit ARg 90 Ohm pro Änderung
von 1 EV. Dieser Wert ist sehr klein. Aus den Charakteristiken
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Der Feldeffekttransistoren und der Silicium-Photodioden,
die nunmehr am Markt verfügbar sind, können die folgenden Werte erzielt werden: "
= 0, 2 mA, VGS0 = -800 mV, V^ = 500 mV,
und V_ =-500 mV.
Vj
Aus Gleichung (5) folgt, daß Ra = 1, 5 - 4 Kilo Ohm. Variable
Widerstände, die sich im Bereich von 1, 5 - 4, 0 Kilo Ohm ändern, können leicht mit der erforderlichen Genauigkeit und Stabilität
gegen Temperatur- und Feuchtigkeitsschwankungen hergestellt werden.
Die Spannung bei offener Schaltung der Silicium-Photodiode 4
weist eine temperaturbedingte Änderung in der Größenordnung von - 3mV/ C auf, aber dieser Temperaturgang gleicht sich
infolge des Spannungs abfalle s V in Vorwärts richtung der
Siliciumdiode S aus.
Nunmehr wird die zweite Ausführungsform der Erfindung anhand der Fig, 4 besprochen. Diese Ausführungsfcrm entspricht im
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großen und ganzen der ersten Ausführungsform, außer daß anstelle des Amperemeters 6 ein fester Widerstand 14 in die
Schaltung eingefügt ist, so daß der Spannungsabfall an diesem festen Widerstand 14 mit dem Spannungsabfall an einem weiteren
festen Widerstand 17 verglichen werden kann, welcher in einer Konstantstromschaltung eingefügt ist, die aus einem Feldeffekttransistor
15 und einem weiteren festen Widerstand 16 besteht. Der Unterschied wird durch ein Amperemeter 18 angezeigt.
Der Wert des variablen Widerstandes 13 wird in Abhängigkeit von der Filmempfindlichkeit, den Blendenöffnungen und Ver- "
Schlußgeschwindigkeit so verändert, daß das Amperemeter 18 einen festen Wert anzeigen kann. So wird die optimale Belichtung
wie im Falle der ersten Ausführungsform erreicht.
In der ersten und zweiten Ausführungsform , die unter ^
Bezugnahme auf die Fig. 2, 3 und 4 beschrieben sind, sind die Anoden der Siliciumdioden 8 und 12 mit den Quellen der
Feldeffekttransistoren 5 und 11 verbunden, und die variablen Widerstände 9 und 13 sind in Serie mit den Anoden der Siliciumdioden
8 und 12 geschaltet. Es versteht sich jedoch, daß ein
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gegenseitiger Austausch der Siliciumdioden und der variablen Widerstände vorgenommen werden kann, ohne sich die Funktionen
der Schaltungen ändern würden.
Die nächste Ausführungsform wird unter spezieller Bezugnahme
auf Fig. 5 beschrieben. Diese Ausführungsform besitzt eine Siliciumdiode 20, einen Feldeffekttransistor 21 und einen variablen
Widerstand 22, die in ähnlicher Weise geschaltet sind wie bei der ersten und zweiten Ausführungsform. Ein npn-Transistor
ist als Diode geschaltet und dient als Element zur Kompensation der Änderung der Spannung in offener Schaltung der Siliciurn-Photodiode
20 infolge Temperaturschwankungen, wie im Falle
der Siliciumdioden 8 und 12 im ersten und zweiten Ausftihrungsbeispiel.
In Abhängigkeit von der Filmempfindlichkeit, den Blendenöffnungen und den Verschlußgeschwindigkeiten wird
der Wert des variablen Widerstandes 22 so geändert, daß die optimale Belichtung erreicht werden kann, wenn der Saugstrom
des Feldeffekttransistors 21 zu einem vorbestimmten Wert lnn
wird. Der Feldeffekttransistor 24 und der feste Widerstand 25 stellen eine Konstantstromschaltung dar und ein Differenzverstärker
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der aus npn-Transistoren 28, 29 und 30 sowie aus festen
Widerständen 31 und 32 sowie schließlich ein Paar von festen Widerständen 23 und 26 bestehen, dienen zum Vergleich
der Saugströme des Feldeffekttransistors 21 und 24, damit der Strom entsprechend der Differenz durch ein Amperemeter
3 3 fließt. Die drei Belichtungsfaktoren, die Filmempfindlichkeit,
die Blendenöffnung und die Verschlußgeschwindigkeit nämlich, ™
werden so variiert, daß das Amperemeter 33 einen vorbestimmten Wert I des Saugstromes des Feldeffekttransistors 21, anzeigt.
So kann die optimale Belichtung erreicht werden wie im Falle der ersten und zweiten Ausführungsform, Zusätzlich kann wegen
der Verstärkung durch den Differenzverstärker die Selektivität weiter verbessert werden.
Die Änderung des Kollektorstromes des npn-Transistors 30 ä
beeinträchtigt in starkem Maße den durch das Amperemeter 33 fließenden Strom, so daß der Spannungsabfall im npn-Transistor
27 dem Transistor 30 als Basis vor spannung zugeführt wird, um Schwankungen im Kollektorstrom des Transistors 30 infolge
Schwankungen der Betriebsspannungsquelle und infolge Temperatur-
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Schwankungen zu verhindern.
In der ersten, zweiten und dritten Ausführungsform waren die Siliciunadioden 8 und 12 und der als Diode geschaltete npn-Transistor
27 zwischen den Quellen der Feldeffekttransistoren 5, 11 und 21 und der negativen Klemme der Batterie 7, 19 oder
34 geschaltet, um Änderungen infolge Temperaturschwankungen der Spannung im offenen Kreis der Siliciumdioden 4, 10 und 20
zu kompensieren. Es wird darauf hingewiesen, daß andere geeignete Einrichtungen diese Dioden und den Transistor ersetzen
könnten» Dies wird im Bezug auf die vierte Ausführungsform unter spezieller Bezugnahme auf Fig. 6 erläutert.
Ein p-Kanal-FeldeffekttranssÄtor 35 und ein fester Widerstand
stellen einen Konstantstromschaltkreis dar. Die Saugelektrode des Feldeffekttransistors 35 ist mit der negativen Quelle einer
Batterie 38 über eine gleitend geschaltete Siliciumdiode verbunden. Die Anode einer Silicium-Photo diode 39 ist mit der
Saugelektrode des Feldeffekttransistors 35 verbunden, während die Kathode mit der Steuerelektrode eines n-Kanal-Feldeffekttransistors
40 verbunden ist, dessen Saugelektrode mit der positiven
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Klemme der Batterie über ein Amperemeter 41 verbunden ist. Die Quelle des Feldeffekttransistors 40 ist über einen
variablen Widerstand 42 mit der negativen Quelle der Batterie 38 verbunden.
Die Steuerspannung V des Feldeffekttransistors 40 ist durch
folgende Gleichung gegeben:
Dabei ist Vn1 die Spannung im offenen Kreis der Siliciumdiode
39 und V ist der Spannungsabfall an der Siliciumdiode 37.
Ua
Die infolge Temperatur Schwankungen eintretenden Spannungsänderungen
bei V1 und V sind gleich und heben sich gegenein-
UL Ua
ander auf, so daß die Steuerspannung V_ trotz der Temperatur-Schwankungen
unverändert bleibt. V ist durch Gleichung 1 gegeben, so daß durch Substitution in Gleichung (7) folgende
Gleichung erhalten wird:
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Der Widerstand R des variablen Widerstandes 42 zum Erhalt
eines vorbestimmten Saugstromes I des Feldeffekttransistors
40 wird aus Gleichung j(5) abgeleitet.
= VG " VGS (9)
DO
Wie in der ersten Ausführungsform, steht die Kombination von
Filmempfindlichkeit, Apertur und Verschlußgeschwindigkeit zum Erhalt einer optimalen Belichtung eines Objektes mit gegebener
Helligkeit in Beziehung zum Wert R des variablen Widerstandes 42, gegeben durch Gleichung j[9), wobei V ein Wert ist, welcher
dieser gegebenen Helligkeit entspricht. Daher ist die Funktion der Schaltung nach dem vierten Ausführungsbeispiel identisch
mit dem ersten Ausführungsbeispiel. Zusätzlich wird die Änderung der Spannung im offenen Kreis der Silicium-Photodiode 39
infolge Temperaturschwankungen durch eine Schaltung kompensiert , die von denen der ersten, zweiten und dritten Ausführungsform sich unterscheidet.
Die fünfte Ausführungsform der Erfindung wird unter spezieller Bezugnahme auf Fig. 7 beschrieben. Die fünfte Ausführungsform
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ist ähnlich zu der in Fig# 4 gezeigten zweiten Ausführungsform,
außer daß die Siliciumdiode 12 in Fortfall kommt» Ferner ist eine Schaltung, die aus einem p-Kanal-Feldeffekttransistor 47,
einem festen Widerstand 48 und einer Siliciumdiode 49 besteht, ähnlich einer Einrichtung in der dritten Ausführungsform, die aus
dem Feldeffekttransistor 35, dem festen Widerstand 36 und der ä
Siliciumdiode 37 besteht. Die Saugelektrode des Feldeffekttransistors
47 ist mit der Steuerelektrode eines n-Kanal-Feldeffekttransistors
50 verbunden, und die Feldeffekttransistoren 44 und 50 werden abgeglichen. Wie im Falle der ersten Ausführungsform, wird der Wert des variablen Widerständen 45 abhängig
von der Kombination der Filmempfindlichkeit, der Apertur und der Verschlußgeschwindigkeit so variiert, daß die optimale
Belichtung erreicht werden kann, wenn der Saugstrom des Feldeffekttransistors 44 gleich dem Saugstrom des Feldeffekttransistors
50 wird, was durch den Spannungsabfall an der Siliciumdiode 49 und an dem feststehenden Widerstand 51 festgestellt
wird. Das Zusamnxentreffen dieser beiden Saugströme kann durch eine Schaltung gemessen werden, die aus einem Amperemeter
und festen Widerständen 46 und 52 besteht. Daher ist die
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Funktion der fünften Ausführungsform ähnlich der ersten Ausführungsform gemäß Fig. 2. Die Schwankung der Spannung
im offenen Kreis der Silicium-Photodiode 43 kann durch eine Änderung des Spannungsabfalls an der Siliciumdiode 49 infolge
Temperaturschwankung kompensiert werden, so daß die Ablesung des Amperemeters 53 nicht schädlich beeinflußt wird.
In allen fünf Ausführungsformen können p-Kanal-Feldeffekttransistoren
anstelle von n-Kanal-Feldeffekttransistor en verwendet
werden und umgekehrt mit entsprechender Änderung der Polaritäten der verwendeten Teile« Wenn ferner die sog. Pentoden-Charakteristik
der Feldeffekttransistoren ausgenutzt wird, können Fehler infolge Schwankungen der Betriebsspannungsquelle eliminiert werden.
In den fünf zuvor beschriebenen Ausführungsformen sind die
Werte der variablen Widerstände 9, 13, 22, 42 und 45 so beschrieben,
als ob sie in Abhängigkeit von allen Belichtungsfaktoren fFilmempfindlichkeit, Apertur und VerschlulSgeschwindigkeit)
verändert werden, aber es versteht sich, daß eine Berücksichtigung
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von nur einem oder zwei dieser Faktoren möglieh ist. Wenn beispielsweise der eine Wert durch eine vor der Süiciumdiode
angebrachte Blende eingegeben wird, braucht der Wert des variablen Widerstandes nur in Abhängigkeit von einem oder
zwei Belichtungsfaktoren geändert zu werden.
Die variablen Widerstände 9, 13, 22 oder 45 können aus einer Mehrzahl von variablen Widerständen aufgebaut sein, die in
Serie zueinander geschaltet sind, sp daß jeder dieser variablen Widerstände durch einen jeweiligen Belichtungsfaktor eingestellt
wird. Ih allen fünf Ausführungsformen werden die Silicium-Photodioden als Elemente mit photoelektrischem Effekt
verwendet, aber es versteht sich, daß andere pn-Junktion-Photodioden
verwendet werden können, sofern Gleichung (1)
befriedigt wird. Anstelle der Siliciumdioden 8, 12, 37 und |
49 können andere passende Dioden verwendet werden.
Aus vorstehender Beschreibung ist ersichtlich, daß der Widerstand und der Variationsbereich des veränderlichen Widerstandes
in dem Belichtungsmesser oder der Anordnung zur Steuerung
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der Belichtung: in Übereinstimmung mit der Erfindung in
bemerkenswerter Weise verringert werden kann, verglichen
mit den variablen Widerständen, wie diese bei bekannten
Belichtungsmessern oder Anordnungen zur Steuerung der-Belichtungmit
Photodioden Verwendung gefunden haben, wobei die variablen Widerstände ihren Widerstandswert in. Abhängigkeit
von mindestens einem der drei Belichtungsfaktoren ändern, d»h« der Verschlußgeschwindigkeit,, der Apertur und der
Filmempfindlichkeit. Während beispielsweise bei bekannten Belichtungs Steuersystemen der variable Widerstand von 10 Kilo Ohm
bis hunderte von Meg Ohm geändert wird, ändert sich der variable Widerstand in dem System gemäß Erfindung nur in einem Bereich
von 1, 5 Kilo Ohm zu 4 Kilo Ohm. Ferner kann die Änderungsgeschwindigkeit des Widerstandes pro Belichtungswert EV
konstant gemacht werden. Deshalb ist es nicht notwendig, teure variable Widerstände zu benutzen, welche schwer herzustellen
sind. Bei der vorliegenden Erfindung können variable Widerstände verwendet werden, welche bei Temperatur- und
FeuchtigkeitsSchwankungen stabil sind.
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Claims (11)
- PATENTAUSPBÜCHE"l.J Anordnung zur Steuerung der Belichtung mit Hilfe einer Photodiode,dadurch gekennzeichnet, daß die Spannung bei offener Schaltung der Photodiode an die Steuerelektrode eines Feldeffekttransistors (5, 11) angelegt -wird, und daß ein variabler Widerstand {9, 13) zwischen dem Quellenanschluß des Feldeffekttransistors und dem negativen Anschluß der Betriebsspannungsquelle (7, 19) liegt und mit mindestens einem der Belichtungsfaktoren - d.h. mit der Filmempfindlichkeit, der Blendenöffnung des Kameraobjektivs und der Belichtungszeit oder Verschlußgeschwindigkeit -in solcher Beziehung steht, daß er seinen Widerstandswert Λin Abhängigkeit von mindestens einem der Belichtungsfaktoren ändert.
- 2. Anordnung zur Steuerung der Belichtung zur Anwendung auf dem photo graphischen Gebiet, gekennzeichnet durch einen209825/0746Feldeffekttransistor mit einer Steuerelektrode und mit Quellen und Saugelektroden, eine Photodiode zwischen der Steuerelektrode und einer Verbindung, einen variablen Widerstand zwischen dieser Saugelektrode und der Verbindung und durch eine Batterie zwischen dieser Verbindung und dieser Saugelektrode.
- 3. Anordnung zur Steuerung der Belichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß eine Stromanzeigeeinrichtung in Serie zu der Batterie zwischen der Verbindung und den Saugelektroden liegt.
- 4. Anordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß eine auf Temperatur ansprechende Einrichtung in Serie mit dem variablen Widerstand zwischen der Quellenelektrode und der Verbindung liegt.
- 5. Anordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß eine Kbnstantstromschaltung parallel zu dem Feldeffekttransistor liegt und daß eine stromanzeigende209825/0746Einrichtung zwischen der Saugelektrode des Transistors und der Konstantstromschaltung geschaltet ist.
- 6. Anordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß ein zweiter Feldeffekttransistor mit seinen Saug- und
Quellenelektroden parallel zu dem ersten Feldeffekttransistor an Batterie liegt, wobei die Steuerelektrode des ä zweiten Feldeffekttransistors mit der Verbindung verbunden ist und eine stromanzeigende Einrichtung zwischen den
Saugelektroden der beiden Transistoren angeschlossen ist. - 7. Anordnung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet,
daß die stromanzeigende Einrichtung an einem Differenzverstärker angeschlossen ist, der aus einem Paar von
Transistoren gebildet wird, deren Basen jeweils mit den Saugelektroden des Feldeffekttransistors verbunden sind. - 8. Anordnung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet,
daß eine temperaturkompensierende Schaltung mit einem ersten npn-Transistor und einem zweiten npn-Transistor209825/0746vorgesehen ist, und daß der Kollektor und Emitter des ersten npn-Transistors in Serie mit dem variablen Widerstand zwischen der Quellenelektrode des ersten Feldeffekttransistors und der Verbindung geschaltet ist, und daß der Kollektor und Emitter des zweiten npn-Transistors in Serie zwischen dem Differenzverstärker und der Verbindung liegt, und daß eine Einrichtung die Basiselektroden des ersten und zweiten Transistors mit dem Kollektor des ersten npn-Transistors verbindet. - 9. Anordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Anode der Photodiode mit der Steuerelektrode <äes Feldeffekttransistors und die Kathode der Photodiode mit der Verbindung verbunden sind.
- 10. Anordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daßein p- Kanal- Feldeffekttransistor inSerie mit einer temperaturkompensierenden Diode an die Batterie zur Bildung einer Konstantstromschaltung angeschlossen ist, und daß die Anode der photoleitenden Diode mit der Saugelektrode des p-Kanal-209825/0746Feldeffekttransistors verbunden ist, während die Kathode der photoleitenden Diode mit üer Steuerelektrode des ersten Feldeffekttransistors verbunden ist.
- 11. Anordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,daß ein zweiter Feldeffekttransistor parallel zu dem ersten Feldeffekttransistor geschaltet ist, daß die stromanzeigende ™Einrichtung zwischen den Saugelektroden des ersten und zweiten Feldeffekttransistors liegt, und daß ein p-Kanal-Feldeffekttransistor in Serie mit einer temperaturansprechenden Diode an der Batterie zur Bildung einer Konstantstromschaltung liegt, und daß die Saugelektrode des p-Kanal-Feldeffekttransistors mit der Steuerelektrode des ersten Feldeffekttransistors verbunden ist,? im«? κ / ο ν 4 G
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Family Cites Families (6)
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-
1971
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- 1971-11-30 US US00203350A patent/US3753388A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
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